JPS62146253A - Position aligning device for mask film forming device - Google Patents

Position aligning device for mask film forming device

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Publication number
JPS62146253A
JPS62146253A JP60284363A JP28436385A JPS62146253A JP S62146253 A JPS62146253 A JP S62146253A JP 60284363 A JP60284363 A JP 60284363A JP 28436385 A JP28436385 A JP 28436385A JP S62146253 A JPS62146253 A JP S62146253A
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JP
Japan
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mask
substrate
pattern
film forming
thin film
Prior art date
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Pending
Application number
JP60284363A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Kakinuma
柿沼 博美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS62146253A publication Critical patent/JPS62146253A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make the edge part of a thin film pattern formed on a substrate extremely clear by forming projections on the surface of a mask confronting the substrate at prescribed positions and by pressing the edge part of the pattern of the mask against the substrate by springs. CONSTITUTION:Plural projections 4b are formed on the surface of a mask 4 confronting a substrate 5 at positions at which the contact of the projections with a thin film pattern formed on the substrate 5 is avoided. The edge part of the pattern 4a of the mask 4 are pressed against the substrate 5 by springs 18 so that no gap is left between the edge part and the substrate 5. Thus, the edge part of a thin film pattern formed on the substrate is made extremely clear.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、成膜用マスクを基板と位置合わせしたまま
薄膜を成膜することにより、所定形状のパターンを形成
することかでさる薄膜成膜装置の位置合わせ装置に関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a method for forming a thin film by forming a pattern of a predetermined shape by depositing a thin film while aligning a film-forming mask with a substrate. The present invention relates to an alignment device for a membrane device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は従来のこの種マスク成膜装置の位置合わせ装置
を示す断面図である。(1)は比較的厚さの厚いマスク
枠で、このマスク枠(1)の所定位置には、このマスク
枠(1)に重合されたマスク(4)の位置決め穴(4b
)を挿入してこのマスク(4)の位置決めを行なう複数
の位置決めビン(2)と、マスク(4)に重合された基
板(5)を固定する複数の固定ビン(3)とが一体に植
設されている。(6)はマスク枠(1)の所定位置に取
υ付けらねた基板弁え、(7)は基板(5)と、所定形
状のパターン(4a)を形成したマスク(4)とをマス
ク枠(1)に固定する基板枠である。
FIG. 5 is a sectional view showing a conventional positioning device for this type of mask film forming apparatus. (1) is a relatively thick mask frame, and a positioning hole (4b) of a mask (4) superimposed on this mask frame (1) is provided at a predetermined position of this mask frame (1).
) for positioning the mask (4), and a plurality of fixing bins (3) for fixing the substrate (5) superimposed on the mask (4) are integrally implanted. It is set up. (6) is a substrate valve attached to a predetermined position of the mask frame (1), and (7) is a mask with a substrate (5) and a mask (4) formed with a pattern (4a) of a predetermined shape. This is a board frame fixed to the frame (1).

