JPS6211192A - 超伝導遮蔽装置 - Google Patents

超伝導遮蔽装置

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JPS6211192A
JPS6211192A JP60150683A JP15068385A JPS6211192A JP S6211192 A JPS6211192 A JP S6211192A JP 60150683 A JP60150683 A JP 60150683A JP 15068385 A JP15068385 A JP 15068385A JP S6211192 A JPS6211192 A JP S6211192A
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space
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shielded
shielding
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一英 岡崎
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Okazaki Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、超伝導体を用いて電気的、磁気的遮蔽を行
うための超伝導遮蔽装置に関する。
従来の技術 各種の電子機器、電子デバイスが高精度化・高性能化す
るに伴い、これらの機器を動作させる環境として、これ
らの機器が外からの電磁波妨害・静電妨害・磁気妨害を
受けることの少ない環境、またこれらの機器が他の機器
に対して上記の電磁波妨害・静電妨害・磁気妨害を与え
ることの少ない環境が要求されるに到った。このために
は、電子機器や電子デバイスに電気遮蔽、磁気遮蔽を施
す必要があり、例えばこれらの電子機器や電子デバイス
を導体製または高透磁率材料製の囲いや箱の中に置くな
どの手段が採用されている。しかしながら、このような
遮蔽体の遮蔽効果は必ずしも満足のいくものではなかっ
た。例えばSQU I D(Superconduct
ing Quantum InterferenceD
evice )磁束計の調整測定の場合、この磁束計が
測定しようとする例えば心臓、脳からの磁束は、室内電
灯線の発するノイズの1/10以下のオーダーであるた
め、従来から用いられている遮蔽装置!は充分な遮蔽効
が得られず、これに代わる有効1“ な遮蔽装置が待望されていた。
超電導遮蔽の原理 理論的には、超伝導状態にある超伝導体が最も優れた遮
蔽手段となることは明らかである。これは、臨界温度以
下に冷却された超伝導体が電気抵抗ゼロの完全導体であ
り、また超伝導体の中まで磁束を侵入させないという性
質Cマイスナー効果)を示すからである。
すなわち、第12図に示すように、超伝導状態とされた
箱(イ)の内部に電子機器仲)を置くと、箱(イ)の内
部の空間(ハ)に外部からの電磁波などの雑音が侵入す
ることはできず、また電子機器(ロ)の発生する電磁波
が外部へ漏洩することもない。また、第13図において
、超伝導体製の箱(イ)は超伝導状態において完全反磁
性であるから、外部の磁束は内部の空間(ハ)へ侵入で
きず、内部に置かれた電子機器(ロ)から発生される磁
束が外へ漏洩することもない。以上が超伝導遮蔽の電気
遮蔽、磁気遮蔽の原理である。
超伝導遮蔽の具体化 上述のように、超伝導を利用した遮蔽装置は、電気的、
磁気的遮蔽として極めて有効なものである。これを具体
的に実現するものとして第14図に示す装置を考えるこ
とができる。同図において、符号21・22は二重壁真
空断熱容器で、内側の容器21内には第1の冷媒C例え
ば液体ヘリウム)L□を、両容器の間の空間には第2の
冷媒(例えば液体窒素)L2を入れて第1の冷媒L□を
