JPH0414729B2 - - Google Patents

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JPH0414729B2
JPH0414729B2 JP15444785A JP15444785A JPH0414729B2 JP H0414729 B2 JPH0414729 B2 JP H0414729B2 JP 15444785 A JP15444785 A JP 15444785A JP 15444785 A JP15444785 A JP 15444785A JP H0414729 B2 JPH0414729 B2 JP H0414729B2
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JP
Japan
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current
transistor
light receiving
mirror circuit
collector
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Application number
JP15444785A
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Japanese (ja)
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JPS6214076A (en
Inventor
Hideo Kameda
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6214076A publication Critical patent/JPS6214076A/en
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  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、被測距物体から反射された信号光
を受けて被測距物体までの距離を測定する例えば
カメラ等に使用される測距装置に係り、特に受光
素子及び増幅回路を有した受光装置に関するもの
である。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a distance measuring device used in, for example, a camera, which measures the distance to a distance-measuring object by receiving a signal light reflected from the distance-measuring object. The present invention relates to a light receiving device, and particularly to a light receiving device having a light receiving element and an amplifier circuit.

〔従来の技術〕 一般にこの種の測距装置としては、近接して配
設された1対の受光素子が被測距物体から反射さ
れた信号光を受け、この信号光により発生された
受光素子の光起電流の比を求めることにより、被
測距物体までの距離を求めているものである。
[Prior Art] Generally, in this type of distance measuring device, a pair of light-receiving elements arranged in close proximity receive signal light reflected from a distance-measuring object, and the light-receiving element generated by the signal light By determining the ratio of photovoltaic currents, the distance to the object to be measured is determined.

第2図及び第3図はこの種の測距装置を示すも
のである。まず、第2図に示すようにLED等か
らなる発光素子1からのパルス状の信号光は投光
側収光レンズ2を介して被測距物体3a又は3b
に入射され、その反射された信号光4a又は4b
は1対の受光素子7a,7bを有した光検出素子
(SPD)6に入射される。この光検出素子6はカ
ソードとなるN型の半導体基板6cとこの半導体
基板の一主面に形成されたアノードとなるP型の
半導体層6a,6bとから構成されているもので
ある。今、近距離にある被測距物体3aから反射
された信号光4aが入射されたとすると、第3図
に示すように受光素子7aには多くの信号光4a
が入射されるため、受光素子7aには大きな光起
電流が流れ、受光素子7bには小さな光起電流が
流れる。また遠距離にある被測距物体3bから反
射された信号光4bが入射されたとすると、第3
図に示すように受光素子7bには多くの信号光4
bが入射されるため、受光素子7bには大きな光
起電流が流れ、受光素子7aには小さな光起電流
が流れる。そして第4図に示すように受光素子7
aに流れる光起電流は受光装置8aによりその光
起電流に応じた電圧値にされてバツフアアンプ1
0及び抵抗11を介して演算増幅器12の他方の
入力端に入力される。また、演算増幅器12の一
方の入力端に入力される。一方、受光素子7bに
流れる光起電流は受光装置8bによりその光起電
流に応じた電圧値にされてバツフアアンプ13及
び抵抗14を介して演算増幅器12の一方の入力
端と出力端とは抵抗15を介して接続されるとと
もに他方の入力端には抵抗17を介して基準電圧
源16が接続されている。演算増幅器12及び抵
抗11,14,15,17は差動アンプを構成し
ているので、演算増幅器12の2つの入力端に入
力された電圧の差電圧に応じた出力が演算出力端
18に現われることになる。この演算出力端18
に現われた出力は、受光素子7a,7bの光起電
流に比に応じた値であり、結果として被測距物体
3a又は3bまでの距離情報が得られることにな
る。
FIGS. 2 and 3 show this type of distance measuring device. First, as shown in FIG. 2, a pulsed signal light from a light emitting element 1 made of an LED or the like is transmitted to an object to be measured 3a or 3b via a converging lens 2 on the projecting side.
The signal light 4a or 4b that is incident on and reflected by
is incident on a photodetecting element (SPD) 6 having a pair of light receiving elements 7a and 7b. This photodetecting element 6 is composed of an N-type semiconductor substrate 6c serving as a cathode, and P-type semiconductor layers 6a and 6b forming anodes formed on one main surface of this semiconductor substrate. Now, if the signal light 4a reflected from the object 3a to be measured at a short distance is incident, as shown in FIG.
is incident, a large photovoltaic current flows through the light receiving element 7a, and a small photovoltaic current flows through the light receiving element 7b. Furthermore, if the signal light 4b reflected from the object to be measured 3b located at a long distance is incident, the third
As shown in the figure, there are many signal lights 4 on the light receiving element 7b.
b is incident, a large photovoltaic current flows through the light receiving element 7b, and a small photovoltaic current flows through the light receiving element 7a. Then, as shown in FIG.
The photovoltaic current flowing in
0 and the other input terminal of the operational amplifier 12 via the resistor 11. It is also input to one input terminal of the operational amplifier 12. On the other hand, the photovoltaic current flowing through the light receiving element 7b is converted into a voltage value corresponding to the photovoltaic current by the light receiving device 8b, and one input terminal and output terminal of the operational amplifier 12 are connected via a buffer amplifier 13 and a resistor 14 to a resistor 15. A reference voltage source 16 is connected to the other input terminal via a resistor 17. Since the operational amplifier 12 and the resistors 11, 14, 15, and 17 constitute a differential amplifier, an output corresponding to the difference between the voltages input to the two input terminals of the operational amplifier 12 appears at the operational output terminal 18. It turns out. This calculation output terminal 18
The output appearing in is a value corresponding to the ratio of the photovoltaic currents of the light receiving elements 7a and 7b, and as a result, distance information to the distance measuring object 3a or 3b is obtained.

