JPS621513B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS621513B2
JPS621513B2 JP56144253A JP14425381A JPS621513B2 JP S621513 B2 JPS621513 B2 JP S621513B2 JP 56144253 A JP56144253 A JP 56144253A JP 14425381 A JP14425381 A JP 14425381A JP S621513 B2 JPS621513 B2 JP S621513B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel
film
plating
copper
selective absorption
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56144253A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5845442A (en
Inventor
Masahiko Hatsushiro
Seishiro Yamakawa
Masaharu Fujii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP56144253A priority Critical patent/JPS5845442A/en
Publication of JPS5845442A publication Critical patent/JPS5845442A/en
Publication of JPS621513B2 publication Critical patent/JPS621513B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24SSOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00Details of absorbing elements
    • F24S70/20Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
    • F24S70/25Coatings made of metallic material
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24SSOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00Details of absorbing elements
    • F24S70/20Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
    • F24S70/225Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40Solar thermal energy, e.g. solar towers

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

この発明は、太陽熱温水器などに使用される太
陽熱吸収体に関するものである。 太陽熱吸収体としては、金属でつくられた基材
の表面に、太陽光の可視域での吸収率が高く、し
かも赤外領域での放射率が低いような選択吸収膜
を形成したものが知られている。このような選択
吸収膜として、黒色クロム系および酸化銅系の各
選択吸収膜およびステンレス鋼の表面に酸化処理
を施して得られる選択吸収膜があるが、これら従
来の選択吸収膜のうち黒色クロム系の選択吸収膜
は経済性に問題があり、酸化銅系の選択吸収膜は
経済性にすぐれているものの耐熱性および耐蝕性
に難点があり、さらにステンレス系の選択吸収膜
は、熱伝導性や加工性の面で問題があるなど、い
ずれも実用上の大きな欠点をもつていた。 酸化銅系の選択吸収膜についてさらに述べる
と、これには従来酸化第1銅(Cu2O)被膜と酸
化第2銅(CuO)被膜の二つが知られている
が、いずれもつぎに述べる欠点をもつていた。す
なわち、酸化第1銅被膜を選択吸収膜とする場合
は、太陽エネルギーを良好に吸収するが、他方、
加熱された場合の熱放射も大きいので、全体とし
ての効率は充分とは言えない。また、前記酸化第
2銅被膜を選択吸収膜とする場合は、逆に熱放射
は少ないが太陽エネルギーの吸収もやや少ないの
で、やはり全体としての効率は不充分である。 酸化銅系の選択吸収膜は上に述べたように種々
の問題点をかかえているのではあるが、経済性そ
の他の点を考慮すると、上記の問題さえ解決され
るならば実用上もつともすぐれていると言える。
したがつて、これらの問題点の解決が望まれた。 この発明は以上のような事情に鑑みなされたも
ので、上記酸化第1銅被膜と酸化第2銅被膜とを
組み合わせて選択吸収膜を形成し、しかもその膜
厚を特定の範囲に選ぶことにより、効率的および
耐久性にすぐれた太陽熱吸収体を提供するもので
ある。 この発明にかかる太陽熱吸収体は、少なくとも
表面がニツケルでできており、かつその表面が平
坦ではない基材の表面上に、酸化第2銅と酸化第
1銅からなる選択吸収膜が形成され、この選択吸
収膜の全膜厚が0.05〜0.50ミクロンであり、かつ
そのうちの0.005ミクロン以上0.03ミクロン未満
が酸化第1銅によつて占められていることを特徴
としている。以上これについて詳して述べる。 基材としては、全体がニツケルからなるもの、
または、金属等の芯材(ベースメタル)表面にニ
ツケル膜が施されているものが用いられる。この
ように選択吸収膜の下地としてニツケルが好まし
く使用されることは、発明者らによつてすでに提
案されている。その使用目的は、太陽熱吸収体の
耐蝕性向上および耐熱性向上のためである。すな
わち、黒色クロムや黒色ニツケル系の選択吸収膜
は非常に薄く多孔性(ポーラス)であるため、基
材の腐食を防ぐことは困難である。また大気中で
加熱された等の場合は基材が酸化されてしまうこ
ともある。たとえば、太陽熱吸収体の使用中、熱
媒体を導通させない状態で太陽光に曝されるなど
すると、ときにより200℃もの高温に達すること
があり、ために基材の酸化が起きるのであるが、
基材が酸化されると、選択吸収膜の吸収特性αや
放射特性εの性能低下が起きるのである。その
点、化学的および熱的に安定なニツケルを選択吸
収膜の下地として用いれば、基材が腐食された
り、酸化されることがないため、好ましく用いら
れるのである。 この発明にかかる太陽熱吸収体が選択吸収膜の
下地としてニツケルを用いることは、従来と同じ
である。しかし、その下地ニツケル表面が平坦で
ないところに特徴がある。ニツケル下地の表面が
平滑となつていると、その下地自身は、ほとんど
選択吸収特性を有しない。これに対し、ニツケル
下地の表面が、葉状ないし繊維状または粒状の結
晶からなる等して平坦でない場合は、ニツケル下
地自身が選択吸収特性を持つ。このニツケル下地
上に酸化銅の選択吸収膜を形成すると、これらの
間で相剰効果があらわれ、吸収特性が一段と向上
するのである。これは、このニツケル下地の表面
で可視域および近赤外域の太陽光が多重反射を起
こし、吸収されやすくなるためであると考えられ
る。 ニツケル下地は、上述のごとき二つの結晶形の
いずれかをもつようにするのが好ましい。すなわ
ち、その一つは葉状ないし繊維状の結晶形であ
り、もう一つは粒状の結晶形である。 このように一種の選択吸収膜として働くニツケ
ル下地が芯材上に膜としてつくられている場合、
それは、微視的には1枚の連続した膜ではなく、
上記結晶粒子が膜状に群生したものであると言え
る。結晶は、一つの結晶片から連続して別の結晶
