JPS62143229A - Production of magnetic recording medium - Google Patents

Production of magnetic recording medium

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Publication number
JPS62143229A
JPS62143229A JP28515785A JP28515785A JPS62143229A JP S62143229 A JPS62143229 A JP S62143229A JP 28515785 A JP28515785 A JP 28515785A JP 28515785 A JP28515785 A JP 28515785A JP S62143229 A JPS62143229 A JP S62143229A
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JP
Japan
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magnetic layer
substrate
layer
film
magnetic
Prior art date
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Pending
Application number
JP28515785A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Izumi
泉 俊明
Hitoshi Arai
均 新井
Hiroshi Okayama
岡山 博
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide the much higher coercive force in a perpendicular direction and to improve magnetic characteristics and properties by vacuum-forming the film of an underlying layer contg. Ti on a substrate and forming a magnetic layer having columnar crystals of 10-300nm average grain size on the underlying layer without exposing the underlying layer to a >=10Pa atmosphere after the formation thereof. CONSTITUTION:The Ti underlying film is first formed by a Ti vapor deposition source 5 on the substrate 1 which is let off from a winding roll 2 and is taken up on a take-up roll 3 in the mid-way thereof. The magnetic layer is thereafter continuously formed by a Co-Cr vapor deposition source 6 on the periphery of a can 4 in the same vacuum vessel. After the Ti underlying layer is formed in the above-mentioned manner, the magnetic layer is continuously formed without leaking and opening to the atmospheric pressure. The respectively equal pressures are maintained during the formation of the underlying layer and the formation of the magnetic layer and the atmosphere in this case must be maintained under 10Pa. The magnetic layer has usually columnar crystal structure and the average size of the crystals is 10-300nm, more preferably 20-200nm, further preferably 20-100nm.

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。 さらに詳しくは、基板上にTiを含有する下地層を
有し、この下地層上に、膜面に対して垂直方向に磁化容
易軸を持つ磁性層薄膜を存する、いわゆる垂直記録方式
の磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic recording medium. More specifically, a so-called perpendicular recording magnetic recording medium has an underlayer containing Ti on a substrate, and a thin magnetic layer having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface on this underlayer. The present invention relates to a manufacturing method.

先行技術とその問題点 近年、磁気記録媒体において高密度化が要求されており
、それに応えるものとして垂直記録方式が提案されてい
る。 そして、この垂直記録方式においては、膜面の垂
直方向に磁化容易軸を存する媒体が必要となる。
Prior Art and its Problems In recent years, there has been a demand for higher density in magnetic recording media, and a perpendicular recording method has been proposed as a response to this demand. This perpendicular recording method requires a medium whose axis of easy magnetization lies in the direction perpendicular to the film surface.

従来、スパッタリング法によりこのようなCo−Cr[
か得られることが報告されているが、この方法では堆積
速度等の問題から実用化が困難である。
Conventionally, such Co-Cr [
However, it is difficult to put this method into practical use due to problems such as deposition rate.

また特開昭56−127934号、特開昭56−165
931号、特開昭57−53828号、特開昭57−2
10452号、特開昭58−9220号、特開昭58−
139338号、特開昭58−148139号等には、
イオンブレーティング法を用いてCo−cr−系の垂直
磁化膜を作製する旨の提案が行われている。
Also, JP-A-56-127934, JP-A-56-165
No. 931, JP-A-57-53828, JP-A-57-2
No. 10452, JP-A-58-9220, JP-A-58-
No. 139338, JP-A-58-148139, etc.,
Proposals have been made to produce a Co-cr-based perpendicularly magnetized film using an ion blating method.

しかしこれら通常のイオンブレーティング法では、イオ
ン化のために一定量以上のガスを導入する必要があり、
ガス導入の制御がむずかしく、蒸着時の圧力が高くなり
結晶配向が乱れる。 そのため保磁力のあまり大きなも
のは得られない。
However, in these conventional ion blating methods, it is necessary to introduce a certain amount of gas for ionization.
It is difficult to control gas introduction, which increases the pressure during vapor deposition and disrupts crystal orientation. Therefore, it is not possible to obtain a material with a very large coercive force.

さらに、高い堆積速度が期待できる真空蒸着法を用いて
垂直磁化膜を作製する旨の報告がなされている(NaL
ional Technical Report Vo
l。
Furthermore, it has been reported that a perpendicularly magnetized film can be fabricated using a vacuum evaporation method that is expected to have a high deposition rate (NaL
ional Technical Report Vo.
l.

