JPS6214076A - Light receiving apparatus - Google Patents

Light receiving apparatus

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JPS6214076A
JPS6214076A JP15444785A JP15444785A JPS6214076A JP S6214076 A JPS6214076 A JP S6214076A JP 15444785 A JP15444785 A JP 15444785A JP 15444785 A JP15444785 A JP 15444785A JP S6214076 A JPS6214076 A JP S6214076A
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current
transistor
light receiving
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logarithmic compression
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Hideo Kameda
亀田 英夫
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Abstract

PURPOSE:To achieve a higher distance measuring accuracy, by providing a lower frequency attenuating capacity between a light receiving element and a current amplifying transistor while first and second current conversion means are provided to inhibit the effect of low frequency extraneous light and the effect of temperature changes. CONSTITUTION:A low frequency attenuating capacitor 34 is provided between a light receiving element 7 and the base of a current amplifying transistor 19. A first current conversion means which comprises a first current mirror circuit 36 for outputting current corresponding to the collector current of the current amplifying transistor 19 to a logarithmic compression diode element 23 and a first constant current source 37 and a second current conversion means which comprises second, third and fourth current mirror circuits 39, 42 and 46 having the value corresponding to the current flowing through a logarithmic compression diode element 24 as the emitter current of the current amplifying transistor 19 and a second constant current source 27 are provided. This can inhibit the effect of low frequency extraneous light and the effect of temperature changes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、被測距物体から反射された信号光を受けて
被測距物体までの距離を測定する例えばカメラ等に使用
される測距装置に係り、特に受光素子及び増幅回路を有
した受光装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a distance measuring device used in, for example, a camera, which measures the distance to a distance-measuring object by receiving a signal light reflected from the distance-measuring object. The present invention relates to a light receiving device, and particularly to a light receiving device having a light receiving element and an amplifier circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般にこの棚の測距装置としては、近接して配設された
1対の受光素子が被測距物体から反射された信号光を受
け、この信号光により発生された受光素子の光起電流の
比を求めることにより、被測距物体までの距離を求めて
いるものである。
In general, in this shelf distance measuring device, a pair of light receiving elements arranged in close proximity receive a signal light reflected from an object to be measured, and a photovoltaic current of the light receiving element generated by this signal light is generated. By determining the ratio, the distance to the object to be measured is determined.

第2図及び第3図はこの種の測距装置を示すものである
。まず、第2図に示すようにLED等からなる発光素子
(1)からのパルス状の信号光は投光側収光レンズ(2
)を介して被測距物体(8a)又は(8b)lζ入射さ
れ、その反射された信号光(4a)又は(4b)は1対
の受光菓子(7a) (7b)を有した光検出素子(3
PI)l t61に入射される。この光検出素子(6)
はカソードとなるN型の半導体基板(6C)とこの半導
体基板の一主面に形成されたアノードとなるP型の半導
体層(6a) (6b)とから構成されているものであ
る。今、近距離にある被測距物体(8a)から反射され
た信号光(4a)が入射されたとすると、第3図に示す
ように受光素子(7a)には多くの信号光(4a)が入
射されるため、受光素子(7a)には大きな光起l流が
流れ、受光素子(7b)lζは小さな光起電流が流れる
。また遠距#!Iitζある被測距物体(8b)から反
射された信号光(4b)が入射されたとすると。第3図
に示すように受光素子(7b)には多くの信号光(4b
)が入射されるため、受光素子(7b)には大きな光起
(流が流れ、受光素子(7a)には小さな光起電流が流
れる。そして第4図に示すように受光素子(7a)に流
れる光起電流は受光装@ (8a)によりその光起電流
に応じた1圧値にされてバッファアンプ(1G及び抵抗
圓を介して演算増幅器f12の一方の入力端に入力され
る。
FIGS. 2 and 3 show this type of distance measuring device. First, as shown in FIG.
) is incident on the object to be measured (8a) or (8b) lζ, and the reflected signal light (4a) or (4b) is transmitted to a photodetector element having a pair of light-receiving confections (7a) (7b). (3
PI) is input to t61. This photodetecting element (6)
is composed of an N-type semiconductor substrate (6C) which serves as a cathode, and a P-type semiconductor layer (6a) (6b) which serves as an anode formed on one main surface of this semiconductor substrate. Now, if the signal light (4a) reflected from the object (8a) to be measured at a short distance is incident, a large amount of signal light (4a) will be reflected on the light receiving element (7a) as shown in Fig. 3. Therefore, a large photovoltaic current flows through the light receiving element (7a), and a small photovoltaic current flows through the light receiving element (7b). Long distance again! Assume that the signal light (4b) reflected from a certain object to be measured (8b) is incident. As shown in Fig. 3, the light receiving element (7b) has many signal lights (4b
) is incident on the photodetector (7b), a large photovoltaic current flows in the photodetector (7b), and a small photovoltaic current flows in the photodetector (7a).As shown in FIG. The flowing photovoltaic current is converted to a voltage value corresponding to the photovoltaic current by the photoreceptor (8a), and is inputted to one input terminal of the operational amplifier f12 via the buffer amplifier (1G and a resistor ring).

一方、受光素子(7b)に流れる光起電流は受光装置(
8b)によりその光起電流fζ応じた電圧値にされてバ
ッファアンプ・13及び抵抗Iを介して演算増幅器02
の他方の入力端に入力される。また、演算増幅器tlZ
の一方の入力端と出力端とは抵抗uSを介して接続され
るとともに他方の入力端には抵抗lI′rIを介して基
草電圧源ueが接続されている。演算増幅器+IZ及び
抵抗an (141(IS uηは差動アンプを構成し
ているので、演算増幅器112の2つの入力端に入力さ
れた電圧の差電圧に応じた出力が演算出力@ (18)
に現われることになる。この演算出力端(Ilfζ現わ
れた出力は、受光素子(7a)(? b)の光起電流の
比に応じた値であり、結果として被測距物体(8〜又は
(8b)までの距離情報が得られることになる。
On the other hand, the photovoltaic current flowing through the light receiving element (7b) is
8b) to a voltage value corresponding to the photovoltaic current fζ, and is applied to the operational amplifier 02 via the buffer amplifier 13 and the resistor I.
is input to the other input terminal of. In addition, the operational amplifier tlZ
One input terminal and output terminal of the circuit are connected through a resistor uS, and the other input terminal is connected to a base voltage source ue through a resistor lI'rI. Operational amplifier +IZ and resistor an (141 (IS uη) constitute a differential amplifier, so the output corresponding to the difference voltage between the two input terminals of the operational amplifier 112 is the operational output @ (18)
It will appear in The output that appears at this calculation output terminal (Ilfζ) is a value that corresponds to the ratio of photovoltaic currents of the light receiving elements (7a) (?b), and as a result, distance information to the object to be measured (8 to (8b)) is obtained. will be obtained.