片が生長しているという形で生長していることが
ある。もつとも単純な形をとつた場合の様子を模
式的にあらわせば、第1図および第2図のように
なる。第1図は、葉状ないし繊維状を呈する結晶
粒子をあらわし、第2図は粒状を呈する結晶粒子
をあらわす。結晶の大きさや、結晶間隔はつぎの
ようにするのが好ましい。第1図における葉状な
いし繊維状の結晶粒子1の平均長径方向長さ(最
も長い部分の長さ、第1図のtであらわす)は
0.5〜2.0ミクロン(10-6m、以下「μ」と略す)
の範囲にあるのが好ましく、結晶粒子の先端部の
平均間隔(第1図のlであらわす)は0.5〜2.5μ
の範囲にあるのが好ましい。繊維状ないし葉状の
結晶は、先にも述べたように一つの繊維状ないし
葉状結晶から別の繊維状ないし葉状結晶が成長す
ることもある。したがつてそのような場合は、長
径方向長さは個々の結晶でみることになる。第2
図における粒状結晶粒子2の平均粒径は0.1〜1
μの範囲にあるのが好ましく、結晶粒子の平均間
隔(第2図のl′であらわすように、隣接する結晶
粒子を互いに隔てている平均距離のこと)は0.1
〜0.4μの範囲にあるのが好ましい。 以上のような結晶を持つニツケル下地は、可視
光および近赤外光に対しては表面で多重反射を起
こさせるため、可視光および近赤外光をよく吸収
するが、波長2.5μ以上の赤外光に対しては平面
として働くものと思われ、赤外光をよく反射し、
したがつて放射率が小さい。 ニツケル下地は、表面酸化による微量の酸化物
など少量の不純物を含んでいてもよい。 つぎに、このような下地となるニツケル膜は、
例えば電解メツキ法、無電解メツキ法、真空蒸着
法、スパツタリング法など種々の方法で形成する
ことができ、その方法は限定されるものではな
い。しかしながら、葉状ないし繊維状結晶からな
るニツケル膜をつくる場合は、次に述べるような
電解メツキ法によつて形成するのが、製造方法と
しては最も安定している。すなわち、メツキ液と
しては、塩化ニツケル50〜300g/(好ましく
は150〜250g/)、ホウ酸20〜60g/(好ま
しくは30〜50g/)の組成の液を用い、液温20
〜70℃(好ましくは55〜65℃)、電流密度0.5〜
4A/dm2(好ましくは1〜3A/dm2)、メツキ
処理時間0.5〜8分間(好ましくは1〜2分間)
の条件でメツキを行なうのである。 芯材としては鉄板、鋼板、銅板など種々の金属
材料を用いることができる。鉄板または銅板から
なる芯材の表面にこのようなニツケルメツキ処理
を行なう場合は、一般に脱脂(必要な場合は電解
脱脂)、酸洗などの前処理を施しておく必要があ
る。芯材としてステンレス鋼板を用い、これに上
記ニツケルメツキを施す場合は、例えば次のよう
な念入りな前処理が必要であるのが普通である。
すなわち、通常の薬品による脱脂および電解脱脂
を行なつたのち、5〜30%硫酸を用いて陰極電解
による活性化処理を施し、ついで次の条件により
ニツケルのストライクメツキを施すのである。 (処理液組成) 塩化ニツケル 50〜300g/ 塩酸 50〜200g/ (処理条件) 液温:室温 電流密度:5〜10A/dm2 処理時間:0.5〜5分間 このように、必要な前処理を施した芯材に、前
記メツキ法によりニツケルメツキを施せば、芯材
表面に黒灰色ないし灰色を帯びたニツケルメツキ
層が形成される。その際、ニツケルメツキ層の厚
みが0.1〜3μとなるように、前記の範囲内でメ
ツキ処理条件を選ぶようにするのが好ましい。な
お、ニツケルメツキ膜は、前述のように結晶の群
生したものからなるため、実際には複雑な凹凸、
微細構造をもつている。したがつて、通常はメツ
キ厚測定法などにより測定されるなどのため、上
に述べた膜厚は、これらの凹凸をならし、空隙も
ないという状態に換算しての数値であらわされて
いる。 つぎに、このようにして形成されるニツケル下
地の上に、後に述べるよう酸化銅の選択吸収膜を
形成することによつて、選択吸収特性にすぐれた
実用性の高い太陽熱吸収体を得ることができる。
すなわち、酸化銅系の選択吸収膜をそなえた太陽
熱吸収体は、一般に選択吸収特性にすぐれている
ものの、耐熱性や耐蝕性に乏しく、長期間の使用
により次第に劣化するという欠点があつたが、上
記ニツケルからなる下地金属層の上にこの酸化銅
からなる選択吸収膜を形成すれば、下地金属層が
熱的・化学的に安定であるため耐久性が一段と向
上するのである。 このような酸化銅からなる選択吸収膜は、例え
ばニツケル下地の上にメツキ法、スパツタリング
法、真空蒸着法などで銅の薄膜層を形成したの
ち、これに化成処理による酸化処理を施す方法な
どによつて形成される。この場合、上記平坦でな
い表面をもつニツケル下地はその上に形成される
酸化銅の選択吸収膜に対する密着性がきわめて良
好で、この酸化銅層をしつかりと保持する作用を
も有する。これは、上記ニツケル下地が微視的に
みてきわめて微細な凹凸面をそなえているため、
この凹凸部と酸化銅の結晶とが複雑に絡み合つて
互いの結合が強固になるものと考えられる。この
ような下地金属層がニツケル膜からなるときは、
その厚みが0.1〜3μ程度となることが好まし
い。この範囲を外れると、上に形成される酸化銅
層の密着性が低下する傾向がみられるからであ
る。 酸化銅層は酸化第1銅(Cu2O)と、葉状ない
し繊維状の結晶形をもつ酸化第2銅(CuO)か
らなる。両成分は互いに混じり合つていることも
あるのであるが、通常はおおむね酸化第1銅層お
よび酸化第2銅層の2層に分かれている。選択吸
収膜となる酸化銅層の全膜厚は0.05〜0.50μであ
ることが必要である。膜厚が0.50μを越えると熱
放射が増大し、0.05μ未満では充分な黒さが得ら
れず、吸収率が低くなるからである。 選択吸収膜が2種の酸化銅の組合せからなる理
由はつぎのとおりである。すなわち、酸化第2銅
単独では太陽光吸収率が若干低くて悪いが、これ
に酸化第1銅が加わるとその点が改善される。第
3図は同一基材上に酸化第2銅および極微量の酸
化第1銅からなる選択吸収膜が形成されたものA
と、酸化第2銅のみからなる選択吸収膜が形成さ
れたものBの選択吸収特性をあらわすグラフであ
るが、これからみて、酸化第2銅に極微量の酸化
第1銅を混在させると、特に近赤外領域(波長
0.7〜2.5μ)における吸収率が高くなることが分
かる。ただし、酸化第1銅の混在量は多すぎては
ならない。選択吸収膜は約200℃で長時間保持し
ても安定であることが要求されるところ、酸化第
1銅をこのような高温下に放置すると、太陽エネ
ルギー吸収率の悪い結晶形(粒状)をもつ酸化第
2銅に変るからである。したがつて、膜厚で考え
て、酸化第1銅は0.03μを超えない極微量にとど
まることが必要である。これが少なすぎても効果
がないので、0.005μ以上0.03μ未満の範囲にあ
ることが必要となる。この程度の極微量であれ
ば、吸収率は経時的にもほとんど変化しない。し
たがつて、耐熱安定性がよい。熱放射率について
みると、酸化第1銅の混在量が0.005μ以上0.03
μ未満であるかぎり、その併用系は酸化第2銅単
独系と同様に良好である。好ましい膜厚は、酸化
第1銅0.008〜0.01μで、酸化第2銅0.06〜0.12μ
となる範囲である。上記選択吸収膜およびそれに
含まれる酸化第1銅層は、一般に空隙の多い層も
しくは凹凸の多い層として形成されるが、これら
の膜厚が通常定電流還元法などによつて測定され
るため、ここで言う厚みはすべて空隙のない緻密
な膜もしくは凹凸のない平らな膜として換算した
値である。 上記選択吸収膜を形成するには、前述のよう
に、基材上に形成された銅を含有する表面層に酸
化処理を施す方法が実用的に採用される。この酸
化処理としては、例えば亜塩素酸ナトリウム、亜
塩素酸カリウム、過硫酸カリウムなどの酸化剤の
アルカリ性水溶液に基材を浸漬する処理や、過マ
