JPS6215233A - Plasma treatment and apparatus therefor - Google Patents
Plasma treatment and apparatus thereforInfo
- Publication number
- JPS6215233A JPS6215233A JP15558685A JP15558685A JPS6215233A JP S6215233 A JPS6215233 A JP S6215233A JP 15558685 A JP15558685 A JP 15558685A JP 15558685 A JP15558685 A JP 15558685A JP S6215233 A JPS6215233 A JP S6215233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma gas
- gas
- exhaust port
- storage chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
(産業上の利用分野)
この発明はバンパーその他の合成樹脂製品の被塗装面に
、プラズマガスの照射を施すためのプラズマ処理方法お
よびその処理装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] Purpose of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a plasma treatment method and a treatment apparatus for irradiating plasma gas onto the surfaces to be painted of bumpers and other synthetic resin products. be.
(従来の技術)
ポリプロピレン、ポリエチレン等の非極性高分子材料よ
りなる樹脂製品は塗料の付着性がよくないため、その表
面にプラズマ処理を施して塗装性□を向上させる方法が
考えられている。(Prior Art) Resin products made of non-polar polymer materials such as polypropylene and polyethylene have poor paint adhesion, so a method has been considered to improve paintability by subjecting their surfaces to plasma treatment.
従来、この種の方法に用いられるプラズマ処理装置とし
ては、第11〜13図に示すように密閉された収容室6
0の内側壁にプラズマ噴射管61を配設し、同プラズマ
噴射管61に対向する内壁に同収容室60内を減圧した
りプラズマガスを排出したりするための排気口62を設
けるとともに、同収容室60内に被処理品を収納して回
転する回転収納装置63を設けたものが考えられている
。Conventionally, a plasma processing apparatus used for this type of method has a sealed storage chamber 6 as shown in FIGS. 11 to 13.
A plasma injection tube 61 is provided on the inner wall of the storage chamber 60, and an exhaust port 62 is provided on the inner wall facing the plasma injection tube 61 for reducing the pressure inside the storage chamber 60 and discharging plasma gas. It has been considered that a rotary storage device 63 is provided in the storage chamber 60 to store and rotate the items to be processed.
このプラズマ処理装置は、被処理品として例えば、ポリ
プロピレン等の合成樹脂よりなる複数個の自動車用バン
パーBを前記回転収納装置63に設けられた収納台64
に載せて回転させながら、それらバンパー8表面に対し
てプラズマガスを前記プラズマ噴射管61より噴射する
とともに、前記排気口62よりプラズマガスを吸引して
、バンパー8表面の活性化を図っていた。This plasma processing apparatus stores a plurality of automobile bumpers B made of synthetic resin such as polypropylene as objects to be processed, for example, on a storage stand 64 provided in the rotary storage device 63.
Plasma gas was injected from the plasma injection pipe 61 onto the bumper 8 surface while rotating the bumper 8, and the plasma gas was sucked from the exhaust port 62 to activate the bumper 8 surface.
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、上記のプラズマ処理装置では、第12.13
図に示すように前記収容室60の前記排気口62の入口
付近から長手方向の両端側内壁にかけてと内周側内壁に
は、プラズマガスが行きわたらないデッドスペースDが
生じる。このため、バンパー8表面のうち、これらのデ
ッドスペースDを通過する部分が前記収容室60の中央
部を通過する部分に比べて十分に活性化されないという
問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above plasma processing apparatus,
As shown in the figure, a dead space D in which the plasma gas does not spread is generated from the vicinity of the inlet of the exhaust port 62 of the storage chamber 60 to the inner wall on both ends in the longitudinal direction and on the inner wall on the inner peripheral side. Therefore, there is a problem in that the portion of the surface of the bumper 8 that passes through these dead spaces D is not activated as much as the portion that passes through the center of the storage chamber 60.
発明の構成
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するために、第一発明ではプラズマ噴
射管と排気口と、プラズマガスを拡散させるプラズマガ
ス流動手段とを備えた収容室内において、前記プラズマ
噴射管と前記排気口との間に合成樹脂製の被処理品を収
納し、しかる後、前記収容室を減圧し、前記プラズマ噴
射管より噴射されたプラズマガスを前記排気口で吸引し
なか・ら、前記プラズマガス流動手段を停止状態から作
動状態、あるいは作動状態から停止状態にさせて前記被
処理品の表面全体に均一にプラズマ照射を行う方法を採
用している。Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, in the first invention, in a storage chamber equipped with a plasma injection pipe, an exhaust port, and a plasma gas flow means for diffusing plasma gas. , storing a synthetic resin processed article between the plasma injection tube and the exhaust port, then reducing the pressure in the storage chamber, and sucking the plasma gas injected from the plasma injection tube at the exhaust port; However, a method is adopted in which the plasma gas flow means is changed from a stopped state to an activated state or from an activated state to a stopped state, and the entire surface of the object to be treated is uniformly irradiated with plasma.