28 No、6 Dec−1982P4〜P14 )。28 No. 6 Dec-1982 P4-P14).

この報告では、基板として耐熱性のある高分子材料を用
い、基板温度30〜350℃にてCo−Cr1lQの蒸
着を行っている。 そして、基板温度が高くなるに従い
、+2而に垂直方向の保磁力が大きくなり、300℃以
上の基板温度で10000e以上の保磁力か得られると
されている。
In this report, a heat-resistant polymer material is used as the substrate, and Co-Cr11Q is deposited at a substrate temperature of 30 to 350°C. As the substrate temperature increases, the vertical coercive force increases by +2, and it is said that a coercive force of 10,000 e or more can be obtained at a substrate temperature of 300° C. or more.

しかしながら、″このような従来技術では、ポリエチレ
ンテレフタレート等の耐熱性の悪いフィルム上に、高保
磁力のCo−Cr垂直磁化膜を形成することは困難であ
る。
However, with such conventional techniques, it is difficult to form a Co--Cr perpendicular magnetization film with high coercive force on a film with poor heat resistance such as polyethylene terephthalate.

ところで、Tiの薄膜は接着力を向上させる目的で磁気
記録媒体の下地層として用いられることが一般に知られ
ている(特公昭39−26907号公報等)。
Incidentally, it is generally known that a thin film of Ti is used as an underlayer of a magnetic recording medium for the purpose of improving adhesive strength (Japanese Patent Publication No. 39-26907, etc.).

そして、Co−Crの垂直磁気記録媒体として、このよ
うな下地層をポリイミド等の耐熱性基板の上に設けて、
Co−Cr磁性層の結晶配向性を向上させる旨の提案(
特開昭58−159225号公報、同59−22236
号公報、同59−22225号公報、同59−3362
8号公報等)や媒体のカールを防止する旨の提案(特開
昭59−75429号公報、同59−77621号公報
、同59−119541号公報等)が行われている。 
しかしながら、これらの提案では、膜面に垂直方向の保
磁力は向上していない。
Then, as a Co-Cr perpendicular magnetic recording medium, such an underlayer is provided on a heat-resistant substrate such as polyimide,
A proposal to improve the crystal orientation of the Co-Cr magnetic layer (
JP-A-58-159225, JP-A No. 59-22236
Publication No. 59-22225, Publication No. 59-3362
8, etc.) and proposals to prevent curling of the medium (Japanese Patent Application Laid-open Nos. 59-75429, 59-77621, 59-119541, etc.).
However, these proposals do not improve the coercive force in the direction perpendicular to the film surface.

また、前述したポリイミド等の耐熱性基板にかえて、比
較的耐熱性に劣るポリエチレンテレフタレート(PET
)を基板とし、この上に同様にTiの下地層を設け、媒
体のカールを防止する旨の提案(特開昭59−2218
28号公報、同59−221829号公報等)も行われ
ている。 この場合においても上記の場合と同様に膜面
に垂直方向の保磁力は向上していない。
In addition, instead of the aforementioned heat-resistant substrate such as polyimide, polyethylene terephthalate (PET), which has relatively poor heat resistance, can be used.
) is used as a substrate, and a Ti underlayer is similarly provided thereon to prevent curling of the medium (Japanese Patent Laid-Open No. 59-2218
No. 28, No. 59-221829, etc.) have also been carried out. In this case as well, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is not improved as in the above case.

そこで、このようなTiを含有する下地層を設けて、磁
性層のCo−Cr等の結晶配向性、接着性、カール防止
等の優れた効果を保持しつつ、磁性層の膜面に垂直方向
の保磁力を高くすこのような実状に鑑み、本発明者らは
、先に、Ti下地層上の磁性層の平均結晶粒径を制御し
たとき、高い保磁力が得られる旨を提案している。
Therefore, by providing a Ti-containing underlayer, it is possible to maintain the excellent effects such as crystal orientation, adhesion, and curl prevention of the Co-Cr of the magnetic layer, while also maintaining the properties perpendicular to the film surface of the magnetic layer. In view of this situation, the present inventors have previously proposed that a high coercive force can be obtained by controlling the average crystal grain size of the magnetic layer on the Ti underlayer. There is.

本発明では、この提案を改良して一層高い保磁力を得よ
うとするものである。
The present invention attempts to improve this proposal to obtain an even higher coercive force.

■ 発明の目的 本発明の目的は、一層高い垂直方向の保磁力を存し、磁
気特性および物性が良好な特性を示すTi下地層を有す
る磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
(2) Purpose of the Invention An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium having a Ti underlayer which has a higher perpendicular coercive force and exhibits good magnetic and physical properties.

■ 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。■Disclosure of invention Such objects are achieved by the invention described below.