次に、この様fζ構成された測距装置における従来の受
光装! (8a) (sb) +とついて第5図に基づ
いて説明する。受光装@ (a a) (s b)は両
者とも同じ回路構成であるので、第5図は1つの受光装
置a(81を示している。第5図において(7)はカソ
ードが基準電位点Vref+ζ接、nされた受光素子、
u9はこの受光素子のアノードにベースが接続されるn
pnトランジスタからなる信号増幅用トランジスタ■は
この信号増幅用トランジスタのエミッタと接地間に接続
された交流信号バイパス用コンデンサ、(社)のはカレ
ントミラー回路を構成するpnp )ランジスタで、−
万のpnpトランジスタ因)のエミッタが電源官位点V
ccに接続されるとともにペース及びコレクタが上記信
号増幅用トランジスタu9のコレクタに接続され、他方
のpnp トランジスタ(支)のエミッタが上記電源を
位点Vccに接続されるとともにベースがpnp トラ
ンジスタシυのベースに接続されているものである。器
(至)はこのカレントミラー回路のpnpトランジスタ
@のコレクタと接地間に接続される対数圧縮ダイオード
で、npnトランジスタをダイオード接続したものから
構成されており、対数圧縮ダイオードののアノードがこ
の受光装置の出力端(9)Iζ接続されているものであ
る。(ハ)は上記電源?1位点Vccと信号増幅用トラ
ンジスタt191のベースとの間に接続されたバイアス
電流源で、例えばトランジスタにより構成されているも
のである。■は上記信号増幅用トランジスタu9のベー
スと接地間に接続され、ベースが上記信号増幅用トラン
ジスタIIIのエミッタに接続される直流電流を吸収す
るためのnpn トランジスタ、罰は上記信号増幅用ト
ランジスタu!lのエミッタと接地間に接続される回路
バイアスを設定する定″!流源で、例えばトランジスタ
により構成されるものである。(至)は反転入力端(2
8a)、非反転入力端(2s b)、出力端(28c)
及び制御端(28のを有し、反転入力端(28a)が上
記対数圧縮ダイオード@のアノードに接続されるととも
に出力端(28c)が反転入力端(28a)に接続され
、上記対数圧縮ダイオード(ハ)(至)の初期ia流を
設定するためのバッファアンプ、(至)はこのバッファ
アンプの制御端(29のと接地間に接続され、パツファ
フンプ■の周波数を低下させるためのコンデンサ、(至
)c+n@は上記対数圧縮ダイオード接続υの初期電圧
を設定するための基準n圧発生回路を構成する定電流源
、 抵抗及びダイオードで、定電流源■と抵抗(2)との接
続点が上記バッファアンプ■の非反転入力端(2s b
)に接続されており、定電流源■は例えばトランジスタ
で構成され、ダイオード■はダイオード接続されたnp
n )ランジスタから構成されているものである。
Next, let's look at the conventional light receiving device in a rangefinder configured with fζ like this! (8a) (sb) + will be explained based on FIG. Both light receiving devices @ (a a) (s b) have the same circuit configuration, so Fig. 5 shows one light receiving device a (81). In Fig. 5, (7) has the cathode at the reference potential point. Vref+ζ contact, n-type light receiving element,
u9 is n whose base is connected to the anode of this light receiving element.
The signal amplifying transistor (■) consisting of a pn transistor is an AC signal bypass capacitor connected between the emitter of this signal amplifying transistor and the ground, and the pnp (pnp) transistor constituting a current mirror circuit is connected between the emitter of this signal amplifying transistor and the ground.
The emitter of 10,000 pnp transistors is the power supply point V
cc, and its pace and collector are connected to the collector of the signal amplifying transistor u9, and the emitter of the other pnp transistor (support) is connected to the power supply point Vcc, and its base is connected to the pnp transistor υ. It is connected to the base. The device is a logarithmic compression diode connected between the collector of the pnp transistor @ of this current mirror circuit and the ground, and is composed of a diode-connected npn transistor, and the anode of the logarithmic compression diode is connected to this light receiving device. The output terminal (9) Iζ is connected. (c) Is the above power supply? This is a bias current source connected between the first point Vcc and the base of the signal amplification transistor t191, and is made up of, for example, a transistor. (2) is an NPN transistor for absorbing direct current, which is connected between the base of the signal amplification transistor u9 and the ground, and whose base is connected to the emitter of the signal amplification transistor III; the penalty is the signal amplification transistor u! A constant current source that sets the circuit bias is connected between the emitter of 1 and ground, and is composed of, for example, a transistor. (to) is the inverting input terminal (2
8a), non-inverting input end (2s b), output end (28c)
and a control terminal (28), an inverting input terminal (28a) is connected to the anode of the logarithmic compression diode @, an output terminal (28c) is connected to the inverting input terminal (28a), and the logarithmic compression diode ( c) A buffer amplifier for setting the initial ia current of (to), (to) is a capacitor connected between the control terminal (29) of this buffer amplifier and the ground, and for reducing the frequency of the buffer pump (29). )c+n@ is a constant current source, a resistor, and a diode that constitute the reference n pressure generation circuit for setting the initial voltage of the logarithmic compression diode connection υ, and the connection point between the constant current source ■ and the resistor (2) is the above Non-inverting input terminal of buffer amplifier ■ (2s b
), the constant current source ■ is composed of, for example, a transistor, and the diode ■ is a diode-connected np
n) It is composed of transistors.

また、バッファアンプ(至)は第6図fζ示すように構
成されており、第6図において(28c)はベースが反
転入力端1.28a)に接続されるnpn )ランジス
タ、(280はベースが非反転入力端(28b)に接続
さ才1、コレクタが[源電位点Vcc tζ接続され、
エミッタが上記npn )ランジスタ(2s e)のエ
ミッタに接続されるnpnトランジスタで、上記npn
 トランジスタ(2s e)とで差動アンプを構成する
ものである。(28のはこれらnpn )ランジスタ(
2Sa)(2sf)のエミッタ接続点と接地間に接続さ
れた定電流源、(28h)C28i)はカレントミラー
回路を構成するpnpトランジスタテ、両pnpトラン
ジスタのエミッタが電源電位点Vccに接続されるとと
もにベースが共通接続され、−万のpnpトランジスタ
(28h)のコレクタはベース及び上記npn トラン
ジスタ(28e)のコレクタに接続さ1′L1上記np
n トランジスタ(2s e) (2s f)による差
動出力を伝達するものである。(2sj)(2sk)は
カレントミラー回路を構成するnpnトランジスタで、
両npn )−ランジスタのエミッタが接地されるとと
もCζベースが共通接続され、一方のnpn トランジ
スタ(28j)のコレクタはベース及び上記pnp ト
ランジスタ(28i)のコレクタに接続され、他方のn
pn トランジスタ(2sk)のコレクタは出力端(2
8c)に接続されて反転入力端(2Sa)+ζ度続され
る。
The buffer amplifier (to) is configured as shown in Fig. 6fζ, in which (28c) is an npn transistor whose base is connected to the inverting input terminal 1.28a), and (280) is an npn transistor whose base is connected to the inverting input terminal 1. The collector is connected to the non-inverting input terminal (28b) and the collector is connected to the source potential point Vcc tζ,
An npn transistor whose emitter is connected to the emitter of the above npn transistor (2s e);
The transistor (2s e) constitutes a differential amplifier. (28 of these npn) transistors (
2Sa) (2sf) is a constant current source connected between the emitter connection point and ground, (28h) C28i) is a pnp transistor forming a current mirror circuit, and the emitters of both pnp transistors are connected to the power supply potential point Vcc. The bases of the above npn transistors (28e) are connected in common, and the collectors of the above npn transistors (28h) are connected to the bases and the collectors of the above npn transistors (28e).
It transmits the differential output by the n transistors (2s e) (2s f). (2sj) (2sk) is an npn transistor that constitutes a current mirror circuit,
The emitters of both npn transistors (28j) are grounded and their Cζ bases are commonly connected; the collector of one npn transistor (28j) is connected to the base and the collector of the pnp transistor (28i);
The collector of the pn transistor (2sk) is connected to the output terminal (2sk).
8c) and connected to the inverting input terminal (2Sa) + ζ degrees.