冷却する。冷媒L□の蒸発を防ぐため、容器21の開口
部は蓋体20で覆う。蓋体2oはプラスチック、ガラス
、セラミック、グラスファイバ、木、金属、発泡スチロ
ールまたはこれらの複合材や多層断熱材などで作ること
ができ、また真空断熱二重壁の構造とすることもできる
。蓋体20は断熱作用とともに輻射熱を反射する作用を
行う。
容器21内の冷媒L□の中に超伝導体製の遮蔽体1が入
っている。遮蔽体1は蓋1αと本体1bとから成る箱体
であり、蓋1αと本体1bの間にPbなどで作られた柔
かい超伝導材の0−リングICを設け、蓋1αを押し込
むことによって隙間をなくすようにする。遮蔽体1は、
臨界温度以下で超伝導状態となる種々の超伝導体のうち
の適当なものを用いて遮蔽手段に適した形状と成したも
ので、Pbなどの元素、Nb−Ti 、 Nb−Zrな
どの合金、 NbaSn 、 VaGaなどの化合物、
BEDT−TTF塩などの有機物などの超伝導体が使用
可能である。
遮蔽体1の内側に、蓋5αと本体5hとから成る箱形の
断熱層5を設ける。このための断熱材としてはプラスチ
ック、ガラス、セラミック、グラスファイバ、木、金属
、発泡スチロール、多層断熱材などを用いることができ
、断熱層5を真空断熱二重壁の構造としてもよい。この
断熱層5で囲まれた空間3の中に電子機器などの被遮蔽
物2を配置する。
このようにすると、遮蔽体1は冷媒L□によって臨界温
度以下に冷却されて超伝導状態となるので、空間3は、
外からの電気的、磁気的妨害が及ばず、外へ電磁波が漏
洩することのない理想的な遮蔽空間となる。したがって
、この空間3を利用すれば、例えば精度の高い計測を行
うことができる。
しかしながら、空間3の温度は極低温となってしまうの
で、このような温度環境に耐える物に対してしか、こう
した超伝導遮蔽を施すことができないし、空間3内に人
間が入って電子機器を操作するなどということは不可能
であるから、装置の応用範囲は限られたものになってし
まう。したがって、遮蔽体1の温度とは独立に空間3の
温度を自由に調節・設定できる超伝導遮蔽装置ができれ
ば、応用範囲は格段に広がる。
この発明の要点 この発明は、上記のような、遮蔽体の温度とは独立にそ
の内部の空間及び/または被遮蔽体の温度が自由に調節
・設定でき応用範囲の広い超伝導遮蔽装置を提供するこ
とを目的とするものであり、遮蔽体で囲まれた空間及び
/または被遮蔽物の温度を所望の値に調節・設定するた
めに温度調節手段を設けた点に特徴がある。
第1図によシ、この発明の詳細な説明する。1は遮蔽体
、2は被遮蔽物、5は断熱層で、第14図に示されたも
のと変わりがない。言うまでもなく、遮蔽体1は冷媒(
図示せず)によって冷却されて超伝導状態になっている
。遮蔽体1で囲まれた空間3には、さらに温度調節手段
4が設けられ、これによって空間3及び/または被遮蔽
物2の温度を遮蔽体1の温度とは独立して所望の値に保
持するようにしている。
温度調節手段4は加熱器または冷却器であって、具体的
には、 ■ 通電した抵抗体にクロム線、炭素、導体、半導体な
ど) @ エネルギー源とエネルギー−熱変換器との組み合わ
せ(レーザー光源と光吸収体との組み合わせなど) の ベルテイエ素子 ■炉 などの機器のほか。
■ エネルギー源からのエネルギービームを直接照射す
る方法(レーザー光や赤外線の利用) θ 予め加熱または冷却しておいた物体を空間3に配置
する方法 ■ 外部と連通ずるパイプを空間3内に設け、加熱また
は冷却した流体をパイプ内に外から循環させる方法 などを利用することができる。さらに、気体の断熱膨張
や化学反応に伴う発・吸熱を利用することもできる。空
間3の使用のしかた及び温度調節手段の選択に応じて、
空間は真空とされ、またはヘリウムや空気などの気体で
満たされる。断熱層5は超伝導遮蔽体1と空間3との温
度差が小さい場合のように不要な場合には省略してよい