ンガン酸カリウムと硝酸銅もしくは硫酸銅の混合
溶液中に基材を浸漬する処理などがある。 このような酸化処理によつて形成される酸化第
1銅層と酸化第2銅層の各厚みは、処理浴の温
度、組成、濃度、処理時間などにより異なるの
で、目的に応じて最適な条件を選べばよい。 選択吸収膜上には、その保護のため、シリコー
ン樹脂その他の透明被覆が形成されることがあ
る。 このようにして得られた太陽熱吸収体は、選択
吸収特性(太陽光吸収特性、熱放射特性)におい
て、初期特性はもちろん耐熱テスト後特性の点で
もすぐれている。 実施例 1 厚み0.5mmの銅板を芯材として用い、これにア
ルカリ脱脂および3%−HClによる酸洗を施した
後、塩化ニツケル200g/、ホウ酸40g/か
らなるメツキ液を用い、液温60℃、電流密度
2A/dm2、メツキ時間3分間の条件でニツケル
メツキを行なつた。得られたニツケル膜の膜厚は
1μであつた。これを電子顕微鏡(7600倍)で観
察したところ葉状ないし繊維状の結晶が生成して
いることが確認された。この結晶の長径方向の長
さは平均0.8μであつた。 得られたニツケル膜上に硫酸銅メツキ液を用い
て銅を0.15μの厚みにメツキした。この銅メツキ
層に、亜塩素酸ソーダ80g/、苛性ソーダ60
g/からなる液温70℃の処理液で5分間酸化処
理を行ない、繊維状の黒色結晶からなる酸化第1
銅・酸化第2銅の選択吸収膜を形成した。 実施例 2 厚み0.3mmのステンレス鋼板を芯材として用
い、これにアルカリ脱脂および電解脱脂を施した
のち、5%硫酸を用い、室温において電流密度
10A/dm2で30秒間の陰極電解による前処理を行
なつた。つぎに、塩化ニツケル200g/、塩酸
50ml/からなるメツキ液を用い、電流密度
10A/dm2、液温20〜25℃、メツキ時間0.5分の
条件で1次のニツケルメツキを行ない芯材の表面
に1次のニツケル膜を形成した。このメツキ層の
上に引き続き、塩化ニツケル300g/、ホウ酸
50g/からなるメツキ液を用い、電流密度
2A/dm2、液温60℃、メツキ時間2分の条件で
2次のニツケルメツキを施した。上記1次のニツ
ケルメツキは、ステンレス鋼に対する密着性を向
上させるためのものであり、2次のニツケルメツ
キは前記葉状ないし繊維状の結晶からなるニツケ
ル膜を形成するものである。得られたニツケル膜
の膜厚は1.1μで表面の微細構造は繊維状ないし
葉状であつた。 得られたNi膜上に実施例1と同様にして厚み
0.10μの銅メツキを行なつた。この試片を、亜塩
素酸ナトリウム100g/、苛性ソーダ100g/
の化成処理液(液温50℃)で8分間処理して黒色
選択吸収膜を得た。 実施例 3 厚み0.4mmのステンレス鋼板(SUS 430)を芯
材として用い、これにアルカリ脱脂、電解脱脂、
5%硫酸による陰極電解を順に施した後、下記の
条件でステンレス鋼用ニツケルストライクメツキ
を施した。 (ストライクメツキ液組成) 塩化ニツケル 200g/ 塩酸 100g/ (処理条件) 温度:25℃ 電流密度:5A/dm2 時間:3分間 この表面に、塩化ニツケル250g/、ホウ酸
30g/を含むメツキ液を用い、電流密度3A/
dm2、メツキ液温度40℃、メツキ時間2.5分間の
条件でニツケルメツキを施し、厚み0.7μのニツ
ケルメツキ層を形成した。その微細構造は繊維状
であつた。 つぎに、このニツケルメツキ層の表面に硫酸銅
メツキ液で電流密度1A/dm2、メツキ時間1.5分
間の銅メツキを行ない厚み0.20μの銅メツキ層を
形成し、これに苛性ソーダ70g/、亜塩素酸ソ
ーダ90g/を含む化成処理液を用い、化成処理
温度70℃、処理時間3分間の条件で酸化処理を施
して、銅メツキ層を酸化銅層とした。 実施例 4 厚み0.5mmの銅板を芯材として用い、これにア
ルカリ脱脂を行なつて2%−HClによる酸洗を施
したのち、塩化ニツケル400g/、ホウ酸45
g/からなるメツキ液を用い、液温55℃、電流
密度2A/dm2、メツキ時間3分間の条件でニツ
ケルメツキを行なつた。なお、メツキ処理中はメ
ツキ液の撹拌を十分にした。 得られたNi膜の厚みは約1μであつた。これ
を電子顕微鏡(7600倍)で観察したところ、粒状
の結晶が生成していることが確認できた。 このNiメツキの終了後、更に硫酸銅系のメツ
キ液を用いて銅を0.1μの厚みにメツキした。続
いて、この銅メツキ層を酸化するため、亜塩素酸
ソーダ45g/、苛性ソーダ70g/からなる化
成処理液を用い、液温60℃で5分間の酸化処理を
施して、これを、繊維状の黒色結晶からなる酸化
第2銅の選択吸収膜とした。 得られた酸化銅の組成と膜厚は、Cu2O 0.008
μ、CuO 0.08μであつた。 実施例 5 厚み3mmのステンレス鋼(SUS 304)板を芯材
として用い、これにアルカリ脱脂および電解脱脂
を施したのち、5%硫酸を用い、室温において電
流密度10A/dm2で30秒間の陰極電解による前処
理を行なつた。つぎに塩化ニツケル200g/、
塩酸50ml/からなるメツキ液を用い、電流密度
10A/dm2、液温20〜25℃、メツキ時間0.5分の
条件で1次のニツケルメツキを行なつた。このメ
ツキ層の上に塩化ニツケル360g/、ホウ酸40
g/からなるメツキ液を用いて、液温55℃、電
流密度2A/dm2、メツキ時間2分の条件で2次
のメツキを施した。 得られたニツケル膜の膜厚は1.1μで、微細構
造は粒状であつた。 得られたNi膜上に実施例1と同様にして厚み
0.15μの銅メツキを施し、この試片を亜塩素酸ナ
トリウム40g/、苛性ソーダ60g/の化成処
理液(液温60℃)で6分間処理して、黒色選択吸
収膜を得た。 比較例 1 実施例1と同様にしてNiメツキ(葉状ないし
繊維状の結晶)をし、この上に硫酸銅メツキ液を
用いて銅を0.19μの厚みにメツキした。この銅メ
ツキ層に亜塩素酸ソーダ65g/、苛性ソーダ95
g/からなる液温95℃の処理液で10分間酸化処
理を行ない、繊維状の黒色結晶からなる酸化第2
銅選択吸収膜を形成した。 比較例 2 実施例5と同様にしてNiメツキ(粒状の結
晶)した基材を用い、これに厚み0.18μの銅メツ
キを施し、この銅メツキ層に、亜塩素酸ソーダ70
g/、苛性ソーダ90g/からなる液温90℃の
処理液で8分間酸化処理を行ない、繊維状の黒色
結晶からなる酸化第2銅選択吸収膜を形成した。 比較例 3 実施例1と同様にしてNiメツキ(葉状ないし
繊維状の結晶)し、この上に硫酸銅メツキ液を用
いて銅を0.14μの厚みにメツキした。この銅メツ
キ層に亜塩素酸ソーダ95g/、苛性ソーダ60
g/からなる液温70℃の処理液で5分間酸化処
理を行い、繊維状の黒色結晶からなる酸化第1
銅・酸化第2銅の選択吸収膜を形成した。 以上の実施例および比較例で得た太陽熱吸収体
試料の選択吸収膜中の酸化第1銅および酸化第2
銅の各膜厚をそれぞれ測定するとともに、各試料
の初期の光学特性(吸収率α、放射率ε)および
200℃の雰囲気に300時間曝すという耐熱テストを
した後の光学特性(吸収率α、放射率ε)を測定
し、その結果を第1表に示した。 第1表に明らかなように、実施例1〜5で得ら
れた太陽熱吸収体試料は、いずれも比較例1、2
の試料に比べ、すぐれた初期光学特性を有してい
た。しかも、実施例1〜5の試料は、耐熱テスト
後の光学特性もほとんど低下せず、初期のすぐれ
た光学特性を維持してした。一方、0.03μを越え
る酸化第1銅の膜厚を有する比較例3の試料は、
吸収率、放射率ともに低下がみられた。
