JPS621257Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS621257Y2 JPS621257Y2 JP1981169954U JP16995481U JPS621257Y2 JP S621257 Y2 JPS621257 Y2 JP S621257Y2 JP 1981169954 U JP1981169954 U JP 1981169954U JP 16995481 U JP16995481 U JP 16995481U JP S621257 Y2 JPS621257 Y2 JP S621257Y2
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- JP
- Japan
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- melt
- slider
- boat
- recess
- oxide film
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 11
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は液相成長装置に関する。
第１図は従来のこの種装置を示し、１は融液ボ
ートであり、該ボートには上下方向に貫通する融
液溜２，２…が形成されている。３は上記融液ボ
ート１の底辺に配設され図中矢印Ａ方向に摺動可
能なスライダ、４は該スライダの上記融液ボート
１と接触する面に形成された基板保持部である。
ートであり、該ボートには上下方向に貫通する融
液溜２，２…が形成されている。３は上記融液ボ
ート１の底辺に配設され図中矢印Ａ方向に摺動可
能なスライダ、４は該スライダの上記融液ボート
１と接触する面に形成された基板保持部である。
斯る装置では基板保持部４に半導体基板５を装
着すると共に融液溜２，２…に所望の半導体融液
６ａ〜６ｄを収納し、その後スライダ３を矢印Ａ
方向に摺動させて基板５を上記融液６ａ〜６ｄに
順次接触させることにより基板５表面に所望のエ
ピタキシヤル層を得ることができる。
着すると共に融液溜２，２…に所望の半導体融液
６ａ〜６ｄを収納し、その後スライダ３を矢印Ａ
方向に摺動させて基板５を上記融液６ａ〜６ｄに
順次接触させることにより基板５表面に所望のエ
ピタキシヤル層を得ることができる。
しかし乍ら、上記融液６ａ〜６ｄ中に酸化し易
い材料、例えばAl（アルミニウム）等が入つて
いる場合融液６ａ〜６ｄのスライダ３と接触する
表面上（以下、単に表面と称す）に酸化膜が生
じ、このような脂の存在のもとで融液と基板５と
を接触させると濡れ性が悪いため結晶が成長し難
く、また成長したとしても層厚が不均一となつた
り、結晶欠陥が多く発生するという問題が生じ
た。
い材料、例えばAl（アルミニウム）等が入つて
いる場合融液６ａ〜６ｄのスライダ３と接触する
表面上（以下、単に表面と称す）に酸化膜が生
じ、このような脂の存在のもとで融液と基板５と
を接触させると濡れ性が悪いため結晶が成長し難
く、また成長したとしても層厚が不均一となつた
り、結晶欠陥が多く発生するという問題が生じ
た。
第２図は上記問題点に鑑みて既に提案された液
相成長装置を示し、斯る装置の特徴は基板保持部
４以外にスライダ３に凹部７を設けたことであ
り、基板５と融液６ａ〜６ｄとの接触前に上記凹
部７内に融液６ａ〜６ｄ表面にできた酸化膜を落
下させて除去せんとするものである。尚第１図と
同一箇所には同一番号が付されている。
相成長装置を示し、斯る装置の特徴は基板保持部
４以外にスライダ３に凹部７を設けたことであ
り、基板５と融液６ａ〜６ｄとの接触前に上記凹
部７内に融液６ａ〜６ｄ表面にできた酸化膜を落
下させて除去せんとするものである。尚第１図と
同一箇所には同一番号が付されている。
ところがAlを含んだ例えばGaAlAs（ガリウム
アルミ砒素）等の半導体融液は表面張力が非常に
大きいため、酸化膜を除去するために上記凹部７
の深さを７mm以上にしなければならず、従つて液
相成長に必要な融液以外に、凹部７に酸化膜を落
し込むための融液が必要となり非常に不経済であ
り、また酸化膜が完全に除去できるとは限らな
い。
アルミ砒素）等の半導体融液は表面張力が非常に
大きいため、酸化膜を除去するために上記凹部７
の深さを７mm以上にしなければならず、従つて液
相成長に必要な融液以外に、凹部７に酸化膜を落
し込むための融液が必要となり非常に不経済であ
り、また酸化膜が完全に除去できるとは限らな
い。
本考案は上記の諸問題に鑑みてなされたもの