また、第二発明では第一発明の実施に直接使用する装置
を提供するためのプラズマガスを噴射するプラズマ噴射
管と、前記プラズマガスの吸引と装置内の減圧とを行う
ための排気口とを備えた収容室からなり、同収容室内に
プラズマガスを拡散させるファンを設けた構成を採用し
ている。The second invention also includes a plasma injection tube for injecting plasma gas and an exhaust port for sucking the plasma gas and reducing the pressure inside the apparatus to provide an apparatus that is directly used for carrying out the first invention. It consists of a containment chamber equipped with a fan that diffuses plasma gas within the containment chamber.
(作用)
第一発明では、プラズマ噴射管より噴射されたプラズマ
ガスが前記排気口により吸引されて収容室内を流動し、
その間に被処理品を照射する。照射中、プラズマガスを
拡散させるプラズマガス流動手段を停止状態から作動状
態に、あるいは作動状態から停止状態にさせることによ
り、プラズマガスが前記排気口の吸引によって生じるプ
ラズマガスの行きわたらない空間部に流れて行き、同空
間部内の被処理品を照射する。従って、被処理品の表面
全体が過不足なく均一に活性化される。(Function) In the first invention, the plasma gas injected from the plasma injection tube is sucked by the exhaust port and flows inside the storage chamber,
During this time, the item to be processed is irradiated. During irradiation, by changing the plasma gas flow means for diffusing plasma gas from a stopped state to an activated state or from an activated state to a stopped state, plasma gas is caused to flow into a space where plasma gas does not reach due to suction from the exhaust port. The light flows and irradiates the objects to be processed within the same space. Therefore, the entire surface of the object to be treated is activated uniformly without excess or deficiency.
第二発明では、プラズマガスがプラズマガス噴射管より
噴射されるとともに排気口により吸引されて収容室内を
拡散する。このとき、ファンが作動して、プラズマガス
が収容室の対向する内壁に圧送されて広がるとともに収
容室の長手方向に行きわたり、プラズマガスが前記排気
口の吸引によって生じるプラズマガスの行きわたらない
デッドスペースを経由して吸引される。従って、排気口
の吸引により生じるデッドスペースを解消してプラズマ
ガスを収容室内に行きわたらせる。In the second aspect of the invention, plasma gas is injected from the plasma gas injection pipe and is sucked through the exhaust port to diffuse inside the storage chamber. At this time, the fan operates, and the plasma gas is force-fed to the opposing inner walls of the storage chamber, spreads, and spreads in the longitudinal direction of the storage chamber. It is sucked through the space. Therefore, the dead space caused by the suction of the exhaust port is eliminated, and the plasma gas is spread throughout the accommodation chamber.
(第一実施例)
以下、本第−発明および第二発明を具体化した第一実施
例を第1〜10図に従って説明する。(First Example) Hereinafter, a first example embodying the present invention and the second invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10.
第3図に示すように、プラズマ処理装置の密閉可能な収
容室1は中空円筒状に形成されており、その右側面には
同収容室1を開閉し得る扉1aが設けられている。また
、下壁中央部には前記収容室l内を減圧するための排気
口2が設けられており、バルブ4が装設されているとと
もに配管6に接続されている。同配管6には前記収容室
l内の減圧および吸引をする減圧装置7のメカニカルブ
ースタ8.ロータリーポンプ9が接続されている。As shown in FIG. 3, the sealable storage chamber 1 of the plasma processing apparatus is formed into a hollow cylindrical shape, and a door 1a that can open and close the storage chamber 1 is provided on the right side thereof. Further, an exhaust port 2 for reducing the pressure in the storage chamber 1 is provided at the center of the lower wall, and a valve 4 is installed and connected to a pipe 6. The piping 6 is connected to a mechanical booster 8 of a pressure reducing device 7 for reducing and suctioning the inside of the storage chamber 1. A rotary pump 9 is connected.
第2.4図に示すように、前記排気口2に対して180
度対向する前記収容室1の上部内壁には、プラズマガス
を噴射するための1本のステンレス製のプラズマ噴射管
10が配設されている。また、第5〜7図に示すように
、プラズマ噴射管10の外周には、同噴射管IOの端部
側に向かって配置間隔が漸減し、かつ内径が増化する多
数の噴射口50が形成されている。各噴射口50は垂直
面Sに対して前側へ所定角度θ1(この実施例では30
度)傾斜する方向に開口するもの50aと、後側へ所定
角度θ2(この実施例では30度)傾斜する方向へ開口
するもの50bとから構成されている。As shown in Fig. 2.4, 180 mm relative to the exhaust port 2
A single stainless steel plasma injection tube 10 for injecting plasma gas is disposed on the upper inner wall of the storage chamber 1, which faces each other. Further, as shown in FIGS. 5 to 7, on the outer periphery of the plasma injection tube 10, there are a large number of injection ports 50 whose arrangement interval gradually decreases and whose inner diameter increases toward the end of the injection tube IO. It is formed. Each injection port 50 is oriented forward at a predetermined angle θ1 (30 in this embodiment) with respect to the vertical plane S.