従来のマスク成膜装置の位置合わせ装置は上記のように
構成されているので5位置決めビン(2)と、固定ビン
(3)との相対関係位置およびマスク(4)のパターン
(4a)と、位置決め穴(4b)との相対関係位置を高
精度に加工することによって、基板(5ンに対するマス
ク(4)のパターン(4a)を高精度に位置合わせがで
さるようになされており、このように構成された位置合
わせ装置を薄膜成膜装置に取り付け、マスク伜(1)の
下部から成膜したい物質の蒸着物を蒸着させると、基板
(5)にはマスク(4)のパターン(4a)と同一形状
の薄膜パターンが形成されろ。
Since the positioning device of the conventional mask film forming apparatus is configured as described above, the relative position of the five positioning bins (2) and the fixed bins (3) and the pattern (4a) of the mask (4), By processing the relative position with the positioning hole (4b) with high precision, it is possible to align the pattern (4a) of the mask (4) with respect to the substrate (5) with high precision. When a positioning device configured as shown in FIG. A thin film pattern with the same shape is formed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来のマスク成膜装置の位置合わせ装置におい
ては、互に重合する基板(5ンとマスク(4)とが全面
的に密着せず、特にパターン(4a)のエツジ部と基板
(5)との間に隙間が生じ易く、たとえば蒸発源の面積
が大ぎいもの、スパンタ装置、あるいはプラズマCVD
 (蒸着)装置などのように基板(5)の成る点に入射
する成膜物質粒子の入射角ml囲が広い成膜装置によっ
て形成さねたパターンは、隙間のあるパターン(4a)
のエツジ部におい又薄膜かにじみ、鮮明な薄膜パターン
が基板に形成できない欠点がある。これに対処する一つ
の手段としてマスク(4)を板ばね等によって基板(5
)に押し付けるようにすると、すでに基板(5)上に形
成されている薄膜パターンを局部的に強力に押圧してこ
れを損傷するおそれがある。
In the above-mentioned alignment device of the conventional mask film forming apparatus, the substrate (5) and the mask (4) that overlap each other do not come into close contact with each other over the entire surface, especially the edge portion of the pattern (4a) and the substrate (5). For example, if the area of the evaporation source is large, a spanner device, or a plasma CVD
A pattern formed by a film forming apparatus such as a vapor deposition apparatus in which the incident angle of the film forming material particles incident on the point of the substrate (5) is wide (ml) is a pattern with gaps (4a).
The disadvantage is that the thin film smears at the edges of the substrate, making it impossible to form a clear thin film pattern on the substrate. One way to deal with this is to attach the mask (4) to the substrate (5) using a leaf spring or the like.
), there is a risk that the thin film pattern already formed on the substrate (5) will be locally strongly pressed and damaged.

この発明は、かかる点に着目し工なさねたもので、基板
に形成される薄膜パターンのエツジ部が鮮明であり、し
かもすでに基板上に形成さねている薄膜パターンを損傷
しないようにしたマスク成膜装置の位置合わせ装置を提
供するものである、〔問題点を解決するための手段〕 この発明にかかるマスク成膜装置の位置合わせ装置は、
所定形状のパターンを形成したマスクの基板との対向面
に、この基板上にすでに形成さねている薄膜パターンに
接触しない位置に複数の突起を設けるとともに、この突
起と上記マスクのパターンのエツジ部との間に所定圧力
で圧接するばねにより、マスクのパターンのエツジ部を
基板に押圧するようにしたものでちる。
This invention focuses on this point and has been devised to provide a mask in which the edges of the thin film pattern formed on the substrate are clear, and the thin film pattern already formed on the substrate is not damaged. [Means for solving the problem] The alignment device for a mask film forming apparatus according to the present invention provides an alignment device for a film forming apparatus.
A plurality of protrusions are provided on the surface of the mask on which a pattern of a predetermined shape is formed, facing the substrate, at positions that do not contact the thin film pattern already formed on this substrate, and the edges of the protrusions and the pattern of the mask are provided. The edge portion of the mask pattern is pressed against the substrate by a spring that is pressed against the substrate at a predetermined pressure.

〔作用〕[Effect]

