JPS62116765A - 赤外線を用いた蒸着膜作製法 - Google Patents
赤外線を用いた蒸着膜作製法Info
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- JPS62116765A JPS62116765A JP25657485A JP25657485A JPS62116765A JP S62116765 A JPS62116765 A JP S62116765A JP 25657485 A JP25657485 A JP 25657485A JP 25657485 A JP25657485 A JP 25657485A JP S62116765 A JPS62116765 A JP S62116765A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、キセノンランプやハロゲンランプ等から発光
する赤外線を用−いて無機物質を加熱蒸発させ、種々の
基板に無機物質の膜を形成させる方法に関するものであ
る。基板としてＦｅ、Ｃｏ。
する赤外線を用−いて無機物質を加熱蒸発させ、種々の
基板に無機物質の膜を形成させる方法に関するものであ
る。基板としてＦｅ、Ｃｏ。
Ｎｉ基合金を用い、目的物として酸化物、窒化物。
ケイ化物、ホウ化物のいずれが１つを用いることにより
、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金の耐熱性、耐食性を上昇させ、
ノズル材料、熱交換器材料を得るために好適な方法であ
る。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏからなる工具基材を基板とし、目
的物として窒化物、ホウ化物のいずれか１つを用いるこ
とにより、工具基材の硬度、耐摩耗性を上昇させ、切削
工具材を得るために好適な方法である。
、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金の耐熱性、耐食性を上昇させ、
ノズル材料、熱交換器材料を得るために好適な方法であ
る。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏからなる工具基材を基板とし、目
的物として窒化物、ホウ化物のいずれか１つを用いるこ
とにより、工具基材の硬度、耐摩耗性を上昇させ、切削
工具材を得るために好適な方法である。
目的物として六ホウ化物を用い、高輝度熱電子放射材料
である単結晶六ホウ化物を得るために好適な方法である
。
である単結晶六ホウ化物を得るために好適な方法である
。
２種以上のセラミックスを基板として用い、目的物とし
て酸化物を用いることにより、インサート材を挿入する
ことなしにセラミックスを適合するために好適な方法で
ある。
て酸化物を用いることにより、インサート材を挿入する
ことなしにセラミックスを適合するために好適な方法で
ある。
薄膜製造法には、（１）真空蒸着法、（２）スパッタ法
、（３）化学蒸着法、（４）エピタキシー法などがあり
、それぞれ高融点物質のＭ膜作成に使用されているが、
これらの方法は、一度溶解あるいは焼結した蒸発源や揮
発性塩を必要とするため、粉末あるいは粒状の原料をそ
のまま蒸発源として使用することは不可能であり、真空
蒸着では２０００℃以上の融点をもつ化合物の蒸着は困
難である。しかし赤外線を用いれば、上記形状の原料を
混合し。
、（３）化学蒸着法、（４）エピタキシー法などがあり
、それぞれ高融点物質のＭ膜作成に使用されているが、
これらの方法は、一度溶解あるいは焼結した蒸発源や揮
発性塩を必要とするため、粉末あるいは粒状の原料をそ
のまま蒸発源として使用することは不可能であり、真空
蒸着では２０００℃以上の融点をもつ化合物の蒸着は困
難である。しかし赤外線を用いれば、上記形状の原料を
混合し。
そのまま蒸発源として用することができる。従来の赤外
線を用いた加熱装置は特公昭５９−６１７５に記載のよ