すなわち本発明は、基板上に、Tiを含有する下地層を
真空成膜し、成膜後10Pa以上の雰囲気にさらすこと
なく、この下地層上に平均粒径が10〜300 nmの
柱状結晶を有する磁性層を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。
That is, in the present invention, a Ti-containing base layer is formed on a substrate in a vacuum, and columnar crystals with an average grain size of 10 to 300 nm are formed on this base layer without exposing it to an atmosphere of 10 Pa or more after film formation. The present invention provides a method for manufacturing a magnetic recording medium, which is characterized by forming a magnetic layer having the following characteristics.

■ 発明のJt体的構成 以丁、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■Jt physical structure of invention Hereinafter, the specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明に用いられる基板の材質には、特に制限はなく、
金属、樹脂、ガラス、セラミックス等種々のものであっ
てよい。
There are no particular restrictions on the material of the substrate used in the present invention.
It may be made of various materials such as metal, resin, glass, and ceramics.

金属としては、例えばアルミニウム、陽極酸化膜や、ニ
ッケルリン膜を形成したアルミニウム等か可能である。
The metal may be, for example, aluminum, aluminum with an anodic oxide film, or aluminum with a nickel phosphorus film formed thereon.

 また、ガラス、セラミックスとしては種々のものが可
能である。
Furthermore, various types of glass and ceramics are possible.

樹脂材質のうち好適なものとしては、例えば、ポリエチ
レンテレフタレート(PET)、ポリエチレン2.6ナ
フタレートなどのポリエステル等がある。 これらのも
のは、フィルム状に成形された時の表面平滑性およびそ
の均一性がきわめて良好であって、しかも廉価である。
Suitable resin materials include, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene 2.6 naphthalate. These materials have extremely good surface smoothness and uniformity when formed into a film, and are inexpensive.

また、耐熱性樹脂であってもよい。Alternatively, it may be a heat-resistant resin.

このような耐熱性樹脂としては、芳香族ポリアミド等の
ポリアミド、芳香族ポリアミド等のポリイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリサルフオン、全芳香族ポリ
エステル、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、
ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド等かある
Such heat-resistant resins include polyamides such as aromatic polyamides, polyimides such as aromatic polyamides, polyphenylene sulfide, polysulfone, wholly aromatic polyesters, polyether ether ketone (PEEK),
Polyether sulfone, polyetherimide, etc.

ポリアミドはアミド結合−CONH−をもつポリマーの
総称であり、天然ポリアミドと合成ポリアミドに分類さ
れ、前者に天然ポリペプチドがある。
Polyamide is a general term for polymers having an amide bond -CONH-, and is classified into natural polyamides and synthetic polyamides, and the former includes natural polypeptides.

合成ポリアミドは、ジアミンとジカルボン酸の重縮合に
よってえられる (−CORCONHR’ NH+形とラクタム開環重合
またはアミノカルボン酸の重縮合などでえられる+RC
ONH+形に大別される。
Synthetic polyamides are obtained by polycondensation of diamines and dicarboxylic acids (-CORCONHR') and +RC obtained by polycondensation of NH+ forms and lactam ring-opening polymerization or aminocarboxylic acids.
It is broadly classified into ONH+ type.

芳香族ポリアミドとしては特公昭56−136826号
、同59−45124号などに示されている。たとえば
、 ポリイミドは、主鎖中にイミド結合をもつポリマーの総
称である。 基本的にはジカルボン酸とジアミンからポ
リアミック酸をつくり、これを成形後加熱、脱水、環化
してポリイミドとする。
Aromatic polyamides are disclosed in Japanese Patent Publication Nos. 56-136826 and 59-45124. For example, polyimide is a general term for polymers that have imide bonds in their main chains. Basically, polyamic acid is made from dicarboxylic acid and diamine, and after molding, it is heated, dehydrated, and cyclized to form polyimide.

一般式は、 で示される。ここで、Rは二価基である。The general formula is It is indicated by. Here, R is a divalent group.

これらのポリアミド、ポリイミドは、ポリマーの特性と
して非常に帰れた耐熱性をもつ。
These polyamides and polyimides have excellent heat resistance as a characteristic of polymers.

ポリフェニレンサルファイドは +0−3え    の構造をもつポリマーであり、優れ
た耐熱性を持つ。
Polyphenylene sulfide is a polymer with a +0-3 structure and has excellent heat resistance.

ポリサルフオンは、主鎖にサルフオニル結合0 をもつ
ポリマーであり、特に芳香族ボ■ S− リサルフオンは優れた耐熱性を持つ。
Polysulfone is a polymer having 0 sulfonyl bonds in its main chain, and aromatic boron S-resulfone in particular has excellent heat resistance.

たとえば、 がその−例である。for example, is an example.

全芳香族ポリエステルは、芳香族を骨格とするポリエス
テルであり、その−例としては、の構造をもつポリマー
等がある。
A wholly aromatic polyester is a polyester having an aromatic skeleton, and examples thereof include a polymer having the structure of.

ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)の構造は、下
記のとおりである。
The structure of polyetheretherketone (PEEK) is as follows.

ポリエーテルサルフォンの構造は、下記のとおりである
The structure of polyether sulfone is as follows.

n ポリエーテルイミドの構造は下記のとおりである。n The structure of polyetherimide is as follows.

このような各種材質を用いた基体の形状、寸法、厚さに
は制限はなく、用途に応じたものとすればよい。 例え
ば、フィルム状、ディスク状等であってよい。
There are no restrictions on the shape, size, and thickness of the substrate made of these various materials, and it may be determined according to the intended use. For example, it may be in the form of a film, a disk, or the like.

テープとする場合には、樹脂材質を用い、通常3〜70
μm、特に3〜20μm程度の厚さ、とする。
When making a tape, a resin material is used, and usually 3 to 70
The thickness is preferably about 3 to 20 μm.

このような基板上には、Tiを含有する下地層を設層す
る。
On such a substrate, a base layer containing Ti is formed.

ド地層中のTi含有量は、100at:%以下、通常、
80aL%以上、より好ましくは90aL%以トである
。 この下地層のTi含有量が80at%以下であると
、下地層を設けた効果が顕著にあられれず、媒体として
、膜面−垂直方向の高い保磁力は得られない。
The Ti content in the stratum is usually 100at:% or less,
It is 80aL% or more, more preferably 90aL% or more. If the Ti content of the underlayer is 80 at % or less, the effect of providing the underlayer will not be noticeable, and the medium will not have a high coercive force in the direction perpendicular to the film surface.

このような下地層は、通常、Ti単独で形成される。 
あるいはTi合金として、またTiの酸化物および/ま
たは窒化物を含むもの等として形成される。 そして、
Ti以外の含有率は通常20aL%未満ないし0、特に
10at%以下である。
Such an underlayer is usually formed of Ti alone.
Alternatively, it is formed as a Ti alloy, or as a material containing Ti oxide and/or nitride. and,
The content of substances other than Ti is usually less than 20 aL% to 0, particularly 10 at% or less.

Ti合金として、Tiに添加される合金元素としてはA
1、Cr%Fe、Mn、Mo、V等があり、ざらにC1
0、N、H等が添加可能である。
As a Ti alloy, the alloying element added to Ti is A.
1, Cr%Fe, Mn, Mo, V, etc., roughly C1
0, N, H, etc. can be added.

Tiの酸化物としては、例えばTi01Ti203 、
TiO2など、Tiの窒化物としては、例えばTiNな
との形が挙げられる。
Examples of Ti oxides include Ti01Ti203,
Examples of Ti nitrides such as TiO2 include TiN.

これらでは、通常、下地層の組成の一部が酸化物や窒化
物として存在するものである。
In these, a part of the composition of the underlying layer usually exists as an oxide or a nitride.

このような中では、特にTiのみからなるか、あるいは
これとfat%以下、特に0.1〜fat%のOおよび
/またはNを含有する下地層が好ましい。
Among these, it is particularly preferable to use a base layer consisting only of Ti or containing O and/or N in a fat % or less, especially 0.1 to fat %.

このような下地層の0および/またはNの総合有量がf
at%をこえると、媒体として膜面垂直方向の保磁力が
低下する。
The total amount of 0 and/or N in such an underlying layer is f
When it exceeds at%, the coercive force of the medium in the direction perpendicular to the film surface decreases.

このように下地層中に含有される0やNの含有量は、オ
ージェ分光分析、ESCA等の元素分析法によって測定
すわばよい。
The content of O and N contained in the underlayer can be measured by elemental analysis methods such as Auger spectroscopy and ESCA.

このようなTiを含有する下地層は、蒸着法、スパッタ
法、イオンブレーティング法などの各種真空成膜法によ
って形成する。
Such a Ti-containing base layer is formed by various vacuum film forming methods such as vapor deposition, sputtering, and ion blasting.

この場合、成膜条件は通常種々行われている範囲で行え
ばよく、例えば基板の温度は30〜100℃、作動圧力
0.01〜1mPa程度である。
In this case, the film forming conditions may be within a variety of commonly used ranges, such as a substrate temperature of 30 to 100° C. and an operating pressure of about 0.01 to 1 mPa.

また、特にO,Nの含有量をfat%以下にするために
は例えば基板を成膜面に160〜220℃まで真空中で
予備加熱したのち、基板温度を80〜100℃程度に保
持し、作動圧力0゜01〜0.1mPa程度とすること
が効果的である。
In addition, in order to particularly reduce the content of O and N to below fat%, for example, the substrate is preheated to 160 to 220°C in vacuum on the film forming surface, and then the substrate temperature is maintained at about 80 to 100°C. It is effective to set the operating pressure to about 0°01 to 0.1 mPa.