The opening 50a is opened in the direction of inclination (degree), and the opening 50b is opened in the direction of inclination toward the rear at a predetermined angle θ2 (30 degrees in this embodiment).
そして、前側へ傾斜する噴射口50aと後側へ傾斜する
噴射口50bとが交互に配設されている。Injection ports 50a that slope toward the front and injection ports 50b that slope toward the rear are alternately arranged.
また、第3図に示すように、前記プラズマ噴射管10の
略中夫に形成された図示しないプラズマ導入口には、導
入管11が接続されて、前記収容室1外に固定されたプ
ラズマ発生管12に接続されている。同プラズマ発生管
12ば図示しない冷却部および発生炉に包み込まれ、プ
ラズマ発生装置を構成する導波管13、高周波発振器1
4、図示しないテスラコイルおよびプラズマガスの原料
となる酸素のボンへに接続されて、同プラズマ発生管1
2内でプラズマ放電がなされプラズマガスを発生するよ
うになっている。Further, as shown in FIG. 3, an introduction pipe 11 is connected to a plasma introduction port (not shown) formed approximately in the middle of the plasma injection pipe 10, and a plasma generator fixed outside the storage chamber 1 is connected to the introduction pipe 11. It is connected to the pipe 12. The plasma generation tube 12 is enclosed in a cooling section and generation furnace (not shown), and a waveguide 13 and a high frequency oscillator 1 constitute the plasma generation device.
4. The plasma generation tube 1 is connected to a Tesla coil (not shown) and an oxygen bomb that is a raw material for plasma gas.
A plasma discharge is generated within the chamber 2 to generate plasma gas.
そして、第4図に示すように、前記収容室1の内壁側に
は、プラズマガス流動手段としてのプラズマガスを拡散
する4枚の羽根からなるファン3が設けられており、同
ファン3の軸芯方向は、前記プラズマ噴射管10と前記
排気口2とを結ぶ平面に対して90度に交差するように
なっている。As shown in FIG. 4, a fan 3 consisting of four blades for diffusing plasma gas as a plasma gas flow means is provided on the inner wall side of the storage chamber 1. The core direction intersects the plane connecting the plasma injection tube 10 and the exhaust port 2 at 90 degrees.
また、前記ファン3は前記収容室l内の気密性を保つた
めの図示しないシール部材を介して収容室1の外壁に固
定されたモータMの駆動軸5に連結されている。Further, the fan 3 is connected to a drive shaft 5 of a motor M fixed to the outer wall of the storage chamber 1 via a sealing member (not shown) for maintaining airtightness within the storage chamber 1.
ここで、更に前記ファン3の位置について述べると、同
ファン3は前記プラズマ噴射管1oより噴射されたプラ
ズマガスが前記排気口2の吸引されることによって生じ
るプラズマガスの行きわたらないデッドスペースDをな
くする位置に配設されている。Now, to further describe the position of the fan 3, the fan 3 fills a dead space D where the plasma gas does not spread, which is created when the plasma gas injected from the plasma injection pipe 1o is sucked into the exhaust port 2. It is placed in a position where it can be removed.
また、第3.4図に示すように、前記排気口2の上方に
て前記収容室lの底部には、基台15が設けられており
、その上部には回転収納装置16が設けられている。同
回転収納装置16は第8図に示すように、コロ17aを
回動可能に軸着した四角枠のフレーム17と、同フレー
ム17の前後に設けられた一対の支持部材18とにより
支持されており、主として、前記両支持部材18の上端
部に回転可能に支持された回転軸19と、その回転軸1
9の両端近傍に固定された一対の支持円盤20a、20
bとから構成されている。そして、前記両支持円盤20
a、20bの内面間には被処理品としてのポリプロピレ
ン製のバンパーBを載置するための6個の収納台21が
所定の角度間隔をおいて配設されている。Further, as shown in FIG. 3.4, a base 15 is provided at the bottom of the storage chamber l above the exhaust port 2, and a rotating storage device 16 is provided above the base 15. There is. As shown in FIG. 8, the rotary storage device 16 is supported by a square frame 17 on which a roller 17a is rotatably mounted, and a pair of support members 18 provided at the front and rear of the frame 17. The main components are a rotating shaft 19 rotatably supported on the upper ends of both support members 18, and the rotating shaft 1.
