JPS62143400A - Ｓｏｒ装置 - Google Patents
Ｓｏｒ装置Info
- Publication number
- JPS62143400A JPS62143400A JP60282089A JP28208985A JPS62143400A JP S62143400 A JPS62143400 A JP S62143400A JP 60282089 A JP60282089 A JP 60282089A JP 28208985 A JP28208985 A JP 28208985A JP S62143400 A JPS62143400 A JP S62143400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sor
- coil
- septum
- charged particle
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、 ｓｏｕ ｃシンクロトロン放射）装置に
おける荷電粒子の入射方式に関するものであａ〔従来の
技術〕 第４図は菊池健が゛加速器物理上その応用”の題名で日
立評論Ｖｏ１．６６、Ｎｏ、 １１ 、ｐｐ７７５〜７
９０（１９８４−１１〕に紹介されているＳＯＲ装置の
平面図である、図ｆこおいて、（１）は荷電粒子ビーム
が通る真空チャンバー、（２）は荷電粒子ビームの軌道
を曲げる偏向電磁石、（３）は荷電粒子ビームを収束さ
せる四極電磁石、（４）は荷電粒子を加速する高周波加
速空洞。 （５）はＳＯＲｊｌバンブ荷電粒子ビームを入射すると
きｌこＳＯＲ＋７ング内のビームの平衡軌道をずらすバ
ータベータ、（６）は入射する荷電粒子ビームをリング
内の中心軌道Ｅこ一致するように、前記荷電粒子ビーム
の軌道を水平方向に曲げて入射するセプタム電磁石、（
７）は入射される荷電粒子ビームを導くビームライン、
（８）は８０Ｂ光を外部に取出すための８ＯＲ光ボート
である。なお、第４図では偏向電磁石（２）を４個とし
てその構成を単純化しである。嬉５図は野田量が“ビー
ム入射・蓄積１の題名で月刊フィシツクｘ Ｖｏｌ、
６．Ｎｏ、 １ 、ｐｐ５〜１３（１９８５）に紹介さ
れているビームの入射方法を模式的に表わした平面図で
ある、図ｆとおし１て、（９）は荷電粒子ビームの中心
軌道、（ＩＩは中心軌道（９）がパータベータ（５）に
よってずらされたバンブ軌道、住υは入射ビームの軌道
である。第６図は任意の１個の荷電粒子の軌道αのを示
す説明図である。なお、（９）は前述のような中心軌道
である。第７図（Ａ） 、 （Ｂｌはセプタム電磁石（
６）内におけるコイルの配置を示す平面図、側面図であ
り、（６ａ）はセプタム用コイルである、次にこれら従
来装置の動作ｔこついて説明する。 まず、第４図のＳＯＲ，リング内では、荷電粒子ビーム
の軌道が偏向電磁石（２）によって曲げられて閉じた中
心軌道（９）を作る。しかし、偏向電磁石（２）だけで
は閉じた軌道が無数にできでしまうので、荷電粒子ビー
ムの幅が広がってし抜う。これを防ぐために四極電磁石
（３）を置き、これにより荷電粒子ビームを収束させて
いる。次いで前記荷電粒子ビームが偏向電磁石（２）で
曲げられるとき、進行方向に対して電磁波（これをＳＯ
Ｒ光という）を放出す也この場合、荷電粒子はＳＯ′Ｆ
Ｌ光を放出することによりエネルギーが失われるので、
このエネルギーを補うために高周波加速空洞（４）によ
って前記荷電粒子を加速する、ここで、ＳＯＲＩＴング
内のすべての荷電粒子は中心軌道（９）を中心にして一
定の周波数でベータトロン振動をしており、その軌道は
１個の荷電粒子の軌道αりのようになる（第６図参照）
。 そしてＳＯＲ，ＩＪング内に荷電粒子を入射する際には
。 このベータトロン振動を利用して行う。なお、ＳＯＲリ
ング内の中心軌道（９）は、パータベータ（５）によっ
て水平方向にずらされてバンプ軌道（１（ｅとなる（鋪
５図参照〕。次に第７図（Ａ） 、 （Ｂｌのように入
射される荷電粒子は、セプタム電磁石（６）内のセプタ
ム用コイル（６ａ）ｆこよって水平方向にその軌道ａυ
が曲げられ、そしてバンブ軌道０−■と平行Ｅこかつベ
ータトロン振動の振幅の分だけバンプ軌道α＠から離し