以下、第2〜11図によシ、この発明の各種の実施例を
説明する。なお、第14図において既に説明した部品、
構成要素については、特に必要がない限り説明を省略す
る。
第1実施例:第2図は温度調節手段4が遮蔽体1内に配
置されている例である。この実施例における温度調節手
段4はヒーター4α、電源兼温度コントローラー4b、
温度センサ4Cから構成されている。ヒーター4αはニ
クロム線、炭素、導体、半導体などであシ、温度センサ
4Cとしては熱電対、測温抵抗体、サーミスタなどを使
うことができる。温度センサ4Cは空間3の温度を常時
または一定時間毎に測定して電源兼温度コントローラー
4bに信号を送シ、ヒーター4αに流す電流を制御する
ので、空間3の温度を所望の一定値に保つことができる
。すなわち、温度が上昇しすぎれば、電流を減らして冷
媒L□による冷却効果がヒーター4αによる加熱効果を
上回るようにして温度を低下させ、温度が低下しすぎれ
ば、電流を増してヒーター4αによる加熱効果が冷媒L
□による冷却効果を上回るようにして温度を上昇させる
この実施例においては、遮蔽体1に開口が全くないため
、完全な電気、磁気遮蔽効果が期待できるという利点が
ある。
第2実施例:第3図は、第1実施例における電源兼温度
コントローラー46を装置外に配置した例である。容器
21の蓋体20は断熱材20αの周囲をAlなどの電気
良導体20bで囲んだ平板状のもので、その下面にステ
ンレスなどの熱伝導性の低い物質で作られた支柱Pがナ
ラ)Hにより固着されている。また蓋体20には、ヒー
ター4α及び温度センサ4Cにそれぞれ接続されたエナ
メル線などの被覆導線6と電源兼温度コントローラー4
bに接続された同軸ケーブル6′とを相互に接続するた
めの気密BNCコネクター7が設けられている。支柱P
の下端にはAIなどの熱放射を反射する材質の熱放射遮
蔽板8が固着される。この熱放射遮蔽板8は放射によっ
て上方から熱が冷媒L工に伝わるのを防ぐものである。
波板8の下面には被覆導線6が数回円形に巻かれた状態
で貼シ付けられ、導線6と遮蔽板8とが熱的に接触する
。したがって、導線6の熱容量がみかけ上増加すること
になるので、外部の熱が導線6を介して冷媒L□に伝わ
るのを遅らせる。また導線6の途中の部分aをコイル状
に巻いて、外部の熱が導線6を介して冷媒L工に伝わる
のを遅らせる。
なお、導線6を遮蔽体1の内部から冷媒L□の外へ導出
するために、蓋1a、5αには互いに連通ずる貫通孔が
設けられるとともに、蓋lαには、該貫通孔を囲んで冷
媒L□の液面よシ上まで延びる中空円筒1α′が設けら
れる。
この実施例においては、さらに、電源兼温度コントロー
ラー4bのケース4b′ヲ電気良導体で作シ、容器21
をステンレス製とする。こうすると、蓋体20、容器2
1、同軸ケーブル6′の外部導体6α′、ケース4h′
、コネクタ7が全て電気良導体でできていて互いに電気
的に接触しているので、電磁遮蔽が形成されることにな
り、例えば同軸ケーブル6′に外部の電磁波雑音がのっ
て容器21及び遮蔽体1の内部へ侵入するようなことが
ない。
この第2実施例においては、温度調節手段を超伝導遮蔽
装置の内部と外部とに分けたので、電力などのエネルギ
ーを外部から多量に供給することができる。つまり、遮
蔽体1内に収容できない大型の電源装置を外に設けるこ
とができることになり、遮蔽体1の寸法に制限されない
温度調節手段を利用することができる。
第3実施例:第4図は、レーザー光を被遮蔽物及び断熱
層の内壁に当てて加熱する例である。蓋体20及び蓋1
α、5αを貫通して空間3と容器の外部の空間との間に
光ファイバ4dが設けられ、光ファイバ4dの一端にレ
ーザー光源4eからレーザー光11を供給する。このレ
ーザー光は光フアイバ4d内を介して空間3に伝えられ
、被遮蔽物2及び断熱層5の内壁を照射するので、レー
ザー光11は熱に変換される。Lexはレンズである。
