JPS62145523A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62145523A JPS62145523A JP28553185A JP28553185A JPS62145523A JP S62145523 A JPS62145523 A JP S62145523A JP 28553185 A JP28553185 A JP 28553185A JP 28553185 A JP28553185 A JP 28553185A JP S62145523 A JPS62145523 A JP S62145523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- gap
- magnetic head
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、短波長記録に好適な薄膜磁気ヘッドに関する
。
。
磁気記録の高密度化に伴ない、記録波長が短かくなり、
これに対応して、ギャップ長が小さくなってきている。
これに対応して、ギャップ長が小さくなってきている。
特にＢｍｍ Ｖ Ｔ Ｒにおいては記録波長が０．８ｎ
ｍ程度になり、ギャップ長はＱ、３Ｗｍ以下が要求され
ている。
ｍ程度になり、ギャップ長はＱ、３Ｗｍ以下が要求され
ている。
従来のボンディングタイプの磁気ヘッドでは第２５図に
示すようなギャップ材４を被着したコア材どうしをカラ
スを主成分とするボンディング材５を用いて突き合せて
いたため、ギャップ材のビンボール等は全く問題となら
なかった。
示すようなギャップ材４を被着したコア材どうしをカラ
スを主成分とするボンディング材５を用いて突き合せて
いたため、ギャップ材のビンボール等は全く問題となら
なかった。
しかし、薄膜磁気ヘッドの検討が進むにつれ、ギャップ
材のピンホールがヘッド出力に悪影響を及ば丁ことが明
らかとなってきた。
材のピンホールがヘッド出力に悪影響を及ば丁ことが明
らかとなってきた。
薄膜磁気ヘッドでは、ギャップの突き合せを行なわす、
第１の母性体上にギャップ材をスパッタ法等で被着させ
、さらにその上に第２の磁性体をスパッタ法尋で底裏す
る。
第１の母性体上にギャップ材をスパッタ法等で被着させ
、さらにその上に第２の磁性体をスパッタ法尋で底裏す
る。
このため、ギャップ材にピンホールがあると、第１の磁
性体と第２の磁性体とがピンホールの中で接続し、その
結果、磁気ギャップとして動作した時に、このギャップ
部の磁気抵抗が小さくなり磁気回路の効率低下か起こる
問題があった。なおギャップにピンホールがあるとギャ
ップ部の磁気抵抗が小さくなり、磁気コア全体の磁気抵
抗が見かけ上小さくなる。したがって巻線を施してイン
ダクタンスを測定するとインダクタンスはピンホールが
ない場合より太き（なる。
性体と第２の磁性体とがピンホールの中で接続し、その
結果、磁気ギャップとして動作した時に、このギャップ
部の磁気抵抗が小さくなり磁気回路の効率低下か起こる
問題があった。なおギャップにピンホールがあるとギャ
ップ部の磁気抵抗が小さくなり、磁気コア全体の磁気抵
抗が見かけ上小さくなる。したがって巻線を施してイン
ダクタンスを測定するとインダクタンスはピンホールが
ない場合より太き（なる。
ギャップ材のピンホール発生を少なりスる方法には特開
昭５５−２２２７５号に示されているように下部感性体
上にスピンコードにより、アルミニウムキレート化合物
を塗布し、これを加熱することにより、絶縁性の良い被
膜を形成する方□法がある。しかしギャップ形成は、上
記方法を繰り返すか、５ＬＯ２膜等を上記被膜上にスパ
ッタ法で波層して得るため、ギャップ長の管理が難しい
という問題がある。
昭５５−２２２７５号に示されているように下部感性体
上にスピンコードにより、アルミニウムキレート化合物
を塗布し、これを加熱することにより、絶縁性の良い被
膜を形成する方□法がある。しかしギャップ形成は、上
記方法を繰り返すか、５ＬＯ２膜等を上記被膜上にスパ
ッタ法で波層して得るため、ギャップ長の管理が難しい
という問題がある。
第３図は、５ＬＯ２膜をスパッタ法で成膜した場合の膜
厚と抵抗値の関係を示す。同図から膜厚３ｏｏｏ、ｒ以
下でピンホールが発生していることが明らかである。
厚と抵抗値の関係を示す。同図から膜厚３ｏｏｏ、ｒ以
下でピンホールが発生していることが明らかである。
また、特開昭５７−２０３２１８号に示されるようにギ
ャップ材に導体を用いる方法がある。この方法によると
空隙部の磁気抵抗低下防止もれ磁界の増加による効率低
下の防止に効果があるが、一般に良導体の材料は耐摩耗