このようにして設層される下地層の膜厚は11000n
以下、特に20〜600 nmが好ましい。 この膜厚
が11000nをこえると媒体としての剛性が大きくな
って、ヘッドタッチが悪く、しかもノイズが発生しやす
くなる。 そして、保磁力が低下する。
The thickness of the base layer formed in this way is 11000n.
Below, 20 to 600 nm is particularly preferable. If the film thickness exceeds 11,000 nm, the rigidity of the medium increases, resulting in poor head touch and moreover, a tendency to generate noise. Then, the coercive force decreases.

また、20 nm未満では保磁力向上効果が低い。Further, if the thickness is less than 20 nm, the effect of improving coercive force is low.

なお、Ti下地層の平均結晶粒径は10〜3000m、
より好ましくは20〜200nm、特に20〜100o
I11である。
Note that the average grain size of the Ti underlayer is 10 to 3000 m,
More preferably 20-200nm, especially 20-100o
It is I11.

そして、このような下地層の上には膜面の垂直方向に磁
化容易軸を存する磁性層が設層される。
A magnetic layer having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface is provided on such an underlayer.

第1図には製造装置の1例が示される。FIG. 1 shows an example of a manufacturing apparatus.

図示の例は、長尺のフィルム状の基板1を用いるときの
ものであって、元巻ロール2からくり出さね巻取ロール
3にて巻取られる基板1には、その途中で、まずTi蒸
着源5(図示では′1.U 、−/−線加熱)によりT
i下地膜が形成される。
The example shown is when a long film-like substrate 1 is used, and the substrate 1 is rolled out from the original winding roll 2 and wound up by the winding roll 3. T by source 5 ('1.U in the diagram, -/- line heating)
i A base film is formed.

その後、同−真空槽内にて、連続して、キャン4周上に
て、Co−Cr蒸着源6(図示では、COおよびCrを
別個に電子線加熱)により磁性層が形成される。
Thereafter, in the same vacuum chamber, a magnetic layer is continuously formed on the four circumferences of the can by a Co--Cr vapor deposition source 6 (in the figure, CO and Cr are heated separately with electron beams).

このように、本発明では、Ti下地層形成後、いわゆる
リークないし大気圧開放をすることなく、連続的に磁性
層を形成するものである。
As described above, in the present invention, after forming the Ti underlayer, the magnetic layer is continuously formed without so-called leakage or atmospheric pressure release.

この場合、通常は、図示例のように、下地層形成と磁性
層形成との間は、それぞれとほぼ同等の圧力とするが、
必要に応じ、異なる雰囲気圧力としてもよい。 ただ、
この雰囲気は、10Pa、より好ましくはIPa以下に
保持されなければならない。
In this case, as shown in the illustrated example, approximately the same pressure is applied between forming the underlayer and forming the magnetic layer.
A different atmospheric pressure may be used if necessary. just,
This atmosphere must be maintained below 10 Pa, more preferably IPa.

このようにすることにより、Ti下地層の界面の乱れが
防止され、保磁力等の磁気特性が向上する。
By doing so, disturbance of the interface of the Ti underlayer is prevented, and magnetic properties such as coercive force are improved.

さらに、同一真空槽内で、Ti′F地層と磁性層形成と
を連続的に行えば、Ti蒸着により、槽内の圧力が減少
し、磁性層の成膜性が良好となり、磁気特性が向上する
Furthermore, if the formation of the Ti'F layer and the magnetic layer are performed continuously in the same vacuum chamber, the pressure inside the chamber will be reduced due to Ti evaporation, the film formation properties of the magnetic layer will be good, and the magnetic properties will be improved. do.

磁性層は通常、柱状結晶構造をもち、この結晶の平均粒
径は10〜300r+m、より好ましくは20〜200
0m、さらに好ましくは20〜1100nである。
The magnetic layer usually has a columnar crystal structure, and the average grain size of this crystal is 10 to 300 r+m, more preferably 20 to 200 r+m.
0m, more preferably 20 to 1100n.

平均粒径が10nm未満になると1模面に垂直方向の保
磁力が低くなり、300 nmをこえると同様に保磁力
か低くなり、しかも粒界ノイズが大きくなり実用上好ま
しくない。
If the average grain size is less than 10 nm, the coercive force in the direction perpendicular to one pattern will be low, and if it exceeds 300 nm, the coercive force will similarly be low, and grain boundary noise will increase, which is not preferred in practice.

そして、このような磁性層を形成する柱状結晶は膜面に
ほぼ垂直に配向するものである。
The columnar crystals forming such a magnetic layer are oriented substantially perpendicular to the film surface.

このような磁性層の膜厚は50〜11000m、より好
ましくは60〜900 nmである。
The thickness of such a magnetic layer is 50 to 11000 m, more preferably 60 to 900 nm.

