JPS62134235U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62134235U JPS62134235U JP2136686U JP2136686U JPS62134235U JP S62134235 U JPS62134235 U JP S62134235U JP 2136686 U JP2136686 U JP 2136686U JP 2136686 U JP2136686 U JP 2136686U JP S62134235 U JPS62134235 U JP S62134235U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- thin film
- amorphous carbon
- alloy
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第１図は、この考案に係る半導体素子の拡大断
面図、第２図は、マグネトロンスパツタ装置を示
す説明図である。 １……半導体素子、２……半導体、３……アモ
ルフアスカーボン薄膜。
面図、第２図は、マグネトロンスパツタ装置を示
す説明図である。 １……半導体素子、２……半導体、３……アモ
ルフアスカーボン薄膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体の表面に、アモルフアスカーボン薄
膜を被覆、形成したことを特徴とする半導体素子
。 (2) 前記半導体は、酸化物で形成されて成る実
用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体素子。 (3) 前記半導体は、合金で形成されて成る実用
新案登録請求の範囲第１項記載の半導体素子。 (4) 前記半導体は、薄膜構造である実用新案登
録請求の範囲第１項記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136686U JPS62134235U (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136686U JPS62134235U (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134235U true JPS62134235U (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=30817744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2136686U Pending JPS62134235U (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134235U (ja) |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP2136686U patent/JPS62134235U/ja active Pending