JPS62112778A - 真空装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、イオンミリング装置、スパッタ装置等のよう
Ｅこ真空槽中で加工を行う真空装置に関する。

〔発明の背景〕

１例として、イオンミリング装置Ｅこついて説明する。

従来のイオンミリング装置は、真空槽内壁及び内部機構
の表面が滑らかＥこ仕上げられている。

このため、イオンミリングされた物質が真空槽内壁や内
部機構の表面にスパッタされ、ある厚さになると自然剥
離し、異物源となって欠陥製品が生産されるという問題
点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、異物の発生を防止することができる真
空装置を提供することｆこある。

〔発明の概要〕

真空槽内部はサンドブラスト加工されている。

これにより、装置内部ｌこ付着する異物の剥離は抑えら
れ、薄膜作成中やエツチング中等における発塵が防止さ
れる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図はイオンミリング装置を示す。真空槽１の内壁、ウェ
ハホルダ２、アノード３等はすべてサンドブラスト加工
され、表面が荒く形成されている。なお、４はカンード
、５はグリッドを示す。

第２図はイオンミリング装置の使用時間と真空槽！内壁
に付着した異物層の厚さく異物付着量）及び付着せずｌ
こ散乱している異物との関係で、Ｖ−ザーダストモニタ
ーによって調べた結果を示す。

図中、Ａはステンレスの地肌である未サンドブラストの
場合を、Ｂは真空槽内壁に＃１８０のサンドブラスト加
工を行った場合を示す。

図より明らかなように、Ａで示す未サンドブラストの場
合は、４時間までは比較的ゆるやかな直線で増えるが、
５時間の使用ｌこよって急激に増え、その後は急な直線
で増加する。これｔこ対し、Ｂで示すサンドブラストを
施したものは、長時間使用しても異物はわずかじか発生
しない。

第３図はサンドブラスト面荒さと５時間イオンミリング
した後の剥離する異物層との関係を示す。

サンドブラスト荒さ＃１０００以下では、剥離異物は層
となって剥離せず、＃５００以下ではサンドブラスト面
からの異物は検出されなく、＃５００〜＃８００で部分
的に剥離する異物が認められた。

第４図はスパッタ装置を示す。本装置の場合も、真空ｐ
Ｎ６の内壁、ウェハホルダ７、ターゲット８にサンドブ
ラスト加工を施すことにより、前記実施例と同様の効果
が得られる。

このように、真空槽内壁及び内部機構をサンドブラスト
加工すると、スパッタされる表面積が大きくなるので、
自然剥離までの許容量が増す。また表面が荒れているの
で、その上１こスパッタされた物質が容易ｆこ剥離しな
いようになる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなよう（こ、本発明ｌこよれば、
異物の発生が防止されるので、異物による欠陥製品が低
減する。

【図面の簡単な説明】

第１図はイオンミリング装置の断面図、第２図はイオン
ミリング装置の使用時間と異物発生量との関係図、第３
図はサンドブラスト面荒ささ５時間イオンミリングした
後の剥離する異物層の厚さとの関係図、嬉４図はスパッ
タ装置の断面図である。 １・・・真空槽、　　　　　２・・・ウェハホルダ、３
・・・γノード、　　　　　４・・・カソード、５・・
・グリッド、　　　　６・・・真空槽、７・・・ウェハ
ホルダ、　　　８・・・ターゲット。 ヒ コ ；橿（財）？中

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空槽内部にサンドブラスト加工を施したことを特徴と
   する真空装置。