うにアークイメージ炉の光熱量を集中照射して目的物を
加熱溶融させた後、加熱を止め、該目的物を水冷鋼基盤
との接触により急冷することを特徴とするアークイメー
ジ炉を用いた加熱後目的物急冷法となっていた。しかし
光熱線を用いて目的物を蒸発させる点については配慮さ
れていなかった。
線を用いた加熱装置は特公昭５９−６１７５に記載のよ
うにアークイメージ炉の光熱量を集中照射して目的物を
加熱溶融させた後、加熱を止め、該目的物を水冷鋼基盤
との接触により急冷することを特徴とするアークイメー
ジ炉を用いた加熱後目的物急冷法となっていた。しかし
光熱線を用いて目的物を蒸発させる点については配慮さ
れていなかった。
本発明の目的は、焼結体などの蒸発兼材料を用いること
なく、原材料のまま赤外線により加熱蒸発させ、無機化
合物特に高融点化合物の蒸着膜を得る方法を提供するこ
とである。
なく、原材料のまま赤外線により加熱蒸発させ、無機化
合物特に高融点化合物の蒸着膜を得る方法を提供するこ
とである。
〔発明の概要〕
本発明は、第１図に示す水冷銅板８上に目的物３を置き
、目的物の上約５〜３ｏｌに支持板１゜で固定した蒸着
基板４を耐熱ガラスドーム５で密閉し、不活性ガスラン
プ１から発生する赤外線を曲面鏡２を用いて反射、集光
させて目的物３を加熱蒸発させ、蒸着基板４に目的物３
を付着させることにより、薄膜を作製することを特徴と
する赤外線を用いた蒸着膜作製方法である。
、目的物の上約５〜３ｏｌに支持板１゜で固定した蒸着
基板４を耐熱ガラスドーム５で密閉し、不活性ガスラン
プ１から発生する赤外線を曲面鏡２を用いて反射、集光
させて目的物３を加熱蒸発させ、蒸着基板４に目的物３
を付着させることにより、薄膜を作製することを特徴と
する赤外線を用いた蒸着膜作製方法である。
２０００℃以上の高融点化合物を溶解蒸発させて薄膜を
作製することは従来技術ではほとんど不可能である。し
かし直接加熱方式でしかも熱源部が蒸発源の蒸発により
全く損傷されない赤外線加熱方式を高融点化合物蒸着膜
に適用できる。
作製することは従来技術ではほとんど不可能である。し
かし直接加熱方式でしかも熱源部が蒸発源の蒸発により
全く損傷されない赤外線加熱方式を高融点化合物蒸着膜
に適用できる。
高融点化合物の沸点は約３５００〜４０００に及ぶもの
があり、希ガスランプ、例えばキセノンランプを用いれ
ば、最高約３５００ Ｋまで加熱することが可能であり
、ＡＱｚ○３やＣｒ２０ａ、 Ｍｏ Ｓ ｉｚ、 Ｍｎ
＋Ｂ＋ＴｉｚＢ、ＶＮなとの酸化物、ケイ化物、ホウ化
物、窒化物を蒸発させ、基板に蒸着した薄膜を容易に作
製することが可能である。
があり、希ガスランプ、例えばキセノンランプを用いれ
ば、最高約３５００ Ｋまで加熱することが可能であり
、ＡＱｚ○３やＣｒ２０ａ、 Ｍｏ Ｓ ｉｚ、 Ｍｎ
＋Ｂ＋ＴｉｚＢ、ＶＮなとの酸化物、ケイ化物、ホウ化
物、窒化物を蒸発させ、基板に蒸着した薄膜を容易に作
製することが可能である。
キセノンランプから発光する１５０〜６０００ ｎ ｍ
の光を曲面鏡２の曲面鏡で反射させ、目的物３を可変板
９で光の焦点位置に一致させる。目的物３を最高約３５
００ Ｋまで加熱されるため、目的物３を高熱伝導性の
銅板上に置き、さらにその銅板を送水管１で水冷するこ
とによって目的物３と銅板の反応や銅板の溶解を防止し
目的物３を高湿まで光の焦点位置に一致させることがで
きる。
の光を曲面鏡２の曲面鏡で反射させ、目的物３を可変板
９で光の焦点位置に一致させる。目的物３を最高約３５
００ Ｋまで加熱されるため、目的物３を高熱伝導性の
銅板上に置き、さらにその銅板を送水管１で水冷するこ
とによって目的物３と銅板の反応や銅板の溶解を防止し
目的物３を高湿まで光の焦点位置に一致させることがで
きる。
沸点が最高約３５００ Ｋの高融点化合物を蒸発させる
ための赤外線が目的物３を高熱効率、高強度で加熱する
には、基板と目的物や水冷銅板を密閉する密閉ドームを
耐熱ガラスを用いて赤外線を高効率で透過させて熱効率
を高めた。また目的物３を加熱する赤外線の強度を高め