この発明におい−Cは、マスクの基板との対向面に、こ
の基板上にすでに形成されている薄膜パターンに接触し
ない位置に複数の突起を投げるとともに、マスクのパタ
ーンのエツジ部をばねにより基板に押圧してマスクのパ
ターンのエツジ部と基板との間に隙間が生じないように
したので、基板に形成されろ薄膜パターンエツジ部がき
わめて鮮明になるばかりでなく、マスクに設けた突起は
基板上にすでに形成さねている薄膜パターンに接触しな
い位置に設げられているので、この薄膜パターンを損傷
するようなことがない。
In this invention, -C has a plurality of protrusions on the surface of the mask facing the substrate at positions that do not contact the thin film pattern already formed on the substrate, and also attaches the edge portion of the pattern of the mask to the substrate using a spring. Since the pressure is applied so that there is no gap between the edge of the mask pattern and the substrate, not only the edge of the thin film pattern formed on the substrate becomes extremely clear, but also the protrusions provided on the mask are formed on the substrate. Since it is provided at a position that does not touch the thin film pattern already formed, there is no possibility of damaging this thin film pattern.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第1図はこの発明の一実施例を示す側面図、第2図(工
妥部の拡大断面図、第3図は装置の全体平面図で、01
)は薄膜パターンを形成する基板(5)を載置するステ
ージで、このステージUυの所定位置には、位置決めビ
ンα4と、基板固定ビン叫と、押え板支えビンα◆とが
それぞれ植設されている。そして、基板(5)は基板固
定ビンu3と基板押えαQとによって所定位置に位置決
めさねている。(4)は基板(5ン上に重合され、これ
に穿けられた位置決め穴(図示せず)を位置決めビン(
ロ)に挿入することによって位置決めされたマスクで、
このマスク(4)には第2図および第3図に示すように
所定形状のパターン(4a)が形成されている。さらに
、このマスク(4)の基板(5)との対向面には、この
基板(5)上にすでに形成されている薄膜パターン(図
示せず)に接触しない位置において、基板(5)に圧接
する複数の突起(4b)が形成されている。0枠は所定
位置に穿けられた位置決め穴(図示せず)を位置決めビ
ン(6)に挿入することによって位置決めされた櫛歯状
の板ばね等からなるばねで、このばねOI工、昇降ナツ
トを有する複数の保持ボルト(1)、…に保持された押
え板(AKよって押し下げらねるようになされており、
このばねα→の先端部(18a)はマスク(4)の各突
起(4b)と、パターン(4a)のエツジ部との間に所
定圧力で圧接され、マスク(4)のエツジ部を基板(5
)に押圧して、このマスク(4)のエツジ部、基板(5
)との間に隙間が生じないようになされている。
Fig. 1 is a side view showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged sectional view of the construction part, and Fig. 3 is a plan view of the entire device.
) is a stage on which a substrate (5) on which a thin film pattern is to be formed is placed, and a positioning bin α4, a substrate fixing bin, and a holding plate support bin α◆ are installed at predetermined positions on this stage Uυ, respectively. ing. The substrate (5) is not positioned at a predetermined position by the substrate fixing bin u3 and the substrate presser αQ. (4) is superimposed on the substrate (5 pins), and the positioning holes (not shown) drilled therein are inserted into the positioning holes (not shown).
b) with a mask positioned by inserting it into the
As shown in FIGS. 2 and 3, a pattern (4a) of a predetermined shape is formed on this mask (4). Furthermore, the surface of the mask (4) facing the substrate (5) is pressed against the substrate (5) at a position that does not contact the thin film pattern (not shown) already formed on the substrate (5). A plurality of protrusions (4b) are formed. Frame 0 is a spring made of a comb-like leaf spring, etc., which is positioned by inserting a positioning hole (not shown) drilled at a predetermined position into a positioning pin (6). A plurality of retaining bolts (1) having a holding plate (AK) held by a plurality of retaining bolts (1),
The tip (18a) of this spring α→ is pressed with a predetermined pressure between each protrusion (4b) of the mask (4) and the edge of the pattern (4a), and the edge of the mask (4) is pressed against the substrate ( 5
) and press the edges of this mask (4) and the substrate (5).
) so that there is no gap between them.

矢に、上述した一実施例におけろ各構成部材の材質およ
び加工手段等について詳細に説明すれば次の通りである
The materials and processing means of each component in the above-mentioned embodiment will be explained in detail as follows.

まず、マスク(4)は0.1〜0.3闘厚め5US30
4 。
First, the mask (4) is 0.1-0.3 thick 5US30
4.