次に、この様に構成された測距装置における従
来の受光装置8a,8bについて第5図に基づい
て説明する。受光装置8a,8bは両者とも同じ
回路構成であるので、第5図は1つの受光装置8
を示している。第5図において、4は被測距物体
から反射された信号光、7はカソードが基準電位
点Vrefに接続された受光素子、19はこの受光
素子7のアソードにベースが接続されるnpnトラ
ンジスタからなる信号増幅トランジスタ(電流増
幅トランジスタ)、20はこの信号増幅用トラン
ジスタ19のエミツタと接地間に接続された交流
信号バイバス用コンデンサ、21,22はカレン
トミラー回路を構成するpnpトランジスタで、一
方のpnpトランジスタ21のエミツタが電源電位
点Vccに接続されるとともにベース及びコレクタ
が上記信号増幅用トランジスタ19のコレクタに
接続され、他方のpnpトランジスタ22のエミツ
タが上記電源電位点Vccに接続されるとともにベ
ースがpnpトランジスタ21のベースに接続され
ているものである。23,24はこのカレントミ
ラー回路のpnpトランジスタ22のコレクタと接
地間に接続される対数圧縮ダイオードで、npnト
ランジスタをダイオード接続したものから構成さ
れており、対数圧縮ダイオード23のアノードが
この受光装置の出力端9に接続されているもので
ある。25は上記電源電位点Vccと信号増幅用ト
ランジスタ19のベースとの間に接続されたバイ
アス電流源で、例えばトランジスタにより構成さ
れているものである。26は上記信号増幅用トラ
ンジスタ19のベースと接地間に接続され、ベー
スが上記信号増幅用トランジスタ19のエミツタ
に接続される直流電流を吸収するためのnpnトラ
ンジスタ、27は上記信号増幅用トランジスタ1
9のエミツタと接地間に接続される回路バイアス
を設定する定電流源で、例えばトランジスタによ
り構成されるものである。28は反転入力端28
a、非反転入力端28b、出力端28c及び制御
端28dを有し、反転入力端28aが上記対数圧
縮ダイオード23のアノードに接続されるととも
に出力端28cが反転入力端28aに接続され、
上記対数圧縮ダイオード23,24の初期電流を
設定するためのバツフアアンプ、29はこのバツ
フアアンプの制御端28dと接地間に接続され、
バツフアアンプ28の周波数を低下させるための
コンデンサ、30,31,32は上記対数圧縮ダ
イオード23,24の初期電圧を設定するための
基準電圧発生回路を構成する定電流源、抵抗及び
ダイオードで、定電流源30と抵抗31との接続
点が上記バツフアアンプ28の非反転入力端28
bに接続されており、定電流源30は例えばトラ
ンジスタで構成され、ダイオード32はダイオー
ド接続されたnpnトランジスタから構成されてい
るものである。
Next, the conventional light receiving devices 8a and 8b in the distance measuring device configured as described above will be explained based on FIG. Since the light receiving devices 8a and 8b both have the same circuit configuration, FIG.
It shows. In FIG. 5, 4 is the signal light reflected from the object to be measured, 7 is a light receiving element whose cathode is connected to the reference potential point Vref, and 19 is an npn transistor whose base is connected to the anode of this light receiving element 7. 20 is an AC signal bypass capacitor connected between the emitter of this signal amplification transistor 19 and the ground, 21 and 22 are pnp transistors forming a current mirror circuit, and one pnp The emitter of the transistor 21 is connected to the power supply potential point Vcc, and its base and collector are connected to the collector of the signal amplifying transistor 19, and the emitter of the other pnp transistor 22 is connected to the power supply potential point Vcc, and its base is connected to the power supply potential point Vcc. It is connected to the base of the pnp transistor 21. 23 and 24 are logarithmic compression diodes connected between the collector of the pnp transistor 22 of this current mirror circuit and the ground, which are composed of diode-connected npn transistors, and the anode of the logarithmic compression diode 23 is connected to the ground of this light receiving device. It is connected to the output terminal 9. Reference numeral 25 denotes a bias current source connected between the power supply potential point Vcc and the base of the signal amplifying transistor 19, and is composed of, for example, a transistor. 26 is an NPN transistor for absorbing direct current, which is connected between the base of the signal amplification transistor 19 and the ground, and whose base is connected to the emitter of the signal amplification transistor 19; 27 is the signal amplification transistor 1;
A constant current source for setting a circuit bias is connected between the emitter of No. 9 and ground, and is composed of, for example, a transistor. 28 is an inverting input terminal 28
a, has a non-inverting input terminal 28b, an output terminal 28c and a control terminal 28d, the inverting input terminal 28a is connected to the anode of the logarithmic compression diode 23, and the output terminal 28c is connected to the inverting input terminal 28a,
A buffer amplifier 29 for setting the initial currents of the logarithmic compression diodes 23 and 24 is connected between the control end 28d of this buffer amplifier and ground,
A capacitor 30, 31, and 32 are constant current sources, resistors, and diodes that constitute a reference voltage generation circuit for setting the initial voltage of the logarithmic compression diodes 23 and 24. The connection point between the source 30 and the resistor 31 is the non-inverting input terminal 28 of the buffer amplifier 28.
The constant current source 30 is made up of, for example, a transistor, and the diode 32 is made up of a diode-connected npn transistor.

また、バツフアアンプ28は第6図に示すよう
に構成されており、第6図において28eはベー
スが反転入力端28aに接続されるnpnトランジ
スタ、28fはベースが非反転入力端28bに接
続され、コレクタが電源電位点Vccに接続され、
エミツタが上記npnトランジスタ28eのエミツ
タに接続されるnpnトランジスタで、上記npnト
ランジスタ28eとで差動アンプを構成するもの
である。28gはこれらnpnトランジスタ28
e,28fのエミツタ接続点と接地間に接続され
た定電流源、28h,28iはカレントミラー回
路を構成するpnpトランジスタで、両pnpトラン
ジスタのエミツタが電源電位点Vccに接続される
とともにベースが共通接続され、一方のpnpトラ
ンジスタ28hのコレクタはベース及び上記npn
トランジスタ28eのコレクタに接続され、上記
npnトランジスタ28e,28fによる差動出力
を伝達するものである。28j,28kはカレン
トミラー回路を構成するnpnトランジスタで、両
npnトランジスタのエミツタが接地されるととも
にベースが共通接続され、一方のnpnトランジス
タ28jのコレクタはベース及び上記pnpトラン
ジスタ28iのコレクタに接続され、他方のnpn
トランジスタ28kのコレクタは出力端28cに
接続されて反転入力端28aに接続される。
The buffer amplifier 28 is constructed as shown in FIG. 6. In FIG. 6, 28e is an npn transistor whose base is connected to the inverting input terminal 28a, and 28f is an npn transistor whose base is connected to the non-inverting input terminal 28b. is connected to the power supply potential point Vcc,
This is an npn transistor whose emitter is connected to the emitter of the npn transistor 28e, and forms a differential amplifier with the npn transistor 28e. 28g are these npn transistors 28
A constant current source is connected between the emitter connection point of e and 28f and the ground, and 28h and 28i are pnp transistors that form a current mirror circuit.The emitters of both pnp transistors are connected to the power supply potential point Vcc, and their bases are common. The collector of one pnp transistor 28h is connected to the base and the above npn
connected to the collector of the transistor 28e, and
It is for transmitting differential outputs from npn transistors 28e and 28f. 28j and 28k are npn transistors that constitute a current mirror circuit, and both
The emitters of the npn transistors are grounded and their bases are commonly connected, the collector of one npn transistor 28j is connected to the base and the collector of the pnp transistor 28i, and the collector of the other npn transistor 28j is connected to the base and the collector of the pnp transistor 28i.
The collector of transistor 28k is connected to output terminal 28c and then to inverting input terminal 28a.