て入射される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のＳＯＲ装置は以上のように構成されているので、
ＳＯＲＯＲ光ポート）の一部は、ビームライン（７）と
交錯してしまう。このために前記のＳＯＲＯＲ光ポート
効多こ利用できないという問題があった。 この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ビームラインとＳＯＲＯＲ光ポート錯しな
いようにすると共に、全ＳＯＲ光ポートを有効に利用す
ることができるＳＯＲ装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明Ｅこ係るＳＯＲｍ置は、荷電粒子をＳＯＲ，Ｉ
Ｊソング垂直方向から入射するようにしたものである。 〔作用〕 この発明におけるＳＯＲ装置はその垂直方向からＳＯＲ
，リングに荷電粒子を入射すること多こより、ビームラ
インとＳＯＲＯＲ光ポート錯しないようになる。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について親切する。第１
図（Ａｌ 、 （Ｅｌはセプタム電磁石（６）のコイル
配置を示す平面図、側面図である。図において、（６ｄ
）は荷電粒子をＳＯＲ，リングＣζ対して垂直方向に曲
げるためのセプタム用コイル、（６ｂ）は前記荷電粒子
を入射するときに水平方向の入射角度を微調整するため
の入射角度微調整用電極である。第２図および第２図（
ん、 （Ｂｌはこの発明の実施例による８０Ｒ装置およ
びその要部の平面図であり、（１）〜（５）および（８
）は従来例と同じ構成である。のυはＳＯＲリングの垂
直方向から荷電粒子を入射するセプメム電磁５、ｆｆυ
はＳＯＲリングの下方向から荷電粒子を導くビームライ
ンである。 第１図および第２図におし１て、（１）〜（５）および
（８）の動作は、従来例と同じである。そして荷電粒子
をＳＯＲ，Ｉ）ングに入射する際には、ＳＯＲリング内
の中心軌道（９）がパータベーメ（５）によって水平方
向にずらされ、バンブ軌道ａのとなる。次に入射される
荷電粒子ビームの軌道（１１１は、セプタム電磁石６１
）内のセプタム用コイル（６ｄ）によって垂直方向に曲
げられ、そしてバンプ軌道α０）と平行ｆこ、かつベー
タトロン振動の振幅の分だけバンブ軌道（ｔ＠から離し
て入射される。ここで、荷電粒子はバンプ軌道α呻に乗
る直前に入射角度微調整用電極（６ｂ）ｌこより、その
入射角度が微調整される。 なお、上記実施例では、荷電粒子ビームのＳＯＲリング
への入射角度を微調整するために、入射角度微調整用Ｉ
Ｑ［（６ｂ）を設けているが、この入射角度微調整用電
極（６ｂ）の代わりｆこ、第３図（ん、（ＢＨこ示すよ
うにセプタム用コイル（６ｄ）で発生する磁場に直交す
る場磁を発生するような入射角度微調整用コイル（６Ｃ
）を設けても良い。この際、入射角度微調整用コイル
おける荷電粒子の入射方式に関するものであａ〔従来の
技術〕 第４図は菊池健が゛加速器物理上その応用”の題名で日
立評論Ｖｏ１．６６、Ｎｏ、 １１ 、ｐｐ７７５〜７
９０（１９８４−１１〕に紹介されているＳＯＲ装置の
平面図である、図ｆこおいて、（１）は荷電粒子ビーム
が通る真空チャンバー、（２）は荷電粒子ビームの軌道
を曲げる偏向電磁石、（３）は荷電粒子ビームを収束さ
せる四極電磁石、（４）は荷電粒子を加速する高周波加
速空洞。 （５）はＳＯＲｊｌバンブ荷電粒子ビームを入射すると
きｌこＳＯＲ＋７ング内のビームの平衡軌道をずらすバ
ータベータ、（６）は入射する荷電粒子ビームをリング
内の中心軌道Ｅこ一致するように、前記荷電粒子ビーム
の軌道を水平方向に曲げて入射するセプタム電磁石、（
７）は入射される荷電粒子ビームを導くビームライン、
（８）は８０Ｂ光を外部に取出すための８ＯＲ光ボート
である。なお、第４図では偏向電磁石（２）を４個とし
てその構成を単純化しである。嬉５図は野田量が“ビー
ム入射・蓄積１の題名で月刊フィシツクｘ Ｖｏｌ、
６．Ｎｏ、 １ 、ｐｐ５〜１３（１９８５）に紹介さ
れているビームの入射方法を模式的に表わした平面図で