るために、蒸着基板４として赤外線鏡過性のある酸化物
、窒化物、ケイ化物、ホウ化物などが有効であり、耐熱
ガラスドーム中をガス排気管６でガスを排気して真空雰
囲気中で蒸着する。
ための赤外線が目的物３を高熱効率、高強度で加熱する
には、基板と目的物や水冷銅板を密閉する密閉ドームを
耐熱ガラスを用いて赤外線を高効率で透過させて熱効率
を高めた。また目的物３を加熱する赤外線の強度を高め
るために、蒸着基板４として赤外線鏡過性のある酸化物
、窒化物、ケイ化物、ホウ化物などが有効であり、耐熱
ガラスドーム中をガス排気管６でガスを排気して真空雰
囲気中で蒸着する。
目的物としてＬａＢ５．ＣｅＢ６．ＮｄＢｅ。
ＳｍＢｅなどの六ホウ化物を真空度約１０″″Ｂ〜Ｌ
０−７Ｔｏｒｒの真空雰囲気で上記赤外線を用いて加熱
蒸発させ、厚さ約０．１〜１００ μｍの六ホウ化物
薄膜を作製した。また蒸着基板４として単結晶内ポウ化
物を用いＬ記のように六ホウ化物を蒸着させ、厚さ約０
．１μｍ〜１ ｍのｍ結晶六ホウ化物薄膜を作製した。
０−７Ｔｏｒｒの真空雰囲気で上記赤外線を用いて加熱
蒸発させ、厚さ約０．１〜１００ μｍの六ホウ化物
薄膜を作製した。また蒸着基板４として単結晶内ポウ化
物を用いＬ記のように六ホウ化物を蒸着させ、厚さ約０
．１μｍ〜１ ｍのｍ結晶六ホウ化物薄膜を作製した。
この単結晶内ホウ化物薄膜の結晶方位は、蒸着基板４に
置いた単結晶内ホウ化物の結晶方位に強く依存し、蒸着
基板４が（１００）であるならば、蒸着膜も（１００＞
に成長する。また上記方法で作製した単結晶ホウ化物は
ｔｏｏｏ℃の熱電子放射特性として放射電流密度が約１
〜ｌｏ２ （ＫＡ／ｒｒｆ）であり、気相反応やフラッ
クス法で作製した六ホウ化物熱電子放射材料よりも高い
放射電流密度を示す。
置いた単結晶内ホウ化物の結晶方位に強く依存し、蒸着
基板４が（１００）であるならば、蒸着膜も（１００＞
に成長する。また上記方法で作製した単結晶ホウ化物は
ｔｏｏｏ℃の熱電子放射特性として放射電流密度が約１
〜ｌｏ２ （ＫＡ／ｒｒｆ）であり、気相反応やフラッ
クス法で作製した六ホウ化物熱電子放射材料よりも高い
放射電流密度を示す。
セラミックスなどの高融点化合物を接合するために、上
記方法の一部を改良し、水冷鋼板８にガス送入管を付け
、目的物３を蒸着基板４の接合部付近に集中して蒸着で
きる。送入するガスはＡｒ等の不活性ガスであり、不活
性ガス流量を調節し、目的物３の蒸気を蒸着基板４の接
合部に集中させ不活性ガスをガス排気管で排気させる。
記方法の一部を改良し、水冷鋼板８にガス送入管を付け
、目的物３を蒸着基板４の接合部付近に集中して蒸着で
きる。送入するガスはＡｒ等の不活性ガスであり、不活
性ガス流量を調節し、目的物３の蒸気を蒸着基板４の接
合部に集中させ不活性ガスをガス排気管で排気させる。
蒸着基板４としてＭｇＯ，ＡＱｘＯｓ、ＳｉＯ２等ノセ
ラミックスのうち２種を支持板上で固定、接触させ、接
触面を接合させるために、目的物３の位置の真上でセラ
ミックスを接触させる。目的物３としてＢｚＯａ、Ｐｂ
Ｏ，Ｃａｂ、ＭｇＯ，Ａｆ１２０ａ等の酸化物を用いて
、酸化物の蒸気を蒸着基板４の接合部に蒸着させてセラ
ミックスを接合する。蒸着基板４として用いるセラミッ
クスの厚さは最大約２〜３ｍまで接合することが可能で
ある。接合のための目的物３として酸化物を用い、セラ
ミックスとの熱膨張係数が接合部では°とんど変化しな
いため、接合に伴うクラックが発生せず、熱疲労や耐熱
性、耐食性も接合によって低下しない。
ラミックスのうち２種を支持板上で固定、接触させ、接
触面を接合させるために、目的物３の位置の真上でセラ
ミックスを接触させる。目的物３としてＢｚＯａ、Ｐｂ
Ｏ，Ｃａｂ、ＭｇＯ，Ａｆ１２０ａ等の酸化物を用いて
、酸化物の蒸気を蒸着基板４の接合部に蒸着させてセラ
ミックスを接合する。蒸着基板４として用いるセラミッ
クスの厚さは最大約２〜３ｍまで接合することが可能で
ある。接合のための目的物３として酸化物を用い、セラ
ミックスとの熱膨張係数が接合部では°とんど変化しな