A pair of support disks 20a, 20 fixed near both ends of 9.
It is composed of b. And both support disks 20
Six storage stands 21 are arranged at predetermined angular intervals between the inner surfaces of a and 20b on which bumpers B made of polypropylene as objects to be processed are placed.
また、第9図に示すように、各収納台21は金属板にて
折り曲げ形成された一対の支持片22と、両支持片22
間に架設された架設棒23と、各架設棒23の各端部間
を連結するように各支持片22の下面に配設された連結
棒23aとから構成され、各支持片22はその上端部に
おいて金具24等により各支持円盤20a、20bに相
対回動可能に支持されている。従って、前記回転軸19
および支持部120a、20bの回転時および静止時に
おいて各収納台21は水平状態に保持されるようになっ
ている。Further, as shown in FIG. 9, each storage stand 21 includes a pair of support pieces 22 formed by bending a metal plate, and both support pieces 22.
It is composed of an erection rod 23 installed between them, and a connecting rod 23a arranged on the lower surface of each support piece 22 so as to connect each end of each installation rod 23, and each support piece 22 has an upper end. The support disks 20a and 20b are relatively rotatably supported by metal fittings 24 and the like. Therefore, the rotating shaft 19
Each storage stand 21 is held in a horizontal state when the supporting parts 120a and 20b are rotating and when they are stationary.
また、各支持片22の中央切欠部にはプラズマガスの通
過を許容するためのネット25が張設されている。Further, a net 25 is provided in the center notch of each support piece 22 to allow passage of plasma gas.
そして、第4図に示すように、前記回転軸19の端部に
は鎖車26が挿嵌されるとともに、前記フレーム17上
には一軸線の回りで回転する鎖車27および伝達ギア2
8が設けられ、両鎖歯車2G、27間にはチェーン24
が掛装されるとともに、前記伝達ギア28には図示しな
い駆動モータにて回転駆動される駆動ギア30が噛合さ
れている。そして、駆動ギア30の回転に伴い、伝達ギ
ア28.鎖歯車26.チェーン24および鎖歯車27を
介して回動軸14とともに支持円盤20a。As shown in FIG. 4, a chain wheel 26 is fitted into the end of the rotating shaft 19, and a chain wheel 27 and a transmission gear 2 that rotate about one axis are mounted on the frame 17.
A chain 24 is provided between both chain gears 2G and 27.
is hung thereon, and a drive gear 30 that is rotationally driven by a drive motor (not shown) is meshed with the transmission gear 28. As the drive gear 30 rotates, the transmission gear 28. Chain gear26. Support disk 20a together with rotation shaft 14 via chain 24 and chain gear 27.
20bが回転されるようになっている。20b is adapted to be rotated.
以上のように構成された装置を用いて、バンパーBにプ
ラズマ処理を行う。Bumper B is subjected to plasma treatment using the apparatus configured as described above.
まず、前記収容室1の扉1aを開き、フレーム17とと
もに前記回転収納装置16を収容室1外へ取り出して、
前記各収納台21にプラズマ処理を施すバンパーBを載
置する。First, open the door 1a of the storage chamber 1, take out the rotary storage device 16 together with the frame 17 outside the storage chamber 1,
A bumper B to be subjected to plasma treatment is placed on each of the storage tables 21.
次に、前記回転収納装置16を再び収容室1内へ押し入
れて扉1aを閉じる。これにより、プラズマ噴射管10
と排気口2間にバンパーBが収納される。そして、前記
回転収納装置16を回転させるとともに前記減圧装置7
の前記バルブ4を開いて、順次、前記ロータリーポンプ
9.メカニカルブースタ8を作動させて行き、収容室1
内を所定圧(0,5〜0.6ト一ル程度)に減圧させる
。Next, the rotary storage device 16 is pushed into the storage chamber 1 again and the door 1a is closed. As a result, the plasma injection tube 10
Bumper B is stored between the exhaust port 2 and the exhaust port 2. Then, the rotating storage device 16 is rotated and the pressure reducing device 7 is rotated.
Open the valve 4 of the rotary pump 9. Activate the mechanical booster 8 and go to the containment chamber 1.
The inside pressure is reduced to a predetermined pressure (approximately 0.5 to 0.6 torr).
所定圧に達すると、前記回転収納装置16の図示しない
駆動モータが作動して、駆動ギア30.伝達ギア28.