ある、図ｆとおし１て、（９）は荷電粒子ビームの中心
軌道、（ＩＩは中心軌道（９）がパータベータ（５）に
よってずらされたバンブ軌道、住υは入射ビームの軌道
である。第６図は任意の１個の荷電粒子の軌道αのを示
す説明図である。なお、（９）は前述のような中心軌道
である。第７図（Ａ） 、 （Ｂｌはセプタム電磁石（
６）内におけるコイルの配置を示す平面図、側面図であ
り、（６ａ）はセプタム用コイルである、次にこれら従
来装置の動作ｔこついて説明する。 まず、第４図のＳＯＲ，リング内では、荷電粒子ビーム
の軌道が偏向電磁石（２）によって曲げられて閉じた中
心軌道（９）を作る。しかし、偏向電磁石（２）だけで
は閉じた軌道が無数にできでしまうので、荷電粒子ビー
ムの幅が広がってし抜う。これを防ぐために四極電磁石
（３）を置き、これにより荷電粒子ビームを収束させて
いる。次いで前記荷電粒子ビームが偏向電磁石（２）で
曲げられるとき、進行方向に対して電磁波（これをＳＯ
Ｒ光という）を放出す也この場合、荷電粒子はＳＯ′Ｆ
Ｌ光を放出することによりエネルギーが失われるので、
このエネルギーを補うために高周波加速空洞（４）によ
って前記荷電粒子を加速する、ここで、ＳＯＲＩＴング
内のすべての荷電粒子は中心軌道（９）を中心にして一
定の周波数でベータトロン振動をしており、その軌道は
１個の荷電粒子の軌道αりのようになる（第６図参照）
。 そしてＳＯＲ，ＩＪング内に荷電粒子を入射する際には
。 このベータトロン振動を利用して行う。なお、ＳＯＲリ
ング内の中心軌道（９）は、パータベータ（５）によっ
て水平方向にずらされてバンプ軌道（１（ｅとなる（鋪
５図参照〕。次に第７図（Ａ） 、 （Ｂｌのように入
射される荷電粒子は、セプタム電磁石（６）内のセプタ
ム用コイル（６ａ）ｆこよって水平方向にその軌道ａυ
が曲げられ、そしてバンブ軌道０−■と平行Ｅこかつベ
ータトロン振動の振幅の分だけバンプ軌道α＠から離し
て入射される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のＳＯＲ装置は以上のように構成されているので、
ＳＯＲＯＲ光ポート）の一部は、ビームライン（７）と
交錯してしまう。このために前記のＳＯＲＯＲ光ポート
効多こ利用できないという問題があった。 この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ビームラインとＳＯＲＯＲ光ポート錯しな
いようにすると共に、全ＳＯＲ光ポートを有効に利用す
ることができるＳＯＲ装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明Ｅこ係るＳＯＲｍ置は、荷電粒子をＳＯＲ，Ｉ
Ｊソング垂直方向から入射するようにしたものである。 〔作用〕 この発明におけるＳＯＲ装置はその垂直方向からＳＯＲ
，リングに荷電粒子を入射すること多こより、ビームラ
インとＳＯＲＯＲ光ポート錯しないようになる。 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について親切する。第１
図（Ａｌ 、 （Ｅｌはセプタム電磁石（６）のコイル
配置を示す平面図、側面図である。図において、（６ｄ
）は荷電粒子をＳＯＲ，リングＣζ対して垂直方向に曲
げるためのセプタム用コイル、（６ｂ）は前記荷電粒子
を入射するときに水平方向の入射角度を微調整するため
の入射角度微調整用電極である。第２図および第２図（
ん、 （Ｂｌはこの発明の実施例による８０Ｒ装置およ
びその要部の平面図であり、（１）〜（５）および（８
）は従来例と同じ構成である。のυはＳＯＲリングの垂
直方向から荷電粒子を入射するセプメム電磁５、ｆｆυ
はＳＯＲリングの下方向から荷電粒子を導くビームライ
ンである。 第１図および第２図におし１て、（１）〜（５）および
（８）の動作は、従来例と同じである。そして荷電粒子
をＳＯＲ，Ｉ）ングに入射する際には、ＳＯＲリング内
の中心軌道（９）がパータベーメ（５）によって水平方
向にずらされ、バンブ軌道ａのとなる。次に入射される
荷電粒子ビームの軌道（１１１は、セプタム電磁石６１
）内のセプタム用コイル（６ｄ）によって垂直方向に曲
