JPS6211192A

JPS6211192A - 超伝導遮蔽装置

Info

Publication number: JPS6211192A
Application number: JP60150683A
Authority: JP
Inventors: 一英岡崎
Original assignee: Okazaki Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Okazaki Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1985-07-09
Filing date: 1985-07-09
Publication date: 1987-01-20
Also published as: JPH0448195B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野この発明は、超伝導体を用いて電気的、磁気的遮蔽を行
うための超伝導遮蔽装置に関する。

従来の技術各種の電子機器、電子デバイスが高精度化・高性能化す
るに伴い、これらの機器を動作させる環境として、これ
らの機器が外からの電磁波妨害・静電妨害・磁気妨害を
受けることの少ない環境、またこれらの機器が他の機器
に対して上記の電磁波妨害・静電妨害・磁気妨害を与え
ることの少ない環境が要求されるに到った。このために
は、電子機器や電子デバイスに電気遮蔽、磁気遮蔽を施
す必要があり、例えばこれらの電子機器や電子デバイス
を導体製または高透磁率材料製の囲いや箱の中に置くな
どの手段が採用されている。しかしながら、このような
遮蔽体の遮蔽効果は必ずしも満足のいくものではなかっ
た。例えばＳＱＵ　Ｉ　Ｄ（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｎｇ　Ｑｕａｎｔｕｍ　ＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅＤ
ｅｖｉｃｅ　）磁束計の調整測定の場合、この磁束計が
測定しようとする例えば心臓、脳からの磁束は、室内電
灯線の発するノイズの１／１０以下のオーダーであるた
め、従来から用いられている遮蔽装置！は充分な遮蔽効
が得られず、これに代わる有効１“ な遮蔽装置が待望されていた。

超電導遮蔽の原理理論的には、超伝導状態にある超伝導体が最も優れた遮
蔽手段となることは明らかである。これは、臨界温度以
下に冷却された超伝導体が電気抵抗ゼロの完全導体であ
り、また超伝導体の中まで磁束を侵入させないという性
質Ｃマイスナー効果）を示すからである。

すなわち、第１２図に示すように、超伝導状態とされた
箱（イ）の内部に電子機器仲）を置くと、箱（イ）の内
部の空間（ハ）に外部からの電磁波などの雑音が侵入す
ることはできず、また電子機器（ロ）の発生する電磁波
が外部へ漏洩することもない。また、第１３図において
、超伝導体製の箱（イ）は超伝導状態において完全反磁
性であるから、外部の磁束は内部の空間（ハ）へ侵入で
きず、内部に置かれた電子機器（ロ）から発生される磁
束が外へ漏洩することもない。以上が超伝導遮蔽の電気
遮蔽、磁気遮蔽の原理である。

超伝導遮蔽の具体化上述のように、超伝導を利用した遮蔽装置は、電気的、
磁気的遮蔽として極めて有効なものである。これを具体
的に実現するものとして第１４図に示す装置を考えるこ
とができる。同図において、符号２１・２２は二重壁真
空断熱容器で、内側の容器２１内には第１の冷媒Ｃ例え
ば液体ヘリウム）Ｌ□を、両容器の間の空間には第２の
冷媒（例えば液体窒素）Ｌ２を入れて第１の冷媒Ｌ□を
冷却する。冷媒Ｌ□の蒸発を防ぐため、容器２１の開口
部は蓋体２０で覆う。蓋体２ｏはプラスチック、ガラス
、セラミック、グラスファイバ、木、金属、発泡スチロ
ールまたはこれらの複合材や多層断熱材などで作ること
ができ、また真空断熱二重壁の構造とすることもできる
。蓋体２０は断熱作用とともに輻射熱を反射する作用を
行う。

容器２１内の冷媒Ｌ□の中に超伝導体製の遮蔽体１が入
っている。遮蔽体１は蓋１αと本体１ｂとから成る箱体
であり、蓋１αと本体１ｂの間にＰｂなどで作られた柔
かい超伝導材の０−リングＩＣを設け、蓋１αを押し込
むことによって隙間をなくすようにする。遮蔽体１は、
臨界温度以下で超伝導状態となる種々の超伝導体のうち
の適当なものを用いて遮蔽手段に適した形状と成したも
ので、Ｐｂなどの元素、Ｎｂ−Ｔｉ　、　Ｎｂ−Ｚｒな
どの合金、　ＮｂａＳｎ　、　ＶａＧａなどの化合物、
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ塩などの有機物などの超伝導体が使用
可能である。