光ファイバ4dは蓋体20及び蓋1α、5αを貫通する
部分でそれらと接着されて隙間をなくしている。そのだ
めの極低温でも有効な接着材とじては、エマソン・アン
ト9・カミング・ジャパン■が販売している「スタイキ
ャス) 2850GTJがある。
この実施例では、レーザー光を直接に被遮蔽物2に照射
して熱を発生しているため、空間3が真空であって空間
3を介して熱の伝導、対流がない場合でも、効率良く被
遮蔽物2の温度を調節できるという利点がある。
第4実施例:第5図は、光ファイバによって遮蔽体内に
導入されたレーザー光を光吸収体に照射して熱を発生さ
せるようにしたものである。第3実施例と同じく、容器
の外に置かれたレーザー光源4eから発射されたレーザ
ー光11は光ファイA4dの一端に供給される。光ファ
イバ4dは容器21の蓋体20および遮蔽体1、断熱層
5の蓋1α、5αを貫通し、その他端は遮蔽体1の内部
空間3まで延びている。光ファイバ4dの他端から導出
されたレーザー光11はレンズLezによって集光され
て光吸収体4fを照射する。光吸収体4fは黒色に塗装
された木や金属などの他、光を吸収して熱に変換する結
晶、ガラス、木、プラスチック、セラミックなどである
。光吸収体4fはレーザー光を熱に変換することによっ
て、内部空間3の温度を調整する。
なお、第3実施例と同様に、光ファイバ4d、は蓋体2
0及び蓋1α、5αを貫通する部分でそれらと接着され
ている。
第5実施例:第6図は第4実施例における光フアイバ4
df使わずに容器の外方から直接にレーザー光tS蔽体
内の光吸収体に照射するようにした例である。遮蔽体1
の蓋1αの一部に冷媒L□の液面より上まで延びる透過
窓1dを設けるとともに断熱層5の蓋5αにも透過窓1
dと同じ位置に透過窓5Cを設ける。一方、容器21の
蓋体20にも、これら透過窓1d、5Cに対応する位置
に透過窓20Cが設けられる。これら透過窓20C9l
cZ、5Cはレーザー光を吸収しない材料、例えばガラ
スで作られている。
したがって、外部に設けられたレーザー光源4eから発
射されたレーザー光11は透過窓20C11d、5cを
透過して空間3内の光吸収体4ffr照射するので、光
吸収体4fは発熱し、空間3及び/または被遮蔽物2を
加熱する。
なお、レーザー光を光吸収体4fに照射して光を熱に変
換し被遮蔽物を加熱するのではなく、第3実施例と同じ
ように、レーザー光を被遮蔽物もしくは断熱層5の内壁
に当てて光を熱に変換してもよい。
第6実施例:第7図は4ルテイエ素子ヒートポンプを利
用し、しかも熱流を超伝導遮蔽体を介して外部(ここで
は冷媒)とやシとシする例である。
遮蔽体1の内部空間3の温度を測定する温度センサ4C
からの信号に基づいて、電源兼温度コントローラ4hは
遮蔽体1と熱的に接触しているにルテイエ素子4gに流
す電流を制御する。この電流の大きさに比例してA面か
らB面へ、またはB面からA面へと流れる熱流量が定ま
る。ある方向へ電流を流すとB面はA面に対して低温側
となシ、その逆の方向に電流を流すと、B面はA面に対
して高温側となるので、内部空間3の温度を遮蔽体1よ
シも高く、または低く設定することができる。
なお、電源兼温度コントローラー4bは第2実施例のよ
うに容器の外に置いてもよい。
第7実施例:第8図は、機械式蒸気圧縮サイクル及びヒ
ーターを利用して空間内を適温に保持するようにした例
である。遮蔽体1の蓋1α、断熱層5の蓋5α及び容器
21の蓋体20の同じ位置に貫通孔を形成するとともに
、断熱性の管10を下端が蓋1αの貫通孔に嵌合して気
密に接着され上端が蓋体20の上方に突出する状態に植
立する。
管10は断熱材、プラスチック、ガラス、セラミック、
グラスファイバ、木、金属1発泡スチロール、多層断熱
材、またはこれらの複合材で作ることができ、真空断熱
二重壁構造とすることもできる。
空間3内には、被遮蔽物2、温度センサ4C1電源内蔵