次に、この様に構成された受光装置の動作につ
いて説明する。まず、無信号時、つまり受光素子
7に被測距物体から反射されたパルス状の信号光
4が入射されていない時、増幅トランジスタ19
を流れる電流は定電流源27により決定されてい
るため、バイアス電流源25のバイアス電流の
内、増幅トランジスタ19のベース電流を差し引
いた残りの電流がnpnトランジスタ26に流れる
ことになる。また、受光素子7に外光(太陽光及
びその反射光等による略一定の強さの光)が入射
されていると、受光素子7には直流の光起電流が
発生されることになる。しかし、この直流の光起
電流は次の理由によりほとんどがnpnトランジス
タ26に流れ込みこの直流の光起電流による増幅
トランジスタ19のベースに流れ込む電流は無視
できるものである。つまり、直流の光起電流は初
期において増幅トランジスタ19のベースに流れ
込み、増幅率hFE19倍されて増幅トランジスタ1
9のエミツタから流れ出るが直流であるためコン
デンサ20には流れ込まずnpnトランジスタ26
のベースに流れ込むことになる。その結果、直流
の光起電流はnpnトランジスタ26のコレクタを
通つて引き去られ、帰還がかかるため、増幅トラ
ンジスタ19のベースに流れ込む電流は1/
(hFE(19)×hFE(26))と非常に小さくなり、無視
できるものである。
Next, the operation of the light receiving device configured in this manner will be explained. First, when there is no signal, that is, when the pulsed signal light 4 reflected from the object to be measured is not incident on the light receiving element 7, the amplification transistor 19
Since the current flowing through is determined by the constant current source 27, the remaining current after subtracting the base current of the amplification transistor 19 from the bias current of the bias current source 25 flows through the npn transistor 26. Further, when external light (light of approximately constant intensity due to sunlight and its reflected light, etc.) is incident on the light receiving element 7, a direct current photovoltaic current is generated in the light receiving element 7. However, most of this direct current photovoltaic current flows into the npn transistor 26 for the following reason, and the current flowing into the base of the amplification transistor 19 due to this direct current photovoltaic current can be ignored. In other words, the DC photovoltaic current initially flows into the base of the amplification transistor 19, is multiplied by the amplification factor h FE 19, and then flows into the base of the amplification transistor 19.
9 flows out from the emitter, but because it is a direct current, it does not flow into the capacitor 20 and flows into the npn transistor 26.
It will flow into the base of. As a result, the DC photovoltaic current is drawn away through the collector of the npn transistor 26 and feedback is applied, so that the current flowing into the base of the amplification transistor 19 is reduced to 1/
(h FE (19) x h FE (26)), which is very small and can be ignored.

従つて、増幅トランジスタ19のコレクタに流
れ込む電流は無信号時に定電流源27に決定され
る一定の電流値となる。このコレクタに流れ込む
電流値と同じ値の電流がカレントミラー回路を構
成するpnpトランジスタ22のコレクタから流れ
出ることになる。一方、定電流源30、抵抗31
及びダイオード32で構成される基準電圧発生回
路の基準電圧がバツフアアンプ28の非反転入力
端28bに接続されており、pnpトランジスタ2
2のコレクタがバツフアアンプ28の反転入力端
28a及び出力端28cに接続されているため、
pnpトランジスタ22のコレクタから流れ出る電
流は対数圧縮ダイオード23のアノード電位(バ
ツフアアンプ28の出力端28c電位)が等しく
なるように、対数圧縮ダイオード23,24とバ
ツフアアンプ28とに分流されることになる。従
つて、受光装置8の出力端9には基準電圧発生回
路の基準電圧が現われることになる。
Therefore, the current flowing into the collector of the amplification transistor 19 has a constant current value determined by the constant current source 27 when there is no signal. A current having the same value as the current flowing into the collector flows out from the collector of the PNP transistor 22 constituting the current mirror circuit. On the other hand, constant current source 30 and resistor 31
A reference voltage of a reference voltage generating circuit composed of a diode 32 and a diode 32 is connected to a non-inverting input terminal 28b of a buffer amplifier 28, and a pnp transistor 2
Since the collector of No. 2 is connected to the inverting input terminal 28a and the output terminal 28c of the buffer amplifier 28,
The current flowing from the collector of the pnp transistor 22 is divided into the logarithmic compression diodes 23, 24 and the buffer amplifier 28 so that the anode potential of the logarithmic compression diode 23 (the output terminal 28c potential of the buffer amplifier 28) becomes equal. Therefore, the reference voltage of the reference voltage generation circuit appears at the output terminal 9 of the light receiving device 8.

ここで、ダイオード23,24,32の逆方向
飽和電流をIS、pnpトランジスタ22のコレクタ
から流れ出る電流をIC22、対数圧縮ダイオード
23,24に流れ込む電流をI23、定電流源3
0に流れる電流をI30、抵抗31の抵抗値をR
31、ボルツマン定数をk、絶対温度をT、電子
の電荷をqとすると、対数圧縮ダイオード23の
アノード電位は2kT/qlnI(23)/ISとなり、基準電
圧 発生回路の基準電圧はkT/qlnI(30)/IS+R(31)
, I(30)となる。そして、両電圧は等しくなるた
め、KT/qlnI(30)/IS+R(31),I(30)=2kT
/qln I(23)/ISの関係になつている。
Here, the reverse saturation current of the diodes 23, 24, and 32 is I S , the current flowing from the collector of the pnp transistor 22 is I C 22, the current flowing into the logarithmic compression diodes 23 and 24 is I23, and the constant current source 3
0 is the current flowing through I30, and the resistance value of resistor 31 is R.
31. If the Boltzmann constant is k, the absolute temperature is T, and the electron charge is q, the anode potential of the logarithmic compression diode 23 is 2kT/qlnI(23)/I S , and the reference voltage of the reference voltage generation circuit is kT/qlnI (30)/I S +R (31)
, I(30). Then, since both voltages are equal, KT/qlnI(30)/I S +R(31), I(30) = 2kT
/qln I(23)/I S relationship.