げられ、そしてバンプ軌道α０）と平行ｆこ、かつベー
タトロン振動の振幅の分だけバンブ軌道（ｔ＠から離し
て入射される。ここで、荷電粒子はバンプ軌道α呻に乗
る直前に入射角度微調整用電極（６ｂ）ｌこより、その
入射角度が微調整される。 なお、上記実施例では、荷電粒子ビームのＳＯＲリング
への入射角度を微調整するために、入射角度微調整用Ｉ
Ｑ［（６ｂ）を設けているが、この入射角度微調整用電
極（６ｂ）の代わりｆこ、第３図（ん、（ＢＨこ示すよ
うにセプタム用コイル（６ｄ）で発生する磁場に直交す
る場磁を発生するような入射角度微調整用コイル（６Ｃ
）を設けても良い。この際、入射角度微調整用コイル
【
６ｃ】は、セプタム用コイル（６ｄ）に沿って取り付け
ても、またはセプタム用コイ／Ｉ（６ｄ）の出口側先端
部のみｌこ取り付けてもよい、さらに。 上記実施例では、セプタム用コイル（６ｄ）を空心；イ
ルとしたが、これは鉄心付コイルでも良い、また、入射
角度機ｇ整用コイル（６ｃ）を取り付けた場合に、入射
角度微調整用コイル（６ｃ）は空心コイルまたは鉄心付
コイルであっても良し１゜また、上記実施例では、荷電
粒子の入射を５ＯＥＬ １３ングの下方向から行ったが
、これは上方向から入射できるようにしても良い。さら
に、入射角度微調整用電極（６ｄ）または入射角度微調
整用コイル（６ｃ）を取り付、けたが、これらを取り付
けなくとも良し１．また、パータベータ（５）を２個設
けたが１個だけまたはこれを３個以上設けても良い。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、荷電粒子がＳＯＲリ
ングに対して垂直方向に曲がるような磁場を発生するよ
うにセプタム用コイルを配置り、りので、下方向または
上方向から荷電粒子をＴ１ング内ｌこ入射できるように
なり、これによりビームラインとＳＯＲ，光ボートとが
交錯せずにすみ、そして全ＳＯＲ光ポートを有効に使用
することができる。
６ｃ】は、セプタム用コイル（６ｄ）に沿って取り付け
ても、またはセプタム用コイ／Ｉ（６ｄ）の出口側先端
部のみｌこ取り付けてもよい、さらに。 上記実施例では、セプタム用コイル（６ｄ）を空心；イ
ルとしたが、これは鉄心付コイルでも良い、また、入射
角度機ｇ整用コイル（６ｃ）を取り付けた場合に、入射
角度微調整用コイル（６ｃ）は空心コイルまたは鉄心付
コイルであっても良し１゜また、上記実施例では、荷電
粒子の入射を５ＯＥＬ １３ングの下方向から行ったが
、これは上方向から入射できるようにしても良い。さら
に、入射角度微調整用電極（６ｄ）または入射角度微調
整用コイル（６ｃ）を取り付、けたが、これらを取り付
けなくとも良し１．また、パータベータ（５）を２個設
けたが１個だけまたはこれを３個以上設けても良い。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、荷電粒子がＳＯＲリ
ングに対して垂直方向に曲がるような磁場を発生するよ
うにセプタム用コイルを配置り、りので、下方向または
上方向から荷電粒子をＴ１ング内ｌこ入射できるように
なり、これによりビームラインとＳＯＲ，光ボートとが
交錯せずにすみ、そして全ＳＯＲ光ポートを有効に使用
することができる。
第１図（Ａｔ 、 （Ｂ）はこの発明の一実施例による
セプタム電磁石のコイル配置を示す平面図、側面図、第
２図（Ａｔ 、 ［８１はこの発明の一実施例１こよる
ＳＯＲ装置およびその要部の平面図、第３図（Ａｔ 、
（Ｂｌはこの発明の他の実施例によるセプタム電磁石
のコイル配置を示す平面図、ｎ面図、第４図は従来のＳ
ＯＲ装置を示す平面図、第５図は従来のビーム入射方法
を示す模式図、第６図は一個の荷電粒子の軌、道を示す
説明図、第７図（Ａｔ 、 （８１は従来のセプタム電
磁石のコイル配置を示す平面図、側面ｍである。 図中、（１）は真空チャンバー、（２）は偏向電磁石、
（３）は四極電磁石、（４）は高周波加速空洞、（５）
はパータベーメ、（６）はセプタム電磁石、（６ａ）、
（６ｄ）はセプタム用コイル、（６ｂ）は入射角度微調
整用１極、（６Ｃ）は入射角度微調整用コイル、（７）
はビームライン、（８）は８０Ｒ光ボー） 、（９）は