鎖車27.チェーン29および鎖車26を介して回動軸
19および支持円盤20が回転される。すると、載置さ
れたバンパーBとともに各収納台21がその上端部を中
心として各支持円盤20に対して相対回動じながら、各
支持円盤20の回転中において各バンパーBが水平状態
に保持される。When the predetermined pressure is reached, the drive motor (not shown) of the rotation storage device 16 is activated, and the drive gear 30. Transmission gear 28.
Chain wheel 27. The rotation shaft 19 and the support disk 20 are rotated via the chain 29 and the chain wheel 26. Then, each storage table 21 together with the placed bumper B rotates relative to each support disk 20 around its upper end, and each bumper B is held in a horizontal state while each support disk 20 is rotating. .
前記回転収納装置16の駆動と略同時に高周波発振器1
4が発振され、高周波が前記導波管13を通じて高周波
が前記プラズマ発生管12に導入される。同プラズマ発
生管12では、すでにプラズマガスの原料となる酸素ガ
スが供給されており、図示しないテスラコイルに電圧が
印加されてプラズマ放電がなされ、プラズマガスが発生
する。The high frequency oscillator 1 is activated almost at the same time as the rotating storage device 16 is driven.
4 is oscillated, and the high frequency wave is introduced into the plasma generating tube 12 through the waveguide 13. The plasma generation tube 12 has already been supplied with oxygen gas, which is a raw material for plasma gas, and a voltage is applied to a Tesla coil (not shown) to cause plasma discharge and generate plasma gas.
発生したプラズマガスは導波管11を介してプラズマ噴
射管10に導入され、各噴射口50から公転している各
収納台21に載置されたバンパーBに対して照射される
とともに前記排気口2により吸引され始める。The generated plasma gas is introduced into the plasma injection tube 10 via the waveguide 11, and is irradiated from each injection port 50 onto the bumper B placed on each revolving storage table 21, and is also irradiated from the exhaust port 2 begins to be attracted.
ここで、この間のプラズマガスの流れを収容室lから基
台15および回転収納装置16を省略した第1.2図に
従って説明する。第1図の一点鎖線で示すように、プラ
ズマ噴射管10から噴射されたプラズマガスは排気口2
により集中的に吸引されて、前記排気口2の入口付近か
ら長手方向の側内壁下部にかけてプラズマガスの行きわ
たらないデッドスペースD(空間部)が生じる。このと
き噴射されたプラズマガスは主に各バンパーBの中央上
部を照射して表面を活性化するが、前記デッドスペース
Dを通過するバンパーBの両端部はプラズマガスが十分
に行きわたらないので活性化が不十分となる。その後、
ファン3が回転して、第1,2図に示すように前記プラ
ズマガス噴射管10より噴射されたプラズマガスは対向
内壁に向かって圧送される。圧送されたプラズマガスは
公転しているバンパーBおよび収納台21の隙間を経由
して対向内壁にあたり、内壁の長手方向両端部および上
下方向に広がって拡散していく。拡散したプラズマガス
はバンパーBの両端部を包み込むよう収容室1の長手方
向両端部に行きわたり、同バンパーBの両端部を照射し
て活性化させるとともに内壁に沿って流れ、前記デッド
スペースDを経由して前記排気口2に吸引される。上記
のように、プラズマガスがバンパーBの中央部および両
端部を照射することにより、バンパーB全体の表面が過
不足なく活性化される。Here, the flow of the plasma gas during this period will be explained with reference to FIG. 1.2, in which the base 15 and the rotary storage device 16 are omitted from the storage chamber l. As shown by the dashed line in FIG. 1, the plasma gas injected from the plasma injection tube 10 is
As a result, a dead space D (space) where the plasma gas does not spread is created from the vicinity of the entrance of the exhaust port 2 to the lower part of the inner wall in the longitudinal direction. The plasma gas injected at this time mainly irradiates the upper center of each bumper B to activate the surface, but the plasma gas does not sufficiently spread to both ends of the bumper B that pass through the dead space D, so the plasma gas is not activated. is insufficient. after that,
As the fan 3 rotates, the plasma gas injected from the plasma gas injection tube 10 is forced toward the opposing inner wall as shown in FIGS. 1 and 2. The pumped plasma gas hits the opposing inner wall through the gap between the revolving bumper B and the storage table 21, and spreads and diffuses in both longitudinal ends of the inner wall and in the vertical direction. The diffused plasma gas spreads to both ends of the storage chamber 1 in the longitudinal direction so as to wrap around both ends of the bumper B, irradiates and activates both ends of the bumper B, flows along the inner wall, and fills the dead space D. The air is sucked into the exhaust port 2 through the air. As described above, by irradiating the center and both ends of the bumper B with the plasma gas, the entire surface of the bumper B is activated in just the right amount.