一方、受光素子7に被測距物体から反射された
パルス状の信号光4が入射されると、このパルス
状の信号光4により受光素子7にパルス状の光起
電流が発生されることになる。このパルス状の光
起電流は増幅トランジスタ19のベースに流れ込
み、hFE19倍されて増幅トランジスタ19のエミ
ツタからコンデンサ20へ流れ込む。この時、
hFE19倍されたパルス状の光起電流は交流である
ため、npnトランジスタ26のベースには流れ込
まないため、帰還はかからないものである。
On the other hand, when the pulsed signal light 4 reflected from the object to be measured is incident on the light receiving element 7, a pulsed photovoltaic current is generated in the light receiving element 7 due to the pulsed signal light 4. Become. This pulsed photovoltaic current flows into the base of the amplification transistor 19, is multiplied by h FE 19 and flows from the emitter of the amplification transistor 19 into the capacitor 20. At this time,
Since the pulsed photovoltaic current multiplied by h FE 19 is an alternating current, it does not flow into the base of the npn transistor 26, so no feedback is applied.

従つて、増幅トランジスタ19のコレクタに流
れ込む電流は定電流源27に決定される電流値と
コンデンサに流れるhFE19倍されたパルス状の光
起電流値との和の電流値となる。このコレクタに
流れ込む電流値と同じ電流がカレントミラー回路
を構成するpnpトランジスタ22のコレクタから
流れ出ることになる。一方、バツフアアンプ28
の制御端28dにコンデンサ29が接続されてい
るため、バツフアアンプ28としては、反転入力
端28aの電位変化に対する出力端28cへの応
答が遅れることになり、無信号時に対してpnpト
ランジスタ22のコレクタから流れ出る増加分、
つまりhFE19倍されたパルス状の光起電流相当分
は対数圧縮ダイオード23,24に流れ込み、こ
の増加分により対数圧縮ダイオード23のアノー
ド電位が増加して、受光装置の出力端9に現れる
ことになる。
Therefore, the current flowing into the collector of the amplifying transistor 19 becomes the sum of the current value determined by the constant current source 27 and the pulsed photovoltaic current value multiplied by h FE 19 flowing through the capacitor. The same current flowing into the collector flows out from the collector of the pnp transistor 22 constituting the current mirror circuit. On the other hand, buffer amplifier 28
Since the capacitor 29 is connected to the control terminal 28d of the buffer amplifier 28, the response to the output terminal 28c to the potential change of the inverting input terminal 28a is delayed, and when there is no signal, there is a delay in the response from the collector of the PNP transistor 22 to the output terminal 28c. The increment flowing out,
In other words, the pulsed photovoltaic current multiplied by h FE 19 flows into the logarithmic compression diodes 23 and 24, and due to this increase, the anode potential of the logarithmic compression diode 23 increases, which appears at the output terminal 9 of the light receiving device. become.

この時の出力端9の電位は受光素子7のパルス
状の光起電流をIL7とすると2kT/qln IC(22)+hFE(19)IL7/ISとなる。
At this time, the potential of the output terminal 9 becomes 2 kT/qln I C (22)+h FE (19) I L 7/ IS , where the pulsed photovoltaic current of the light receiving element 7 is I L 7.

この様に構成された受光装置8を2つ用いて第
4図に示す測距装置を構成する。今、被測距物体
から反射されたパルス状の信号光4により発生さ
れる受光素子7a,7bの光起電流をそれぞれIL
7a,IL7bとすると、受光装置8a,8bの出
力端9a,9bにはそれぞれ2kT/qln IC(22)+hFE(19)IL(7a)/IS、2kT/qln IC(22)+hFE(19)IL(7b)/ISの電位が現われるこ
とに なる。
A distance measuring device shown in FIG. 4 is constructed using two light receiving devices 8 constructed in this manner. Now, the photovoltaic currents of the light receiving elements 7a and 7b generated by the pulsed signal light 4 reflected from the object to be measured are I L
7a, I L 7b, 2kT/qln I C (22) + h FE (19) I L (7a)/I S , 2kT/qln I C ( 22) +h FE (19) I L (7b)/I S potential will appear.

ここで、受光装置8a,8bの基準電圧発生回
路における基準電位を、充分小さい値にとつてあ
るので、IC22はhFE19IL7a及びhFB19IL7b
に対して充分小さく、基準電圧源16の電圧を
VSとすると、演算増幅器12の出力は次式の様
になる。VS+2kT/qlnhFE(19)IL(7b)/IS−2kT/
qln hFE(19)IL(7a)/IS=VS+2kT/qlnIL(7b)/IL
7a) 従つて、出力端18には受光素子7a,7bに
おける光起電流IL7a,IL7bの比に応じた電圧
が現われ、この電圧はまさしく被測距物体までの
距離が得られる値になつているものである。
Here, since the reference potential in the reference voltage generation circuit of the light receiving devices 8a and 8b is set to a sufficiently small value, I C 22 is h FE 19I L 7a and h FB 19I L 7b.
, and the voltage of the reference voltage source 16 is
When V S is assumed, the output of the operational amplifier 12 is as shown in the following equation. V S +2kT/qlnh FE (19) I L (7b)/I S −2kT/
qln h FE (19) I L (7a) / I S = V S +2kT / qln I L (7b) / I L (
7a) Therefore, a voltage corresponding to the ratio of the photovoltaic currents I L 7a and I L 7b in the light receiving elements 7a and 7b appears at the output terminal 18, and this voltage is exactly the value that allows the distance to the object to be measured to be obtained. It is something that has become popular.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記した受光装置にあつては、受光素子7のア
ノードが直接増幅トランジスタ19のベースに接
続されているため、蛍光灯等の低周波の外光の影
響を受け易く、この様な状況下にあつては被測距
物体までの測距物結果に誤差が生じ易く、また、
対数圧縮ダイオード23,24に流れる初期電
流、つまり無信号時の電流は基準電圧発生回路の
基準電圧によつて設定しているため温度変化の影
響を受けて初期電流が変化して出力電圧の直線性
が変化するという問題点を有しているものであつ
た。
In the above-mentioned light receiving device, since the anode of the light receiving element 7 is directly connected to the base of the amplification transistor 19, it is easily affected by low frequency external light such as fluorescent lamps, and under such conditions, Errors are likely to occur in the distance measurement results to the distance measurement object, and
The initial current flowing through the logarithmic compression diodes 23 and 24, that is, the current when there is no signal, is set by the reference voltage of the reference voltage generation circuit, so the initial current changes due to the influence of temperature changes, resulting in a linear output voltage. This had the problem of changing gender.