この磁性層の厚さが50no+未満になると強度が低下
し、また1100口Iをこえるとヘッドタッチが悪くな
り、変調ノイズが大きくなってしまう。
When the thickness of this magnetic layer is less than 50 mm, the strength decreases, and when it exceeds 1100 mm, head touch becomes poor and modulation noise becomes large.

なお、磁性層表面には、結晶粒に起因して、通常、粒径
に対応する底辺をもち、高さ10〜100r++++程
度の凸部が形成される。 この凹凸により、走行性等が
向とする。
Note that on the surface of the magnetic layer, a convex portion having a base corresponding to the grain size and having a height of about 10 to 100 r++++ is usually formed due to the crystal grains. These irregularities improve running performance, etc.

本発明における柱状結晶の平均粒径および磁性層の膜厚
等は、通常、表面および破断面の電子顕微鏡写真[走査
形顕微鏡(SEM)および透過形顕微鏡(TEM)]に
よって、観測、算出することができる。
In the present invention, the average grain size of the columnar crystals, the film thickness of the magnetic layer, etc. can be usually observed and calculated using electron micrographs [scanning microscope (SEM) and transmission microscope (TEM)] of the surface and fracture surface. I can do it.

このような磁性層を構成する組成としては、Co−Cr
、Co−V、Co−N1−P、C。
The composition of such a magnetic layer is Co-Cr.
, Co-V, Co-N1-P, C.

−P、Mn−B1.Mn−An−Ge、Nd−Fe、N
d =Co、Co−0,Mn−5b。
-P, Mn-B1. Mn-An-Ge, Nd-Fe, N
d = Co, Co-0, Mn-5b.

Mn−Cu−B1.Gd−Fe、Gd−Co、Pt−C
o、Tb−Co、Tb−Fe−Co、Gd−Fe−Co
、Tb−Fe−03、Gd−IG、Gd−Tb−Fe、
Gd−Tb−Fe−Co−B1.Co−Fe204等の
いずれであってもよいが、好ましくは、Co−Crであ
る。
Mn-Cu-B1. Gd-Fe, Gd-Co, Pt-C
o, Tb-Co, Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co
, Tb-Fe-03, Gd-IG, Gd-Tb-Fe,
Gd-Tb-Fe-Co-B1. It may be Co--Fe204 or the like, but Co--Cr is preferable.

Co−Crv、とじては、磁気特性上、膜組成としてC
rが15〜25aL%含打されることが好ましい。
Co-Crv, in particular, has C as a film composition due to its magnetic properties.
It is preferable that r is impregnated by 15 to 25 aL%.

なお、COおよびCrに加え、5wt%以下の範囲でN
i、Fe、0等が含有されていてもよい。
In addition to CO and Cr, N is added within a range of 5 wt% or less.
i, Fe, 0, etc. may be contained.

このような磁性層は、蒸看法を用いて形成される。Such a magnetic layer is formed using a vapor deposition method.

真空蒸着法は蒸発源を10 ’ Torr以下の高真空
中で、エレクトロンビーム法、抵抗加熱法等により蒸発
源を加熱して融解、蒸発させて、その蒸気を例えば基体
表面に薄膜として凝着させる方法である。 この蒸発時
に蒸発粒子が得る運動エネルギーは0.1eV〜1eV
程度である。
In the vacuum evaporation method, the evaporation source is heated in a high vacuum of 10' Torr or less using an electron beam method, resistance heating method, etc. to melt and evaporate it, and the vapor is deposited as a thin film on the surface of the substrate, for example. It's a method. The kinetic energy obtained by the evaporated particles during this evaporation is 0.1 eV to 1 eV
That's about it.

真空蒸着法は、公知の種々の装置を用いればよくまたハ
ース−基板間距離、膜の堆積速度などの条件設定等も適
宜決定すればよく、特に;I’ll限されるものではな
いが、本発明においては、磁性層を設層の際に基板温度
を通常、150〜300℃、一般に150〜220℃程
度とする。
For the vacuum evaporation method, various known apparatuses may be used, and conditions such as the distance between the hearth and the substrate and the film deposition rate may be appropriately determined. In particular, but not limited to, In the present invention, the substrate temperature is usually 150 to 300°C, generally about 150 to 220°C, when forming the magnetic layer.

300℃をこえると基板のダメージか大きくなって製造
上好ましくない。
If the temperature exceeds 300°C, the damage to the substrate will increase, which is unfavorable in terms of manufacturing.

ただ、基板の熱変形温度に応じ、例えばPETでは、2
00℃以下とする。
However, depending on the thermal deformation temperature of the substrate, for example, in PET, 2
The temperature shall be below 00℃.