5US430 r!どのステンレス、42アロイモリブ
デンアルいはコバールなどをフォトエツチングによって
加工するようにすれば、高精度なパターンが得らt″I
る。また5基板(5ンの一辺の寸法が10αμ上と大き
い場合には、マスク(4)もこねに比例して大きくなり
、マスク素材の反りが加工精度および成膜パターン精度
を低下させるので、マスクの素材がたとえばステンレス
の場合には、テンションアニールによつ℃高硬度化した
ものを用いればよい。ざらに成膜パターン精度をさらに
向上させたい場合には、マスクの厚さによるシャドー効
果を小さくする套装があシ、通常、マスクの厚さを50
μmtで薄<シてフォトエツチング加工したあと、機械
的強度を増すために0.2〜0.5電の厚い仮をスポッ
ト溶接などにより一体化して補強する手段が用いられて
いるが、高価となることはもちろん、マスクに付着した
蒸着物をエツチングするとぎにスポット溶接部が外れた
り、また、各マスク間に浸入したエッチャントが洗浄に
よって除去しにくいなどの問題がある、 したがって、所定のレジストパターンをマスク(4)の
裏に形成し、さらにこねより多少広いパターンをこのマ
スクの9y(形成したあと、塩鉄系のステンレスエッチ
マントでエツチングすることによって形成されたパター
ンのエツジ部の断面は必然的に傾粂しており、ンヤドー
効果を小さくすることがでさるとともに、このマスク(
4)に形成する突起(4b)はこの加工のあとでプレス
加工によって形成する。
5US430r! Highly accurate patterns can be obtained by processing any stainless steel, 42 alloy molybdenum aluminum, Kovar, etc. by photo etching.
Ru. In addition, if the dimension of one side of the 5th substrate (5) is as large as 10αμ, the mask (4) will also increase in proportion to the kneading process, and the warping of the mask material will reduce processing accuracy and film formation pattern accuracy. For example, if the material is stainless steel, use one that has been made harder by tension annealing.If you want to further improve the precision of the film formation pattern, you can reduce the shadow effect caused by the thickness of the mask. Usually, the thickness of the mask is 50 mm.
After photo-etching a thin sheet with a thickness of μmt, a method of reinforcing it by spot welding a thick piece of 0.2 to 0.5 volts to increase the mechanical strength is used, but this method is expensive. Of course, there are problems such as spot welds coming off when etching deposits attached to the mask, and etchant that has entered between each mask being difficult to remove by cleaning. is formed on the back of the mask (4), and a pattern slightly wider than the kneaded pattern is formed on this mask (9y). This mask (
After this process, the protrusion (4b) formed in 4) is formed by press working.

次に、基板固定ピンα1は基板(5)の側面に常時接触
するため、くり返し使用中摩耗し易いため、できるだけ
高硬度なものがよいばかりでなく、この基板固定ビン0
I%工押え板支えピンαゆと共に、押え板α1とステー
ジα時との間に所定の間隙を保持するために設けられた
ものであるが、この間隙を形成する理由は、主に高精度
な位置合わせをするためであり、さらにばね0枠とマス
ク(4)とが全面的に接触すると、マスク(4)の不必
要な部分が基板(5)に接触し、基板(5)上にすでに
形成さねている薄膜パターンを損傷しないようにするた
めである。このように押え根O→とステージαυとの間
に所定の間隙をあげると、パターン(4a)のエツジ部
と、マスク(4)の突起(4b)μ外は基板(5)と接
触させないようにすることが可能なため、パターン(4
a)のエツジ部と、マスク(4)の突起(4b)の接触
部には損傷を受けてもいいようなパターンをあらかじめ
基板(5)上に形成しておくか、または、パターンを形
成しないでお(か、あるいは高硬度物質のパターンを形
成しておけばよい。
Next, since the board fixing pin α1 is in constant contact with the side surface of the board (5), it is likely to wear out during repeated use.
This is provided to maintain a predetermined gap between the presser plate α1 and the stage α, along with the I% presser plate support pin α.The reason for forming this gap is mainly for high precision. Furthermore, if the spring 0 frame and the mask (4) come into full contact with each other, unnecessary parts of the mask (4) will come into contact with the substrate (5), causing damage to the substrate (5). This is to prevent damage to the thin film pattern that has already been formed. By increasing the predetermined gap between the presser foot O→ and the stage αυ in this way, the edges of the pattern (4a) and the outside of the protrusion (4b) μ of the mask (4) are prevented from coming into contact with the substrate (5). Since it is possible to
Either form a pattern in advance on the substrate (5) that can be damaged at the contact part between the edge part of a) and the protrusion (4b) of the mask (4), or do not form a pattern. It is sufficient to form a pattern of hard material or a highly hard material.