The present invention relates to a solar heat absorber used in solar water heaters and the like. Solar heat absorbers are known to have a selective absorption film formed on the surface of a base material made of metal, which has a high absorption rate in the visible range of sunlight and a low emissivity in the infrared range. It is being Such selective absorption films include black chromium-based and copper oxide-based selective absorption films, as well as selective absorption films obtained by subjecting the surface of stainless steel to oxidation treatment. Selective absorption membranes based on copper oxide have problems in terms of economic efficiency, copper oxide based selective absorption membranes are highly economical but have drawbacks in heat resistance and corrosion resistance, and stainless steel selective absorption membranes have poor thermal conductivity. All of them had major practical drawbacks, such as problems with processability and processability. To further discuss copper oxide-based selective absorption films, there are two known types: cuprous oxide (Cu 2 O) film and cupric oxide (CuO) film, but both have the disadvantages described below. It had a In other words, when a cuprous oxide film is used as a selective absorption film, it absorbs solar energy well, but on the other hand,
Since the heat radiation when heated is large, the overall efficiency cannot be said to be sufficient. Moreover, when the cupric oxide film is used as a selective absorption film, on the contrary, although the heat radiation is small, the absorption of solar energy is also somewhat small, so the efficiency as a whole is still insufficient. Copper oxide-based selective absorption membranes have various problems as mentioned above, but considering economic efficiency and other aspects, they are excellent in practical use if the above problems can be solved. I can say that there is.
Therefore, it was desired to solve these problems. This invention was made in view of the above circumstances, and by forming a selective absorption film by combining the cuprous oxide film and the cupric oxide film, and by selecting the film thickness within a specific range. , to provide an efficient and durable solar heat absorber. The solar heat absorber according to the present invention has at least a surface made of nickel, and a selective absorption film made of cupric oxide and cuprous oxide is formed on the surface of a base material whose surface is not flat, The selective absorption film is characterized in that the total thickness is 0.05 to 0.50 microns, and that at least 0.005 microns and less than 0.03 microns is occupied by cuprous oxide. This will be explained in detail above. The base material is made entirely of nickel,
Alternatively, a core material (base metal) made of metal or the like with a nickel film coated on the surface is used. It has already been proposed by the inventors that nickel is preferably used as the base for the selective absorption membrane. The purpose of its use is to improve the corrosion resistance and heat resistance of solar heat absorbers. That is, since black chromium or black nickel-based selective absorption films are very thin and porous, it is difficult to prevent corrosion of the base material. Furthermore, the base material may be oxidized if it is heated in the atmosphere. For example, when a solar heat absorber is used and exposed to sunlight without conducting a heat medium, the temperature can sometimes reach as high as 200°C, which causes oxidation of the base material.