遮蔽体１の内側に、蓋５αと本体５ｈとから成る箱形の
断熱層５を設ける。このための断熱材としてはプラスチ
ック、ガラス、セラミック、グラスファイバ、木、金属
、発泡スチロール、多層断熱材などを用いることができ
、断熱層５を真空断熱二重壁の構造としてもよい。この
断熱層５で囲まれた空間３の中に電子機器などの被遮蔽
物２を配置する。

このようにすると、遮蔽体１は冷媒Ｌ□によって臨界温
度以下に冷却されて超伝導状態となるので、空間３は、
外からの電気的、磁気的妨害が及ばず、外へ電磁波が漏
洩することのない理想的な遮蔽空間となる。したがって
、この空間３を利用すれば、例えば精度の高い計測を行
うことができる。

しかしながら、空間３の温度は極低温となってしまうの
で、このような温度環境に耐える物に対してしか、こう
した超伝導遮蔽を施すことができないし、空間３内に人
間が入って電子機器を操作するなどということは不可能
であるから、装置の応用範囲は限られたものになってし
まう。したがって、遮蔽体１の温度とは独立に空間３の
温度を自由に調節・設定できる超伝導遮蔽装置ができれ
ば、応用範囲は格段に広がる。

この発明の要点この発明は、上記のような、遮蔽体の温度とは独立にそ
の内部の空間及び／または被遮蔽体の温度が自由に調節
・設定でき応用範囲の広い超伝導遮蔽装置を提供するこ
とを目的とするものであり、遮蔽体で囲まれた空間及び
／または被遮蔽物の温度を所望の値に調節・設定するた
めに温度調節手段を設けた点に特徴がある。

第１図によシ、この発明の詳細な説明する。１は遮蔽体
、２は被遮蔽物、５は断熱層で、第１４図に示されたも
のと変わりがない。言うまでもなく、遮蔽体１は冷媒（
図示せず）によって冷却されて超伝導状態になっている
。遮蔽体１で囲まれた空間３には、さらに温度調節手段
４が設けられ、これによって空間３及び／または被遮蔽
物２の温度を遮蔽体１の温度とは独立して所望の値に保
持するようにしている。

温度調節手段４は加熱器または冷却器であって、具体的
には、 ■　通電した抵抗体にクロム線、炭素、導体、半導体な
ど）＠　エネルギー源とエネルギー−熱変換器との組み合わ
せ（レーザー光源と光吸収体との組み合わせなど）の　ベルテイエ素子 ■炉などの機器のほか。

■　エネルギー源からのエネルギービームを直接照射す
る方法（レーザー光や赤外線の利用） θ　予め加熱または冷却しておいた物体を空間３に配置
する方法 ■　外部と連通ずるパイプを空間３内に設け、加熱また
は冷却した流体をパイプ内に外から循環させる方法などを利用することができる。さらに、気体の断熱膨張
や化学反応に伴う発・吸熱を利用することもできる。空
間３の使用のしかた及び温度調節手段の選択に応じて、
空間は真空とされ、またはヘリウムや空気などの気体で
満たされる。断熱層５は超伝導遮蔽体１と空間３との温
度差が小さい場合のように不要な場合には省略してよい
。

以下、第２〜１１図によシ、この発明の各種の実施例を
説明する。なお、第１４図において既に説明した部品、
構成要素については、特に必要がない限り説明を省略す
る。

第１実施例：第２図は温度調節手段４が遮蔽体１内に配
置されている例である。この実施例における温度調節手
段４はヒーター４α、電源兼温度コントローラー４ｂ、
温度センサ４Ｃから構成されている。ヒーター４αはニ
クロム線、炭素、導体、半導体などであシ、温度センサ
４Ｃとしては熱電対、測温抵抗体、サーミスタなどを使
うことができる。温度センサ４Ｃは空間３の温度を常時
または一定時間毎に測定して電源兼温度コントローラー
４ｂに信号を送シ、ヒーター４αに流す電流を制御する
ので、空間３の温度を所望の一定値に保つことができる
。すなわち、温度が上昇しすぎれば、電流を減らして冷
媒Ｌ□による冷却効果がヒーター４αによる加熱効果を
上回るようにして温度を低下させ、温度が低下しすぎれ
ば、電流を増してヒーター４αによる加熱効果が冷媒Ｌ
□による冷却効果を上回るようにして温度を上昇させる
。