さらに、押え板α場とステージαυとの間、すなわち、
押え板(1鴎と基板(5)との間に間隙を形成する他の
理由は、ステージC11)、押え板(至)および基板(
5)の反りを吸収するためであって、ステージ(1ηお
よび押え板α埠の加工時に生じろ反り、素材の反り、あ
るいは成膜加熱時に発生する温度分布のアンバランスに
伴なう反りなどが挙げられる。なお、マスク(4)の素
材としてステンレスを使用する鳴台、5US304  
よりも線膨張係数が小さく、シかも温度伝導度の大きい
5US43[1の方が反りが少ないっさらにまた、ばね
α■工基板(5)への成膜中の振動によってマスク(4
)がずれないようにするために、比較的に強いものが必
要であるが、必要μ上に強い場合には基板(5)に損傷
を与える。なお、ろOO℃程度の高温成膜のときは、耐
熱性を有するステンレス5US631  が好適である
。また、さらに高温で成膜するS@には耐熱合金を使用
する必要がある。
Furthermore, between the holding plate α field and the stage αυ, that is,
Another reason for forming a gap between the holding plate (1) and the substrate (5) is that the gap is formed between the holding plate (1) and the substrate (5).
5) This is to absorb the warpage caused during processing of the stage (1η and holding plate α), warpage of the material, or warpage due to unbalanced temperature distribution that occurs during film deposition heating. In addition, Narudai, 5US304, which uses stainless steel as the material for the mask (4)
5US43[1], which has a smaller coefficient of linear expansion and higher thermal conductivity than the 5US43[1], has less warpage.Furthermore, the vibration during film formation on the spring α■ substrate (5) causes the mask (4) to warp less.
) is required to be relatively strong to prevent it from shifting, but if it is stronger than the required μ, it will damage the substrate (5). Note that when forming a film at a high temperature of about 00°C, heat-resistant stainless steel 5US631 is suitable. Furthermore, it is necessary to use a heat-resistant alloy for S@ which is formed into a film at a higher temperature.

また、上記ステンレス5US361  は析出硬化した
素材を加工するか、あるいは溶体化処理した素材を加工
後析出硬化させてもよいが、後者の方が精度がよい。さ
らに加工は、マスク(4)と同様にエツチング加工また
はレーザ加工で行なう。
Further, the stainless steel 5US361 may be produced by processing a precipitation-hardened material, or by processing a solution-treated material and then precipitation-hardening it, but the latter method has better accuracy. Further processing is performed by etching or laser processing, similar to the mask (4).

次に、上述した基板(5)とマスク(4)とを精度よく
位置合わせするためには、マスク押え時にばねα綽とマ
スク(4)の摩擦を少なくする目的でマスク(4)に接
触するばね0→の端部を滑かにすると共に、このばねα
枠を押え板(至)によって押えろ前と、後のしずみを少
なくすること、およびばね0→とマスク(4)とのなす
角度を小さくすることなどが必妥であり、このためには
、ばね(lF!Jの長さをできるだけ長くする方が有効
である。
Next, in order to accurately align the substrate (5) and the mask (4) described above, it is necessary to contact the mask (4) in order to reduce the friction between the spring α and the mask (4) when holding the mask. While making the end of spring 0→ smooth, this spring α
It is necessary to reduce the strain before and after the frame with the presser plate (to), and to reduce the angle between the spring 0→ and the mask (4).To do this, It is more effective to make the length of the spring (lF!J as long as possible).

さらに、マスク(4)のパターン(4a)のエツジ部と
基部(5)との位置合わせ精度は、ステージαηの基板
固定ビンに)と押え板支えビンα4を固定する穴の距離
の精度、ピンα]、α喧の加工精度、マスク(4)の加
工精度および基板(5)の基板固定ビン(2)と接触す
る側面の直線度によって決まることはいうまでもない。
Furthermore, the alignment accuracy between the edge part of the pattern (4a) of the mask (4) and the base (5), It goes without saying that it is determined by the processing accuracy of α], α, the processing accuracy of the mask (4), and the straightness of the side surface of the substrate (5) that comes into contact with the substrate fixing bin (2).