次蚤ζ、この僅に構成された受光装置の動作に−】いて
説明する。まず、無信号時、つまり受光素子(7)に被
測距物体から反射されたパルス状の信号光(4)が入射
されていない時、増幅トランジスタu9を流れる電流は
定1流源□□□fζより決定されているため、バイアス
電流源(刻のバイアス電流の内、増幅トランジスタUの
ベース電流を差し引いた残りの電流がnpn トランジ
スタ(311に流れることになる。
Next, the operation of this slightly constructed light receiving device will be explained. First, when there is no signal, that is, when the pulsed signal light (4) reflected from the object to be measured is not incident on the light receiving element (7), the current flowing through the amplification transistor u9 is a constant current source □□□ Since it is determined by fζ, the remaining current after subtracting the base current of the amplification transistor U from the bias current of the bias current source (time) flows to the npn transistor (311).

また、受光素子(7)に外光(太陽光及びその反射光等
による略一定の強さの光)が入射されていると、受光素
子(7)には直流の光起電流が発生されることになる。
In addition, when external light (light of approximately constant intensity due to sunlight and its reflected light) is incident on the light receiving element (7), a direct current photovoltaic current is generated in the light receiving element (7). It turns out.

しかし、この直流の光起電流は次の理由によりほとんど
がnpn )ランジスタI21Aに流れ込みこの直流の
光起電流による増幅トランジスタu9のベースに流れ込
む電流は無視できるものである。
However, most of this direct current photovoltaic current flows into the npn transistor I21A for the following reason, and the current flowing into the base of the amplification transistor u9 due to this direct current photovoltaic current can be ignored.

つまり、直流の光起電流は初期において増幅トランジス
タ(6)のベースに流れ込み、増幅率11yKllfJ
倍されて増幅トランジスタu9のエミッタから流れ出る
が直流であるためコンデンサ■普ζは流れ込まずnpn
 トランジスタ+2!61のベースに流れ込むことにな
る。その結果、直流の光起電流はnpn トランジスタ
(至)のコレクタを通って引き去られ、帰還がかかるた
め、増幅トランジスタu!Ilのベースに流れ込む電流
は1/ (hgy d91Xhyx lAと非常に小さ
くなり、無視できるものである。
In other words, the DC photovoltaic current initially flows into the base of the amplification transistor (6), and the amplification factor is 11yKllfJ.
It is multiplied and flows out from the emitter of the amplification transistor u9, but since it is a direct current, it does not flow into the capacitor
It will flow into the base of transistor +2!61. As a result, the DC photovoltaic current is drawn away through the collector of the npn transistor (to) and feedback is applied, so that the amplifying transistor u! The current flowing into the base of Il is 1/(hgy d91Xhyx lA), which is very small and can be ignored.

従って、増幅トランジスタLllのコレクタに流れ込む
電流は無信号時に定電流源のに決定される−定の電流値
となる。このコレクタに流れ込む電流値と同じ値の電流
がカレントミラー回路を構成するpnp トランジスタ
■のコレクタから流れ出ることになる。一方、定電流源
■、抵抗6υ及びダイオード■で構成される基準電圧発
生回路の基準電圧がバッファアンプのの非反転入力端(
2s b)に接続されており、pnpトランジスタ■の
コレクタがバッファアンプのの反転入力端(28a)及
び出力端(28C)に接続されているため、pnpトラ
ンジスタ■のコレクタから流れ出る電流は対数圧縮ダイ
オードのの7/−ド電位(バッファアンプ■の出力端(
2s c) [位)が等しくなるように、対数圧縮ダイ
オードの(至)とバッファアンプ(支)とに分流される
ことになる。
Therefore, the current flowing into the collector of the amplification transistor Lll has a constant current value determined by the constant current source when there is no signal. A current having the same value as the current flowing into the collector flows out from the collector of the pnp transistor (2) constituting the current mirror circuit. On the other hand, the reference voltage of the reference voltage generation circuit consisting of constant current source ■, resistor 6υ and diode ■ is applied to the non-inverting input terminal of the buffer amplifier (
2s b), and the collector of the pnp transistor ■ is connected to the inverting input terminal (28a) and output terminal (28C) of the buffer amplifier, so the current flowing from the collector of the pnp transistor ■ is a logarithmic compression diode. Nono7/- potential (output terminal of buffer amplifier ■)
The current is shunted to the logarithmic compression diode (to) and the buffer amplifier (to) so that the 2s c) [orders] are equal.

従って、受光装@(8)の出力端(9)には基準電圧発
生回路の基準電圧が現われることになる。
Therefore, the reference voltage of the reference voltage generating circuit appears at the output terminal (9) of the light receiving device @(8).

ここで、ダイオード@勿■の逆方向飽和電流をIs、 
pnpl−ランジスタロのコレクタから流れ出る電流を
IC(社)、対数圧縮ダイオード(ハ)(至)に流れ込
む電流をIF、定電流涙■に流れる電流をI(3I、抵
抗C31]の抵抗値をR(311とすると、対数圧縮ダ
イオードののアノード電位は2KT  I″N Q  1nIsとなり、基準電■発 生回路の基準電圧は KT  Iln 、In、 + RGII I(3ffとなる。そして、
両1圧は等しくなるため ている。
Here, the reverse saturation current of the diode @Naru■ is Is,
The current flowing from the collector of the pnpl-rangistaro is IC, the current flowing into the logarithmic compression diode (c) is IF, the current flowing into the constant current is I (3I, resistor C31), and the resistance value of resistor C31 is R( 311, the anode potential of the logarithmic compression diode becomes 2KT I''N Q 1nIs, and the reference voltage of the reference voltage generation circuit becomes KT Iln , In, + RGII I (3ff).
This is because both pressures are equal.