この実施例においては、遮蔽体１に開口が全くないため
、完全な電気、磁気遮蔽効果が期待できるという利点が
ある。

第２実施例：第３図は、第１実施例における電源兼温度
コントローラー４６を装置外に配置した例である。容器
２１の蓋体２０は断熱材２０αの周囲をＡｌなどの電気
良導体２０ｂで囲んだ平板状のもので、その下面にステ
ンレスなどの熱伝導性の低い物質で作られた支柱Ｐがナ
ラ）Ｈにより固着されている。また蓋体２０には、ヒー
ター４α及び温度センサ４Ｃにそれぞれ接続されたエナ
メル線などの被覆導線６と電源兼温度コントローラー４
ｂに接続された同軸ケーブル６′とを相互に接続するた
めの気密ＢＮＣコネクター７が設けられている。支柱Ｐ
の下端にはＡＩなどの熱放射を反射する材質の熱放射遮
蔽板８が固着される。この熱放射遮蔽板８は放射によっ
て上方から熱が冷媒Ｌ工に伝わるのを防ぐものである。

波板８の下面には被覆導線６が数回円形に巻かれた状態
で貼シ付けられ、導線６と遮蔽板８とが熱的に接触する
。したがって、導線６の熱容量がみかけ上増加すること
になるので、外部の熱が導線６を介して冷媒Ｌ□に伝わ
るのを遅らせる。また導線６の途中の部分ａをコイル状
に巻いて、外部の熱が導線６を介して冷媒Ｌ工に伝わる
のを遅らせる。

なお、導線６を遮蔽体１の内部から冷媒Ｌ□の外へ導出
するために、蓋１ａ、５αには互いに連通ずる貫通孔が
設けられるとともに、蓋ｌαには、該貫通孔を囲んで冷
媒Ｌ□の液面よシ上まで延びる中空円筒１α′が設けら
れる。

この実施例においては、さらに、電源兼温度コントロー
ラー４ｂのケース４ｂ′ヲ電気良導体で作シ、容器２１
をステンレス製とする。こうすると、蓋体２０、容器２
１、同軸ケーブル６′の外部導体６α′、ケース４ｈ′
、コネクタ７が全て電気良導体でできていて互いに電気
的に接触しているので、電磁遮蔽が形成されることにな
り、例えば同軸ケーブル６′に外部の電磁波雑音がのっ
て容器２１及び遮蔽体１の内部へ侵入するようなことが
ない。

この第２実施例においては、温度調節手段を超伝導遮蔽
装置の内部と外部とに分けたので、電力などのエネルギ
ーを外部から多量に供給することができる。つまり、遮
蔽体１内に収容できない大型の電源装置を外に設けるこ
とができることになり、遮蔽体１の寸法に制限されない
温度調節手段を利用することができる。

第３実施例：第４図は、レーザー光を被遮蔽物及び断熱
層の内壁に当てて加熱する例である。蓋体２０及び蓋１
α、５αを貫通して空間３と容器の外部の空間との間に
光ファイバ４ｄが設けられ、光ファイバ４ｄの一端にレ
ーザー光源４ｅからレーザー光１１を供給する。このレ
ーザー光は光フアイバ４ｄ内を介して空間３に伝えられ
、被遮蔽物２及び断熱層５の内壁を照射するので、レー
ザー光１１は熱に変換される。Ｌｅｘはレンズである。

光ファイバ４ｄは蓋体２０及び蓋１α、５αを貫通する
部分でそれらと接着されて隙間をなくしている。そのだ
めの極低温でも有効な接着材とじては、エマソン・アン
ト９・カミング・ジャパン■が販売している「スタイキ
ャス）　２８５０ＧＴＪがある。

この実施例では、レーザー光を直接に被遮蔽物２に照射
して熱を発生しているため、空間３が真空であって空間
３を介して熱の伝導、対流がない場合でも、効率良く被
遮蔽物２の温度を調節できるという利点がある。