この発明は上記じた点に鑑みてなされたもので
あり、蛍光灯等の低周波の外光の影響が少なく、
しかも温度変化による影響等も少ない受光装置を
得ることを目的とするものである。
This invention was made in view of the above points, and is less affected by low frequency external light such as fluorescent lamps.
Moreover, it is an object of the present invention to obtain a light receiving device that is less affected by temperature changes.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る受光装置は、受光装置からのパ
ルス状の起電流を電流増幅トランジスタにて増幅
し、対数圧縮ダイオード素子に上記パルス状の起
電流に応じた電圧が現われるものにおいて、受光
素子と電流増幅トランジスタのベースとの間に低
周波減衰用コンデンサを接続するとともに、電流
増幅トランジスタのコレクタ電流を受けてこのコ
レクタ電流に応じた電流を対数圧縮ダイオード素
子に出力する第1の電流交換手段と、対数圧縮ダ
イオード素子に流れる電流を受けてこの電流に応
じた値を電流増幅トランジスタのエミツタ電流と
なす第2の電流交換手段とを設けたものである。
The light receiving device according to the present invention is such that a pulsed electromotive current from the light receiving device is amplified by a current amplifying transistor, and a voltage corresponding to the pulsed electromotive current appears in a logarithmic compression diode element. a first current exchange means that connects a low frequency attenuation capacitor between the base of the amplification transistor and receives the collector current of the current amplification transistor and outputs a current corresponding to the collector current to the logarithmic compression diode element; A second current exchange means is provided for receiving the current flowing through the logarithmic compression diode element and making the emitter current of the current amplifying transistor a value corresponding to this current.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、低周波減衰用コンデンサ
が受光素子からの蛍光灯等の低周波の外光に基づ
き発生する低周波の起電流を電流増幅トランジス
タのベースへ伝達されるのを抑制して低周波の外
光による影響を抑制するとともに、第1の電流交
換手段と第2の電流交換手段とにより電流増幅ト
ランジスタのコレクタ電流とエミツタ電流に基づ
き対数圧縮ダイオード素子に流れる初期電流を設
定して温度変化の影響を抑制させているものであ
る。
In this invention, the low-frequency attenuation capacitor suppresses the transmission of low-frequency electromotive current generated from low-frequency external light from a fluorescent lamp or the like from the light receiving element to the base of the current amplification transistor. At the same time, the first current exchange means and the second current exchange means set the initial current flowing through the logarithmic compression diode element based on the collector current and emitter current of the current amplification transistor, thereby controlling the temperature change. This suppresses the influence of

〔実施例〕〔Example〕

以下にこの発明の一実施例を第1図に基づいて
説明すると、第1図において7はカソートが電源
電位点Vccに接続されるとともにアノードが負荷
抵抗33を介して接地される受光素子、34はこ
の受光素子7のアノードと電流増幅トランジスタ
19のベースとの間に接続される低周波減衰用コ
ンデンサ、35はベースにバイアス電圧が供給さ
れ、電源電位点Vccと電流増幅トランジスタ19
のベースとの間に接続されるベースバイアス用
npnトランジスタ、36は1対のpnpトランジス
タ21,22から構成される第1のカレントミラ
ー回路で両pnpトランジスタのエミツタは電源電
位点Vccに接続されるとともにベースが共通接続
され、一方のpnpトランジスタ21のベース及び
コレクタは増幅トランジスタ19のコレクタに接
続され、他方のpnpトランジスタ22のコレクタ
は対数圧縮ダイオード23のアノードに接続され
ており、pnpトランジスタ21,22のエミツタ
面積比が1:nに構成されてpnpトランジスタ2
2に流れる電流値がpnpトランジスタ21に流れ
る電流値のn倍となる関係になつている。37は
上記pnpトランジスタ21に並列に接続され、第
2定電流源27の定電流I27より大きい定電流
I37なる電流がながれる第1の定電流源で例え
ばトランジスタにより構成されている。38は対
数圧縮ダイオード24のベースにベースが接続さ
れてカレントミラー回路を構成するnpnトランジ
スタで対数圧縮ダイオード24と等しい電流値が
流れるように設定されている。39は1対のpnp
トランジスタ40,41から構成される第2のカ
レントミラー回路で、両pnpトランジスタのエミ
ツタは電源電位点Vccに接続されるとともにベー
スが共通接続され、一方のpnpトランジスタ40
のベース及びコレクタが上記npnトランジスタ3
8のコレクタに接続される。42は1対のnpnト
ランジスタ43,44から構成される第3のカレ
ントミラー回路で、両トランジスタのエミツタは
接地されるとともにベースが共通接続され、一方
のベース及びコレクタが上記pnpトランジスタ4
1のコレクタに接続されており、npnトランジス
タ44に流れる電流値がpnpトランジスタ40に
流れる電流値のm倍となる関係になるよう、各
pnpトランジスタ40,41及びnpnトランジス
タ43,44のエミツタ面積比が設定されている
ものである。46は1対のnpnトランジスタ4
7,48から構成される第4のカレントミラー回
路で、両トランジスタのエミツタは接地されると
ともにベースが共通接続され、一方のnpnトラン
ジスタ47のベース及びコレクタは上記pnpトラ
ンジスタ44のコレクタに接続されるとともに第
3の定電流源45(定電流I45が流れる)を介
して電源電位点Vccに接続され、他方のトランジ
スタ48のコレクタは電流増幅トランジスタ19
のエミツタに接続されており、両トランジスタ4
7,48には等しい電流が流れるように設定され
ている。49は上記対数圧縮ダイオード23のア
ノードと接地との間に接続される第4の定電流源
であり、定電流I49が流れる。
An embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 1. In FIG. 1, reference numeral 7 denotes a light receiving element 34 whose cathode is connected to the power supply potential point Vcc and whose anode is grounded via a load resistor 33. 35 is a low frequency attenuation capacitor connected between the anode of the light receiving element 7 and the base of the current amplifying transistor 19; 35 is a base to which a bias voltage is supplied;
For base bias connected between the base of
The npn transistor 36 is a first current mirror circuit composed of a pair of pnp transistors 21 and 22. The emitters of both pnp transistors are connected to the power supply potential point Vcc, and the bases are commonly connected. The base and collector of the other pnp transistor 22 are connected to the collector of the amplification transistor 19, and the collector of the other pnp transistor 22 is connected to the anode of the logarithmic compression diode 23, and the emitter area ratio of the pnp transistors 21 and 22 is 1:n. pnp transistor 2
The current value flowing through the pnp transistor 21 is n times the current value flowing through the pnp transistor 21. Reference numeral 37 denotes a first constant current source which is connected in parallel to the PNP transistor 21 and through which a constant current I37, which is larger than the constant current I27 of the second constant current source 27, flows, and is constituted by, for example, a transistor. 38 is an npn transistor whose base is connected to the base of the logarithmic compression diode 24 to form a current mirror circuit, and is set so that the same current value as that of the logarithmic compression diode 24 flows. 39 is a pair of pnp
In the second current mirror circuit composed of transistors 40 and 41, the emitters of both pnp transistors are connected to the power supply potential point Vcc, and their bases are commonly connected.
The base and collector of the above npn transistor 3
8 collector. 42 is a third current mirror circuit composed of a pair of npn transistors 43 and 44, the emitters of both transistors are grounded and their bases are commonly connected, and the base and collector of one are connected to the pnp transistor 4.
1, and the current value flowing through the npn transistor 44 is m times the current value flowing through the pnp transistor 40.
The emitter area ratios of the pnp transistors 40, 41 and the npn transistors 43, 44 are set. 46 is a pair of npn transistors 4
7 and 48, the emitters of both transistors are grounded and their bases are commonly connected, and the base and collector of one npn transistor 47 are connected to the collector of the pnp transistor 44. The collector of the other transistor 48 is connected to the power supply potential point Vcc via a third constant current source 45 (through which a constant current I45 flows), and the collector of the other transistor 48 is connected to the current amplifying transistor 19.
is connected to the emitter of both transistors 4 and 4.
7 and 48 are set so that equal current flows through them. 49 is a fourth constant current source connected between the anode of the logarithmic compression diode 23 and the ground, through which a constant current I49 flows.