一方、受光素子(7)に被測距物体から反射されたパル
ス状の信号光+41が入射されると、このパルス状の信
号光14+により受光素子(7)にパルス状の光起電流
が発生されることiζなる。このパルス状の光起電流は
増幅トランジスタ1!iのベースに流れ込み、hF、 
u*倍されて増幅トランジスタ09のエミッタからコン
デンサ(7)へ流れ込む。この時、hFEu91倍され
たパルス状の光起電流は交流であるため、npnトラン
ジスタ四のベース看では流れ込まないため、帰還はかか
らないものである。
On the other hand, when the pulsed signal light +41 reflected from the object to be measured is incident on the light receiving element (7), this pulsed signal light 14+ generates a pulsed photovoltaic current in the light receiving element (7). It becomes iζ to be done. This pulsed photovoltaic current is generated by the amplification transistor 1! flows into the base of i, hF,
The signal is multiplied by u* and flows from the emitter of the amplification transistor 09 to the capacitor (7). At this time, since the pulsed photovoltaic current multiplied by hFEu91 is alternating current, it does not flow into the base of the npn transistor 4, and therefore no feedback occurs.

従って、増幅トランジスタulのコレクタIζ流れ込む
電流は定電流源面に決定される電流値とコンデンサlζ
流れるhF、 uCJ倍されたパルス状の光起電流値と
の和の電流値となる。このコレクタIζ流れ込む電流値
と同じ組の電流がカレントミラー回路を構成するpnp
 トランジスタ@のコレクタから流れ出ることになる。
Therefore, the current flowing into the collector Iζ of the amplification transistor ul is the current value determined on the constant current source plane and the capacitor lζ
The current value is the sum of the flowing hF and the pulsed photovoltaic current value multiplied by uCJ. The current of the same group as the current value flowing into this collector Iζ constitutes a current mirror circuit.
It will flow out from the collector of the transistor @.

一方、バッファアンプ■の制御端(28a)にコンデン
サ(至)が接続されているため、バッファアンプ■とし
ては、反転入力端(28a)の電位変化Jζ対する出力
端(2s c)への応答が遅れることになり、無信号時
に対してpnp トランジスタ■のコレクタから流れ出
る増加分、っまりhpB u9倍されたパルス状の光起
電法相当分は対数圧縮ダイオ−トノI241に流れ込み
、この増加分により対数圧縮ダイオード@のアノード電
位が増加して、受光装置の出力端(9)IC現われるこ
とになる。
On the other hand, since the capacitor (to) is connected to the control end (28a) of the buffer amplifier ■, the buffer amplifier ■ responds to the potential change Jζ at the inverting input end (28a) at the output end (2s c). As a result, the increased amount flowing from the collector of the pnp transistor 2 compared to the time of no signal, which corresponds to the pulsed photovoltaic method multiplied by hpBu9, flows into the logarithmic compression diode I241, and due to this increased amount, The anode potential of the logarithmic compression diode @ increases, and the output terminal (9) IC of the light receiving device appears.

この時の出力端(9)の電位は受光素子(71のパルス
となる。
The potential at the output end (9) at this time becomes a pulse for the light receiving element (71).

この様Cζ構成された受光装置(8)を2つ用いて第4
図に示す測距装置を構成する。今、被測距物体から反射
されたパルス状の信号光(4)により発生される受光素
子(7a) (7b)の光起電流をそれぞれIL(7a
)、IL(7b)とすルト、受光装& (s a) (
s b)の出力端(9a)(9b)位が現われることに
なる。
Using two light receiving devices (8) configured in this way, the fourth
The distance measuring device shown in the figure is configured. Now, the photovoltaic currents of the light receiving elements (7a) (7b) generated by the pulsed signal light (4) reflected from the object to be measured are respectively IL (7a).
), IL (7b) and root, light receiving device & (s a) (
The output ends (9a) and (9b) of sb) will appear.

ここで、受光装!! (8a)(ab)の基準電圧発生
回路における基準電位を、充分小さい値1ことっである
ので、I 12211.t hpKL19IL(7a)
及びhrBi1911 L (7b)tt対して充分小
さく、基準電圧源(161の電圧をVsとすると、演算
増幅器q3の出力は次式の様になる。
Here, the light receiving device! ! (8a) Since the reference potential in the reference voltage generation circuit in (ab) is a sufficiently small value 1, I 12211. thpKL19IL(7a)
and hrBi1911 L (7b) tt, and assuming that the voltage of the reference voltage source (161 is Vs), the output of the operational amplifier q3 is as shown in the following equation.

= v8+2に’I”1nIL (7b)q   IL
(7a 従って、出力端(旧]ζは受光素子(7a)(7b) 
+ζおける光起1a 訛IL (7a) 、 lx、 
(7b)の比lζ応じた電圧が現われ、この電圧はまさ
しく被測距物体までの距離が得られる値になっているも
のである。
= 'I'1nIL to v8+2 (7b)q IL
(7a Therefore, the output end (old) ζ is the light receiving element (7a) (7b)
Photogenesis 1a in +ζ accent IL (7a), lx,
A voltage corresponding to the ratio lζ of (7b) appears, and this voltage has a value that allows the distance to the object to be measured to be obtained.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記した受光装置にあっては、受光素子(7)のアノー
ドが直接増幅トランジスタillのベースに接読されて
いるため、蛍光灯等の低周波の外光のF ygを受は易
く、この様な状況下fζあっては被測距物体までの測距
結果に誤差が生じ易く、また、対数圧縮ダイオードt2
31(241に流れる初期電流、つまり無信号時の電流
は基準発生回路の基準電圧によって設定しているため温
度変化の影響を受けて初期゛層流が変化し出力電圧の直
線性が変化するという間1点を有しているものであった
In the above-mentioned light receiving device, since the anode of the light receiving element (7) is directly connected to the base of the amplification transistor ill, it is easy to receive Fyg of low frequency external light such as a fluorescent lamp. Under such circumstances fζ, errors tend to occur in the distance measurement results to the object to be measured, and the
31 (The initial current flowing through 241, that is, the current when there is no signal, is set by the reference voltage of the reference generation circuit, so the initial laminar flow changes due to the influence of temperature changes, and the linearity of the output voltage changes. It had one point in between.