いため、接合に伴うクラックが発生せず、熱疲労や耐熱
性、耐食性も接合によって低下しない。
本発明の一実施例を第１図により説明する。キセノンラ
ンプなどの不活性ガスランプ１から発生する波長７５０
〜６０００ｎｍの光を曲面鏡２で反射させ目的物３付近
に結像する。目的物３は最高約３５００ Ｋに達するた
め熱伝導性の高い銅板を送水管７で水冷し、その上に目
的物３を置く。赤外線の結像位置を目的物３の位置に一
致させるために水冷銅板と共に移動する耐熱ガラスドー
ム５の位置を可変板９で正確にＷｓ整し、検分線の結像
位置と目的物３の位置の差をｌｎａ以内にする。水冷銅
板８上に耐熱ガラスドーム５をパツキンを介してねじ締
めにし、目的物３の直上に蒸着基板４を支持板１０上に
設置する。ドーム内を高真空（１０−’〜１Ｏ−７）に
保つためガス管６を用いてドーム内の空気を排気する０
次に不活性ガスランプの電源を入れ、赤外線を発生させ
、目的物３付近に赤外線ガスポット（直径約１〜２０ｍ
）を作り、目的物３は溶解蒸発し、蒸着基板４に付着す
る。蒸着速度は、赤外線の波長とスポットの大きさ、曲
面１ｅｔ２やドームの位置によって調節することができ
る。
ンプなどの不活性ガスランプ１から発生する波長７５０
〜６０００ｎｍの光を曲面鏡２で反射させ目的物３付近
に結像する。目的物３は最高約３５００ Ｋに達するた
め熱伝導性の高い銅板を送水管７で水冷し、その上に目
的物３を置く。赤外線の結像位置を目的物３の位置に一
致させるために水冷銅板と共に移動する耐熱ガラスドー
ム５の位置を可変板９で正確にＷｓ整し、検分線の結像
位置と目的物３の位置の差をｌｎａ以内にする。水冷銅
板８上に耐熱ガラスドーム５をパツキンを介してねじ締
めにし、目的物３の直上に蒸着基板４を支持板１０上に
設置する。ドーム内を高真空（１０−’〜１Ｏ−７）に
保つためガス管６を用いてドーム内の空気を排気する０
次に不活性ガスランプの電源を入れ、赤外線を発生させ
、目的物３付近に赤外線ガスポット（直径約１〜２０ｍ
）を作り、目的物３は溶解蒸発し、蒸着基板４に付着す
る。蒸着速度は、赤外線の波長とスポットの大きさ、曲
面１ｅｔ２やドームの位置によって調節することができ
る。
本実施例では、目的物３として、粒状のホウ素と粉状、
粒状のＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｐｒ。
粒状のＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｆｕ、Ｙｂを１：６の原子比でそれぞれ混
合して水冷銅板８上に置き、赤外線のスポットが目的物
３の位置に一致するように、曲面鏡２、ドームの位置を
調節し、ｌＸ１０−ｓ〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中でス
ポットの大きさを調節しながら目的物３を加熱蒸発した
。Ａ Ｄ、 ２０３． Ｓ ｉ Ｏｚ ＋ＡＱＮ、Ｔｉ
Ｂｚ＊ ＺｒＢｚ＋ ＳｉＣなどの蒸着基板４に厚さ０
．１〜１００μｍの六ホウ化物蒸着膜を作製した。また
蒸着基板４として単結晶内ホウ化物０”１さ約ｌａｍ）
を用いて上記のように六ホウ化物を加熱蒸発させ、蒸着
基板４に厚さ０．１μｍ〜Ｉｍの単結晶内ホウ化物を蒸
着させた。これらの単結晶内ホウ化物は、１０−Ｂ〜１
０−７Ｔｏｒｒの高真空中で生成するため不純物の混入
が少なく、熱電子放射特性である熱電子放射電流密度が
高い。
合して水冷銅板８上に置き、赤外線のスポットが目的物
３の位置に一致するように、曲面鏡２、ドームの位置を
調節し、ｌＸ１０−ｓ〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中でス
ポットの大きさを調節しながら目的物３を加熱蒸発した
。Ａ Ｄ、 ２０３． Ｓ ｉ Ｏｚ ＋ＡＱＮ、Ｔｉ
Ｂｚ＊ ＺｒＢｚ＋ ＳｉＣなどの蒸着基板４に厚さ０
．１〜１００μｍの六ホウ化物蒸着膜を作製した。また
蒸着基板４として単結晶内ホウ化物０”１さ約ｌａｍ）