次にこの様に構成された受光装置の動作につい
て説明する。まず、受光素子7に被測距物体から
反射されたパルス状の信号光4が入射されていな
い時、つまり無信号時について説明する。今、対
数圧縮ダイオード23,24に流れる初期電流を
I23とすると、第1のカレントミラー回路36
のpnpトランジスタ22に流れる電流は、I23
+I49となりpnpトランジスタ21に流れる電
流は1/n{I23+I49}となる。従つて電流 増幅トランジスタ19のコレクタにはI37+
1/n{I23+I49}の電流が流れ込むことに なる。また、トランジスタ38には初期電流と等
しい電流I23が流れ、第2及び第3のカレント
ミラー回路39,42によりm倍にされるため、
第3のカレントミラー回路42のnpnトランジス
タ44にはmI23なる電流が流れることになる。
そして第4のカレントミラー回路のnpnトランジ
スタ47にはI45−mI23なる電流が流れる
ためnpnトランジスタ48にもI45−mI23な
る電流が流れることになる。従つて、電流増幅ト
ランジスタ19のエミツタから流れ出る電流はI
27+I45−mI23になる。電流増幅トラン
ジスタ19において、ベース電流はほとんど無視
でき、コレクタ電流とエミツタ電流は一致するた
め、I37+1/n{I23+I49}=I27+I 45−mI23を満足するようにカレントミラー
回路の面積比m,n,第1ないし第4の定電流源
37,27,45,49の定電流値I37,I2
7,I45,I49を設定すれば良いものであ
る。従つて、対数圧縮ダイオード23,24の初
期電流I23は上記した定数により設定できるた
め、任意に設定でき設計裕度が大きいものであ
る。
Next, the operation of the light receiving device configured in this manner will be explained. First, a description will be given of a time when the pulsed signal light 4 reflected from the object to be measured is not incident on the light receiving element 7, that is, when there is no signal. Now, if the initial current flowing through the logarithmic compression diodes 23 and 24 is I23, then the first current mirror circuit 36
The current flowing through the pnp transistor 22 is I23
+I49, and the current flowing through the pnp transistor 21 becomes 1/n{I23+I49}. Therefore, the collector of the current amplification transistor 19 has I37+
A current of 1/n {I23+I49} will flow. Further, a current I23 equal to the initial current flows through the transistor 38, and is multiplied by m by the second and third current mirror circuits 39 and 42.
A current mI23 flows through the npn transistor 44 of the third current mirror circuit 42.
Since a current I45-mI23 flows through the npn transistor 47 of the fourth current mirror circuit, a current I45-mI23 also flows through the npn transistor 48. Therefore, the current flowing out from the emitter of the current amplifying transistor 19 is I
It becomes 27+I45-mI23. In the current amplifying transistor 19, the base current is almost negligible and the collector current and emitter current match, so the area ratio m, n, Constant current values I37, I2 of the first to fourth constant current sources 37, 27, 45, 49
It is sufficient to set 7, I45, and I49. Therefore, since the initial current I23 of the logarithmic compression diodes 23 and 24 can be set by the above-mentioned constant, it can be set arbitrarily and has a large design latitude.

次に対数圧縮ダイオード23,24に初期電流
I23が無信号時に流れるメカニズムについて説
明する。今、対数圧縮ダイオード23,24に電
流が流れていないとすると、トランジスタ38は
非導通状態となるため、第3のカレントミラー回
路42のnpnトランジスタ44も非導通状態とな
り、第4のカレントミラー回路46のnpnトラン
ジスタ47,48には第2の定電流源45に流れ
る定電流源I45と等しい電流が流れることにな
る。そして、第1のカレントミラー回路36の
pnpトランジスタ21にはI45+I27−I3
7の電流が流れ、pnpトランジスタ22にはn
{I45+I27−I37}の電流が流れること
になる。このn{I45+I27−I37}は第
4の定電流源49に流れる定電流I49より大き
いため、対数圧縮ダイオード23,24には、n
{I45+I27−I37}−I49の電流が流れ
込むことになり、初期電流I23で安定すること
になる。一方、圧縮ダイオード23,24に初期
電流I23より大きな電流I′23が流れたとする
と、第3のカレントミラー回路42のnpnトラン
ジスタ44に流れる電流は、mI′23になる。こ
のmI′23が第3の定電流源45の定電流より大
きれば第4のカレントミラー回路46のnpnトラ
ンジスタ47,48は非導通状態となる。そし
て、第1の定電流源37の定電流I37が第2の
定電流源I27より大きいため第1のカレントミ
ラー回路36のpnpトランジスタ21,22も非
導通状態となつて、対数圧縮ダイオード23,2
4に流れ込む電流値は減少され、初期電流I23
で安定することになる。
Next, the mechanism by which the initial current I23 flows through the logarithmic compression diodes 23 and 24 when there is no signal will be explained. Now, assuming that no current is flowing through the logarithmic compression diodes 23 and 24, the transistor 38 is in a non-conducting state, so the npn transistor 44 of the third current mirror circuit 42 is also in a non-conducting state, and the fourth current mirror circuit A current equal to the constant current source I45 flowing to the second constant current source 45 flows through the 46 npn transistors 47 and 48. Then, the first current mirror circuit 36
I45+I27-I3 for pnp transistor 21
7 current flows through the pnp transistor 22, and the n
A current of {I45+I27-I37} will flow. Since this n{I45+I27-I37} is larger than the constant current I49 flowing to the fourth constant current source 49, the logarithmic compression diodes 23 and 24 have n
A current of {I45+I27-I37}-I49 will flow in, and the current will be stabilized at the initial current I23. On the other hand, if a current I'23 larger than the initial current I23 flows through the compression diodes 23 and 24, the current flowing through the npn transistor 44 of the third current mirror circuit 42 becomes mI'23. If this mI'23 is larger than the constant current of the third constant current source 45, the npn transistors 47 and 48 of the fourth current mirror circuit 46 become non-conductive. Since the constant current I37 of the first constant current source 37 is larger than the second constant current source I27, the pnp transistors 21 and 22 of the first current mirror circuit 36 also become non-conductive, and the logarithmic compression diode 23, 2
The current value flowing into I23 is reduced, and the initial current I23
It will become stable.