で、酸化膜を確実に除去でき、かつ融液量が第２
図装置に比して少量ですむ液相成長装置を提供せ
んとするものである。
で、酸化膜を確実に除去でき、かつ融液量が第２
図装置に比して少量ですむ液相成長装置を提供せ
んとするものである。
第３図Ａ，Ｂは本考案の実施例装置を示し、斯
る装置に特徴は、第２図装置の凹部７にシーソ型
の引掻手段８を設けたことである。斯る引掻手段
８は上記凹部７底面に形成され紙面垂直方向に延
在する溝９に載置された支点となる丸棒１０、該
丸棒上に載置され表面が鋸刃状になると共に、成
長過程でのスライダ３の摺動方向（図中矢印Ｂ）
側の一端（左端）が重くなつている引掻板１１か
らなる。
る装置に特徴は、第２図装置の凹部７にシーソ型
の引掻手段８を設けたことである。斯る引掻手段
８は上記凹部７底面に形成され紙面垂直方向に延
在する溝９に載置された支点となる丸棒１０、該
丸棒上に載置され表面が鋸刃状になると共に、成
長過程でのスライダ３の摺動方向（図中矢印Ｂ）
側の一端（左端）が重くなつている引掻板１１か
らなる。
次に上記引掻板１１の動作について第４図Ａ〜
Ｂを用いて説明する。尚第３図と同一箇所には同
一番号が付されている 第４図Ａは上記凹部７と融液溜２とが連通する
以前の状態を示し、斯る状態では軽い右端側が融
液ボート１底面により押下され、左端は凹部７底
面より浮いた状態となつている。次いでスライダ
３を移動させて第４図Ｂの如く凹部７と融液溜２
とを連通させると、上記引掻板１１の左端は自重
により凹部７底面に位置すると共にそれにより右
端は融液溜６ａ内に突出する。斯る状態でスライ
ダ３を移動させると融液中に突出した引掻板１１
の右端により融液表面にできた酸化膜を凹部７内
に引掻き落すことができる。更にスライダ３を移
動させ第４図Ｃの如く融液溜２と凹部７とが連通
しない状態では上記引掻板１１の右端は再び融液
ボート１底面に押下されて凹部７内に収納され
る。尚このとき、引掻板１１の収納を容易にする
ために融液溜２の左壁下端角部に適宜面取り、Ｒ
をつけることが好ましい。本考案者は第１図、第
２図の従来装置及び第３図の本実施例装置で夫々
第５図に示す電極ストライプ型レーサを作成し
た。斯るレーザはｎ型GaAs基板２１上にｎ型
Ga0.5Al0.5Asからなる第１クラツド層２２、
Ga0.85Al0.5Asからなる活性層２３、Ｐ型
Ga0.5Al0.5Asからなる第２クラツド層２４及び
Ｐ型GaAsからなるキヤツプ層２５を順次エピタ
キシヤル成長にて積層し、その後上記キヤツプ層
２５上に開口を有した絶縁膜２６を形成しその上
に第１電極２７を形成すると共に基板２１裏面に
第２電極２８を形成してなる周知の電極ストライ
プ型レーザである。
Ｂを用いて説明する。尚第３図と同一箇所には同
一番号が付されている 第４図Ａは上記凹部７と融液溜２とが連通する
以前の状態を示し、斯る状態では軽い右端側が融
液ボート１底面により押下され、左端は凹部７底
面より浮いた状態となつている。次いでスライダ
３を移動させて第４図Ｂの如く凹部７と融液溜２
とを連通させると、上記引掻板１１の左端は自重
により凹部７底面に位置すると共にそれにより右
端は融液溜６ａ内に突出する。斯る状態でスライ
ダ３を移動させると融液中に突出した引掻板１１
の右端により融液表面にできた酸化膜を凹部７内
に引掻き落すことができる。更にスライダ３を移
動させ第４図Ｃの如く融液溜２と凹部７とが連通
しない状態では上記引掻板１１の右端は再び融液
ボート１底面に押下されて凹部７内に収納され
る。尚このとき、引掻板１１の収納を容易にする
ために融液溜２の左壁下端角部に適宜面取り、Ｒ
をつけることが好ましい。本考案者は第１図、第
２図の従来装置及び第３図の本実施例装置で夫々
第５図に示す電極ストライプ型レーサを作成し
た。斯るレーザはｎ型GaAs基板２１上にｎ型
Ga0.5Al0.5Asからなる第１クラツド層２２、
Ga0.85Al0.5Asからなる活性層２３、Ｐ型
Ga0.5Al0.5Asからなる第２クラツド層２４及び
Ｐ型GaAsからなるキヤツプ層２５を順次エピタ
キシヤル成長にて積層し、その後上記キヤツプ層
２５上に開口を有した絶縁膜２６を形成しその上
に第１電極２７を形成すると共に基板２１裏面に
第２電極２８を形成してなる周知の電極ストライ
プ型レーザである。
第６図は、上記各装置を用いて作成された第５
図レーザの各々の電流一光出力特性を示したグラ
フであり、グラフ中実線−は夫夫々第１図〜
第３図装置で作成された電極ストライプ型レーザ
の特性を示す。
図レーザの各々の電流一光出力特性を示したグラ
フであり、グラフ中実線−は夫夫々第１図〜
