JPS62138014A - 制御装置の保護回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は特に電子式制御回路を具備し異常検知部上制御
部の電気絶縁を要する制御装置の保護回路に関するもの
である。

従来の技術 従来の制御装置の保護回路は、一般的に第５図の回路図
で示す様に構成されていた。

すなわち、電圧検知回路」は電源２の電圧低下によって
ツェナーダイオード３が遮断状態になると、ホトカプラ
４の発光都電流が遮断されて受光トランジスタがＯＦＦ
になり、コンパレータ５は入力電圧（Ｖ＋）が基準電圧
（Ｖ−）より高くなり、出力端子６ｆｄＨｉ出力するこ
とにより、図示しない制御装置をＯＦＦする。

なお７〜１１は抵抗、１２け半固定抵抗、１３は図示し
ない制御回路の電源である。また第４図は、一般的な制
御装置のブロック図である。

発明が解決しようとする間胆点 しかし上記構成のように、電圧検知方法が単に抵抗とツ
ェナーダイオードによる回路であるため、ホトカプラに
流れる電流は第６図のタイムチャートに示す様に、電圧
に比例してｙ化する部分が生じる。このため、コンパレ
ータでもって一定値で判別比較する必要がある。またホ
トカプラは電流伝達比（以下単にＣＴＲと称す）のバラ
ノキが非常に大きいため、半固定抵抗で発光部電流全個
別調整する必要がある。さらに前記ＣＴＲとツェナーダ
イオードの温度依存性により、電圧検知レベルの温度特
性が悪いなど、量産性に欠けると共に保護回路の信頼性
が悪いという問題点があった。

本発Ｆ３Ａは上記問題点に鑑み、ホトカプラ０ＣＴＨの
バラツキとＣＴＲ，ツェナーダイオードによる温度特性
の悪化等を生じない保護回路を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の制御装首の保護
回路は、電圧検知手段をツェナーダイオードと複数のト
ランジスタ等でヒステリシス動作を行なうように構成し
たものである。

作　　用 本発明は上記した構成によって、無調整で信頼性の高い
（温度特性が良好）保護回路とすることができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を示す第１図から第３図に基づ
いて説明を行なう。なおここでは本発明の要旨である電
圧検知回路を中心に説明を行なう。

まず第１図の回路図において、電圧検知回ｉ￥５１４ハ
、トランジスタ１５のベースにツェナーダイオード１６
を接続し、トランジスタ１７のベースはトランジスタ１
５のコレクタと接続し、トランジスタ１５．１７の各々
コレクタ抵抗１８．１９は、ツェナーダイオード１６と
共に直列抵抗２０を介して電源２１に接続しである。さ
らに前記トランジスタ１７のコレクタとホトカプラ２２
の発光部を接続しである。またホトカプラ２２の受光ト
ランジスタに抵抗２３を介して図示しない制御回路の電
源２４と接続し、受光出力端子２５は図示しない制御回
路のリセット端子と接続しである。なお２５．２６は抵
抗である。

以上の構成において、動作説明を第２図のタイムチャー
トを参照に行なう。

ここで電源２１を投入し、電圧上昇時は、まず抵抗２０
と抵抗１８を介してトランジスタ１７がＯＮし、従って
ホトカプラ２２の電流は流れず、出力端子２５はＨｉ出
力となり、図示しない制御回路をリセット状態にする。

さらに電圧が上昇するとツェナーダイオード１６が導通
状態となり、トランジスタ１５がＯＮして、トランジス
タ１７が０ＦＦＬ、抵抗１９．２６を介してホトカプラ
２２の発光部に電流が流れ、受光部がＯＮする。

従って出力端子２５１ｄＬＯとなり、リセットを解除し
、図示しない制御回路を動作状態にする。この状態を第
２図のＡ域に示す。ここで抵抗１８〉抵抗１９の関係を
与えるとトランジスタ１５がＯＮする際に正帰環となり
、ホトカプラ２２を一瞬にして正確にＯＮすることがで
きる。

