JPS6214738Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、棒状の抵抗器を使用した抵抗減衰
器に係わり、特に、マイクロストリツプライン上
に形成することによつて使用周波数帯域を広げた
可変抵抗減衰器に関するものである。

通常、マイクロストリツプライン上に棒形で、
かつリード線のない抵抗器（以下抵抗体という）
を接続し、抵抗体の抵抗値をマイクロストリツプ
ラインの特性インピーダンス（例えば50Ω）と整
合するように定めた抵抗減衰器は、かなり高い周
波数の信号まで使用することができ、かつ比較的
安価に製作することができる。

第１図ａ，ｂは従来の抵抗減衰素子を平面図お
よび側面図で示したもので、１および２はマイク
ロストリツプラインを形成する第１，第２の中心
導体、３，４は第２，第３のアース導体である。

前記第１，第２の中心導体１，２および第２，
第３のアース導体３，４は裏面を第１のアース導
体Ｅとした誘電材基板Ｐの表面に形成されている
もので、前記第２，第３のアース導体３，４と裏
面の第１のアース導体Ｅは図示しない導電路で接
続されている。

５，６，７は通常磁器に炭素被膜、または金属
被膜を塗布または蒸着することによつて形成さ
れ、両側端が電極となつている抵抗体で、第１の
抵抗体５は、前記第１，第２の中心導体１，２間
に接続（半田付け）され、第２，第３の抵抗体
６，７は前記第１，第２の中心導体１，２から第
２，第３のアース導体３，４に接続されている。
したがつて、第１，第２の中心導体１，２の間で
π形の抵抗減衰素子が構成されていることにな
る。

このようなπ形の抵抗減衰器は、マイクロスト
リツプラインの特性インピーダンス（例えば50
Ω）と等しい影像インピーダンスになるように各
抵抗体５，６，７の値を定めると、かなり高い周
波数の信号まで所定の減衰量を与えることができ
る。

しかしながら、本来抵抗として作用するべきは
ずの第２，第３の抵抗体６，７を構造的な見地か
らみると、誘電材基板Ｐの裏面の第１のアース導
体Ｅに対しては極めて近い距離で配置されること
になるので、対アース容量が付加されたものにな
り、第２図に示すように高い周波数の信号に対し
ては等価的には第２，第３の抵抗体６，７には対
アース容量Ｃが付加されたものになる。

そのため、第６図の点線で表わされているよう
に30〔dB〕以上の減衰器を構成すると百ＭHz帯
で前記対アース容量Ｃの影響が現れ、減衰量が増
加する傾向になるという欠点がある。

この考案は、かかる実状にかんがみてなされた
もので、抵抗体の接続（半田付け）を工夫するこ
とによつて、前述したような現象を除去した可変
抵抗減衰器を提供するものである。

以下、この考案の可変抵抗減衰器について説明
する。

第３図ａ，ｂはこの考案の抵抗体の配置を示す
平面図と側面図で、符号１，２，３，４，５，
６，７は第１図と同一部分を示す。

この考案では第３図ｂに示すように、第２，第
３の抵抗体６，７を第１の抵抗体５の接続端子に
積重ねて接続（半田付け）し、誘電基板Ｐとの距
離をＬで示すように少なくとも第１の抵抗体５の
接続端子の直径分だけ大きくなるように配置す
る。

このように第２，第３の抵抗体６，７を第１の
抵抗体５上に積重ねて接続し、誘電材基板Ｐから
離間させて配置すると、当然のことながら第２，
第３の抵抗体６，７と第１のアース導体Ｅとの距
離が長くなり、その分だけ第２，第３の抵抗体
６，７のボデイと、第１のアース導体Ｅ間で形成
される対アース容量Ｃが減少する。

したがつて、高い周波数の信号に対しても所定
の減衰量が確保できるようになる。

第４図ａ，ｂは前記第２，第３の抵抗体６，７
を一方の第２のアース導体３に接地した変形例を
示すものであるが、この場合も第１の抵抗体５の
接続端子に積重ねて第２，第３の抵抗体６，７の
一端を接続（半田付け）することによつて、前述
したように対アース容量Ｃを減少させることがで
きる。

第５図は第３図に示した抵抗体の接続構造で可
変抵抗減衰器を構成した一実施例を上面図で示し
たもので、２０は良導体からなるアース筐体であ
り、その両側面にはケーブルを接続する入力栓２
０ａと出力栓２０ｂが設けてある。アース筐体２
０の内部には裏面を第１のアース導体Ｅとした誘
電材基板Ｐが収納され、１点鎖線で分割するＡ，
Ｂ，Ｃ，Ｄの領域で４個の抵抗減衰素子が構成さ
れている。そして各々の抵抗減衰素子は、第３図
に示した抵抗体の接続構造で形成される。すなわ
ち、１１，１２は第１，第２，の中心導体に相当
し、１３，１４は第２，第３のアース導体であ
り、１５は第１の抵抗体、１６，１７は第２，第
３の抵抗体を示す。