以上から明らかな如く、対数圧縮ダイオード2
3,24に流れる初期電流I23は第1ないし第
4のカレントミラー回路及び第1ないし第4の定
電流源により決定され、初期電流I23は温度変
化の影響が少ない安定した一定電流が得られるこ
とになるものである。
As is clear from the above, the logarithmic compression diode 2
The initial current I23 flowing through the circuits 3 and 24 is determined by the first to fourth current mirror circuits and the first to fourth constant current sources, and the initial current I23 is a stable constant current that is less affected by temperature changes. It is something that becomes.

また、受光素子7に外光、例えば太陽光等の略
一定の強さの光や蛍光灯等の低周波の光が入射さ
れて、受光素子7に直流や低周波の起電流が発生
されても低周波減衰用コンデンサ34により電流
増幅トランジスタ19のベースへの伝達が阻止さ
れるため、何ら影響を及ぼさないものである。
Also, when external light, for example, light with a substantially constant intensity such as sunlight or low frequency light such as a fluorescent lamp is incident on the light receiving element 7, a direct current or low frequency electromotive current is generated in the light receiving element 7. Since transmission to the base of the current amplifying transistor 19 is blocked by the low frequency attenuation capacitor 34, it does not have any influence.

一方、受光素子7に被測距物体から反射された
パルス状の信号光4が入射されると、このパルス
状の信号光4により受光素子7にはパルス状の光
起電流IL7が発生されることになる。このパルス
状の光起電流IL7は、負荷抵抗33及び低周波減
衰用コンデンサ34を介して電流増幅トランジス
タ19のベースに流れ込み、hFE19倍されてバイ
パスコンデンサ20に流れ込むことになる。この
時、第1及び第2の定電流源37,27の定電流
が電流増幅トランジスタ19のベースに流れ込む
起電流のhFE19倍された値に対して充分大きく設
定されているため、電流増幅トランジスタ19の
ベース・エミツタ間電圧の電位変動は非常に小さ
く、負荷抵抗33の両端間電圧の変動も非常に小
さいものとなり、受光素子7におけるパルス状の
光起電流IL7はほとんど全て電流増幅トランジス
タ19のベースに流れることになる。そしてhFE
19倍された上記光起電流IL7がバイパスコンデン
サ20に流れることにより、このhFE19,IL
に相当する電流は第1のカレントミラー回路36
のpnpトランジスタ21に流れ、pnpトランジス
タ22にn・hFE19,IL7が流れることになる。
その結果対数圧縮ダイオード23,24には、I
23+nhFE19,IL7なる電流が流れることにな
り、電力端子には受光素子7のパルス状の光起電
流IL7に応じた増分の対縮圧縮電圧が現われるこ
とになるものである。
On the other hand, when the pulsed signal light 4 reflected from the object to be measured is incident on the light receiving element 7, a pulsed photovoltaic current I L 7 is generated in the light receiving element 7 due to the pulsed signal light 4. will be done. This pulsed photovoltaic current I L 7 flows into the base of the current amplifying transistor 19 via the load resistor 33 and the low frequency attenuation capacitor 34, is multiplied by h FE 19 and flows into the bypass capacitor 20. At this time, since the constant currents of the first and second constant current sources 37 and 27 are set to be sufficiently large compared to the value h FE 19 times the electromotive current flowing into the base of the current amplification transistor 19, the current amplification The potential variation in the base-emitter voltage of the transistor 19 is very small, and the variation in the voltage across the load resistor 33 is also very small, and almost all of the pulsed photovoltaic current I L 7 in the light receiving element 7 is current amplified. It will flow to the base of transistor 19. and h FE
As the photovoltaic current I L 7 multiplied by 19 flows into the bypass capacitor 20, this h FE 19, I L 7
A current corresponding to the first current mirror circuit 36
The current flows through the pnp transistor 21, and n·h FE 19, I L 7 flows through the pnp transistor 22.
As a result, the logarithmic compression diodes 23 and 24 have I
A current of 23+nh FE 19, I L 7 will flow, and an incremental compression compression voltage corresponding to the pulsed photovoltaic current I L 7 of the light receiving element 7 will appear at the power terminal.

上記の様に構成された受光装置においては、蛍
光灯等の低周波の外光に対して、低周波減衰用コ
ンデンサ34により影響のほとんどない対数圧縮
ダイオード23のアノード電位が得られ、しか
も、対数圧縮ダイオードに流れる初期電流I23
が第1ないし第4のカレントミラー回路36,3
9,42,46及び第1ないし第4の定電流源3
7,27,45,49により決定されるため、対
数圧縮ダイオード23のアノード電位が温度の変
動、外乱等の影響を受けにくく、精度の高いもの
が得られるものである。
In the light-receiving device configured as described above, the anode potential of the logarithmic compression diode 23 is obtained which has almost no influence on low-frequency external light such as from a fluorescent lamp due to the low-frequency attenuation capacitor 34, and the logarithm Initial current I23 flowing through the compression diode
are the first to fourth current mirror circuits 36, 3
9, 42, 46 and the first to fourth constant current sources 3
7, 27, 45, and 49, the anode potential of the logarithmic compression diode 23 is not easily affected by temperature fluctuations, disturbances, etc., and a highly accurate one can be obtained.

なお、上記実施例においては、負荷抵抗33を
用いたものを示したが、負荷抵抗33のかわり
に、ダイオード、ダイオードと抵抗の直列体、抵
抗とコンデンサとダイオードと組み合せ及びコイ
ルなどの直流的にはインピーダンスが低く交流的
にはインピーダンスの高いものを用いても良いも
のである。
In the above embodiment, the load resistor 33 is used, but instead of the load resistor 33, a diode, a series body of a diode and a resistor, a combination of a resistor, a capacitor, and a diode, a coil, etc. can be used. The impedance is low, and for AC, a high impedance may be used.

また、上記実施例においては、受光装置8を被
測距物体までの距離を測定するものに適用した場
合について説明したが、入射光の比による位置判
定回路あるいは入射光そのものの絶対値を測定す
る装置に適用しても良いものである。
In addition, in the above embodiment, the case where the light receiving device 8 is applied to one that measures the distance to a distance-measuring object has been described, but it is also possible to apply the light receiving device 8 to a position determination circuit based on the ratio of incident light or to measure the absolute value of the incident light itself. It may also be applied to devices.