のヒーター兼コントローラー4A、蒸発器4iが置かれ
ている。蒸発器4iには管10内を通る二本の配管4n
□、4n2の一端が連結され、配管4n□の他端は絞シ
弁4ノを介して凝縮器4kに、配管4 n 2の他端は
圧縮機4771に接続される。
配管4nよ、4ル2は外部電磁波を遮蔽体1内に伝えな
いようにセラミック、プラスチックなどの電気的不良導
体で作る。
したがって、モーター、ガソリンエンジンなどの主駆動
源41によって圧縮機4mを例えば回転駆動すると、乾
き水蒸気は圧縮されつつ配管を通って凝縮器4kに送ら
れ、そこで熱を放出した蒸気は絞シ弁4ノ、配管4n、
を経て蒸発器4iに送られる。蒸発器4Lで蒸気は熱を
吸収し、配管4rL2を経て再び圧縮機4771に送ら
れる。つまり機械式蒸気圧縮サインに4m、41,4に
、4)’、4i  によって空間3は冷却される。一方
、空間3はヒーター4hによって加熱されているので、
機械式蒸気圧縮サイクルによる冷却を一定に保ちながら
、温度センサー4Cによって空間3の温度を測定してヒ
ーター4hの加熱量を制御するならば、加熱と冷却のバ
ランスで空間3は適温に保持される。
つまシ、加熱器と冷却器とのバランスで空間3が適温に
保たれるのであって、断熱層5が厚ければ遮蔽体1の温
度は空間3に伝わらない。
この場合、二本の配管4rL□、4n2  は管10の
冷媒L□で囲まれた部分を通過するが、管10の内部は
遮蔽体1内の空間3と連通しているため、空間3と同じ
温度に保たれ、したがって配管4n工。
4n2内の蒸気が凍ってしまうことはない。
なお、機械式蒸気圧縮サイクルによる冷却のほか、ラン
キン・サイクル、吸収式サイクル、スターリング・サイ
クル、プレイトン・サイクルなどの冷却方法を採用する
ことができる。
第8実施例:第9図は冷却器としてベルテイエ素子を使
った点で第7実施例と異なっている。空間3内には、第
7実施例と同じ様に被遮蔽物2、温度センサ4C,電源
内蔵ヒーター兼コントローラー44のほか、異種の導体
または半導体20b。
20Cの接点20αが配置される。これら20α。
20b120Cはベルテイエ素子ヒートポンプ20とな
る。導体または半導体20b、20Cの上端は、管10
□の上端の蓋10αに設けたBNCコネクタ21にそれ
ぞれ接続される。管10□は断熱材製の中空円筒の内面
に電気良導体の電磁遮蔽体を設けたものであり、蓋10
αは金属などの電気良導体で作られている。
外部の直流電源22が同軸ケーブル23を介してコネク
タ21に接続されるので、電流を20b−20α−20
Cの順に流すと、接点20αでベルテイ工効果によって
吸熱が起る。これによる冷却とヒーターによる加熱との
バランスをとることによって、空間3の温度を適正に保
持することができる。
なお、導体または半導体20b、20Cを介して外部の
電磁波が空間3内に伝わらないようにするために、直流
電源22のケースを良導体で作シ、該ケース、同軸ケー
ブル23の外部導体、BNCコネクタ21のアース、蓋
10α、管10) の内面の電磁遮蔽体、遮蔽体1を全
て電気的に接続して電磁遮蔽を形成しておく。
場合によって、直流電源22の電極の正負を逆にして、
接点20αを発熱源とすることもできる。
第9実施例:第10図及び第11図は、遮蔽体の中で人
間が作業できるようにするだめの例である。
容器の外で、空間3内にヒーター兼コントローラー4α
と温度センサ4Cとから成る温度調節手段、被遮蔽物で
ある電子顕微鏡48及びその作業員を収容する。電子顕
微鏡48の試料室49には細菌や微生物などの試料が入
っている。この後、蓋5αを、そして0−IJソングC
を介在させて蓋1αを被せる。このとき、第7実施例と
同じ様に、蓋1αには空間3を外部へ連通させるだけの
長さの断熱性の例えば真空断熱二重壁構造の管10□が
固着されておハ管10□の内部には、下端に水供給口4
1t−設けた水配管31、ガス供給口43を設けたガス