μ上述べた要領によって組み立てられた位置合わせ装置
を成膜装置に組み込み、押え板(6)側から蒸着などを
行なえば高精度の薄膜パターンを基板(5) K形成す
ることができろわけであるが、抵抗加熱蒸着法あるいは
電子ビーム蒸着法のように蒸着源と基板間の距離が長く
、しかも蒸着源の面積が小さい場合には、マスク(4)
のパターン(4a)のエツジ部と基板(5)とを接触さ
せる2妥がなく、多少離れていても基板上に形成されろ
薄膜パターンを高精度にできるが、スバンタ装置や、蒸
着時に反応ガスを導入する反応性の蒸着法、あるいはプ
ラズマCVD法など成膜時の圧力が10TorrlH上
の成膜装置においては、基板(5)に入射する粒子の入
射角は多様であるため、マスク(4)と基板(5)とが
離れていると、マスク(4)の裏側に入射した粒子が浸
入したり、またマスク(4)が影になつτ形成される薄
膜パターンが不鮮明になる。さらにマスク(4)のパタ
ーン(4a)のエツジが垂直に形成さねていると、同様
に影になり、薄膜パターンが不鮮明になる。
μIf the alignment device assembled according to the above-mentioned procedure is incorporated into a film forming device and vapor deposition is performed from the holding plate (6) side, a highly accurate thin film pattern can be formed on the substrate (5). However, when the distance between the evaporation source and the substrate is long and the area of the evaporation source is small, such as in resistance heating evaporation or electron beam evaporation, the mask (4) is used.
There is no need to bring the edges of the pattern (4a) into contact with the substrate (5), and the thin film pattern can be formed on the substrate with high precision even if they are a little apart. In a film forming apparatus where the pressure during film forming is 10 TorrlH, such as a reactive evaporation method that introduces If the mask (4) is separated from the substrate (5), particles incident on the back side of the mask (4) may enter the mask (4), and the mask (4) becomes a shadow, making the formed thin film pattern unclear. Furthermore, if the edges of the pattern (4a) of the mask (4) are not formed vertically, they will similarly form shadows and the thin film pattern will become unclear.

なお、マスク(4)の面積を基板(5)の面積よりも大
きく形成し、マスク(4)のはみ出し部分を少し持ち上
げて基板(ト)と接触させないようにすることも可能で
あるが、マスク(4)が大ぎくなること、成膜装置内に
並べられる基板数が少なくなるなどのため、スループッ
トが低下し好ましくない。
Note that it is also possible to make the area of the mask (4) larger than the area of the substrate (5) and to slightly lift the protruding portion of the mask (4) so that it does not come into contact with the substrate (G). (4) becomes large and the number of substrates arranged in the film forming apparatus decreases, which is undesirable because the throughput decreases.

なお、上述した一実施例においては、基板固定ビン(6
)と、押え板支えビン(l14とをステージ(1ηに固
定した場合について述べたが、第4図に示す他の実施例
のように、これらのビンをばね0枠を支持する押え板(
至)に固定しても同様の効果が得られる。
In addition, in the above-mentioned embodiment, the board fixing bin (6
) and the holding plate support bin (l14) are fixed at the stage (1η), but as in another embodiment shown in FIG.
A similar effect can be obtained by fixing it to (to).

