JPS6211522B2 - - Google Patents
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- JPS6211522B2 JPS6211522B2 JP263779A JP263779A JPS6211522B2 JP S6211522 B2 JPS6211522 B2 JP S6211522B2 JP 263779 A JP263779 A JP 263779A JP 263779 A JP263779 A JP 263779A JP S6211522 B2 JPS6211522 B2 JP S6211522B2
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- Japan
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- ultra
- high frequency
- elements
- circuit
- characteristic impedance
- Prior art date
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高周波半導体装置用バイアス給電回
路に関し、特に複数の超高周波高出力素子を並列
動作させる超高周波高出力半導体装置用バイアス
給電回路に関する。
路に関し、特に複数の超高周波高出力素子を並列
動作させる超高周波高出力半導体装置用バイアス
給電回路に関する。
複数の超高周波高出力素子の出力を合成する場
合にはウイルキンソン型等の電力分配合成器ある
いは3dB方向性結合器等がよく用いられる。この
場合二素子の出力を合成する場合ならまだしも三
素子以上の出力合成を行なう場合、最外側に配置
された二つの素子以外の素子はそれより外側に配
置された素子の主線路により平面的に装置外部と
隔絶されている。このため特に３素子以上の出力
合成の場合には超高周波回路自体は平面回路であ
つてもバイアス給電回路は立体構造をとつてお
り、したがつて装置構成が複雑となる欠点があつ
た。
合にはウイルキンソン型等の電力分配合成器ある
いは3dB方向性結合器等がよく用いられる。この
場合二素子の出力を合成する場合ならまだしも三
素子以上の出力合成を行なう場合、最外側に配置
された二つの素子以外の素子はそれより外側に配
置された素子の主線路により平面的に装置外部と
隔絶されている。このため特に３素子以上の出力
合成の場合には超高周波回路自体は平面回路であ
つてもバイアス給電回路は立体構造をとつてお
り、したがつて装置構成が複雑となる欠点があつ
た。
本発明の目的は、前記欠点を除去せしめた、平
面構成の複数並列素子用バイアス給電回路を提供
することにある。
面構成の複数並列素子用バイアス給電回路を提供
することにある。
本発明によれば、複数の超高周波半導体素子を
並列動作させる超高周波半導体装置において、各
素子回路の主線路間が主線路特性インピーダンス
に比べて高い特性インピーダンスの1/2波長線路
（または動作超高周波帯において充分高いインピ
ーダンスを持つ導体細線あるいは線輪）により接
続され、該1/2波長線路（または導体細線あるい
は線輪）の中央部が超高周波容量素子により超高
周波的に短絡接地されていることを特徴とする超
高周波半導体装置用バイアス給電回路が得られ
る。
並列動作させる超高周波半導体装置において、各
素子回路の主線路間が主線路特性インピーダンス
に比べて高い特性インピーダンスの1/2波長線路
（または動作超高周波帯において充分高いインピ
ーダンスを持つ導体細線あるいは線輪）により接
続され、該1/2波長線路（または導体細線あるい
は線輪）の中央部が超高周波容量素子により超高
周波的に短絡接地されていることを特徴とする超
高周波半導体装置用バイアス給電回路が得られ
る。
以下、本発明を図面を用いて詳述する。
第１図および第２図は本発明の実施例を示し、
それぞれａは平面図、ｂは正面図である。第１図
において、３つの超高周波半導体素子に接続され
る50Ωマイクロストリツプ線路から成るバイアス
給電回路端子を兼ねた超高周波伝送回路１，２お
よび３はそれぞれ直流ブロツク用の超高周波容量
素子１３，１４および１５を経て、電力合成器等
に接続されるべき同じく50Ωマイクロストリツプ
線路から成る超高周波伝送回路４，５および６に
接続され、前記バイアス給電回路端子を兼ねた超
高周波伝送線路１および２の間は特性インピーダ
ンス90Ωの1/2波長線路８により継がり、線路８
の中央部１０とビス２１によつて接地がとれてい
る接地電極１９は超高周波短絡接地用容量素子１
６によつて接続され、前記バイアス給電回路端子
を兼ねた超高周波伝送線路２および３の間は特性
インピーダンス90Ωの1/2波長線路９により継が
り、線路９の中央部１１はビス２１により接地が
とれている接地面２０と超高周波短絡接地用容量
素子１７で接続されている。さらにバイアス給電
端子１は、ビス２１により接地がとれている接地
面１８に一方の端子を接続する超高周波接地用容
量素子１２の他端２５に継がるべき特性インピー
ダンス90Ωの1/4波長線路７を備え、該超高周波
容量素子の端子２５は外部からの直流バイアス受
電用の導線２２を備えている。２３は誘電体基板
であり、２４は接地面である。
それぞれａは平面図、ｂは正面図である。第１図
において、３つの超高周波半導体素子に接続され
る50Ωマイクロストリツプ線路から成るバイアス
給電回路端子を兼ねた超高周波伝送回路１，２お
よび３はそれぞれ直流ブロツク用の超高周波容量
素子１３，１４および１５を経て、電力合成器等
に接続されるべき同じく50Ωマイクロストリツプ
線路から成る超高周波伝送回路４，５および６に
接続され、前記バイアス給電回路端子を兼ねた超
高周波伝送線路１および２の間は特性インピーダ
ンス90Ωの1/2波長線路８により継がり、線路８
の中央部１０とビス２１によつて接地がとれてい
る接地電極１９は超高周波短絡接地用容量素子１