配管35、コンセントラ接続した電気配線37が配設さ
れている。この状態の遮蔽体1を、その外側に設けた柏
手39を利用してクレーンによシ容器21内に置いた後
、冷媒L□、L2を容器21.22内に入れる。この後
に蓋体20i被せて蓋体20に管10□を気密に固着し
、水配管31を水タンク30に、ガス配管35をバルブ
34t−介して高圧ボンば32に、電気配線37を電源
36にそれぞれ接続する。
なお、空間3内で電子顕微鏡48及びヒーター兼コント
ローラー4αはコンセント44とプラグ50.45、電
気配線51.46によって接続される。なお47は便器
である。
こうして空間3を人間が作業するのに適した環境とする
ことができる。すなわち、新鮮な空気はガス配管35を
通って高圧ボンベから供給され、空間3を循環したあと
、管10□の中空部を通って排気される。飲料水は水配
管31全通して水タンク30からバルブ40を開いたと
きのみ供給される。こほれた水は容器42で受ける。電
力は電源36から電気配線37を介してヒーター兼コン
トローラー4α及び電子顕微鏡48に供給されるので、
温度センサ4Cは空間3の温度全測定しながらヒーター
兼コントローラー4αを空間3の温度が低い時にはオン
、高い時にはオフとなるよう動作させる。したがって空
間3は適温に保持され、このような環境の中で作業員は
電子顕微鏡48を操作し細菌を観察する。
この実施例の利点は、電子顕微鏡48が完全に遮蔽され
ているため、その電子線が外部磁場によって揺らいで像
が不明瞭になることが防止されることである。さらに、
空間3を観測対象たる細菌等の微生物及び作業員に適し
た温度に保つことができ、水や空気が外部から供給され
るため長時間にわたって作業を続けることができる点も
、この実施例のメリットである。
なお、空間3は管10□によって外部と連通されている
から、被遮蔽物を外部の機器と管10□の中全通る線に
よって接続することができることになる。したがって、
場合によっては被遮蔽物を外部から遠隔操作、遠隔計測
することにし、作業員を空間3内に収容せず、また水配
管、ガス配管を省略するようにしてもよい。
また、外部の電磁波雑音が空間3に侵入するのを防止す
るため、配管31.35は電気的不良導体で作られ、そ
して電気配線37は同軸ケーブルとして、その外部導体
は電気的に電源36の導体ケース及び遮蔽体1に電気的
に接続させて電磁遮蔽を形成している。
以上述べてきた九個の実施例において、遮蔽体1はその
壁自身の厚さもしくは壁の超伝導状態にある領域の厚さ
がコンド9ン侵入長よりも厚ければ、完全な電気的遮蔽
、磁気的遮蔽を行う。しかし、壁がロンドン侵入長よシ
も薄いと、遮蔽効が低下することになるので、所望の遮
蔽効果との関連で遮蔽体1の壁の厚さもしくは壁の超伝
導状態にある領域の厚さを選定すればよい。また、温度
調節手段は被遮蔽物と別体になっているが、これらが一
体となって一方が他方を内蔵する状態とすることもでき
る。例えば、炉で被遮蔽物内部り囲むようにしてもよい
。あるいは被遮蔽物内部にヒーターを内蔵させてもよい
。空間3を所望の温度に保持しておく時間長は、実施の
態様に応じて適宜選択すればよい事項である。
発明の効果 このように、この発明は、超伝導体で作られ超伝導状態
とされた≧S蔽体と、該遮蔽体で囲まれた空間及び/ま
たは被遮蔽物の温度を調節するための温度調節手段とか
ら構成されているので、遮蔽体で囲まれた空間及び/ま
たは被遮蔽物の温度を温度調節手段によって遮蔽体の温
度とは独立して自由に、且つ被遮蔽物に最適の温度に設
定することができる。したがって、超伝導遮蔽体内部に
入れる被遮蔽物はどのような最適動作温度をもっていて
も温度調節手段によりその温度に設定できることになり
、被遮蔽物の選択範囲が非常に広がって超伝導遮蔽装置
の応用範囲が飛躍的に拡大される。
また、遮蔽体の内部の空間の温度を被遮蔽体に不適切な
温度に設定することもできるので、完壁な遮蔽の下での