When the base material is oxidized, the absorption characteristics α and radiation characteristics ε of the selective absorption film deteriorate. In this respect, nickel, which is chemically and thermally stable, is preferably used as the base of the selective absorption membrane because the base material will not be corroded or oxidized. The solar heat absorber according to the present invention uses nickel as the base of the selective absorption film, as in the prior art. However, the characteristic feature is that the underlying nickel surface is not flat. When the surface of the nickel base is smooth, the base itself has almost no selective absorption properties. On the other hand, if the surface of the nickel base is not flat because it is made of leaf-like, fibrous, or granular crystals, the nickel base itself has selective absorption properties. When a selective absorption film of copper oxide is formed on this nickel substrate, a mutual effect appears between them, and the absorption characteristics are further improved. This is thought to be because sunlight in the visible and near-infrared regions undergoes multiple reflections on the surface of this nickel base and is easily absorbed. Preferably, the nickel substrate has one of the two crystalline forms described above. That is, one of them is a leaf-like or fibrous crystal form, and the other is a granular crystal form. When the nickel base, which acts as a kind of selective absorption membrane, is formed as a membrane on the core material,
Microscopically, it is not a single continuous film,
It can be said that the above-mentioned crystal particles are clustered in a film shape. Crystals may grow in such a way that one crystal piece successively grows another crystal piece. Figures 1 and 2 schematically show what happens when it takes the simplest form. FIG. 1 shows crystal particles exhibiting a leaf-like or fiber-like shape, and FIG. 2 shows crystal particles exhibiting a granular shape. The crystal size and crystal spacing are preferably as follows. The average longitudinal length of the leaf-like or fibrous crystal grains 1 in FIG. 1 (the length of the longest part, represented by t in FIG. 1) is
0.5 to 2.0 microns (10 -6 m, hereinafter abbreviated as "μ")
The average distance between the tips of the crystal grains (represented by l in Figure 1) is preferably in the range of 0.5 to 2.5μ.
It is preferable that it is in the range of . Regarding fibrous or foliar crystals, as mentioned above, one fibrous or foliar crystal may grow another fibrous or foliar crystal. Therefore, in such a case, the length in the major axis direction will be determined for each individual crystal. Second
The average grain size of granular crystal particles 2 in the figure is 0.1 to 1
It is preferably in the range of μ, and the average spacing between crystal grains (the average distance separating adjacent crystal grains from each other, as represented by l' in Figure 2) is 0.1.
It is preferably in the range of ~0.4μ. The nickel substrate with the above crystals causes multiple reflections on the surface of visible and near-infrared light, so it absorbs visible light and near-infrared light well, but it absorbs visible light and near-infrared light well, but it absorbs visible light and near-infrared light well, but it absorbs visible light and near-infrared light well. It seems to act as a flat surface against external light, and reflects infrared light well.
Therefore, the emissivity is small. The nickel base may contain small amounts of impurities such as trace amounts of oxides due to surface oxidation. Next, the nickel film that serves as the base is
For example, it can be formed by various methods such as electrolytic plating, electroless plating, vacuum evaporation, and sputtering, and the method is not limited. However, when producing a nickel film made of leaf-like or fibrous crystals, the most stable manufacturing method is to use electrolytic plating as described below. That is, as a plating liquid, a liquid having a composition of nickel chloride 50 to 300 g/(preferably 150 to 250 g/) and boric acid 20 to 60 g/(preferably 30 to 50 g/) is used, and the liquid temperature is 20
~70℃ (preferably 55-65℃), current density 0.5~
4A/ dm2 (preferably 1-3A/ dm2 ), plating time 0.5-8 minutes (preferably 1-2 minutes)
The plating is done under these conditions. Various metal materials such as iron plate, steel plate, copper plate, etc. can be used as the core material. When performing such a nickel plating treatment on the surface of a core material made of an iron plate or a copper plate, it is generally necessary to perform pretreatment such as degreasing (electrolytic degreasing if necessary) and pickling. When using a stainless steel plate as the core material and applying the above-mentioned nickel plating to it, the following careful pretreatment is usually required, for example.
That is, after degreasing with ordinary chemicals and electrolytic degreasing, an activation treatment is carried out by cathodic electrolysis using 5 to 30% sulfuric acid, and then nickel strike plating is carried out under the following conditions. (Processing liquid composition) Nickel chloride 50-300g/Hydrochloric acid 50-200g/ (Processing conditions) Liquid temperature: Room temperature Current density: 5-10A/ dm2 Processing time: 0.5-5 minutes In this way, the necessary pretreatment is performed. When the core material is nickel-plated by the plating method described above, a black-gray or grayish nickel plating layer is formed on the surface of the core material. At that time, it is preferable to select plating conditions within the above range so that the thickness of the nickel plating layer is 0.1 to 3 microns. As mentioned above, the Nickelmetsuki film is made up of clusters of crystals, so it actually has complex irregularities,
It has a fine structure. Therefore, since it is usually measured by plating thickness measurement method, etc., the film thickness mentioned above is expressed as a value converted to a state in which these unevenness is smoothed out and there are no voids. . Next, by forming a copper oxide selective absorption film as described later on the nickel base thus formed, a highly practical solar heat absorber with excellent selective absorption properties can be obtained. can.
That is, although solar heat absorbers equipped with copper oxide-based selective absorption films generally have excellent selective absorption properties, they have the disadvantage of poor heat resistance and corrosion resistance, and gradually deteriorate after long-term use. If the selective absorption film made of copper oxide is formed on the base metal layer made of nickel, the durability is further improved because the base metal layer is thermally and chemically stable. Such a selective absorption film made of copper oxide can be produced by, for example, forming a copper thin film layer on a nickel base by a plating method, sputtering method, vacuum evaporation method, etc., and then subjecting it to oxidation treatment by chemical conversion treatment. It is formed as a result. In this case, the nickel base having the uneven surface has extremely good adhesion to the copper oxide selective absorption film formed thereon, and also has the function of firmly holding the copper oxide layer. This is because the above-mentioned nickel base has extremely fine uneven surfaces when viewed microscopically.