第４実施例：第５図は、光ファイバによって遮蔽体内に
導入されたレーザー光を光吸収体に照射して熱を発生さ
せるようにしたものである。第３実施例と同じく、容器
の外に置かれたレーザー光源４ｅから発射されたレーザ
ー光１１は光ファイＡ４ｄの一端に供給される。光ファ
イバ４ｄは容器２１の蓋体２０および遮蔽体１、断熱層
５の蓋１α、５αを貫通し、その他端は遮蔽体１の内部
空間３まで延びている。光ファイバ４ｄの他端から導出
されたレーザー光１１はレンズＬｅｚによって集光され
て光吸収体４ｆを照射する。光吸収体４ｆは黒色に塗装
された木や金属などの他、光を吸収して熱に変換する結
晶、ガラス、木、プラスチック、セラミックなどである
。光吸収体４ｆはレーザー光を熱に変換することによっ
て、内部空間３の温度を調整する。

なお、第３実施例と同様に、光ファイバ４ｄ、は蓋体２
０及び蓋１α、５αを貫通する部分でそれらと接着され
ている。

第５実施例：第６図は第４実施例における光フアイバ４
ｄｆ使わずに容器の外方から直接にレーザー光ｔＳ蔽体
内の光吸収体に照射するようにした例である。遮蔽体１
の蓋１αの一部に冷媒Ｌ□の液面より上まで延びる透過
窓１ｄを設けるとともに断熱層５の蓋５αにも透過窓１
ｄと同じ位置に透過窓５Ｃを設ける。一方、容器２１の
蓋体２０にも、これら透過窓１ｄ、５Ｃに対応する位置
に透過窓２０Ｃが設けられる。これら透過窓２０Ｃ９ｌ
ｃＺ、５Ｃはレーザー光を吸収しない材料、例えばガラ
スで作られている。

したがって、外部に設けられたレーザー光源４ｅから発
射されたレーザー光１１は透過窓２０Ｃ１１ｄ、５ｃを
透過して空間３内の光吸収体４ｆｆｒ照射するので、光
吸収体４ｆは発熱し、空間３及び／または被遮蔽物２を
加熱する。

なお、レーザー光を光吸収体４ｆに照射して光を熱に変
換し被遮蔽物を加熱するのではなく、第３実施例と同じ
ように、レーザー光を被遮蔽物もしくは断熱層５の内壁
に当てて光を熱に変換してもよい。

第６実施例：第７図は４ルテイエ素子ヒートポンプを利
用し、しかも熱流を超伝導遮蔽体を介して外部（ここで
は冷媒）とやシとシする例である。

遮蔽体１の内部空間３の温度を測定する温度センサ４Ｃ
からの信号に基づいて、電源兼温度コントローラ４ｈは
遮蔽体１と熱的に接触しているにルテイエ素子４ｇに流
す電流を制御する。この電流の大きさに比例してＡ面か
らＢ面へ、またはＢ面からＡ面へと流れる熱流量が定ま
る。ある方向へ電流を流すとＢ面はＡ面に対して低温側
となシ、その逆の方向に電流を流すと、Ｂ面はＡ面に対
して高温側となるので、内部空間３の温度を遮蔽体１よ
シも高く、または低く設定することができる。

なお、電源兼温度コントローラー４ｂは第２実施例のよ
うに容器の外に置いてもよい。

第７実施例：第８図は、機械式蒸気圧縮サイクル及びヒ
ーターを利用して空間内を適温に保持するようにした例
である。遮蔽体１の蓋１α、断熱層５の蓋５α及び容器
２１の蓋体２０の同じ位置に貫通孔を形成するとともに
、断熱性の管１０を下端が蓋１αの貫通孔に嵌合して気
密に接着され上端が蓋体２０の上方に突出する状態に植
立する。

管１０は断熱材、プラスチック、ガラス、セラミック、
グラスファイバ、木、金属１発泡スチロール、多層断熱
材、またはこれらの複合材で作ることができ、真空断熱
二重壁構造とすることもできる。

空間３内には、被遮蔽物２、温度センサ４Ｃ１電源内蔵
のヒーター兼コントローラー４Ａ、蒸発器４ｉが置かれ
ている。蒸発器４ｉには管１０内を通る二本の配管４ｎ
□、４ｎ２の一端が連結され、配管４ｎ□の他端は絞シ
弁４ノを介して凝縮器４ｋに、配管４　ｎ　２の他端は
圧縮機４７７１に接続される。