次に電源２１を遮断すると、ツェナーダイオード１６の
電流が減少して行き、所定値に達するとトランジスタ１
５がＯＦＦしてトランジスタ１７がＯＮＬ、ホトカプラ
ラ２２がＯＦＦする。従って出力端子２５　ｉｊ　Ｈｉ
となり、図示しない制御回路をリセットし、停止状態に
する。ここで前述したように抵抗１８〉抵抗１９の関係
が与えられているためＯＮ時の検知レベルより低い値で
回路が反転することになる。この状態を第２図のＢ域に
示す。

このようにホトカプラ２２の動作は、検知レベルにヒス
テリシス動作をもつ回路で０Ｎ１ＯＦＦ制御するため、
単なる絶縁機能を有したデジタル信号の伝達手段となっ
ている。

さらにツェナーダイオード１６はトランジスタ１５との
関係により、回路としての温度依存性を抵抗２５によっ
て調整することが可能である。すなワチツエナーダイオ
ードのアバランシェ特性ｎ所定電圧以上では正の温度依
存性を有しておる。

一方トランジスタのベース電圧（ｖａＥ）Ｈ負の温度依
存性を有している。これら双方の特性は、各々に流れる
電流値によっても変化するものである。従って抵抗２５
によりトランジスタ１５とツェナーダイオード１６の動
作点を調整すると回路の温度依存性が変化する。この状
態を第３図の温度特性図に示す。ここで同図ａは抵抗２
５が最適値の場合の特性で６））、ｂは抵抗２５が小さ
い場合、Ｃは抵抗２５が大きい場合である。

発明の効果 以−Ｌのように本発明の制御装置の保護回路は、ンエナ
ーダイオードと複数のトランジスタ等で、ヒステリシス
動作を有する電圧検知回路を構成し７、そのＬ８力でホ
トカプラを記Ｊ御するようにしたため、フＱ ホトカヘラのＣＴＲバラツキを無視することができる。

従って回路を無調整化することができ、量産性が大巾に
向上すると共に、通電状態での調整に伴なう危険性が一
掃されるなどの作業安全性も改善される。またコンパレ
ークが不要となりコストダウンを促進する。さらに電圧
検知回路の温度特性を抵抗値で調整可能なため、最適特
性を得ることができ、回路の信頼性全向上することがで
きる等、多くの利点を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における制御装置の保護回路
を含む回路図、第２図は同保護回路のタイムチャート、
第３図は同保護回路の温度依存性の特性図、第４図は保
護回路を必要とする一般的な制御装置のブロフク図、第
５図は従来例の保護回路を表す回路図、第６図は同保護
回路のタイム−ｆヤードである。 １４・・・・・・電［「検知回路（肖′、護回ｉ洛）、
１６．＝・・。 ツエナーグ・イオード、１５．１７・・・・・・トラン
ジスタ、２２・・・・・・ホトカプラ、１Ｂ、１９・・
・・・・抵抗、２１・・・・・・電源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名７４
−−一もＬ夜均乱弼 ２２−一一本トカフ゛２ ａ５−−一　出ｎ　Ａ　ｔ（ワヒ、ト扁物す）第２図 第３図 （α）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）−ノθ’ＱＺ
６’ｃ６０１− 潤ｆｌｉ温炙 第　４　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ツエナーダイオードをベース接続した第１トランジスタ
   と、前記第２トランジスタの出力を反転する第２トラン
   ジスタに各々コレクタ抵抗を接続し、また前記各々コレ
   クタ抵抗は前記ツエナーダイオードと共に、直列抵抗を
   接続して電圧検知回路とし、さらに前記第２トランジス
   タのコレクタにホトカプラを接続し、前記電圧検知回路
   の検知結果による異常信号を、前記ホトカプラを介して
   発停するように構成した制御装置の保護回路。