It is thought that the uneven portions and the copper oxide crystals are intricately intertwined and their mutual bond becomes strong. When such a base metal layer is made of a nickel film,
The thickness is preferably about 0.1 to 3 μm. This is because, if it is outside this range, the adhesion of the copper oxide layer formed thereon tends to decrease. The copper oxide layer consists of cuprous oxide (Cu 2 O) and cupric oxide (CuO) having a leaf-like or fibrous crystal form. Although both components may be mixed with each other, they are generally separated into two layers: a cuprous oxide layer and a cupric oxide layer. The total thickness of the copper oxide layer serving as the selective absorption film needs to be 0.05 to 0.50μ. This is because if the film thickness exceeds 0.50μ, thermal radiation increases, and if it is less than 0.05μ, sufficient blackness cannot be obtained and the absorption rate decreases. The reason why the selective absorption film is made of a combination of two types of copper oxides is as follows. That is, when cupric oxide is used alone, the sunlight absorption rate is slightly low, which is bad, but when cuprous oxide is added to this, this point is improved. Figure 3 shows A in which a selective absorption film consisting of cupric oxide and a trace amount of cuprous oxide is formed on the same base material.
This is a graph showing the selective absorption characteristics of the device B in which a selective absorption film made only of cupric oxide is formed, but from this point on, it can be seen that when cupric oxide is mixed with a very small amount of cuprous oxide, Near infrared region (wavelength
It can be seen that the absorption rate becomes high at 0.7 to 2.5μ). However, the amount of cuprous oxide mixed should not be too large. A selective absorption film is required to be stable even when kept at about 200℃ for a long time, but if cuprous oxide is left at such high temperatures, it will form a crystalline form (granular) that has poor solar energy absorption. This is because it changes to cupric oxide. Therefore, in terms of film thickness, it is necessary that the amount of cuprous oxide be kept at a very small amount, not exceeding 0.03μ. If it is too small, there will be no effect, so it needs to be in the range of 0.005μ or more and less than 0.03μ. If the amount is as small as this, the absorption rate will hardly change over time. Therefore, it has good heat resistance stability. Regarding thermal emissivity, the amount of cuprous oxide mixed is 0.005 μ or more and 0.03
As long as it is less than μ, the combined system is as good as the cupric oxide single system. The preferred film thickness is 0.008 to 0.01μ for cuprous oxide and 0.06 to 0.12μ for cupric oxide.
This is the range. The selective absorption film and the cuprous oxide layer contained therein are generally formed as a layer with many voids or a layer with many irregularities, but since the thickness of these films is usually measured by a constant current reduction method, etc. All thicknesses mentioned here are values calculated as a dense film with no voids or a flat film with no irregularities. In order to form the above-mentioned selective absorption film, as described above, a method of oxidizing the copper-containing surface layer formed on the base material is practically adopted. This oxidation treatment includes, for example, immersing the substrate in an alkaline aqueous solution of an oxidizing agent such as sodium chlorite, potassium chlorite, or potassium persulfate, or immersing it in a mixed solution of potassium permanganate and copper nitrate or copper sulfate. There is a process in which the base material is immersed. The respective thicknesses of the cuprous oxide layer and the cupric oxide layer formed by such oxidation treatment vary depending on the temperature, composition, concentration, treatment time, etc. of the treatment bath, so the optimal conditions may be determined depending on the purpose. All you have to do is choose. A transparent coating such as silicone resin may be formed on the selective absorption membrane to protect it. The solar heat absorber thus obtained has excellent selective absorption properties (sunlight absorption properties, thermal radiation properties), not only in the initial properties but also in the properties after the heat resistance test. Example 1 A copper plate with a thickness of 0.5 mm was used as a core material, and after degreasing with alkaline and pickling with 3% HCl, a plating solution consisting of 200 g of nickel chloride and 40 g of boric acid was used, and the liquid temperature was 60°C. °C, current density
Nickel plating was carried out under the conditions of 2 A/dm 2 and a plating time of 3 minutes. The thickness of the obtained nickel film was 1 μm. When this was observed using an electron microscope (7600x magnification), it was confirmed that leaf-like or fibrous crystals were formed. The average length of this crystal in the major axis direction was 0.8 μ. Copper was plated on the obtained nickel film to a thickness of 0.15μ using a copper sulfate plating solution. Add 80 g of sodium chlorite and 60 g of caustic soda to this copper plating layer.
Oxidation treatment was carried out for 5 minutes with a treatment solution consisting of
A selective absorption film of copper and cupric oxide was formed. Example 2 A stainless steel plate with a thickness of 0.3 mm was used as the core material, and after being subjected to alkaline degreasing and electrolytic degreasing, the current density was reduced at room temperature using 5% sulfuric acid.
Pretreatment was carried out by cathodic electrolysis at 10 A/dm 2 for 30 seconds. Next, nickel chloride 200g/, hydrochloric acid
Using a plating solution consisting of 50 ml, the current density
Primary nickel plating was performed under the conditions of 10 A/dm 2 , liquid temperature of 20 to 25°C, and plating time of 0.5 minutes to form a primary nickel film on the surface of the core material. Continuing on top of this plating layer, nickel chloride 300g/, boric acid
Using a plating liquid consisting of 50 g/m, the current density
Secondary nickel plating was performed under the conditions of 2 A/dm 2 , liquid temperature of 60° C., and plating time of 2 minutes. The primary nickel plating is for improving adhesion to stainless steel, and the secondary nickel plating is for forming a nickel film made of the leaf-like or fibrous crystals. The thickness of the obtained nickel film was 1.1μ, and the surface microstructure was fibrous or leaf-like. On the obtained Ni film, the thickness was
0.10μ copper plating was performed. This sample was mixed with 100g of sodium chlorite and 100g of caustic soda.