この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、蛍
光灯等の低周波の外光の影響が少なく、しかも温度変化
による影響等も少ない受光装置を得ることを目的とする
ものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a light receiving device that is less affected by low-frequency external light such as a fluorescent lamp, and is also less affected by temperature changes.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る受光装置は、受光装置からのパルス状の
起″題流を電流増幅トランジスタにて増幅し、対数圧縮
ダイオード素子に上記パルス状の起電流に応じた電圧が
現われるものにおいて、受光素子と電流増幅トランジス
タのベースとの間に低周波減衰用コンデンサを接続する
とともに、電流増幅トランジスタのコレクタ電流を受け
てこのコレクタ電流に応じた電流を対数圧縮ダイオード
素子に出力する第1の電流変換回路と、対数圧縮ダイオ
ード素子に流れる電流を受けてこの電流に応じた値を電
流増幅トランジスタのエミッタ電流となす第2の電流変
換回路とを設けたものである。
A light receiving device according to the present invention amplifies a pulsed electromotive current from the light receiving device with a current amplifying transistor, and a voltage corresponding to the pulsed electromotive current appears in a logarithmic compression diode element. a first current conversion circuit that connects a low-frequency attenuation capacitor between the base of the current amplification transistor and the current amplification transistor, and that receives the collector current of the current amplification transistor and outputs a current corresponding to the collector current to the logarithmic compression diode element; and a second current conversion circuit that receives the current flowing through the logarithmic compression diode element and sets the emitter current of the current amplification transistor to a value corresponding to this current.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、低周波減衰用コンデンサが受光素
子からの蛍光灯等の低周波の外光に基づき発生する低周
波の起電流を電流増幅トランジスタのベースへ伝達され
るのを抑制して低周波の外光による影響を抑制するとと
もに、第1の電流変換回路と第2の電流変換回路と1こ
より、電流増幅トランジスタのコレクタ電流とエミッタ
電流に基づき対数圧縮ダイオード素子)ζ流れる初期電
流を設定して温度変化の影響を抑制させているものであ
る。
In this invention, the low-frequency attenuation capacitor suppresses the transmission of low-frequency electromotive current generated from low-frequency external light from a fluorescent lamp or the like from the light receiving element to the base of the current amplification transistor. In addition to suppressing the influence of external light, the initial current flowing through the logarithmic compression diode element (ζ) is set based on the collector current and emitter current of the current amplification transistor from the first current conversion circuit and the second current conversion circuit. This suppresses the effects of temperature changes.

〔実施例〕〔Example〕

以下にこの発明の一実施例を第1図に基づいて説明する
と、第1図において+711!カソードが電源電位点V
cc+と接続されるとともにアノードが負荷抵抗(至)
を介して接地される受光素子、(至)はこの受光素子の
アノードと電流増幅トランジスタu9のベースとの間に
接続される低周波減衰用コンデンサ(ト)はベースにバ
イアス電圧が供給され、電源電位点VCCと電流増幅ト
ランジスタtllのベースとの間に接続されるベースバ
イアス用npn )ランジスタ、国は1対のpnp ト
ランジスタ@@から構成される第1のカレントミラー回
路で両pnp トランジスタのエミッタは電源電位点V
ccに接続されるとともにベースが共通接続され、一方
のpnpトランジスタ(21)のベース及びコレクタは
増幅トランジスタu9のコレクタに接続され、他方のp
np トランジスタ■のコレクタは対数圧縮ダイオード
ののアノードに接続されており、pnpトランジスタa
ucsのエミッタ面積比が1:nに構成されてpnp 
)ランジスタノ■ζ流れる電流値がpnp)ランジスタ
CDに流れる電流値のn倍となる関係になっている。■
は上&l!pnpトランジスタ(社)に並列fζ接続さ
れ、第2定電流源勾の定電流I■より大きい定電流I(
支)なる電流が流れる第1の定電流源で例えばトランジ
スタにより構成されている。(至)は対数圧縮ダイオー
ド■のベースにベースが接続されてカレントミラー回路
を構成するnpn トランジスタで対数圧縮ダイオード
(至)と等しい電流値が流れるように設定されている。
An embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 1. In FIG. 1, +711! The cathode is the power supply potential point V
When connected to cc+, the anode becomes the load resistance (to)
The light receiving element (T) is grounded via the low frequency attenuation capacitor (T) connected between the anode of this light receiving element and the base of the current amplifying transistor U9, the base of which is supplied with a bias voltage, and the power supply The base bias NPN) transistor connected between the potential point VCC and the base of the current amplification transistor TLL is the first current mirror circuit consisting of a pair of PNP transistors, and the emitters of both PNP transistors are Power supply potential point V
cc and their bases are commonly connected, the base and collector of one pnp transistor (21) are connected to the collector of the amplification transistor u9, and the other pnp
The collector of the np transistor ■ is connected to the anode of the logarithmic compression diode, and the collector of the pnp transistor a
The emitter area ratio of ucs is configured to 1:n and pnp
The relationship is such that the value of the current flowing through the transistor CD is n times the value of the current flowing through the transistor CD. ■
Above & l! A constant current I(
A first constant current source through which a current flows, which is composed of, for example, a transistor. (To) is an npn transistor whose base is connected to the base of the logarithmic compression diode (2) to form a current mirror circuit, and is set so that a current value equal to that of the logarithmic compression diode (To) flows.

(至)は1対のpnp )ランジスタ(社)(旬から構
成される第2のカレントミラー回路で、両pnp )ラ
ンジスタのエミッタは電源電位点Vcclζ接続される
とともにベースが共通接続され、一方のpnpトランジ
スタ(口のベース及びコレクタが上記npnトランジス
タ■のコレクタに接続される。(転)は1対のnpn 
)ランジスタ關■から構成される第3のカレントミラー
回路で、両トランジスタのエミッタは接地されるととも
にベースが共通接続され、−万のベース及びコレクタが
上記pnp トランジスタ11)のコレクタに接続され
ており、npnトランジスタ(441[ζ流れる電流値
がpnp トランジスタ■に流れる電流値のn倍となる
関係になるよう、各pnpトランジスタf41) f4
1)及びnpn )ランジス*u(4iのエミッタ面積
比が設定されているものである。+461は1対のnp
n )ランラスタ0η關から構成される第4のカレント
ミラー回路で、両トランジスタのエミッタは接地される
とともにベースが共通接続され、一方のnpn )ラン
ジスタ1?+のベース及びコレクタは上記pnpトラン
ジスタ(441のコレクタに接続されるとともに第2の
定電流源(ハ)を介して電源電位点Vcc tζ接続さ
れ、他方のトランジスタ囮のコレクタは電流増幅トラン
ジスタu9のエミッタに接続されており、両トランジス
タ(4η咽には等しい電流が流れるように設定されてい
る。四は上記対数圧縮ダイオードののアノードと接地と
の間fζ接続される第4の定電流源である。
(to) is a second current mirror circuit consisting of a pair of pnp transistors, the emitters of both pnp transistors are connected to the power supply potential point Vcclζ, and their bases are commonly connected; pnp transistor (the base and collector of the mouth are connected to the collector of the above npn transistor
) A third current mirror circuit consisting of transistors 11), in which the emitters of both transistors are grounded and their bases are commonly connected, and the base and collector of -1000 are connected to the collector of the pnp transistor 11). , npn transistor (each pnp transistor f41 so that the current value flowing through 441 [ζ is n times the current value flowing through the pnp transistor ■) f4
1) and npn) Rungis*u (4i emitter area ratio is set. +461 is a pair of np
n) A fourth current mirror circuit consisting of a run raster 0η, in which the emitters of both transistors are grounded and their bases are commonly connected, and one npn) transistor 1? The base and collector of the + transistor are connected to the collector of the pnp transistor (441) and also connected to the power supply potential point Vcc tζ via the second constant current source (c), and the collector of the other transistor decoy is connected to the collector of the current amplifying transistor u9. It is connected to the emitter, and is set so that equal current flows through both transistors (4). 4 is the fourth constant current source connected between the anode of the logarithmic compression diode and the ground. be.