〔発明の効果〕 この発明は以上に述べたように、受光素子と電
流増幅トランジスタのベースとの間に低周波減衰
用コンデンサを接続するとともに、電流増幅トラ
ンジスタのコレクタ電流を受けてこのコレクタ電
流に応じた電流を対数圧縮ダイオード素子に出力
する第1の電流交換手段と、対数圧縮ダイオード
素子に流れる電流を受けてこの電流に応じた値を
電流増幅トランジスタのエミツタ電流となす第2
の電流交換手段とを設けたものとしたので、蛍光
灯等の低周波の外光に対して影響が少なく、温度
の変動に対しても影響を受け難い対数圧縮電圧が
得られるという効果を有するものである。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention connects a low frequency attenuation capacitor between the light receiving element and the base of the current amplification transistor, and receives the collector current of the current amplification transistor and converts it into the collector current. a first current exchange means that outputs a corresponding current to the logarithmic compression diode element; and a second current exchange means that receives the current flowing through the logarithmic compression diode element and sets a value corresponding to this current as the emitter current of the current amplification transistor.
Since the present invention is equipped with a current exchange means, it has the effect of obtaining a logarithmic compression voltage that is less affected by low-frequency external light such as fluorescent lamps and less affected by temperature fluctuations. It is something.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第
2図及び第3図はパルス状の信号光と受光素子7
a,7bとの関係を示す概略図及び受光素子平面
図、第4図は測距装置を示す概略回路図、第5図
は従来の受光装置を示す回路図、第6図は第5図
のもののバツフアアンプ28を示す回路図であ
る。 図において7は受光素子、19は電流増幅トラ
ンジスタ、20はバイパスコンデンサ、23,2
4は対数圧縮ダイオード、27は第2の定電流
源、34は低周波減衰用コンデンサ、36,3
9,42,46は第1ないし第4のカレントミラ
ー回路、37,45は第1及び第3の定電流源あ
る。なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を
示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 show pulsed signal light and a light receiving element 7.
a, 7b and a plan view of the light receiving element, FIG. 4 is a schematic circuit diagram showing a distance measuring device, FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional light receiving device, and FIG. 6 is the same as that shown in FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a buffer amplifier 28; In the figure, 7 is a light receiving element, 19 is a current amplification transistor, 20 is a bypass capacitor, 23, 2
4 is a logarithmic compression diode, 27 is a second constant current source, 34 is a low frequency attenuation capacitor, 36, 3
9, 42, 46 are first to fourth current mirror circuits, and 37, 45 are first and third constant current sources. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 パルス状の信号光を受けてパルス状の起電流
を発生する受光素子、この受光素子の一端に一方
の電極が接続される低周波減衰用コンデンサ、こ
の低周波減衰用コンデンサの他方の電極にベース
が接続される電流増幅トランジスタ、この電流増
幅トランジスタのエミツタに接続されるバイパス
コンデンサ、上記電流増幅トランジスタのコレク
タ電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電流を
出力する第1の電流交換手段、この第1の電流交
換手段の出力電流を受ける対数圧縮ダイオード素
子、この対数圧縮ダイオード素子に流れる電流を
受けてこの電流に応じた値を上記電流増幅トラン
ジスタのエミツタ電流となす第2の電流交換手段
を備えた受光装置。 2 第1の電流交換手段は、1対のトランジスタ
からなり、一方のトランジスタが電流増幅トラン
ジスタのコレクタに接続され、他方のトランジス
タが対数圧縮ダイオード素子に接続され、他方の
トランジスタに流れる電流値が一方のトランジス
タに流れる電流値のn倍となる関係にある第1の
カレントミラー回路と、この第1のカレントミラ
ー回路の一方のトランジスタに並列に接続される
第1の定電流源とを有したものであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の受光装置。 3 第2の電流交換手段は、対数圧縮ダイオード
素子とカレントミラー回路を構成するトランジス
タと、1対のトランジスタからなり一方のトラン
ジスタが上記トランジスタに接続される第2のカ
レントミラー回路と、1対のトランジスタからな
り一方のトランジスタが上記第2のカレントミラ
ー回路の他方のトランジスタに接続される第3の
カレントミラー回路と、1対のトランジスタから
なり、一方のトランジスタが上記第3のカレント
ミラー回路の他方のトランジスタに並列に接続さ
れるとともに第3の定電流源に接続され、他方の
トランジスタが電流増幅トランジスタにエミツタ
に接続される第4のカレントミラー回路と、この
第4のカレントミラー回路の他方のトランジスタ
に並列に接続される第2の定電流源とを有し、第
3のカレントミラー回路の他方のトランジスタに
流れる電流値が対数圧縮ダイオード素子に流れる
電流値のm倍となる関係になるように第1ないし
第4のトランジスタが設定されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の
受光装置。
[Claims] 1. A light receiving element that generates a pulsed electromotive current in response to a pulsed signal light, a low frequency attenuation capacitor having one electrode connected to one end of this light receiving element, and a low frequency attenuation capacitor for this low frequency attenuation. a current amplification transistor whose base is connected to the other electrode of the capacitor; a bypass capacitor connected to the emitter of the current amplification transistor; and a first transistor that receives the collector current of the current amplification transistor and outputs a current corresponding to the collector current. a current exchange means, a logarithmic compression diode element receiving the output current of the first current exchange means, a first current exchanger that receives the current flowing through the logarithmic compression diode element and sets a value corresponding to the current as the emitter current of the current amplification transistor. 2. A light receiving device equipped with a current exchange means. 2 The first current exchange means consists of a pair of transistors, one transistor is connected to the collector of the current amplification transistor, the other transistor is connected to the logarithmic compression diode element, and the current value flowing through the other transistor is A first current mirror circuit having a relationship such that the current value flowing through the transistor is n times, and a first constant current source connected in parallel to one transistor of the first current mirror circuit. A light receiving device according to claim 1, characterized in that: 3. The second current exchange means includes a logarithmic compression diode element and a transistor forming a current mirror circuit, a second current mirror circuit consisting of a pair of transistors, one of which is connected to the transistor, and a pair of transistors. a third current mirror circuit consisting of a transistor, one of which is connected to the other transistor of the second current mirror circuit; and a third current mirror circuit consisting of a pair of transistors, one of which is connected to the other transistor of the third current mirror circuit. a fourth current mirror circuit which is connected in parallel to the transistor of the second transistor and is connected to a third constant current source, and the other transistor is connected to the emitter of the current amplifying transistor; and a second constant current source connected in parallel to the transistor, such that the current value flowing through the other transistor of the third current mirror circuit is m times the current value flowing through the logarithmic compression diode element. 3. The light receiving device according to claim 1, wherein the first to fourth transistors are set at .
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