以上のようなことから、第一発明では、排気口2の吸引
によりプラズマ処理がなされるとともに、更にプラズマ
ガスを拡散するプラズマガス流動手段を用いて処理する
ことにより、排気口2によって生じる前記デッドスペー
スDを通過するバンパーBの両端部に対して、プラズマ
処理がなされるので、バンパーBの表面全体が過不足な
く均一に活性化される。From the above, in the first invention, the plasma treatment is performed by suction through the exhaust port 2, and the dead air generated by the exhaust port 2 is further processed using a plasma gas flow means that diffuses the plasma gas. Since the plasma treatment is performed on both ends of the bumper B passing through the space D, the entire surface of the bumper B is uniformly activated without excess or deficiency.
第二発明では、排気口2がプラズマ噴射管10より噴射
されたプラズマガスを吸引して収容室l内を拡散させる
とともに、その後プラズマガスを拡散させるファン3が
回転して、プラズマガスが前記収容室1の内壁に向かっ
て圧送され、前記内壁に沿って広がるとともに同内壁に
沿って流れるので前記デッドスペースDを経由して前記
排気口2に吸引される。In the second invention, the exhaust port 2 sucks the plasma gas injected from the plasma injection tube 10 and diffuses it in the storage chamber l, and then the fan 3 that diffuses the plasma gas rotates, and the plasma gas is transferred to the storage chamber l. The air is forced toward the inner wall of the chamber 1, spreads along the inner wall, flows along the inner wall, and is sucked into the exhaust port 2 via the dead space D.
従って、プラズマガスを拡散するファン3を設けたこと
により、排気口2の吸引により生じるデッドスペースD
を解消するのでプラズマガスを収容室1内に行きわたら
すことができる。Therefore, by providing the fan 3 that diffuses the plasma gas, the dead space D generated by the suction of the exhaust port 2
Since this eliminates the problem, the plasma gas can be spread throughout the storage chamber 1.
(第二実施例)
第一実施例では、ファン3を収容室1の内壁に設置した
が、この実施例では回転収納装置16の回転軸19の略
中央部にプラズマガスを拡散するファンを静止状態に設
置した点においてのみ第一実施例と相違する。(Second Embodiment) In the first embodiment, the fan 3 was installed on the inner wall of the storage chamber 1, but in this embodiment, the fan for diffusing plasma gas is placed stationary approximately at the center of the rotating shaft 19 of the rotating storage device 16. This embodiment differs from the first embodiment only in that it is installed in the same state.
すなわち、第10図に示すように、回転軸19の略中央
部には、同回転軸19に軸受部32を介して相対回動す
るとともに前記収容室lに対して静止した状態となるセ
ット台30が装設されている。同セット台30の上部に
は、プラズマガスを拡散させるファン33が装着された
モータMが水平方向にO度〜180度回動可能(首振り
可能)に取着されている。また、同セット台30の下部
にはセット台30を静止させるための重り34が取着さ
れており、前記重り34は前記ファン33の推力により
発生するモーメントを打ち消せる大きさの重量となって
いる。また、前記ファン33のモータMは図示しないケ
ーブルを通じて前記収容室1内の図示しない電源用コン
セントに接続されている。That is, as shown in FIG. 10, approximately at the center of the rotating shaft 19 is a set table that rotates relative to the rotating shaft 19 via a bearing 32 and remains stationary with respect to the accommodation chamber l. 30 is installed. A motor M equipped with a fan 33 for diffusing plasma gas is attached to the upper part of the set table 30 so as to be horizontally rotatable (oscillating) from 0 degrees to 180 degrees. Further, a weight 34 is attached to the lower part of the set table 30 to keep the set table 30 stationary, and the weight 34 has a weight large enough to cancel out the moment generated by the thrust of the fan 33. There is. Further, the motor M of the fan 33 is connected to a power outlet (not shown) in the accommodation chamber 1 through a cable (not shown).
ここで、前記ファン33について説明すると、ファン3
3は4枚の羽根を持ち前記モータMによって回転すると
ともに、被処理品Bの形状、大きさ等に応じて水平方向
に0度〜180度の範囲で回動(首振り)して被処理品
Bの両端部にプラズマガスを照射する。また、前記ファ
ン33の回動方向(首振り方向)が変わる際には、一定
の時間上まって、プラズマガスが収容室Iの長手方向両
端部に行きわたるようになっている。Here, to explain the fan 33, the fan 3
3 has four blades and is rotated by the motor M, and also rotates (oscillates) horizontally in the range of 0 degrees to 180 degrees depending on the shape, size, etc. of the product B to be processed. Both ends of item B are irradiated with plasma gas. Furthermore, when the rotational direction (oscillation direction) of the fan 33 changes, the rotational direction (oscillation direction) of the fan 33 is increased for a certain period of time, and the plasma gas is made to spread over both ends of the storage chamber I in the longitudinal direction.