A black selective absorption membrane was obtained by treatment with a chemical conversion treatment solution (solution temperature: 50°C) for 8 minutes. Example 3 A stainless steel plate (SUS 430) with a thickness of 0.4 mm was used as the core material, and it was subjected to alkaline degreasing, electrolytic degreasing,
After sequentially performing cathodic electrolysis using 5% sulfuric acid, nickel strike plating for stainless steel was performed under the following conditions. (Strike plating liquid composition) Nickel chloride 200g/ Hydrochloric acid 100g/ (Treatment conditions) Temperature: 25℃ Current density: 5A/dm 2 hours: 3 minutes On this surface, apply nickel chloride 250g/, boric acid
Using a plating liquid containing 30g/, the current density is 3A/
Nickel plating was performed under the conditions of dm 2 , plating liquid temperature of 40° C., and plating time of 2.5 minutes to form a nickel plating layer with a thickness of 0.7 μm. Its fine structure was fibrous. Next, copper plating was performed on the surface of this nickel plating layer with a copper sulfate plating solution at a current density of 1A/dm 2 and a plating time of 1.5 minutes to form a copper plating layer with a thickness of 0.20 μm. Oxidation treatment was performed using a chemical conversion treatment solution containing 90 g of soda at a chemical conversion temperature of 70° C. for a treatment time of 3 minutes, thereby converting the copper plating layer into a copper oxide layer. Example 4 A copper plate with a thickness of 0.5 mm was used as a core material, and after degreasing with alkaline and pickling with 2%-HCl, 400 g of nickel chloride and 45 g of boric acid were used.
Nickel plating was carried out using a plating solution consisting of 50.0 g/g/g/g/g/g under the conditions of a solution temperature of 55 DEG C., a current density of 2 A/ dm.sup.2 , and a plating time of 3 minutes. Note that during the plating process, the plating solution was sufficiently stirred. The thickness of the obtained Ni film was about 1 μm. When this was observed using an electron microscope (7,600x magnification), it was confirmed that granular crystals were formed. After completing this Ni plating, copper was further plated to a thickness of 0.1μ using a copper sulfate based plating solution. Next, in order to oxidize this copper plating layer, an oxidation treatment was performed for 5 minutes at a liquid temperature of 60°C using a chemical conversion treatment solution consisting of 45 g of sodium chlorite and 70 g of caustic soda. A selective absorption film of cupric oxide consisting of black crystals was used. The composition and film thickness of the obtained copper oxide are Cu 2 O 0.008
μ, CuO was 0.08μ. Example 5 A stainless steel (SUS 304) plate with a thickness of 3 mm was used as the core material, and after being subjected to alkaline degreasing and electrolytic degreasing, it was cathode-treated with 5% sulfuric acid at a current density of 10 A/dm 2 for 30 seconds at room temperature. Pretreatment by electrolysis was performed. Next, nickel chloride 200g/,
Using a plating solution consisting of 50 ml of hydrochloric acid, the current density
First-order nickel plating was carried out under the conditions of 10 A/dm 2 , liquid temperature of 20 to 25° C., and plating time of 0.5 minutes. On top of this plating layer, nickel chloride 360g/, boric acid 40g
Secondary plating was carried out using a plating solution consisting of 2.5 g/g/g/g/g/g of plating solution at a solution temperature of 55° C., a current density of 2 A/dm 2 , and a plating time of 2 minutes. The thickness of the obtained nickel film was 1.1μ, and the fine structure was granular. On the obtained Ni film, the thickness was
Copper plating with a thickness of 0.15 μm was applied, and the sample was treated with a chemical conversion solution (liquid temperature: 60° C.) containing 40 g of sodium chlorite and 60 g of caustic soda for 6 minutes to obtain a black selective absorption membrane. Comparative Example 1 Ni plating (leaf-like or fibrous crystals) was performed in the same manner as in Example 1, and then copper was plated to a thickness of 0.19 μm using a copper sulfate plating solution. Sodium chlorite 65g/, caustic soda 95g on this copper plating layer
The oxidation treatment was carried out for 10 minutes with a treatment solution consisting of
A copper selective absorption film was formed. Comparative Example 2 Using a base material plated with Ni (granular crystals) in the same manner as in Example 5, copper plating with a thickness of 0.18μ was applied to this, and this copper plating layer was coated with 70% sodium chlorite.
An oxidation treatment was carried out for 8 minutes using a treatment solution containing 90 g/g of caustic soda and 90 g/g of caustic soda at a temperature of 90° C. to form a cupric oxide selective absorption film consisting of fibrous black crystals. Comparative Example 3 Ni plating (leaf-like or fibrous crystals) was performed in the same manner as in Example 1, and copper was then plated to a thickness of 0.14 μm using a copper sulfate plating solution. Sodium chlorite 95g/, caustic soda 60g on this copper plating layer
Oxidation treatment was carried out for 5 minutes with a treatment solution consisting of
A selective absorption film of copper and cupric oxide was formed. Cuprous oxide and dibasic oxide in the selective absorption films of the solar heat absorber samples obtained in the above examples and comparative examples.
In addition to measuring the thickness of each copper film, the initial optical properties (absorption rate α, emissivity ε) and
After a heat resistance test of exposing the material to a 200°C atmosphere for 300 hours, the optical properties (absorption rate α, emissivity ε) were measured, and the results are shown in Table 1. As is clear from Table 1, the solar heat absorber samples obtained in Examples 1 to 5 are the same as those of Comparative Examples 1 and 2.
It had excellent initial optical properties compared to the sample. Moreover, the optical properties of the samples of Examples 1 to 5 hardly deteriorated after the heat resistance test, and the initial excellent optical properties were maintained. On the other hand, the sample of Comparative Example 3, which has a cuprous oxide film thickness exceeding 0.03μ,
A decrease was observed in both absorption rate and emissivity.