次にこの様に構成された受光装置の動作Iζついて説明
する。まず、受光素子(7)に被測距物体から反射され
たパルス状の信号光(4)が入射されていない時、つま
り無信号時について説明する。今、対数圧縮ダイオード
(2)(至)に流れる初期電流を工(至)とすると、第
1のカレントミラー回路(至)のpnpトランジスタ@
に流れる電流は、■(2)+I 149となりpnp 
トランジスタ―υに流れる電流は。(Icy IW91
)となる。従−)で電流増幅トランジスタulのコレク
タにはI@+ (I叱1f49)の電流が流れ込むこと
になる。
Next, the operation Iζ of the light receiving device configured in this way will be explained. First, a description will be given of the time when the pulsed signal light (4) reflected from the object to be measured is not incident on the light receiving element (7), that is, when there is no signal. Now, if the initial current flowing through the logarithmic compression diode (2) (to) is denoted by (to), then the pnp transistor of the first current mirror circuit (to) @
The current flowing in is (2) + I 149, which is pnp
What is the current flowing through the transistor υ? (Icy IW91
). A current of I@+ (I1f49) flows into the collector of the current amplifying transistor ul.

また、トランジスタ(至)には初期電流と等しい電流I
Q3が流れ、第2及び第3のカレントミラー回路(至)
(社)によりm倍にされるため、第3のカレントミラー
回路(4X5のnpn )ランジスタ圓にはmI(23
なる電流ば流れることになる。そして、第4のカレント
ミラー回路14119のnpnトランジスタ儂ηにはエ
トml−なる電流が流れるためnpnトランジスタ(ハ
)にもl14S’−mIqなる電流が流れることになる
。従って、返流増幅トランジスタU)のエミッタから流
れ出る電流は1万十工咽−mIのになる。電流増幅トラ
ンジスタtl!J lζおいて、ベース電流はほとんど
無視できるためエレクタ電流とエミッタ電流は一致する
ため、IO2)+  (Ia+11491)=Ir:!
rF+I16−mIfJヲ満足するように力レントミラ
ー回路の面積比Rn、第1ないし第4の定電流源面一■
(4嘗の定電流値に+、I面、I゛、、シ。
In addition, the transistor (to) has a current I equal to the initial current.
Q3 flows, and the second and third current mirror circuits (towards)
(Company), the third current mirror circuit (4×5 NPN) transistor circle has mI (23
A current will flow. Since a current of ml- flows through the npn transistor η of the fourth current mirror circuit 14119, a current of 114S'-mIq also flows through the npn transistor (c). Therefore, the current flowing out from the emitter of the return current amplifying transistor U) is 10,000 mI. Current amplification transistor tl! In J lζ, the base current is almost negligible, so the erector current and emitter current match, so IO2) + (Ia + 11491) = Ir:!
In order to satisfy rF+I16-mIfJ, the area ratio Rn of the force current mirror circuit and the surface area of the first to fourth constant current sources are adjusted to satisfy rF+I16-mIfJ.
(+, I plane, I゛,, shi for the constant current value of 4 years.

I(41を設定すれば良いものである。従−]で、対数
圧縮ダイオード(ハ)(至)の初期電流I(iは上記し
た定数により設定できるため、任意憂ζ設定でき設計裕
度が大きいものである。
The initial current I (i) of the logarithmic compression diode (c) (to) can be set by the constant described above, so it can be set arbitrarily and the design margin is It's big.

次fζ対数圧縮ダイオード(ハ)(2)に初期電流1e
J)が無信号時に流れるメカニズムfζついて説明する
The initial current 1e in the next fζ logarithmic compression diode (c) (2)
The mechanism fζ by which the signal J) flows when there is no signal will be explained.

今、対数圧縮ダイオードの(財)に電流が流れていない
とすると、トランジスタ■は非導通状態となるため、第
3のカレントミラー回路(43のnpn )ランジスタ
ロ滲も非導通状態となり、第4のカレントミラー回路噛
のnpnトランジスタ17) f41Gには第2の定電
流源(ハ)に流れる定電流I faと等しい電流が流れ
ることになる。そして、第1のカレントミラー回路(至
)のpnp トランジスタ12υにはl1451+IH
+I(9)の電流が流れ、pnpトランジX 9 @ 
+(はn (I+4!9+ Il−■(支))の電流が
流れること)ζなる。このn (l145)+ Iの)
−■(支))は第4の定電流源姻に流れる定電流■(4
9より大きいため、対数圧縮対数ダイオード@(24)
 lζはn(I研I@−icm)−■(49の電流が流
れ込むことになり、初期電流Iflで安定することにな
る。一方、圧縮ダイオードの@に初期電流If23より
大きな電法王のが流れたとすると、第3のカレントミラ
ー回路(転)のnpnトランジスタ(44に流れる電流
は、ml1231り大きれば第4のカレントミラー回路
146)のnpnトランジスタ17+ taは非導通状
態となる。そして、第1の定電流源(至)の定電法王■
が第2の定電流源面一より大きいため第1のカレントミ
ラー回路国のpnpトランジスタ(2)@も非導通状態
となって、対数圧縮ダイオードf231241に流れ込
む電流値は減少され、初期電流IC23で安定すること
になる。
Now, assuming that no current is flowing through the logarithmic compression diode, the transistor ■ will be in a non-conducting state, so the third current mirror circuit (NPN of 43) will also be in a non-conducting state, and the fourth A current equal to the constant current Ifa flowing through the second constant current source (c) flows through the npn transistor 17) f41G of the current mirror circuit. And, for the pnp transistor 12υ of the first current mirror circuit (toward), l1451+IH
+I(9) current flows, pnp transistor X 9 @
+ (means that a current of n (I+4!9+Il-■ (sub)) flows) ζ. This n (l145) + I)
−■(branch)) is the constant current ■(4) flowing through the fourth constant current source
Since it is greater than 9, the logarithm compression logarithm diode @(24)
A current of n(IkenI@-icm)-■(49 will flow into lζ, and it will be stabilized at the initial current If1.On the other hand, a current of larger than the initial current If23 flows into @ of the compression diode. Then, if the current flowing through the npn transistor (44) of the third current mirror circuit (transfer) is larger than ml1231, the npn transistor 17+ta of the fourth current mirror circuit 146 becomes non-conductive. Constant current source of constant current source (to) of 1■
is larger than the second constant current source, the pnp transistor (2) @ of the first current mirror circuit also becomes non-conductive, and the current value flowing into the logarithmic compression diode f231241 is reduced, and the initial current IC23 It will become stable.

