JP2768980B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2768980B2 JP2768980B2 JP15287589A JP15287589A JP2768980B2 JP 2768980 B2 JP2768980 B2 JP 2768980B2 JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP 2768980 B2 JP2768980 B2 JP 2768980B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 半導体装置の製造工程におけるスパッタリング方法に
関し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲ
ットからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防
止することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー
内でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパ
ーティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空
チャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに
供するように構成する。
関し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲ
ットからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防
止することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー
内でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパ
ーティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空
チャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに
供するように構成する。
［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置の製造工程におけるスパッタリ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
半導体装置の製造工程では基板上に金属薄膜を形成す
るための一工程としてスパッタリング工程がある。近年
の半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング
工程での基板に対するパーティクルの付着を抑制するこ
とが要請されている。
るための一工程としてスパッタリング工程がある。近年
の半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング
工程での基板に対するパーティクルの付着を抑制するこ
とが要請されている。
［従来の技術］ スパッタリング装置で使用する金属ターゲットはその
製造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて
所定の面粗度で面一に形成されている。スパッタリング
装置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極と
し、金属薄膜を形成する半導体基板を陽極として両極間
に電圧を印加することにより金属ターゲットから原子を
たたき出して半導体基板上に金属薄膜を形成している。
製造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて
所定の面粗度で面一に形成されている。スパッタリング
装置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極と
し、金属薄膜を形成する半導体基板を陽極として両極間
に電圧を印加することにより金属ターゲットから原子を
たたき出して半導体基板上に金属薄膜を形成している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなスパッタリング方法では新品のターゲッ
トをスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加
すると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲッ
ト表面にカケが発生する。すなわち、新品のターゲット
には機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末
が同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、こ
の微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパ
ッタリングによりたたき出される原子より大きいパーテ
ィクルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積した
り、チャンバー内壁に付着したりする。
トをスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加
すると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲッ
ト表面にカケが発生する。すなわち、新品のターゲット
には機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末
が同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、こ
の微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパ
ッタリングによりたたき出される原子より大きいパーテ
ィクルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積した
り、チャンバー内壁に付着したりする。
このようなパーティクルはモリブデンシリサイド、タ
ングステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイ
ド系のターゲットにおいて特に発生し易い。そして、こ
のようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の
搬入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に
同チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板
から形成される半導体装置の歩留りが低下するという問
題点がある。
ングステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイ
ド系のターゲットにおいて特に発生し易い。そして、こ
のようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の
搬入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に
同チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板
から形成される半導体装置の歩留りが低下するという問
題点がある。
このように新品ターゲットから発生するパーティクル
は、第４図に示すようにスパッタリング処理する基板枚
数が増加するにつれて減少するが、基板１枚当たりに発
生するパーティクルの数が一定の許容値Ｓに収束するの
は、ほぼ200枚の基板を処理した後である。従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる。
は、第４図に示すようにスパッタリング処理する基板枚
数が増加するにつれて減少するが、基板１枚当たりに発
生するパーティクルの数が一定の許容値Ｓに収束するの
は、ほぼ200枚の基板を処理した後である。従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる。
そこで、新品ターゲットからのパーティクルの発生を
防止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する
電力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴ
ン圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させること
が提案されているが、充分な効果を得ることができない
とともに、スパッタリングのスループットが低下すると
いう問題点がある。
防止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する
電力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴ
ン圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させること
が提案されているが、充分な効果を得ることができない
とともに、スパッタリングのスループットが低下すると
いう問題点がある。
この発明の目的は、半導体装置のスパッタリング工程
において新品ターゲットからのパーティクルの発生によ
る歩留りの低下を防止することにある。
において新品ターゲットからのパーティクルの発生によ
る歩留りの低下を防止することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的は、スパッタリングのターゲットに第一の真
空チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットか
ら発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲット
を第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパ
ッタリングに供することにより達成される。
空チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットか
ら発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲット
を第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパ
ッタリングに供することにより達成される。
［作用］ 新品ターゲットは第二の真空チャンバーでのスパッタ
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない。
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない。
［実施例］ 以下、この発明を具体化した実施例を第１図及び第２
図に従って説明する。
図に従って説明する。
第１図に示す第一の真空チャンバー１は新品ターゲッ
トからパーティクルをあらかじめたたき出すものであ
り、その内部はターゲット２を陰極３に接続した状態で
稀薄なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状
態で陰極４と陽極３間に所定の電圧を印加すると、第一
の真空チャンバー１内にプラズマが発生してターゲット
２表面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される。
この処理は例えば0.5kwの電力と約２時間の時間をかけ
て行なう。
トからパーティクルをあらかじめたたき出すものであ
り、その内部はターゲット２を陰極３に接続した状態で
稀薄なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状
態で陰極４と陽極３間に所定の電圧を印加すると、第一
の真空チャンバー１内にプラズマが発生してターゲット
２表面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される。
この処理は例えば0.5kwの電力と約２時間の時間をかけ
て行なう。
次いで、第一の真空チャンバー１からターゲット２を
取り出し、第２図に示す第二の真空チャンバー５内で陰
極６に接続する。そして、陽極７上に基板８を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー５を前記第一のチャン
バー１と同様にほぼ真空に維持して両極6,7間に所定の
電圧を印加すると、ターゲット２から金属原子がたたき
出されて基板８にその金属薄膜が形成される。
取り出し、第２図に示す第二の真空チャンバー５内で陰
極６に接続する。そして、陽極７上に基板８を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー５を前記第一のチャン
バー１と同様にほぼ真空に維持して両極6,7間に所定の
電圧を印加すると、ターゲット２から金属原子がたたき
出されて基板８にその金属薄膜が形成される。
さて、上記のようなスパッタリング方法によれば新品
のターゲット５は第二の真空チャンバー５によるスパッ
タリング工程に先立って、第一のチャンバー１でパーテ
ィクルとなる研磨粉等があらかじめたたき出されるの
で、第二の真空チャンバー５内ではターゲット５を交換
してもその交換後の基板１枚当たりに発生するパーティ
クルの数は第３図に示すようにスパッタリング処理枚数
に関わらず一定となる。従って、ターゲット５交換直後
にスパッタリング処理する基板８の歩留りが低下するこ
とはない。
のターゲット５は第二の真空チャンバー５によるスパッ
タリング工程に先立って、第一のチャンバー１でパーテ
ィクルとなる研磨粉等があらかじめたたき出されるの
で、第二の真空チャンバー５内ではターゲット５を交換
してもその交換後の基板１枚当たりに発生するパーティ
クルの数は第３図に示すようにスパッタリング処理枚数
に関わらず一定となる。従って、ターゲット５交換直後
にスパッタリング処理する基板８の歩留りが低下するこ
とはない。
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明は半導体装置のスパッ
タリング工程において新品ターゲットからのパーティク
ルの発生による歩留りの低下を防止することができる優
れた効果を発揮する。
タリング工程において新品ターゲットからのパーティク
ルの発生による歩留りの低下を防止することができる優
れた効果を発揮する。
第１図及び第２図はこの発明の実施例を示す真空チャン
バーの概念図、 第３図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、 第４図は従来の新品ターゲットのパーティクル発生推移
を示すグラフ図である。 図中、 １は第一の真空チャンバー ２はターゲット、 ５は第二の真空チャンバー、 ８は基板である。
バーの概念図、 第３図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、 第４図は従来の新品ターゲットのパーティクル発生推移
を示すグラフ図である。 図中、 １は第一の真空チャンバー ２はターゲット、 ５は第二の真空チャンバー、 ８は基板である。
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタリングのターゲットに第一の真空
チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットから
発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを
第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッ
タリングに供することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318020A JPH0318020A (ja) | 1991-01-25 |
| JP2768980B2 true JP2768980B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=15550030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15287589A Expired - Lifetime JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768980B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100398693C (zh) * | 2005-08-11 | 2008-07-02 | 孙卓 | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15287589A patent/JP2768980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318020A (ja) | 1991-01-25 |
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