〔試験方法〕〔Test method〕

膜厚:定電流還元法により、還元に要した電気量
より膜厚を算出した。したがつて、この膜厚
は、空隙のない緻密なもしくは凹凸のない平ら
な膜の厚みとしてあらわされている。第1銅層
および第2銅層の各厚みを出すにあたつては、
X線回折法も併用した。 吸収率:
Film thickness: Film thickness was calculated from the amount of electricity required for reduction using a constant current reduction method. Therefore, this film thickness is expressed as the thickness of a dense film with no voids or a flat film with no irregularities. When determining the thickness of the first copper layer and the second copper layer,
X-ray diffraction method was also used. Absorption rate:

【式】 (∫ は太陽光のスペクトル領域が0.3〜2.5
μに
95%存在するから) ここで α:吸収率(太陽エネルギーに対する) α〓:波長λでの吸収率 I〓:太陽光の波長λの放射強度 放射率:
[Formula] (∫ 2.5 0.3 means that the spectral range of sunlight is 0.3 to 2.5
to μ
where α: Absorption rate (with respect to solar energy) α: Absorption rate at wavelength λ I: Radiant intensity at wavelength λ of sunlight Emissivity:

【式】 ここで ε:放射率(黒体放射全エネルギーに対する) S〓T=150:150℃の黒体からの波長λの放射強
度 ε〓:波長λの放射率(黒体に対する) なお、赤外分光光度計で赤外域の反射率P〓を
測定し、ε〓=1−P〓とした。
[Formula] Here, ε: Emissivity (relative to the total energy of black body radiation) S〓 T=150 : Radiation intensity at wavelength λ from a black body at 150°C ε: Emissivity at wavelength λ (relative to black body) The reflectance P〓 in the infrared region was measured using an infrared spectrophotometer, and it was set as ε〓=1−P〓.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は葉状ないし繊維状のニツケル結晶を断
面図であらわした模式図、第2図は粒状のニツケ
ル結晶を断面であらわした模式図、第3図は太陽
光の波長と太陽熱吸収体(選択吸収膜中に酸化第
1銅が混在するものとしないもの)の光学的特性
の関係をあらわすグラフである。 1……葉状ないし繊維状ニツケル結晶、2……
粒状ニツケル結晶。
Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a leaf-like or fibrous nickel crystal, Figure 2 is a cross-sectional view of a granular nickel crystal, and Figure 3 shows the wavelength of sunlight and the solar heat absorber (selected). 3 is a graph showing the relationship between the optical characteristics of absorbing films with and without cuprous oxide mixed therein. 1... Foliate or fibrous nickel crystal, 2...
Granular nickel crystal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 少なくとも表面がニツケルでできており、か
つその表面が平坦ではない基材の表面上に、酸化
第2銅と酸化第1銅からなる選択吸収膜が形成さ
れ、この選択吸収膜の全膜厚が0.05〜0.50ミクロ
ンであり、かつそのうちの0.005ミクロン以上
0.03ミクロン未満が酸化第1銅によつて占められ
ていることを特徴とする太陽熱吸収体。 2 基材の表面が葉状ないし繊維状の結晶形をも
つニツケル膜からなり、その結晶の平均長径方向
長さが0.5〜2.0ミクロンであり、かつ結晶の先端
部の平均間隔が0.5〜2.5ミクロンである特許請求
の範囲第1項記載の太陽熱吸収体。 3 基材の表面が粒状の結晶形をもつニツケル膜
からなり、その結晶の平均粒径が0.1〜1ミクロ
ンであり、かつ粒子間の平均間隔が0.1〜0.4ミク
ロンである特許請求の範囲第1項記載の太陽熱吸
収体。 4 ニツケル膜の厚みが0.1〜3ミクロンである
特許請求の範囲第2項または第3項記載の太陽熱
吸収体。
[Claims] 1. A selective absorption film made of cupric oxide and cuprous oxide is formed on the surface of a base material whose surface is made of nickel and whose surface is not flat. The total thickness of the absorption membrane is 0.05 to 0.50 microns, and 0.005 microns or more of that
A solar heat absorber characterized in that less than 0.03 microns is occupied by cuprous oxide. 2 The surface of the base material is made of a nickel film with a leaf-like or fibrous crystal shape, and the average length of the crystals in the longitudinal direction is 0.5 to 2.0 microns, and the average distance between the tips of the crystals is 0.5 to 2.5 microns. A solar heat absorber according to claim 1. 3. Claim 1, wherein the surface of the base material is made of a nickel film having a granular crystal shape, the average grain size of the crystals is 0.1 to 1 micron, and the average spacing between the grains is 0.1 to 0.4 micron. Solar heat absorber as described in section. 4. The solar heat absorber according to claim 2 or 3, wherein the nickel film has a thickness of 0.1 to 3 microns.
JP56144253A 1981-09-12 1981-09-12 Solar heat absorbing body Granted JPS5845442A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56144253A JPS5845442A (en) 1981-09-12 1981-09-12 Solar heat absorbing body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56144253A JPS5845442A (en) 1981-09-12 1981-09-12 Solar heat absorbing body

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5845442A JPS5845442A (en) 1983-03-16
JPS621513B2 true JPS621513B2 (en) 1987-01-13

Family

ID=15357792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56144253A Granted JPS5845442A (en) 1981-09-12 1981-09-12 Solar heat absorbing body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5845442A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068478A (en) * 2011-09-21 2013-04-18 Tdk Corp Infrared absorption film, infrared detection element using the same, and method of manufacturing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5350541A (en) * 1976-10-19 1978-05-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Solar heat collecting board
JPS5398533A (en) * 1977-02-09 1978-08-29 Dornier System Gmbh Selective solar absorption surface layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5350541A (en) * 1976-10-19 1978-05-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Solar heat collecting board
JPS5398533A (en) * 1977-02-09 1978-08-29 Dornier System Gmbh Selective solar absorption surface layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068478A (en) * 2011-09-21 2013-04-18 Tdk Corp Infrared absorption film, infrared detection element using the same, and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5845442A (en) 1983-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Niklasson et al. Surfaces for selective absorption of solar energy: an annotated bibliography 1955–1981
US4177325A (en) Aluminium or copper substrate panel for selective absorption of solar energy
US4104134A (en) Method for making an aluminum or copper substrate panel for selective absorption of solar energy
US4392920A (en) Method of forming oxide coatings
US4082907A (en) Thin molybdenum coatings on aluminum for solar energy absorption
JPS621513B2 (en)
JPS6138783B2 (en)
NO144365B (en) SELECTIVE ABSORPTION SURFACE, FOR SOLAR COLLECTOR, AND PROCEDURES IN THE PREPARATION OF THIS
JP3194064B2 (en) Solar heat absorber
EP0067567A2 (en) Selective solar surfaces
JPS6359065B2 (en)
JPS621512B2 (en)
US4904353A (en) Optically black cobalt surface
JPS6122222B2 (en)
John et al. Blackening of electroless nickel deposits for solar energy applications
Uma et al. Spectrally selective surfaces on stainless steel produced by chemical conversion
US4104136A (en) Process for applying thin molybdenum containing coatings on aluminum for solar energy absorption
JPS6220473B2 (en)
JPS6122221B2 (en)
JPS5845443A (en) Solar heat abosrbing body
JPH0520516B2 (en)
Iyer et al. Cr2O3 Cr composite selective absorbers produced by the ebonizing process
JPS6138784B2 (en)
JP3212699B2 (en) Oxidation catalyst and method for producing the same
JPS5952748B2 (en) solar heat absorber