以上から明らかな如く、対数圧縮ダイオードの(至)に
流れる初期電法王@は第1ないし第4のカレントミラー
回路及び第1ないし第3の定電流源により決定され、出
力端(9)lζ現われる電圧は温度変化の影響が少ない
安定した一定電圧が得られることになるものである。
As is clear from the above, the initial voltage flowing to (to) the logarithmic compression diode is determined by the first to fourth current mirror circuits and the first to third constant current sources, and appears at the output terminal (9)lζ. The voltage is such that a stable constant voltage that is less affected by temperature changes can be obtained.

また、受光素子(7)に外光、例えば太陽光等の賂一定
の強さの光や蛍光灯等の低周波の光が入射されて、受光
素子(7)に直流や低周波の起電流が発生されても低周
波減衰用コンデンサ(財)により電流増幅トランジスタ
ug1のベースへの伝達が阻止されるため、何ら影響を
及ぼさないものである。
In addition, when external light such as sunlight with a certain intensity or low frequency light such as a fluorescent lamp is incident on the light receiving element (7), a direct current or low frequency electromotive force is generated in the light receiving element (7). Even if this happens, the low frequency attenuation capacitor prevents the current from being transmitted to the base of the current amplifying transistor ug1, so it does not have any effect.

−万、受光素子(7)(ζ被測距物体から反射されたパ
ルス状の信号光+41が入射されると、このパルス状の
信号光+41 f(より受光素子(7)Iζはパルス状
の光起電流I 1171が発生されることになる。この
パルス状の光起電流ILt7+は、負荷抵抗■及び低周
波減衰用コンデンサ(財)を介して電流増幅トランジス
タ+11のベースに流れ込み、hpEu9)倍されてバ
イパスコンデンサ■に流れ込むことになる。この時、第
1及び第2の定電流源@罰の定電流が電流増扇トランジ
スタCI!lのベースに流れ込む起電流のhFII!!
1!1倍された値に対して充分大きく設定されているた
め、電流増幅トランジスタulのベース・エミッタ間電
圧の電位変動は非常に小さく、負荷抵抗ωの両端間電圧
の変動も非常に小さいものとなり、受光素子(7)にお
けるパルス状の光起電流ILt71はほとんど全て電流
増幅トランジスタu9)のベースに流れることになる。
-10,000, When the pulsed signal light +41 reflected from the object to be measured is incident on the light receiving element (7) (ζ, the pulsed signal light +41 f (the light receiving element (7) Iζ A photovoltaic current I1171 is generated.This pulsed photovoltaic current ILt7+ flows into the base of the current amplification transistor +11 via the load resistor ■ and the low frequency attenuation capacitor, and is hpEu9) times At this time, the constant currents from the first and second constant current sources flow into the base of the current fan transistor CI!l, which is the electromotive current hFII!!
Since it is set to be sufficiently large compared to the value multiplied by 1!1, the potential variation in the base-emitter voltage of the current amplifying transistor ul is very small, and the variation in the voltage across the load resistor ω is also very small. Therefore, almost all of the pulsed photovoltaic current ILt71 in the light receiving element (7) flows to the base of the current amplification transistor u9).

モしてhFI!!19倍された上記光起電流IL(71
がバイパスコンデンサ■に流れることにより、このhp
g u!J IIJ71に相当する電流は第1のカレン
トミラー回路図のpnp トランジスタ@iζ流れ、p
np)ランジスタ@ l(n−hrIu!11 I L
+71が流れることになる。その結果対数圧縮ダイオー
ド1帽ζは1123)+ n h F K+191 I
 L+71なる電流が流れることになり、出力端子Cζ
は受光素子(7)のパルス状の光起電流I Lt7+に
応じた増分の対線圧縮電圧が現われることになるもので
ある。
Mo and hFI! ! The photovoltaic current IL multiplied by 19 (71
flows to the bypass capacitor ■, this HP
Gu! The current corresponding to J IIJ71 is the pnp transistor @iζ current in the first current mirror circuit diagram, p
np) transistor @ l (n-hrIu!11 I L
+71 will flow. As a result, the logarithmic compression diode 1 cap ζ is 1123) + n h F K + 191 I
A current of L+71 will flow, and the output terminal Cζ
Here, an incremental pairwise compression voltage appears according to the pulsed photovoltaic current I Lt7+ of the light receiving element (7).

上記の様に構成さ゛れた受光装置Cζおいては、蛍光灯
等の低周波の外光に対して、低周波減衰用コンデンサ(
至)により影響のほとんどない対数圧縮ダイオード鉋の
アノード電位が′得られ、しかも、対数圧縮ダイオード
Cζ流れる初期電流ILノが第1ないし第4のカレント
ミラー回路1311(至)(転)14[9及び第1ない
し第4の定電流源助動−嘔により決定されるため、対数
圧縮ダイオード(ハ)のアノード電位が温度の変動、外
乱等の影響を受けに<<、精度の弱いものが得られるも
のである。
In the light receiving device Cζ configured as described above, a low frequency attenuation capacitor (
), the anode potential of the logarithmic compression diode plane with almost no influence can be obtained, and the initial current IL flowing through the logarithmic compression diode Cζ is changed to the first to fourth current mirror circuits 1311 (to) (conversion) 14 [9 and the first to fourth constant current sources, the anode potential of the logarithmic compression diode (c) is affected by temperature fluctuations, disturbances, etc., resulting in low accuracy. It is something.

なお、上記実施例においては、負荷抵抗(至)を用いた
ものを示したが、負荷抵抗■のかわりに、ダイオード、
ダイオードと抵抗の直列体、抵抗とコンデンサとダイオ
ードと組み合せ及びコイルなどの直流的にはインピーダ
ンスが低く交流的にはインピーダンスの高いものを用い
ても良いものである。
In addition, in the above embodiment, the load resistance (to) was shown, but instead of the load resistance, a diode,
It is also possible to use a series body of a diode and a resistor, a combination of a resistor, a capacitor, and a diode, a coil, etc., which have low impedance in direct current and high impedance in alternating current.