また、マスク(4)に設ける複数の突起(4b)は、上
述したよ5にプレス加工でもよいし、また別個の小片を
溶接等によって取付けてもよい。
Further, the plurality of protrusions (4b) provided on the mask (4) may be formed by press working as described above, or may be attached to separate small pieces by welding or the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のマスク成膜装置の位置合わせ装置は、上述し
たように、マスク(4)の基板(5)との対向面に、こ
の基板(5)上にすでに形成されている薄膜パターンに
接触しない位置に複数の突起(4b)を設けるとともに
、マスク(4)のパターン(4a)のエツジ部をばね部
0→により基板(5)に押圧してマスク(4)のパター
ン(4a)のエツジ部と基板(5)との間に隙間が生じ
ないようにしたので、基板(51K形成される薄膜パタ
ーンのエツジ部がきわめて鮮明になるばかりでなく、マ
スク(4)に設けた突起(4b)瞬甘ぶはl L−If
−FづIf以噌9柄イー、1藩信ゎζカー リに接触し
ない位置に設けられているので、この薄膜パターンを損
傷するようなことのない優れた効果を有するものである
As described above, the alignment device of the mask film forming apparatus of the present invention does not contact the thin film pattern already formed on the substrate (5) on the surface of the mask (4) facing the substrate (5). A plurality of protrusions (4b) are provided at the positions, and the edge part of the pattern (4a) of the mask (4) is pressed against the substrate (5) by the spring part 0→. Since there is no gap between the substrate (5) and the substrate (51K), not only the edges of the thin film pattern to be formed on the substrate (51K) become extremely clear, but also the protrusions (4b) provided on the mask (4) Amabuha l L-If
Since it is provided at a position where it does not come into contact with the 9-pattern E and the 1-hanshin wa ζ curly, it has an excellent effect of not damaging the thin film pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第3図は何れもこの発明の一実施例を示すもの
で、第1図は側面図、第2図は螢部の拡大断面図、第3
図は平面図である。第4図はこの発明の他の実施例を示
す断面図、第5図は従来の成膜装置の位置合わせ装置を
示す断面図である。 図において、(4)はマスク、(4a)はマスクのパタ
ーン、(4b)は突起、(5)は基板、(l→はばね、
αI工押え板である。 なお1図中同一群号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第1図 18.は“ね 19、岬氾X良 第3図
Figures 1 to 3 all show one embodiment of the present invention, with Figure 1 being a side view, Figure 2 being an enlarged sectional view of the firefly, and Figure 3 being an enlarged sectional view of the firefly.
The figure is a plan view. FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view showing a conventional positioning device for a film forming apparatus. In the figure, (4) is a mask, (4a) is a pattern of the mask, (4b) is a protrusion, (5) is a substrate, (l→ is a spring,
This is an αI press plate. Note that the same group numbers in Figure 1 indicate the same or equivalent parts. Agent Patent Attorney Tadashi Sato Figure 1 18. 19, Misaki Flood

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)マスクの基板との対向面に、この基板上にすでに
形成されている薄膜パターンに接触しない位置に複数の
突起を設けるとともに、上記マスクのパターンのエッジ
部をばねにより基板に押圧してマスクのパターンのエッ
ジ部と基板との間に隙間が生じないようにしたことを特
徴とするマスク成膜装置の位置合わせ装置。
(1) A plurality of protrusions are provided on the surface of the mask facing the substrate at positions that do not contact thin film patterns already formed on the substrate, and the edge portions of the mask pattern are pressed against the substrate by springs. 1. A positioning device for a mask film forming apparatus, characterized in that no gap is created between an edge portion of a mask pattern and a substrate.
(2)ばねは、板ばねであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のマスク成膜装置の位置合わせ装置。
(2) The positioning device for a mask film forming apparatus according to claim 1, wherein the spring is a leaf spring.
(3)マスクに形成される突起は、マスク自体をプレス
加工により押し出して形成するか、または他の小片を溶
接によつて取付けて形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のマスク成膜装置の位置合わせ
装置。
(3) The protrusions formed on the mask are formed by extruding the mask itself by press working, or by attaching other small pieces by welding, Claim 1 A positioning device for the mask film forming device described above.
(4)マスクの材料はステンレスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のマスク成膜装置の位置合
わせ装置。
(4) The positioning device for a mask film forming apparatus according to claim 1, wherein the material of the mask is stainless steel.
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JPH02149662A (en) * 1988-10-03 1990-06-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Jig for evaporation

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