性に問題があり、ＶＴＲ等の接触型の８気ヘツドの場合
ギャップのだれが生じるという問題があった。なお、上
記従来技術はギャップ材のピンホールによる効率低下に
ついては意識していない。
ャップ材に導体を用いる方法がある。この方法によると
空隙部の磁気抵抗低下防止もれ磁界の増加による効率低
下の防止に効果があるが、一般に良導体の材料は耐摩耗
性に問題があり、ＶＴＲ等の接触型の８気ヘツドの場合
ギャップのだれが生じるという問題があった。なお、上
記従来技術はギャップ材のピンホールによる効率低下に
ついては意識していない。
本発明の目的は、電磁変換効率の良い、短波長記録に適
した薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
した薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
本発明の特徴は、ギャップ材をピンホールの生じにくい
非磁性金Ｗ４腺と金属あるいは非金属の酸化物あるいは
窒化物′ν炭化物膜の槓／ｉｌ構造とし、ギヤツブ都に
おける磁気抵抗の低下をな（丁ことにある。
非磁性金Ｗ４腺と金属あるいは非金属の酸化物あるいは
窒化物′ν炭化物膜の槓／ｉｌ構造とし、ギヤツブ都に
おける磁気抵抗の低下をな（丁ことにある。
以下、本発明の一実施例を紀４図により説明する。
基板６上にアモルファス磁性膜よりなる下部磁気コア１
−１を形成し、次にＣｒ膜５ Ｙ ９００ Ａ形成した
後、ＳＬ Ｏｔ膜２を１６００，４形成した。薄膜コイ
ル（図示せず）を形成した後さらに上部磁気コア１−２
のアモルファス磁性膜を形成し、パターニングを施し、
磁気ヘッドとした。２インチ角ウェファから約４００＋
Ｊのチップを取り、検査したが、ピンホールに帰因する
ヘッド出力の低下は無かった。
−１を形成し、次にＣｒ膜５ Ｙ ９００ Ａ形成した
後、ＳＬ Ｏｔ膜２を１６００，４形成した。薄膜コイ
ル（図示せず）を形成した後さらに上部磁気コア１−２
のアモルファス磁性膜を形成し、パターニングを施し、
磁気ヘッドとした。２インチ角ウェファから約４００＋
Ｊのチップを取り、検査したが、ピンホールに帰因する
ヘッド出力の低下は無かった。
第６図は周波数に対するヘッド出力とインダクタンスを
示す特性図である。同図において実線は本発明の薄膜磁
気ヘッドの特注を示し、点巌で示すギャップ材にピンボ
ールを有する磁気ヘッドに比べ出力の向上とインダクタ
ンスの低減が図れている。
示す特性図である。同図において実線は本発明の薄膜磁
気ヘッドの特注を示し、点巌で示すギャップ材にピンボ
ールを有する磁気ヘッドに比べ出力の向上とインダクタ
ンスの低減が図れている。
第５図は本発明の他の実施例を示す薄膜磁気ヘッドの正
面図である。同図において基板６上にアモルファス磁性
膜よりなる第１の磁気コア１−１を形成し、第２の磁気
コア部分１−２ヲ取り除き、Ｃｒ膜３をギャップ面上で
９０ＯＡ形成し、さらにｓｉｕ、膜４をギャップ面上で
１６００，４形成する。その後、第２の磁気コア１−２
を形成し、第１の磁気コア上に付層した磁性膜を除去し
た後、保護膜７を形成し、磁気ヘッドとした。この場合
、１インチ角基板から約１００個のチップを取ったが検
査の結果、ピンホールに帰因するヘッド出力の低下は無
かった。
面図である。同図において基板６上にアモルファス磁性
膜よりなる第１の磁気コア１−１を形成し、第２の磁気
コア部分１−２ヲ取り除き、Ｃｒ膜３をギャップ面上で
９０ＯＡ形成し、さらにｓｉｕ、膜４をギャップ面上で
１６００，４形成する。その後、第２の磁気コア１−２
を形成し、第１の磁気コア上に付層した磁性膜を除去し
た後、保護膜７を形成し、磁気ヘッドとした。この場合
、１インチ角基板から約１００個のチップを取ったが検
査の結果、ピンホールに帰因するヘッド出力の低下は無
かった。
上記実施例では、ギャップ材をＣｒとＳｉｎ、としたが
、金属として、Ｚｒ ｔ Ｔｉ ｔ Ｍｏ１ｒ等を用い
ても同様の効果が得られること、また、ｓｉｏ。
、金属として、Ｚｒ ｔ Ｔｉ ｔ Ｍｏ１ｒ等を用い
ても同様の効果が得られること、また、ｓｉｏ。
のかわりにＡｌｘＯｓ ｓ ＭｊｌＯｔ Ｓぼ＋ ＡＩ
Ｎあるいはこれらの混合物を用いても同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
Ｎあるいはこれらの混合物を用いても同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
また、上記実施例では、ＣｒとＳｉｎ、０２層構造とし
たが、３層構造あるいは４層構造としても、同様の効果
が得られることも明らかである〔発明の効果〕 本発明によれば、磁気ギャップにおけるギャップ材のピ