耐熱試験、耐寒試験を行うことができる。さらに、遮蔽
体で囲まれた空間の温度を人間が生存できる温度に設定
することによ#)%人間が遮蔽体の内部に入って電子機
器を操作したりすることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の詳細な説明するための概略図、第
2〜11図は、この発明の超伝導遮蔽装置の各種の実施
例金示す図であって、第2図は第1実施例を、第3図は
第2実施例を、第4図は第3実施例を、第5図は第4実
施例を、第6図は第5実施例を、第7図は第6実施例を
、第8図は第7実施例?、第9図は第8実施例を、第1
0.11図は第9実施例を示している。 第12〜13図は、超伝導遮蔽の原理を説明するための
概略図、第14図は、この発明の超伝導遮蔽装置の基と
なる装置を説明する図である。 1・・・遮蔽体      2・・・被遮蔽物3・・・
空 間      4・・・温度調節手段5・・・断熱
層 特許出願人 株式会社 岡 崎製作所 (外5名) 第2図 4a:ヒーター 4b:電源兼温度コントローラー 4c:)1度センサ 第3図 4d:光ファイバ゛ 4e:レーザー光源 4f:光吸収体 第7図 49:ペルテイエ素子 41:蒸完器 4に:)I縮器 22  :lI211tl@課 第11図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、超伝導体で作られ、超伝導状態とされる遮蔽体と、 該遮蔽体で囲まれた空間及び/または被遮蔽物の温度を
    調節するための温度調節手段とから構成されることを特
    徴とする超伝導遮蔽装置。 2、前記温度調節手段が前記空間及び/または被遮蔽物
    を加熱するものであることを特徴とする、特許請求の範
    囲の第1項に記載された超伝導遮蔽装置。 3、前記温度調節手段が前記空間及び/または被遮蔽物
    を冷却するものであることを特徴とする特許請求の範囲
    の第1項に記載された超伝導遮蔽装置。 4、前記温度調節手段が、前記空間及び/または被遮蔽
    物を加熱する手段と冷却する手段とから成り、両手段に
    よる加熱・冷却のバランスで前記空間及び/または被遮
    蔽物を適温に保持することを特徴とする、特許請求の範
    囲の第1項に記載された超伝導遮蔽装置。
JP60150683A 1985-07-09 1985-07-09 超伝導遮蔽装置 Granted JPS6211192A (ja)

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JPS6211192A true JPS6211192A (ja) 1987-01-20
JPH0448195B2 JPH0448195B2 (ja) 1992-08-06

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5251673A (en) * 1990-12-28 1993-10-12 Nissan Motor Co., Ltd. Weft sensing imaging system for weaving machine
JP2007250938A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Icチップ実装モジュール及びicチップ実装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6098343A (ja) * 1983-10-14 1985-06-01 エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン 核磁気共鳴トモグラフィ装置

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