１９は前記誘電材基板Ｐの裏側から取り付けて
あるトランスフア継電器（Ｔ−継電器）を示し、
このＴ−継電器１９は、第６図に示すようにリレ
ーコイル１９ａに電流を流すことによつて２つの
可動接片１９ｂ，１９ｂが接点１９ｃ，１９ｃか
ら、他の接点１９ｄ，１９ｄに接触する構造とな
つている。

したがつて図示したようにアース筐体２０に設
けてある貫通コンデンサ２０ｄを介して、前記Ｔ
−継電器１９のリレーコイル１９ａを駆動する
と、スルー導体１０に接続されていた可動接片１
９ｂ，１９ｂが接点１９ｄ，１９ｄに接触し、結
局、第１，第２の中心導体１１，１２間にπ形の
抵抗減衰素子が挿入されることになる。

そこで、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ内に減衰量が異な
る抵抗減衰素子をそれぞれ構成しておけば、端子
ａ，ｂ，ｃ，ｄに供給する制御信号によつて数段
階の減衰量を与えることができる可変抵抗減衰器
とすることができる。

なお、第２，第３のアース導体１３，１４は必
ずしも帯状を成していなくともよく、第２，第３
の抵抗体１６，１７のアース電極は誘電材基板Ｐ
に形成したアースランドに直接半田付けし、裏面
の第１のアース導体Ｅに結合するようにしてもよ
い。

また、上述した実施例で第２の抵抗体１６を第
２のアース導体１３に接続し、第３の抵抗体１７
を第３のアース導体１４に接続して接地するよう
にしてもよく、各抵抗減衰素子をシールド板で隔
離するように構成してもよい。

第７図は第１図に示した抵抗体の接続構造で可
変抵抗減衰器を形成した場合と、第３図で示した
この考案の接続構造で可変抵抗減衰器を構成した
場合の減衰特性を測定したデータである。

この図から、第１図の抵抗体の接続構造の場合
は、ほぼ100MHz帯以上で点線で示すように対ア
ース容量Ｃの影響によつて減衰量が増加する傾向
にあつたが、この考案の可変抵抗減衰器では、ほ
ぼ1000MHzに至るまで所定の減衰特性となつてい
ることが分かる。

以上説明したように、この考案の可変抵抗減衰
器は、第２，第３の抵抗体を第１の抵抗体の接続
端子に積重ねて接続し、誘電材基板上にπ形の抵
抗減衰素子を構成するようにしたので、第２，第
３の抵抗体に対する対アース容量が減少し、高い
周波数の信号に対しても減衰特性が変動しないと
いう利点を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは従来のπ形の抵抗減衰素子を示
す平面図と側面図、第２図は高域周波数における
第１図の等価回路図、第３図ａ，ｂはこの考案の
可変抵抗減衰器に採用される抵抗体接続構造を示
す平面図と側面図、第４図ａ，ｂはπ形の抵抗減
衰器の他の実施例を示す平面図、第５図はこの考
案の可変抵抗減衰器の構成図、第６図はトランス
フア継電器の接続図、第７図はこの考案の可変変
抵抗減衰器の減衰特性を示す測定データ図であ
る。 図中、１１，１２は第１、第２の中心導体、１
５は第１の抵抗体、１６，１７は第２、第３の抵
抗体、１９はトランスフア継電器、２０はアース
筐体、Ｐは誘電材基板、Ｅは第１のアース導体を
示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 裏面に第１のアース導体を形成し、その表面に
   ストリツプラインの第１，第２の中心導体と、一
   側部に第２のアース導体と、この第２のアース導
   体と対向してもう一方の側部に第３のアース導体
   とを形成した誘電材基板と、前記第１，第２の中
   心導体間に配置された第１の抵抗体と、この第１
   の抵抗体の一方の端子にその一端が接続されその
   他端が前記第２または第３のアース導体に接地さ
   れた第２の抵抗体と、前記第１の抵抗体の他方の
   端子にその一端が接続されその他端が前記第３ま
   たは第２のアース導体に接地された第３の抵抗体
   とで形成されたπ形の抵抗減衰素子と、前記第
   １，第２の中心導体を短絡した状態と、前記抵抗
   減衰素子と接続された状態とに切換え可能なトラ
   ンスフア継電器とを有する可変抵抗減衰器であつ
   て；前記第２および第３の抵抗体のそれぞれの一
   端が前記第１の抵抗体の両端に積重なつて接続さ
   れていることを特徴とする可変抵抗減衰器。