を用いて上記のように六ホウ化物を加熱蒸発させ、蒸着
基板４に厚さ０．１μｍ〜Ｉｍの単結晶内ホウ化物を蒸
着させた。これらの単結晶内ホウ化物は、１０−Ｂ〜１
０−７Ｔｏｒｒの高真空中で生成するため不純物の混入
が少なく、熱電子放射特性である熱電子放射電流密度が
高い。
第２図１１はＭ ｇ Ｏｓ Ａ ＱｘＯｓ、 Ｓ ｉ
０１２等のセラミックスのうち２種を接合することに用
いる蒸着装置の説明図である。赤外線の結像方法等、光
学系は、前記実施例と同じであるが、目的物の蒸気を蒸
着基板４の接合部に効率よく向けるために水冷銅板８に
ガス送入管１１を付はガス排気管６を目的物３と蒸着基
板４の接合部の直上にした。
０１２等のセラミックスのうち２種を接合することに用
いる蒸着装置の説明図である。赤外線の結像方法等、光
学系は、前記実施例と同じであるが、目的物の蒸気を蒸
着基板４の接合部に効率よく向けるために水冷銅板８に
ガス送入管１１を付はガス排気管６を目的物３と蒸着基
板４の接合部の直上にした。
目的物３としてセラミックスと等しい化合物系であるＢ
２０ａ、ＰｂＯ，Ｃａ○＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ＡＱ２０ｓ等
の酸化物を用いて、酸化物の蒸気をガス送入管から同時
に流すＡｒＮ２等の不活性ガスと共にセラミックスの接
合部に向かって−１−昇させ。
２０ａ、ＰｂＯ，Ｃａ○＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ＡＱ２０ｓ等
の酸化物を用いて、酸化物の蒸気をガス送入管から同時
に流すＡｒＮ２等の不活性ガスと共にセラミックスの接
合部に向かって−１−昇させ。
蒸着させろ。蒸着速度は前実施例と同様な方法で調整可
能であるが、ガス送入管から送入する不活性ガスの流量
に大きく依存する。蒸着基板４の接合部では目的物３の
蒸気が約１〜Ｌ、５ ｒｒｎまで侵入するためのセラミ
ックスの接合可能な厚さ番±最大約２〜３Ｉである。セ
ラミックス接合部の酸化物侵入深さも不活性ガス流量に
大きく依存する。
能であるが、ガス送入管から送入する不活性ガスの流量
に大きく依存する。蒸着基板４の接合部では目的物３の
蒸気が約１〜Ｌ、５ ｒｒｎまで侵入するためのセラミ
ックスの接合可能な厚さ番±最大約２〜３Ｉである。セ
ラミックス接合部の酸化物侵入深さも不活性ガス流量に
大きく依存する。
蒸着基板４であるセラミックスと接合部に蒸着する酸化
物は、熱膨張係数、耐食性、耐熱性、クリープ特性が類
似しているため、金属をインサートした接合法によりも
セラミックスの諸特性を低下させることなく接合するこ
とが可能である１本方法は、厚さ約３ｍｍ以下のセラミ
ックス薄板の接合に好適であり、特にセラミックス接合
部の接合に適している。
物は、熱膨張係数、耐食性、耐熱性、クリープ特性が類
似しているため、金属をインサートした接合法によりも
セラミックスの諸特性を低下させることなく接合するこ
とが可能である１本方法は、厚さ約３ｍｍ以下のセラミ
ックス薄板の接合に好適であり、特にセラミックス接合
部の接合に適している。
本発明によれば、粉末あるいは粒状の高融点原料を加工
や熱処理なしに直接加熱蒸発させ、均一な膜厚の薄膜を
作製することが可能であり、熱源として赤外線を使用す
るため、熱源による薄膜の汚染がなく、高融点化合物の
簿膜作製に有効な方法である。赤外線を用いた蒸着膜作
製法を用いて１１、ａＢｅ、Ｎｄ ＢＢ、ＳｍＢｌＩな
どの六ホウ化物薄膜や六ホウ化物単結晶を作製しフラッ
クス法や粉末法により熱電子放射電流密度が高くその値
はＬａＢ５単結晶で１ （ＫＡ／ｍ） （１０００℃
）に達した。これらの六ホウ化物ｍ結晶は、効率の悪い
フラックス法を用いて製造され、電子顕微鏡などの熱電
子放射材料に利用されているが１本発明の方法を用いれ
ば、生産性、製造効率が高く、高輝度の熱電子放射材料
を作製することが可能である。
や熱処理なしに直接加熱蒸発させ、均一な膜厚の薄膜を
作製することが可能であり、熱源として赤外線を使用す