ンホールがす（すり、磁気ギャップの磁気抵抗の低下が
防げるため、ヘッドの効率向上がはかれる。この効果は
、ギャップ長が短かくなり、ギャップ材の膜厚が薄くな
る短敦艮記産において顕著である。
たが、３層構造あるいは４層構造としても、同様の効果
が得られることも明らかである〔発明の効果〕 本発明によれば、磁気ギャップにおけるギャップ材のピ
ンホールがす（すり、磁気ギャップの磁気抵抗の低下が
防げるため、ヘッドの効率向上がはかれる。この効果は
、ギャップ長が短かくなり、ギャップ材の膜厚が薄くな
る短敦艮記産において顕著である。
第１図は、本発明の磁気ギャップの或芯構造を示す正面
図、第２図は、従来の磁気ギャップの構造を示す正面図
、第６図は、Ｓｉｎ、の膜厚と抵抗ｆｌｆｆｌの関係を
示す特性図、第４図は、本発明の一笑施例を示す正面図
、第５図は、本発明の池の実施例を示す正面図、第６図
は本発明の説明に供する特性図である。 １・・・コア材 ２・・・金属酸化物等の膜３
・・・非磁性金属膜 ４・・・ギャップ材５・・・ボ
ンディング材 ６・・・基取７・・・保護膜 ノＩ７ゝ１ （゛ ・ 代理人弁理士 小 川 勝 男− もＩ ７ も２図 Ａ暦にてマ・ソ７・ も３に Ｄ ｍＯρ ２６〃Ｊｌｌｌｌ）
４６０６ＳｉＯ２膜厚（Ａ） 翳４図 も５（２） 弔６図 周う度数 （Ｍ＃り
図、第２図は、従来の磁気ギャップの構造を示す正面図
、第６図は、Ｓｉｎ、の膜厚と抵抗ｆｌｆｆｌの関係を
示す特性図、第４図は、本発明の一笑施例を示す正面図
、第５図は、本発明の池の実施例を示す正面図、第６図
は本発明の説明に供する特性図である。 １・・・コア材 ２・・・金属酸化物等の膜３
・・・非磁性金属膜 ４・・・ギャップ材５・・・ボ
ンディング材 ６・・・基取７・・・保護膜 ノＩ７ゝ１ （゛ ・ 代理人弁理士 小 川 勝 男− もＩ ７ も２図 Ａ暦にてマ・ソ７・ も３に Ｄ ｍＯρ ２６〃Ｊｌｌｌｌ）
４６０６ＳｉＯ２膜厚（Ａ） 翳４図 も５（２） 弔６図 周う度数 （Ｍ＃り
Claims (1)
- 基板上に第１の磁気コアを形成し、その上に磁気ギャッ
プとなるギャップ材を形成し、さらに第２の磁気コアを
形成した積層形の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記ギャッ
プ材が少なくとも１つの非磁性金属膜と少なくとも１つ
の金属あるいは非金属酸化物膜あるいは窒化物膜あるい
は炭化物膜との積層膜からなることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28553185A JPS62145523A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28553185A JPS62145523A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145523A true JPS62145523A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17692734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28553185A Pending JPS62145523A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265942B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Inductive magnetic head with non-magnetic seed layer gap structure and method for the fabrication thereof |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28553185A patent/JPS62145523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265942B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Inductive magnetic head with non-magnetic seed layer gap structure and method for the fabrication thereof |
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