以上のようなことから、第一実施例と同様な作用効果を
発揮する。As described above, the same effects as in the first embodiment are exhibited.
なお、本発明は前記実施例に限定されず、下記のように
具体化してもよい。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and may be embodied as follows.
(1)前記第一実施例では、収容室1内を排気口2によ
り減圧および吸引した後、同吸引とともにファン3を回
転させて収容室1内にプラズマガスを行きわたらせてバ
ンパーBをプラズマ処理したが、逆に、ファン3を排気
口2による吸引とともに作動させてプラズマガスを主に
バンパーBの両端部に照射させた後、同ファン3を止め
て前記排気口2の吸引のみによるプラズマガス照射に切
り替えてもよい。(1) In the first embodiment, after the inside of the storage chamber 1 is depressurized and suctioned through the exhaust port 2, the fan 3 is rotated along with the suction to spread plasma gas inside the storage chamber 1, and the bumper B is subjected to plasma treatment. However, conversely, after operating the fan 3 together with suction through the exhaust port 2 to irradiate the plasma gas mainly to both ends of the bumper B, the fan 3 is stopped and the plasma gas is only generated by suction through the exhaust port 2. You may switch to irradiation.
(2)ファン3の回転数を変えて、プラズマガスの送量
を調節することにより、はじめから排気口2とともに前
記ファン3を作動させてプラズマ処理時間を短縮化して
もよい。(2) The plasma processing time may be shortened by operating the fan 3 together with the exhaust port 2 from the beginning by changing the rotation speed of the fan 3 and adjusting the amount of plasma gas sent.
(3)ファン3は連続運転でもよい。(3) The fan 3 may be operated continuously.
発明の効果
以上詳述したように、これら第一および第二発明では、
収容室のプラズマガスの行きわたらない空間部、すなわ
ちデッドスペースに載置された被処理品に対しても、そ
れら表面全体を過不足なく均一に活性化できるという優
れた効果を発揮する。Effects of the invention As detailed above, in these first and second inventions,
Even for objects to be processed placed in spaces where plasma gas does not reach in the storage chamber, that is, dead spaces, the excellent effect of uniformly activating the entire surface of the objects is exhibited.
第1図は本発明を具体化したプラズマ処理装置の収容室
の基台および回転収納台装置を取り除いた状態でのプラ
ズマガスの流れを示す3断面説明図、第2図は同じ(プ
ラズマガスの流れを示す断面説明図、第3図は同じくプ
ラズマ処理装置を示す説明図、第4図は同じく第3図の
T−T断面図、第5図は同じくプラズマ噴射管を示す正
面図、第6図は同じくプラズマ噴射管のC−C断面を示
す断面図、第7図は同じ(プラズマ噴射管のE−E断面
を示す断面図、第8図は同じく回転収納装置を示す斜視
図、第9図は同じく収納台を示す斜視図、第10図は同
じく第二実施例を示すファンおよびセット台を示す説明
図、第11図は従来のプラズマ処理装置の説明図、第1
2図は同じく収容室のプラズマガスの流れを示す説明図
、第13図は同じく収容室の側面におけるプラズマガス
の流れを示す説明図である。
収容室1、排気口2、プラズマガス流動手段3、ファン
3.33、プラズマ噴射管10、被処理品B1デッドス
ペースD0Fig. 1 is a three-sectional explanatory diagram showing the flow of plasma gas in a state where the base of the storage chamber and the rotary storage table device of the plasma processing apparatus embodying the present invention are removed, and Fig. 2 is the same (Fig. 3 is an explanatory diagram showing the plasma processing apparatus, FIG. 4 is a sectional view taken along the line T-T in FIG. 3, FIG. 5 is a front view showing the plasma injection tube, and FIG. The figures are also a sectional view showing the C-C cross section of the plasma injection tube, FIG. 7 is the same sectional view showing the E-E cross section of the plasma injection tube, FIG. FIG. 10 is an explanatory view showing a fan and a set stand similarly showing the second embodiment. FIG. 11 is an explanatory view of a conventional plasma processing apparatus.