なお、この温度を、例えば150℃程度未満にすると、
磁性層を構成する結晶粒について所望のヅ均粒径が得ら
れず、媒体の保磁力が小さくなって実用上好ましくない
Note that if this temperature is lower than about 150°C, for example,
The desired average grain size cannot be obtained for the crystal grains constituting the magnetic layer, and the coercive force of the medium decreases, which is not desirable in practice.

さらに、磁性層設層の際の作動圧力は0.01〜10 
m P a、より好ましくは0.1〜1mPa程度とす
ればよい。
Furthermore, the operating pressure during magnetic layer formation is 0.01 to 10
mPa, more preferably about 0.1 to 1 mPa.

なお、下地層および磁性層形成時の基板温度は、各種ヒ
ーターやキャンによりilJ御すればよい。
Note that the substrate temperature during formation of the underlayer and magnetic layer may be controlled by various heaters or cans.

また、前述した樹脂基板表面の少なくとも磁性層形成面
側には、基板の各el F他処理が行われることが好ま
しい。
Furthermore, it is preferable that each of the EL F and other treatments of the substrate be performed on at least the magnetic layer formation side of the resin substrate surface described above.

このような下地処理の方法としては、例えばプラズマ処
理法やイオンボンバード等の真空処理方法が挙げられる
Examples of such a surface treatment method include a plasma treatment method and a vacuum treatment method such as ion bombardment.

本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、種々の公知のト
ップコート層を設けてもよい。 また基板裏面にバック
コート層を設けることもできるし、磁性層と基板との間
にパーマロイ等の高透磁率金属薄膜やその他の公知の種
々の中間層を設けることもできる。
Various known top coat layers may be provided on the magnetic layer of the magnetic recording medium of the present invention. Further, a back coat layer may be provided on the back surface of the substrate, and a high magnetic permeability metal thin film such as permalloy or other various known intermediate layers may be provided between the magnetic layer and the substrate.

この場合、中間層は場合によってはTi下地層の上にあ
ってもよいが、好ましくは中間層をF地層の下に設層す
る。
In this case, the intermediate layer may be placed on the Ti base layer depending on the case, but preferably the intermediate layer is provided below the F layer.

■ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、!fi性層の膜面垂直方向にきわめて
高い保磁力を有する媒体が得られる。
■Specific effects of the invention According to the present invention,! A medium having an extremely high coercive force in the direction perpendicular to the film surface of the fi layer can be obtained.

また、磁性層の結晶配向性、接着性も良好であり、カー
ルの発生も少ない。
Furthermore, the crystal orientation and adhesiveness of the magnetic layer are good, and curling is less likely to occur.

このような磁気記録媒体は、垂直磁化方式の磁気テープ
、フレキシブルディスク等に用いて有効である。
Such magnetic recording media are effective for use in perpendicular magnetization type magnetic tapes, flexible disks, and the like.

■ 発明の具体的実施例 以下に本発明の具体的実施例を示す。■Specific embodiments of the invention Specific examples of the present invention are shown below.

[実施例1コ 第1図に示される装置を用いて各種媒体を作製した。[Example 1 Various media were produced using the apparatus shown in FIG.

pJさ15μmのポリエチレンテレフタレート(PET
)フィルムの基板1を用いた。
Polyethylene terephthalate (PET) with a pJ of 15 μm
) Film substrate 1 was used.

Ti蒸発源5としては、Tiを用い、基板l上にTi下
地層を蒸着した。
Ti was used as the Ti evaporation source 5, and a Ti underlayer was deposited on the substrate l.

なお、Ti蒸着部での作動圧は0.05mPaとし、基
板lはヒーターにより70℃に加熱し、蒸着レートを1
0 nm/ sec程度とし、設層されるTi膜厚は2
0〜500 nrnとした。
The operating pressure in the Ti evaporation part was 0.05 mPa, the substrate l was heated to 70°C with a heater, and the evaporation rate was 1.
The thickness of the Ti film is approximately 0 nm/sec, and the thickness of the Ti film is 2
The range was 0 to 500 nrn.

次いで、連続して基板を、温度180℃のキャンに沿わ
せて走行させ、磁性層蒸着源6としてCo’−Cr(重
量比80/20)合金(25mmφベレット)を用い、
これを270°偏向のEBガンを用いて蒸発させてL記
Ti下地層の上に、Co−Cr磁性層を蒸着した。
Next, the substrate was continuously run along a can at a temperature of 180° C., and a Co'-Cr (weight ratio 80/20) alloy (25 mm diameter pellet) was used as the magnetic layer deposition source 6.
This was evaporated using an EB gun with a 270° deflection to deposit a Co--Cr magnetic layer on the Ti underlayer.