るため、熱源による薄膜の汚染がなく、高融点化合物の
簿膜作製に有効な方法である。赤外線を用いた蒸着膜作
製法を用いて１１、ａＢｅ、Ｎｄ ＢＢ、ＳｍＢｌＩな
どの六ホウ化物薄膜や六ホウ化物単結晶を作製しフラッ
クス法や粉末法により熱電子放射電流密度が高くその値
はＬａＢ５単結晶で１ （ＫＡ／ｍ） （１０００℃
）に達した。これらの六ホウ化物ｍ結晶は、効率の悪い
フラックス法を用いて製造され、電子顕微鏡などの熱電
子放射材料に利用されているが１本発明の方法を用いれ
ば、生産性、製造効率が高く、高輝度の熱電子放射材料
を作製することが可能である。
赤外線を用いた蒸着膜作製法を用いてＭｇＯ。
Ａ Ｑ ２０Ｍ、 Ｓ ｉ○２等のセラミックスを金屑
等のインサート材を使用せずに容易に接合し、接合後も
接合部の影響によるセラミックスの特性が低下しないの
でセラミックス薄板の精密接合に適している。
等のインサート材を使用せずに容易に接合し、接合後も
接合部の影響によるセラミックスの特性が低下しないの
でセラミックス薄板の精密接合に適している。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の赤外線を用いた蒸着
膜作製法を実施する装置の説明図である。 】・・・不活性ガスランプ、３・・・目的物、４・・・
蒸着基板。 ２−゛
膜作製法を実施する装置の説明図である。 】・・・不活性ガスランプ、３・・・目的物、４・・・
蒸着基板。 ２−゛
Claims (1)
- １、水冷銅基板上に置いた目的物と基板を耐熱ガラスで
密閉し、前記目的物に赤外線を集中照射して加熱蒸発さ
せ、基板に付着させることにより、薄膜を作製すること
を特徴とする赤外線を用いた蒸着膜作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25657485A JPS62116765A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 赤外線を用いた蒸着膜作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25657485A JPS62116765A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 赤外線を用いた蒸着膜作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116765A true JPS62116765A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17294528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25657485A Pending JPS62116765A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 赤外線を用いた蒸着膜作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62116765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336109A (ja) * | 2006-06-22 | 2006-12-14 | Toppan Printing Co Ltd | 防汚性薄膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25657485A patent/JPS62116765A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336109A (ja) * | 2006-06-22 | 2006-12-14 | Toppan Printing Co Ltd | 防汚性薄膜の形成方法 |
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