FIG. 2 is an explanatory diagram similarly showing the flow of plasma gas in the storage chamber, and FIG. 13 is an explanatory diagram similarly showing the flow of plasma gas on the side surface of the storage chamber. Storage chamber 1, exhaust port 2, plasma gas flow means 3, fan 3.33, plasma injection pipe 10, workpiece B1 dead space D0
Claims (1)
マガスを拡散させるプラズマガス流動手段(3)とを備
えた収容室(1)内において、前記プラズマ噴射管(1
0)と前記排気口(2)との間に合成樹脂製の被処理品
(B)を収納し、しかる後、前記収容室(1)を減圧し
、前記プラズマ噴射管(10)より噴射されたプラズマ
ガスを前記排気口(2)で吸引しながら、前記プラズマ
ガス流動手段(3)を停止状態から作動状態、あるいは
作動状態から停止状態にさせて前記被処理品(B)の表
面全体に均一にプラズマ照射を行うことを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 2、プラズマガスを噴射するプラズマ噴射管(10)と
、前記プラズマガスの吸引と装置内の減圧とを行うため
の排気口(2)とを備えた収容室(1)からなり、同収
容室(1)内にプラズマガスを拡散させるファン(3、
33)を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 3、前記排気口(2)は前記プラズマ噴射管(10)に
対して180度対向して設置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載のプラズマ処理装置。 4、前記ファン(3、33)の軸芯方向は前記プラズマ
噴射管(10)と前記排気口(2)とを結ぶ直線に対し
て、略90度に交差することを特徴とする特許請求の範
囲第2項又は第3項のうちいずれか1項に記載のプラズ
マ処理装置。 5、前記ファン(33)は水平方向に回動(首振り)す
ることを特徴とする特許請求の範囲第2項又は第4項の
うちいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。[Claims] 1. In a storage chamber (1) equipped with a plasma injection tube (10), an exhaust port (2), and a plasma gas flow means (3) for diffusing plasma gas, the plasma injection tube (1
0) and the exhaust port (2), and then the storage chamber (1) is depressurized and the product is injected from the plasma injection pipe (10). While suctioning the plasma gas through the exhaust port (2), the plasma gas flow means (3) is changed from a stopped state to an activated state or from an activated state to a stopped state to spread the plasma gas over the entire surface of the article to be treated (B). A plasma processing method characterized by uniform plasma irradiation. 2. Consisting of a storage chamber (1) equipped with a plasma injection tube (10) for injecting plasma gas and an exhaust port (2) for suctioning the plasma gas and reducing the pressure inside the device. (1) A fan (3,
33) A plasma processing apparatus characterized by comprising: 3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the exhaust port (2) is installed 180 degrees opposite to the plasma injection tube (10). 4. The axial direction of the fan (3, 33) intersects at approximately 90 degrees with respect to the straight line connecting the plasma injection tube (10) and the exhaust port (2). The plasma processing apparatus according to any one of the range 2 or 3. 5. The plasma processing apparatus according to claim 2 or 4, wherein the fan (33) rotates (oscillates) in a horizontal direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15558685A JPS6215233A (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | Plasma treatment and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15558685A JPS6215233A (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | Plasma treatment and apparatus therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6215233A true JPS6215233A (en) | 1987-01-23 |
Family
ID=15609278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15558685A Pending JPS6215233A (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | Plasma treatment and apparatus therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6215233A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5290489A (en) * | 1992-06-25 | 1994-03-01 | R. Lee Williams | Apparatus and method for treating the interior surfaces of hollow plastic objects for improving adhesive properties |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15558685A patent/JPS6215233A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5290489A (en) * | 1992-06-25 | 1994-03-01 | R. Lee Williams | Apparatus and method for treating the interior surfaces of hollow plastic objects for improving adhesive properties |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3736948A (en) | Washing and sanitizing apparatus for carts such as hospital carts | |
US6604931B2 (en) | Bi-axial rotational molding oven | |
JPWO2009001639A1 (en) | Shot processing device | |
US3422826A (en) | Cleaning machine | |
CN112536178A (en) | Paint spraying apparatus of computer mainframe box production usefulness | |
JPS6215233A (en) | Plasma treatment and apparatus therefor | |
JPS6210140A (en) | Method and apparatus for plasma treatment | |
JPS60129158A (en) | Plasma treating device | |
CN214009831U (en) | Quick drying device is used in chinese-medicinal material purchase | |
JPH0379638A (en) | Plasma treating device | |
JPH02277568A (en) | Plasma treatment device | |
JPS61501083A (en) | Processing method by mass mixing of rough formed parts or machined parts and equipment for carrying out the method | |
JPS6215234A (en) | Plasma treating apparatus | |
JPH027646Y2 (en) | ||
JPS6351062B2 (en) | ||
JPS61439A (en) | Plasma treatment apparatus | |
CN212664016U (en) | Surface paint spraying device for electromechanical product production | |
JP2000006023A (en) | Shotblast method and shotblast device | |
CN220005200U (en) | Ultrasonic cleaning device for lens processing | |
JP2547189B2 (en) | Nozzle position rotation type cleaning device | |
CN215560617U (en) | Vacuum coating structure | |
JPS639947B2 (en) | ||
JPS6140330A (en) | Plasma treatment device | |
CN209775789U (en) | Plate baking machine | |
JPS6245632A (en) | Plasma treatment apparatus |