この際、図示しない膜厚コントローラーにより組成分析
を行い、Co / Cr比が80/20になるようにE
Bガンを制御して蒸着を行フた。
At this time, a composition analysis was performed using a film thickness controller (not shown), and E was adjusted so that the Co/Cr ratio was 80/20.
Vapor deposition was performed by controlling the B gun.

蒸着部での条件は、作動圧約0.2mPa、蒸着レート
200IIl/SCC程度とした。
The conditions in the vapor deposition section were a working pressure of about 0.2 mPa and a vapor deposition rate of about 200 IIl/SCC.

このようにして、表1に示されるように、ド地層の厚さ
、Co−Crの磁性層厚さおよび結晶粒径を種々変えて
、サンプルを作・Kした。
In this way, as shown in Table 1, samples were prepared by varying the thickness of the geological layer, the thickness of the Co--Cr magnetic layer, and the crystal grain size.

ド地層の組成分析は、オージェ分析(アルハツクフフイ
社製モデル600)で行った。
The compositional analysis of the stratum was performed using Auger analysis (Model 600 manufactured by Al-Hatkufufi).

これとは別に、比較のため、Ti ド地層を設けない場
合のサンプルをえた。
Separately, for comparison, we obtained a sample without the Ti-doped stratum.

また、Ti下地層形成後、一旦真空糟を大気開放し、基
板を逆転巻取すし、再排気をしたのち同様に磁性層を形
成した場合、および大気開放を500mPaの圧力にか
えた場合のサンプルをえた。
In addition, after forming the Ti underlayer, the vacuum chamber was once opened to the atmosphere, the substrate was reversely wound, the magnetic layer was formed in the same manner after re-evacuation, and the sample was changed to a pressure of 500 mPa after the opening to the atmosphere. I got it.

各サンプルの磁性層の膜厚および柱状結晶のモ均粒径等
の測定方法は表面および破断面の電子顕@鏡写真[走査
形顕微鏡(SEM)および透過形顕微鏡(TEM)]か
ら算出した。
The thickness of the magnetic layer and the average grain size of the columnar crystals of each sample were calculated from electron micrographs [scanning microscope (SEM) and transmission microscope (TEM)] of the surface and fracture surface.

さらに、谷サンプルにつき、下記に示す特性を調べた。Furthermore, the characteristics shown below were investigated for the valley sample.

(1〉膜面に垂直方向の保磁力Hc上(Oe)・定面積
に切り出したサンプルについて、振動試料型磁力計(v
sM)を用い、最大印加磁界をl0KGとし保磁力を測
定した。
(1> On the coercive force Hc in the direction perpendicular to the film surface (Oe) ・For the sample cut out in a constant area, the vibrating sample magnetometer (v
sM), and the coercive force was measured with a maximum applied magnetic field of 10 KG.

これらの結果を表1に示す。These results are shown in Table 1.

なお、各サンプルの下地層中のOおよびNの組成を測定
したところ1aL%以丁であった。
In addition, when the composition of O and N in the underlayer of each sample was measured, it was found to be less than 1aL%.

表1に示される結果より、本発明の効果が明ら−かであ
る。
From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

なお、Tiに1OaL%以FのA1等を含有させたもの
もL記と同等の結果をえた。
Incidentally, results similar to those in Table L were also obtained when Ti contained A1 or the like in an amount of 1 OaL% or more.

また、他の基板でも同等の結果をえた。Similar results were also obtained with other substrates.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明に用いる装置を説明するための概略図
である。 符号の説明 1−・・基板、5=Ti蒸着源、6−= Co −Cr
蒸着源 出願人  ティーディーケイ株式会社 (″・ど FIG、1
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an apparatus used in the present invention. Explanation of symbols 1--Substrate, 5=Ti vapor deposition source, 6-=Co-Cr
Evaporation source applicant: TDC Co., Ltd. (“DoFIG, 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基板上に、Tiを含有する下地層を真空成膜し、成膜後
10Pa以上の雰囲気にさらすことなく、この下地層上
に平均粒径が10〜300nmの柱状結晶を有する磁性
層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
A base layer containing Ti is deposited in vacuum on a substrate, and a magnetic layer having columnar crystals with an average grain size of 10 to 300 nm is formed on this base layer without exposing it to an atmosphere of 10 Pa or higher after film formation. A method for manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that:
JP28515785A 1985-12-17 1985-12-17 Production of magnetic recording medium Pending JPS62143229A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5681635A (en) * 1994-01-20 1997-10-28 Tulip Memory Systems, Inc. Magnetic recording medium having a ceramic substrate, an underlayer having a dense fibrous zone T structure, and a magnetic layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5681635A (en) * 1994-01-20 1997-10-28 Tulip Memory Systems, Inc. Magnetic recording medium having a ceramic substrate, an underlayer having a dense fibrous zone T structure, and a magnetic layer

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