また、上記実施例においては、受光装置(8)を被測距
物体までの距離を測定するものに適用した場合について
説明したが、入射光の比による位置判定回路あるいは入
射光そのものの絶対値を測定する装raIζ適用しても
良いものである。
Furthermore, in the above embodiment, the case where the light receiving device (8) is applied to one that measures the distance to a distance-measuring object has been described. It is also possible to apply the measurement equipment raIζ.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明は以上に述べたように、受光素子と電流増幅ト
ランジスタのベースとの間に低周波減衰用コンデンサを
接続するととも(ζ、電流増幅トランジスタのコレクタ
電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電流を対数圧縮
ダイオード素子に出力する第1の電流変換回路と、対数
圧縮ダイオード素子に流れる7g流を受けてこの電流i
ζ応じた値を電流増幅トランジスタのエミッタ電流とな
す第2の電流変換回路とを設けたものとしたので、蛍光
灯等の低周波の外光に対して影響が少なく、温度の変動
に対しても影響を受は難い対数圧縮電圧が得られるとい
う効果を有するものである。
As described above, this invention connects a low frequency attenuation capacitor between the light receiving element and the base of the current amplification transistor (ζ, receives the collector current of the current amplification transistor, and generates a current corresponding to this collector current). The first current conversion circuit outputs the current i to the logarithmic compression diode element, and receives the 7g current flowing through the logarithmic compression diode element and converts this current i.
A second current conversion circuit is provided to set the emitter current of the current amplifying transistor to a value corresponding to ζ, so it is less affected by low-frequency external light such as fluorescent lights, and is less affected by temperature fluctuations. This has the effect of obtaining a logarithmic compression voltage that is hardly affected by this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施伝を示す回路図、第2図及び
第3図はパルス状の信号光と受光素子(7a)(7b)
との関係を示す概略図及び受光素子平面図、第4図は測
距装置を示す概略回路図、第6図は従来の受光装置を示
す回路図、第6図は第6図のもののバッファアンプ(支
)を示す回路図である。 図において(7)は受光素子、111! i流増幅トラ
ンジスタ、■はバイパスコンデンサ、@(至)は対数圧
縮ダイオード、(5)は第2の定電流源、[有]は低周
波減衰用コンデンサ、国@(転)1461は第1ないし
第4のカレントミラー回路、(資)卿は第1及び第3の
定電流源である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of this invention, and Figs. 2 and 3 show pulsed signal light and light receiving elements (7a) (7b).
4 is a schematic circuit diagram showing the distance measuring device, FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional light receiving device, and FIG. 6 is a buffer amplifier of the one shown in FIG. It is a circuit diagram showing (support). In the figure, (7) is a light receiving element, 111! i current amplification transistor, ■ is a bypass capacitor, @ (to) is a logarithmic compression diode, (5) is a second constant current source, [Yes] is a low frequency attenuation capacitor, country @ (transfer) 1461 is the first or The fourth current mirror circuit is the first and third constant current sources. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)パルス状の信号光を受けてパルス状の起電流を発
生する受光素子、この受光素子の一端に一方の電極が接
続される低周波減衰用コンデンサ、この低周波減衰用コ
ンデンサの他方の電極にベースが接続される電流増幅ト
ランジスタ、この電流増幅トランジスタのエミッタに接
続されるバイパスコンデンサ、上記電流増幅トランジス
タのコレクタ電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電
流を出力する第1の電流変換回路、この第1の電流交換
手段の出力電流を受ける対数圧縮ダイオード素子、この
対数圧縮ダイオード素子に流れる電流を受けてこの電流
に応じた値を上記電流増幅トランジスタのエミッタ電流
となす第2の電流変換回路を備えた受光装置。
(1) A light receiving element that generates a pulsed electromotive current in response to a pulsed signal light, a low frequency attenuation capacitor whose one electrode is connected to one end of this light receiving element, and a low frequency attenuation capacitor whose other electrode is connected to one end of this light receiving element. A current amplification transistor whose base is connected to the electrode, a bypass capacitor connected to the emitter of the current amplification transistor, and a first current conversion circuit which receives the collector current of the current amplification transistor and outputs a current corresponding to the collector current. , a logarithmic compression diode element that receives the output current of the first current exchange means, and a second current conversion that receives the current flowing through the logarithmic compression diode element and sets a value corresponding to this current as the emitter current of the current amplification transistor. A light receiving device equipped with a circuit.
(2)第1の電流変換手段は、1対のトランジスタから
なり、一方のトランジスタが電流増幅トランジスタのコ
レクタに接続され、他方のトランジスタが対数圧縮ダイ
オードに接続され、他方のトランジスタに流れる電流値
が一方のトランジスタに流れる電流値のn倍となる関係
にある第1のカレントミラー回路と、この第1のカレン
トミラー回路の一方のトランジスタに並列に接続される
第1の定電流源とを有したものであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の受光装置。
(2) The first current conversion means consists of a pair of transistors, one transistor is connected to the collector of the current amplification transistor, the other transistor is connected to the logarithmic compression diode, and the current value flowing through the other transistor is A first current mirror circuit having a relation that the current value flowing through one transistor is n times, and a first constant current source connected in parallel to one transistor of the first current mirror circuit. The light receiving device according to claim 1, wherein the light receiving device is a light receiving device.
(3)第2の電流変換手段は、対数圧縮ダイオード素子
とカレントミラー回路を構成するトランジスタと、1対
のトランジスタからなり一方のトランジスタが上記トラ
ンジスタに接続される第2のカレントミラー回路と、1
対のトランジスタからなり一方のトランジスタが上記第
2のカレントミラー回路の他方のトランジスタに接続さ
れる第3のカレントミラー回路と、1対のトランジスタ
からなり、一方のトランジスタが上記第3のカレントミ
ラー回路の他方のトランジスタに並列に接続されるとと
もに第2の定電流源に接続され、他方のトランジスタが
電流増幅トランジスタのエミッタに接続される第4のカ
レントミラー回路と、この第4のカレントミラー回路の
他方のトランジスタに並列に接続される第3の定電流源
とを有し、第4のカレントミラー回路の他方のトランジ
スタに流れる電流値が対数圧縮ダイオードに流れる電流
値のm倍となる関係になすように第1ないし第4のトラ
ンジスタが設定されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の受光装置。
(3) The second current conversion means includes a logarithmic compression diode element and a transistor constituting a current mirror circuit, a second current mirror circuit consisting of a pair of transistors, one of which is connected to the transistor;
a third current mirror circuit consisting of a pair of transistors, one of which is connected to the other transistor of the second current mirror circuit; and a third current mirror circuit consisting of a pair of transistors, one of which is connected to the other transistor of the second current mirror circuit; a fourth current mirror circuit connected in parallel to the other transistor of the transistor and connected to the second constant current source, the other transistor being connected to the emitter of the current amplification transistor; and a third constant current source connected in parallel to the other transistor, so that the current value flowing through the other transistor of the fourth current mirror circuit is m times the current value flowing through the logarithmic compression diode. 3. The light receiving device according to claim 1, wherein the first to fourth transistors are set as follows.
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