中心軌道、（１１）は入射軌道、（１のは１個の荷電粒
子の軌道である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 ６１ ： セフ°り乙′ｅ、局ム石 第２図 （Ａ） （Ｂ） ８ ： ＳＯＲ梵ボート ７１−ビームライン 第８図 （Ａ） ｉＩ４図 第５１！１ Ｎ６図
セプタム電磁石のコイル配置を示す平面図、側面図、第
２図（Ａｔ 、 ［８１はこの発明の一実施例１こよる
ＳＯＲ装置およびその要部の平面図、第３図（Ａｔ 、
（Ｂｌはこの発明の他の実施例によるセプタム電磁石
のコイル配置を示す平面図、ｎ面図、第４図は従来のＳ
ＯＲ装置を示す平面図、第５図は従来のビーム入射方法
を示す模式図、第６図は一個の荷電粒子の軌、道を示す
説明図、第７図（Ａｔ 、 （８１は従来のセプタム電
磁石のコイル配置を示す平面図、側面ｍである。 図中、（１）は真空チャンバー、（２）は偏向電磁石、
（３）は四極電磁石、（４）は高周波加速空洞、（５）
はパータベーメ、（６）はセプタム電磁石、（６ａ）、
（６ｄ）はセプタム用コイル、（６ｂ）は入射角度微調
整用１極、（６Ｃ）は入射角度微調整用コイル、（７）
はビームライン、（８）は８０Ｒ光ボー） 、（９）は
中心軌道、（１１）は入射軌道、（１のは１個の荷電粒
子の軌道である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 ６１ ： セフ°り乙′ｅ、局ム石 第２図 （Ａ） （Ｂ） ８ ： ＳＯＲ梵ボート ７１−ビームライン 第８図 （Ａ） ｉＩ４図 第５１！１ Ｎ６図
Claims (1)
- 水平平面内の中心軌道を水平方向にずらすパータベータ
と、入射荷電粒子ビームの軌道を垂直方向に曲げること
のできる磁場を作るセプタム用コイルをもつセプタム電
磁石とを備え、前記荷電粒子ビームを上方向または下方
向より入射するようにしたことを特徴とするＳＯＲ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282089A JPS62143400A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Ｓｏｒ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282089A JPS62143400A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Ｓｏｒ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143400A true JPS62143400A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17647977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282089A Pending JPS62143400A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Ｓｏｒ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143400A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60282089A patent/JPS62143400A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| WO2013121503A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| US8884256B2 (en) | 2012-02-13 | 2014-11-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Septum magnet and particle beam therapy system |
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