JPH0318020A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0318020A JPH0318020A JP15287589A JP15287589A JPH0318020A JP H0318020 A JPH0318020 A JP H0318020A JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP 15287589 A JP15287589 A JP 15287589A JP H0318020 A JPH0318020 A JP H0318020A
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- Japan
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
半導体装置の製造工程におけるスパッタリング方法に関
し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲッ
トからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防止
することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー内
でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパー
ティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空チ
ャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに供
するように横成する.〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造工程におけるスパッタリン
グ方法に関するものである。
し、 半導体装置のスパッタリング工程において新品ターゲッ
トからのパーティクルの発生による歩留りの低下を防止
することを目的とし、 スパッタリングのターゲットに第一の真空チャンバー内
でプラズマを発生させて該ターゲットから発生するパー
ティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の真空チ
ャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリングに供
するように横成する.〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造工程におけるスパッタリン
グ方法に関するものである。
半導体装置の製造工程では基板上に金a薄膜を形戒する
ための一工程としてスパッタリング工程がある.近年の
半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング工
程での基板に対ずるパーディクルの付着を抑制すること
が要請されている。
ための一工程としてスパッタリング工程がある.近年の
半導体装置の高集積化にともないこのスパッタリング工
程での基板に対ずるパーディクルの付着を抑制すること
が要請されている。
[従来の技術]
スパッタリング装置で使用する金属ターゲットはその製
造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて所
定の面粗度で面−に形成されている.スパッタリング装
置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極とし、
金属in!を形成する半導体基板を陽極として両極間に
電圧を印加することにより金属ターゲットから原子をた
たき出して半導体基板上に金属薄膜を形戒している.[
発明が解決しようとする課題] 上記のようなスパッタリング方法では新品のターゲット
をスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加す
ると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲット
表面にカゲが発生する.すなわち、新品のターゲットに
は機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末が
同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、この
微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパッ
タリングによりたたき出される原子より大きいパーティ
クルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積したり、
チャンバー内壁に付着したりする。
造工程における最終工程で表面が機械的に研磨されて所
定の面粗度で面−に形成されている.スパッタリング装
置ではそのターゲットを真空チャンバー内で陰極とし、
金属in!を形成する半導体基板を陽極として両極間に
電圧を印加することにより金属ターゲットから原子をた
たき出して半導体基板上に金属薄膜を形戒している.[
発明が解決しようとする課題] 上記のようなスパッタリング方法では新品のターゲット
をスパッタリング装置内に設置して所定の電圧を印加す
ると、ターゲット表面にプラズマが発生してターゲット
表面にカゲが発生する.すなわち、新品のターゲットに
は機械的な研磨によって発生したターゲットの微粉末が
同ターゲットの多孔質状の表面に封入されており、この
微粉末がプラズマによりたたき出されると正常なスパッ
タリングによりたたき出される原子より大きいパーティ
クルとなって真空チャンバー内に飛散して堆積したり、
チャンバー内壁に付着したりする。
このようなパーティクルはモリブデンシリサイド、タン
グステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド
系のターゲットにおいて特に発生し易い.そして、この
ようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の搬
入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に同
チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板が
ら形成される半導体装置の歩留りが低下するという問題
点がある. このように新品ターゲットから発生ずるパーティクルは
、第4図に示すようにスパッタリング処理する基板枚数
が増加するにつれて減少するが、基板1枚当たりに発生
するパーティクルの数が一定の許容値Sに収束するのは
、ほぼ200枚の基板を処理した後である.従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる. そこで、新品ターゲットからのパーティクルの発生を防
止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する電
力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴン
圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させることが
提案されているが、充分な効果を得ることができないと
ともに、スパッタリングのスループットが低下するとい
う問題点がある. この発明の目的は、半導体装置のスパッタリング工程に
おいて新品ターゲットからのパーティクルの発生による
歩留りの低下を防止することにある. [ff題を解決するための手段] 上記目的は、スパッタリングのターゲットに第一の真空
チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットから
発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを
第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッ
タリングに供することにより達成される. [作用] 新品ターゲットは・第二の真空チャンバーでのスパッタ
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない.[実施例] 以下、この発明を具体化した実施例を第1図及び第2図
に従って説明する. 第1図に示す第一の真空チャンバー1は新品ターゲット
からパーティクルをあらがしめたたき出すものであり、
その内部はターゲット2を陰極3に接続した状態で稀薄
なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状態で
陰極4と陽極3間に所定の電圧を印加すると、第一の真
空チャンバー1内にプラズマが発生してターゲット2表
面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される.この
処理は例えば0・5kwの電力と約2時間の時間をかけ
て行なう. 次いで、第一の真空チャンバー1からターゲット2を取
り出し、第2図に示す第二の真空チャンバー5内で陰[
!6に接続する.そして、陽極7上に基板8を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー5を前記第一のチャン
バー1と同様にほぼ真空に維持して両極6.7間に所定
の電圧を印加すると、ターゲット2から金属原子がたた
き出されて基板8上にその金属薄膜が形成される.さて
、上記のようなスパッタリング方法によれば新品のター
ゲット5は第二の真空チャンバー5によるスパッタリン
グ工程に先立って、第一のチャンバー1でパーティクル
となる研磨粉等があらかじめたたき出されるので、第二
の真空チャンバー5内ではターゲット5を交換してもそ
の交換後の基板1枚当たりに発生するパーティクルの数
は第3図に示すようにスパッタリング処理枚数に関わら
ず一定となる.従って、ターゲット5交換直後にスパッ
タリング処理する基板8の歩留りが低下することはない
. することができる優れた効果を発揮する.
グステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド
系のターゲットにおいて特に発生し易い.そして、この
ようなパーティクルが真空チャンバーに対する基板の搬
入、搬出時あるいは真空チャンバー内の気圧調整時に同
チャンバー内で浮遊して基板に付着し、この結果基板が
ら形成される半導体装置の歩留りが低下するという問題
点がある. このように新品ターゲットから発生ずるパーティクルは
、第4図に示すようにスパッタリング処理する基板枚数
が増加するにつれて減少するが、基板1枚当たりに発生
するパーティクルの数が一定の許容値Sに収束するのは
、ほぼ200枚の基板を処理した後である.従って、こ
のパーティクル発生数が収束する前にスパッタリングさ
れた基板は歩留りが悪くなる. そこで、新品ターゲットからのパーティクルの発生を防
止するためにスパッタリング装置の両極間に供給する電
力を抑制したり、あるいは真空チャンバー内のアルゴン
圧力を上げてプラズマのエネルギーを低下させることが
提案されているが、充分な効果を得ることができないと
ともに、スパッタリングのスループットが低下するとい
う問題点がある. この発明の目的は、半導体装置のスパッタリング工程に
おいて新品ターゲットからのパーティクルの発生による
歩留りの低下を防止することにある. [ff題を解決するための手段] 上記目的は、スパッタリングのターゲットに第一の真空
チャンバー内でプラズマを発生させて該ターゲットから
発生するパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを
第二の真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッ
タリングに供することにより達成される. [作用] 新品ターゲットは・第二の真空チャンバーでのスパッタ
リングに先立って第一の真空チャンバーでそのターゲッ
トから発生するパーティクルが除去されるので、第二の
真空チャンバーでのターゲット交換によって同第二の真
空チャンバー内でのパーティクルの発生が増大すること
はない.[実施例] 以下、この発明を具体化した実施例を第1図及び第2図
に従って説明する. 第1図に示す第一の真空チャンバー1は新品ターゲット
からパーティクルをあらがしめたたき出すものであり、
その内部はターゲット2を陰極3に接続した状態で稀薄
なアルゴンガスを含むほぼ真空に維持され、この状態で
陰極4と陽極3間に所定の電圧を印加すると、第一の真
空チャンバー1内にプラズマが発生してターゲット2表
面から研磨粉等のパーティクルがたたき出される.この
処理は例えば0・5kwの電力と約2時間の時間をかけ
て行なう. 次いで、第一の真空チャンバー1からターゲット2を取
り出し、第2図に示す第二の真空チャンバー5内で陰[
!6に接続する.そして、陽極7上に基板8を設置し、
この状態で第二の真空チャンバー5を前記第一のチャン
バー1と同様にほぼ真空に維持して両極6.7間に所定
の電圧を印加すると、ターゲット2から金属原子がたた
き出されて基板8上にその金属薄膜が形成される.さて
、上記のようなスパッタリング方法によれば新品のター
ゲット5は第二の真空チャンバー5によるスパッタリン
グ工程に先立って、第一のチャンバー1でパーティクル
となる研磨粉等があらかじめたたき出されるので、第二
の真空チャンバー5内ではターゲット5を交換してもそ
の交換後の基板1枚当たりに発生するパーティクルの数
は第3図に示すようにスパッタリング処理枚数に関わら
ず一定となる.従って、ターゲット5交換直後にスパッ
タリング処理する基板8の歩留りが低下することはない
. することができる優れた効果を発揮する.
第1図及び第2図はこの発明の実施例を示す真空チャン
バーの概念図、 第3図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、第4図は従来の新品タ
ーゲットのパーティクル発生推移を示すグラフ図である
. 図中、 1は第一の真空チャンバー 2はターゲット、 5は第二の真空チャンバー 8は基板である. [発明の効果] 以上詳述したように、この発明は半導体装置のスパッタ
リング工程において新品ターゲットからのパーティクル
の発生による歩留りの低下を防止第1図 本発明の実層例の第一の真空チセンノ’+一の甑念図螢
図面無し 第 2 図 本発明の実1!例の第二の真空チセンJ”+−の概念図
ーシ 処理枚数 −一← I8y1枚数
バーの概念図、 第3図はその実施例における新品ターゲットのパーティ
クルの発生推移を示すグラフ図、第4図は従来の新品タ
ーゲットのパーティクル発生推移を示すグラフ図である
. 図中、 1は第一の真空チャンバー 2はターゲット、 5は第二の真空チャンバー 8は基板である. [発明の効果] 以上詳述したように、この発明は半導体装置のスパッタ
リング工程において新品ターゲットからのパーティクル
の発生による歩留りの低下を防止第1図 本発明の実層例の第一の真空チセンノ’+一の甑念図螢
図面無し 第 2 図 本発明の実1!例の第二の真空チセンJ”+−の概念図
ーシ 処理枚数 −一← I8y1枚数
Claims (1)
- 1. スパッタリングのターゲットに第一の真空チャン
バー内でプラズマを発生させて該ターゲットから発生す
るパーティクルを除去し、次いで該ターゲットを第二の
真空チャンバーに設置して該ターゲットをスパッタリン
グに供することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15287589A JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0318020A true JPH0318020A (ja) | 1991-01-25 |
JP2768980B2 JP2768980B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=15550030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15287589A Expired - Lifetime JP2768980B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2768980B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100398693C (zh) * | 2005-08-11 | 2008-07-02 | 孙卓 | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15287589A patent/JP2768980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100398693C (zh) * | 2005-08-11 | 2008-07-02 | 孙卓 | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2768980B2 (ja) | 1998-06-25 |
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