JPH0318020A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0318020A JPH0318020A JP15287589A JP15287589A JPH0318020A JP H0318020 A JPH0318020 A JP H0318020A JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP H0318020 A JPH0318020 A JP H0318020A
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- Japan
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- vacuum chamber
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- sputtering
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置の製造工程におけるスパッタリング方法に関
し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲッ
トからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防止
することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー内
でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパー
ティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空チ
ャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに供
するように横成する．〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造工程におけるスパッタリン
グ方法に関するものである。
し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲッ
トからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防止
することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー内
でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパー
ティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空チ
ャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに供
するように横成する．〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造工程におけるスパッタリン
グ方法に関するものである。
半導体装置の製造工程では基板上に金ａ薄膜を形戒する
ための一工程としてスパッタリング工程がある．近年の
半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング工
程での基板に対ずるパーディクルの付着を抑制すること
が要請されている。
ための一工程としてスパッタリング工程がある．近年の
半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング工
程での基板に対ずるパーディクルの付着を抑制すること
が要請されている。
［従来の技術］
スパッタリング装置で使用する金属ターゲットはその製
造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて所
定の面粗度で面−に形成されている．スパッタリング装
置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極とし、
金属ｉｎ！を形成する半導体基板を陽極として両極間に
電圧を印加することにより金属ターゲットから原子をた
たき出して半導体基板上に金属薄膜を形戒している．［
発明が解決しようとする課題］ 上記のようなスパッタリング方法では新品のターゲット
をスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加す
ると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲット
表面にカゲが発生する．すなわち、新品のターゲットに
は機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末が
同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、この
微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパッ
タリングによりたたき出される原子より大きいパーティ
クルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積したり、
チャンバー内壁に付着したりする。
造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて所
定の面粗度で面−に形成されている．スパッタリング装
置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極とし、
金属ｉｎ！を形成する半導体基板を陽極として両極間に
電圧を印加することにより金属ターゲットから原子をた
たき出して半導体基板上に金属薄膜を形戒している．［
発明が解決しようとする課題］ 上記のようなスパッタリング方法では新品のターゲット
をスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加す
ると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲット
表面にカゲが発生する．すなわち、新品のターゲットに
は機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末が
同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、この
微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパッ
タリングによりたたき出される原子より大きいパーティ
クルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積したり、
チャンバー内壁に付着したりする。
このようなパーティクルはモリブデンシリサイド、タン
グステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド
系のターゲットにおいて特に発生し易い．そして、この
ようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の搬
入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に同
チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板が
ら形成される半導体装置の歩留りが低下するという問題
点がある． このように新品ターゲットから発生ずるパーティクルは
、第４図に示すようにスパッタリング処理する基板枚数
が増加するにつれて減少するが、基板１枚当たりに発生
するパーティクルの数が一定の許容値Ｓに収束するのは
、ほぼ２００枚の基板を処理した後である．従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる． そこで、新品ターゲットからのパーティクルの発生を防
止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する電
力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴン
圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させることが
提案されているが、充分な効果を得ることができないと
ともに、スパッタリングのスループットが低下するとい
う問題点がある． この発明の目的は、半導体装置のスパッタリング工程に
おいて新品ターゲットからのパーティクルの発生による
歩留りの低下を防止することにある． ［ｆｆ題を解決するための手段］ 上記目的は、スパッタリングのターゲットに第一の真空
チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットから
発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを
第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッ
タリングに供することにより達成される． ［作用］ 新品ターゲットは・第二の真空チャンバーでのスパッタ
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない．［実施例］ 以下、この発明を具体化した実施例を第１図及び第２図
に従って説明する． 第１図に示す第一の真空チャンバー１は新品ターゲット