第３図装置で作成された電極ストライプ型レーザ
の特性を示す。
第６図から明らかな如く、本実施例装置で作成
された電極ストライプ型レーザの特性は他の従来
装置で作成されたレーザに較べてしきい値電流で
90mA〜40mA程度低くなり非常に良いものとな
つた。これは、成長層の結晶性が良いことを示
し、すなわち本考案装置が従来装置に較べて、酸
化膜の除去を良好に行なうことを示している。
された電極ストライプ型レーザの特性は他の従来
装置で作成されたレーザに較べてしきい値電流で
90mA〜40mA程度低くなり非常に良いものとな
つた。これは、成長層の結晶性が良いことを示
し、すなわち本考案装置が従来装置に較べて、酸
化膜の除去を良好に行なうことを示している。
また本実施例装置において、上記引掻板１１の
右端の長さを調節することにより融液の酸化膜の
みを除去することができる。
右端の長さを調節することにより融液の酸化膜の
みを除去することができる。
以上の説明から明らかな如く本考案装置では融
液表面にできた酸化膜を完全に除去できるので成
長した層の結晶性が非常によく、また酸化膜のみ
を除去できるので第２図装置に比べてメルト量が
少なくてすむ。
液表面にできた酸化膜を完全に除去できるので成
長した層の結晶性が非常によく、また酸化膜のみ
を除去できるので第２図装置に比べてメルト量が
少なくてすむ。
第１図、第２図は従来例を示す断面図、第３図
Ａ，Ｂは本実施例装置を示す断面図及び要部拡大
断面図、第４図Ａ〜Ｃは本実施例装置の動作を説
明するための要部拡大断面図、第５図は電極スト
ライプ型レーザの断面図、第６図は、第５図レー
ザの電流−光出力特性を示すグラフである。 １……融液ボート、２……融液溜、３……スラ
イダ、４……基板保持部（凹部）、７……凹部、
８……引掻手段。
Ａ，Ｂは本実施例装置を示す断面図及び要部拡大
断面図、第４図Ａ〜Ｃは本実施例装置の動作を説
明するための要部拡大断面図、第５図は電極スト
ライプ型レーザの断面図、第６図は、第５図レー
ザの電流−光出力特性を示すグラフである。 １……融液ボート、２……融液溜、３……スラ
イダ、４……基板保持部（凹部）、７……凹部、
８……引掻手段。
Claims (1)
- 融液溜を有した融液ボート、該融液ボートの底
面と接触し摺動可能であると共に上記融液ボート
の底面と対向する面に少なくとも２つの凹部を有
するスライダ、該スライダの一方の凹部底面に配
された支点と該支点上に載置され表面が鋸刃状に
なると共に上記スライダの摺動方向側に一端が他
端に較べて重くなつている引掻板とからなり、上
記融液溜が上記一方の凹部上に位置したとき上記
他端が斯る融液溜に突出するシーソ型引掻手段を
備えたことを特徴とする液相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16995481U JPS5875771U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16995481U JPS5875771U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 液相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875771U JPS5875771U (ja) | 1983-05-21 |
| JPS621257Y2 true JPS621257Y2 (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=29961920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16995481U Granted JPS5875771U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875771U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5268167U (ja) * | 1975-11-17 | 1977-05-20 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP16995481U patent/JPS5875771U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5875771U (ja) | 1983-05-21 |
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