６によつて接続され、前記バイアス給電回路端子
を兼ねた超高周波伝送線路２および３の間は特性
インピーダンス90Ωの1/2波長線路９により継が
り、線路９の中央部１１はビス２１により接地が
とれている接地面２０と超高周波短絡接地用容量
素子１７で接続されている。さらにバイアス給電
端子１は、ビス２１により接地がとれている接地
面１８に一方の端子を接続する超高周波接地用容
量素子１２の他端２５に継がるべき特性インピー
ダンス90Ωの1/4波長線路７を備え、該超高周波
容量素子の端子２５は外部からの直流バイアス受
電用の導線２２を備えている。２３は誘電体基板
であり、２４は接地面である。
第２図は第１図実施例のバイアス給電回路の90
Ω特性インピーダンス線路部を超高周波帯で高い
インピーダンスを持つ導体細線３３，３４，３
５，３６および３７に置き換えたバイアス給電回
路を示す図であり、他の参照番号は第１図と同じ
である。
Ω特性インピーダンス線路部を超高周波帯で高い
インピーダンスを持つ導体細線３３，３４，３
５，３６および３７に置き換えたバイアス給電回
路を示す図であり、他の参照番号は第１図と同じ
である。
このような本発明によれば複数の超高周波帯主
線路が超高周波的には互いに独立で、かつ直流的
には接続されている超高周波バイアス給電回路が
平面構成で実現でき、超高周波高出力多素子並列
増幅器等の半導体装置においてその効果は顕著に
なる。
線路が超高周波的には互いに独立で、かつ直流的
には接続されている超高周波バイアス給電回路が
平面構成で実現でき、超高周波高出力多素子並列
増幅器等の半導体装置においてその効果は顕著に
なる。
なお、本実施例では三超高周波高出力半導体素
子に対する平面構成バイアス給電回路を説明した
が複数超高周波半導体素子数は三個に限らずいく
つでもよく、また複数個の超高周波半導体素子を
グループ分けし、個々のグループに対して本発明
を適用することも可能である。
子に対する平面構成バイアス給電回路を説明した
が複数超高周波半導体素子数は三個に限らずいく
つでもよく、また複数個の超高周波半導体素子を
グループ分けし、個々のグループに対して本発明
を適用することも可能である。
第１図および第２図は本発明の実施例を示し、
１，２，３，４，５および６は50Ωマイクロスト
リツプ線路、７は90Ω1/4波長マイクロストリツ
プ線路、８および９は1/2波長マイクロストリツ
プ線路、１２，１３，１４，１５，１６および１
７は超高周波容量素子、１８，１９，２０および
２４は接地面、２１はビス、２２は受電用導線、
２３は誘電体、３３，３４，３５，３６および３
７は導線である。
１，２，３，４，５および６は50Ωマイクロスト
リツプ線路、７は90Ω1/4波長マイクロストリツ
プ線路、８および９は1/2波長マイクロストリツ
プ線路、１２，１３，１４，１５，１６および１
７は超高周波容量素子、１８，１９，２０および
２４は接地面、２１はビス、２２は受電用導線、
２３は誘電体、３３，３４，３５，３６および３
７は導線である。
Claims (1)
- １ 複数の超高周波高出力半導体素子を並列動作
させる超高周波半導体装置において、各素子回路
の主線路間が主線路特性インピーダンスに比べて
高い特性インピーダンスの1/2波長線路または動
作超高周波帯で充分高いインピーダンスを持つ導
体細線あるいは線輪により接続され、前記1/2波
長線路または前記導体細線あるいは線輪の中央部
が超高周波用容量素子により超高周波的に短絡接
地されていることを特徴とする超高周波半導体装
置用バイアス給電回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP263779A JPS5595347A (en) | 1979-01-12 | 1979-01-12 | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP263779A JPS5595347A (en) | 1979-01-12 | 1979-01-12 | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5595347A JPS5595347A (en) | 1980-07-19 |
| JPS6211522B2 true JPS6211522B2 (ja) | 1987-03-13 |
Family
ID=11534889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP263779A Granted JPS5595347A (en) | 1979-01-12 | 1979-01-12 | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5595347A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160201A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 交差回路 |
| JPH04135002U (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-16 | 株式会社東芝 | マイクロストリツプ線路形横断回路 |
| JP2996906B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2000-01-11 | 株式会社東芝 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
-
1979
- 1979-01-12 JP JP263779A patent/JPS5595347A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5595347A (en) | 1980-07-19 |
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