からパーティクルをあらがしめたたき出すものであり、
その内部はターゲット２を陰極３に接続した状態で稀薄
なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状態で
陰極４と陽極３間に所定の電圧を印加すると、第一の真
空チャンバー１内にプラズマが発生してターゲット２表
面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される．この
処理は例えば０・５ｋｗの電力と約２時間の時間をかけ
て行なう． 次いで、第一の真空チャンバー１からターゲット２を取
り出し、第２図に示す第二の真空チャンバー５内で陰［
！６に接続する．そして、陽極７上に基板８を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー５を前記第一のチャン
バー１と同様にほぼ真空に維持して両極６．７間に所定
の電圧を印加すると、ターゲット２から金属原子がたた
き出されて基板８上にその金属薄膜が形成される．さて
、上記のようなスパッタリング方法によれば新品のター
ゲット５は第二の真空チャンバー５によるスパッタリン
グ工程に先立って、第一のチャンバー１でパーティクル
となる研磨粉等があらかじめたたき出されるので、第二
の真空チャンバー５内ではターゲット５を交換してもそ
の交換後の基板１枚当たりに発生するパーティクルの数
は第３図に示すようにスパッタリング処理枚数に関わら
ず一定となる．従って、ターゲット５交換直後にスパッ
タリング処理する基板８の歩留りが低下することはない
． することができる優れた効果を発揮する．
グステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド
系のターゲットにおいて特に発生し易い．そして、この
ようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の搬
入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に同
チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板が
ら形成される半導体装置の歩留りが低下するという問題
点がある． このように新品ターゲットから発生ずるパーティクルは
、第４図に示すようにスパッタリング処理する基板枚数
が増加するにつれて減少するが、基板１枚当たりに発生
するパーティクルの数が一定の許容値Ｓに収束するのは
、ほぼ２００枚の基板を処理した後である．従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる． そこで、新品ターゲットからのパーティクルの発生を防
止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する電
力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴン
圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させることが
提案されているが、充分な効果を得ることができないと
ともに、スパッタリングのスループットが低下するとい
う問題点がある． この発明の目的は、半導体装置のスパッタリング工程に
おいて新品ターゲットからのパーティクルの発生による
歩留りの低下を防止することにある． ［ｆｆ題を解決するための手段］ 上記目的は、スパッタリングのターゲットに第一の真空
チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットから
発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを
第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッ
タリングに供することにより達成される． ［作用］ 新品ターゲットは・第二の真空チャンバーでのスパッタ
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない．［実施例］ 以下、この発明を具体化した実施例を第１図及び第２図
に従って説明する． 第１図に示す第一の真空チャンバー１は新品ターゲット
からパーティクルをあらがしめたたき出すものであり、
その内部はターゲット２を陰極３に接続した状態で稀薄
なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状態で
陰極４と陽極３間に所定の電圧を印加すると、第一の真
空チャンバー１内にプラズマが発生してターゲット２表
面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される．この
処理は例えば０・５ｋｗの電力と約２時間の時間をかけ
て行なう． 次いで、第一の真空チャンバー１からターゲット２を取
り出し、第２図に示す第二の真空チャンバー５内で陰［
！６に接続する．そして、陽極７上に基板８を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー５を前記第一のチャン
バー１と同様にほぼ真空に維持して両極６．７間に所定
の電圧を印加すると、ターゲット２から金属原子がたた
き出されて基板８上にその金属薄膜が形成される．さて
、上記のようなスパッタリング方法によれば新品のター
ゲット５は第二の真空チャンバー５によるスパッタリン
グ工程に先立って、第一のチャンバー１でパーティクル
となる研磨粉等があらかじめたたき出されるので、第二
の真空チャンバー５内ではターゲット５を交換してもそ
の交換後の基板１枚当たりに発生するパーティクルの数
は第３図に示すようにスパッタリング処理枚数に関わら
ず一定となる．従って、ターゲット５交換直後にスパッ
タリング処理する基板８の歩留りが低下することはない
． することができる優れた効果を発揮する．
第１図及び第２図はこの発明の実施例を示す真空チャン
バーの概念図、 第３図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、第４図は従来の新品タ
ーゲットのパーティクル発生推移を示すグラフ図である
． 図中、 １は第一の真空チャンバー ２はターゲット、 ５は第二の真空チャンバー ８は基板である． ［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明は半導体装置のスパッタ
リング工程において新品ターゲットからのパーティクル
の発生による歩留りの低下を防止第１図 本発明の実層例の第一の真空チセンノ’＋一の甑念図螢
図面無し 第 ２ 図 本発明の実１！例の第二の真空チセンＪ”＋−の概念図
ーシ 処理枚数 −一← Ｉ８ｙ１枚数
バーの概念図、 第３図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、第４図は従来の新品タ
ーゲットのパーティクル発生推移を示すグラフ図である
． 図中、 １は第一の真空チャンバー ２はターゲット、 ５は第二の真空チャンバー ８は基板である． ［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明は半導体装置のスパッタ
リング工程において新品ターゲットからのパーティクル
の発生による歩留りの低下を防止第１図 本発明の実層例の第一の真空チセンノ’＋一の甑念図螢
図面無し 第 ２ 図 本発明の実１！例の第二の真空チセンＪ”＋−の概念図
ーシ 処理枚数 −一← Ｉ８ｙ１枚数
Claims (1)
- １． スパッタリングのターゲットに第一の真空チャン
バー内でプラズマを発生させて該ターゲットから発生す
るパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の
真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリン
グに供することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318020A true JPH0318020A (ja) | 1991-01-25 |
| JP2768980B2 JP2768980B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=15550030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15287589A Expired - Lifetime JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768980B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100398693C (zh) * | 2005-08-11 | 2008-07-02 | 孙卓 | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15287589A patent/JP2768980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100398693C (zh) * | 2005-08-11 | 2008-07-02 | 孙卓 | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768980B2 (ja) | 1998-06-25 |
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