配管４ｎよ、４ル２は外部電磁波を遮蔽体１内に伝えな
いようにセラミック、プラスチックなどの電気的不良導
体で作る。

したがって、モーター、ガソリンエンジンなどの主駆動
源４１によって圧縮機４ｍを例えば回転駆動すると、乾
き水蒸気は圧縮されつつ配管を通って凝縮器４ｋに送ら
れ、そこで熱を放出した蒸気は絞シ弁４ノ、配管４ｎ、
を経て蒸発器４ｉに送られる。蒸発器４Ｌで蒸気は熱を
吸収し、配管４ｒＬ２を経て再び圧縮機４７７１に送ら
れる。つまり機械式蒸気圧縮サインに４ｍ、４１，４に
、４）’、４ｉ　　によって空間３は冷却される。一方
、空間３はヒーター４ｈによって加熱されているので、
機械式蒸気圧縮サイクルによる冷却を一定に保ちながら
、温度センサー４Ｃによって空間３の温度を測定してヒ
ーター４ｈの加熱量を制御するならば、加熱と冷却のバ
ランスで空間３は適温に保持される。

つまシ、加熱器と冷却器とのバランスで空間３が適温に
保たれるのであって、断熱層５が厚ければ遮蔽体１の温
度は空間３に伝わらない。

この場合、二本の配管４ｒＬ□、４ｎ２　　は管１０の
冷媒Ｌ□で囲まれた部分を通過するが、管１０の内部は
遮蔽体１内の空間３と連通しているため、空間３と同じ
温度に保たれ、したがって配管４ｎ工。

４ｎ２内の蒸気が凍ってしまうことはない。

なお、機械式蒸気圧縮サイクルによる冷却のほか、ラン
キン・サイクル、吸収式サイクル、スターリング・サイ
クル、プレイトン・サイクルなどの冷却方法を採用する
ことができる。

第８実施例：第９図は冷却器としてベルテイエ素子を使
った点で第７実施例と異なっている。空間３内には、第
７実施例と同じ様に被遮蔽物２、温度センサ４Ｃ，電源
内蔵ヒーター兼コントローラー４４のほか、異種の導体
または半導体２０ｂ。

２０Ｃの接点２０αが配置される。これら２０α。

２０ｂ１２０Ｃはベルテイエ素子ヒートポンプ２０とな
る。導体または半導体２０ｂ、２０Ｃの上端は、管１０
□の上端の蓋１０αに設けたＢＮＣコネクタ２１にそれ
ぞれ接続される。管１０□は断熱材製の中空円筒の内面
に電気良導体の電磁遮蔽体を設けたものであり、蓋１０
αは金属などの電気良導体で作られている。

外部の直流電源２２が同軸ケーブル２３を介してコネク
タ２１に接続されるので、電流を２０ｂ−２０α−２０
Ｃの順に流すと、接点２０αでベルテイ工効果によって
吸熱が起る。これによる冷却とヒーターによる加熱との
バランスをとることによって、空間３の温度を適正に保
持することができる。

なお、導体または半導体２０ｂ、２０Ｃを介して外部の
電磁波が空間３内に伝わらないようにするために、直流
電源２２のケースを良導体で作シ、該ケース、同軸ケー
ブル２３の外部導体、ＢＮＣコネクタ２１のアース、蓋
１０α、管１０）　の内面の電磁遮蔽体、遮蔽体１を全
て電気的に接続して電磁遮蔽を形成しておく。

場合によって、直流電源２２の電極の正負を逆にして、
接点２０αを発熱源とすることもできる。

第９実施例：第１０図及び第１１図は、遮蔽体の中で人
間が作業できるようにするだめの例である。

容器の外で、空間３内にヒーター兼コントローラー４α
と温度センサ４Ｃとから成る温度調節手段、被遮蔽物で
ある電子顕微鏡４８及びその作業員を収容する。電子顕
微鏡４８の試料室４９には細菌や微生物などの試料が入
っている。この後、蓋５αを、そして０−ＩＪソングＣ
を介在させて蓋１αを被せる。このとき、第７実施例と
同じ様に、蓋１αには空間３を外部へ連通させるだけの
長さの断熱性の例えば真空断熱二重壁構造の管１０□が
固着されておハ管１０□の内部には、下端に水供給口４
１ｔ−設けた水配管３１、ガス供給口４３を設けたガス
配管３５、コンセントラ接続した電気配線３７が配設さ
れている。この状態の遮蔽体１を、その外側に設けた柏
手３９を利用してクレーンによシ容器２１内に置いた後
、冷媒Ｌ□、Ｌ２を容器２１．２２内に入れる。この後
に蓋体２０ｉ被せて蓋体２０に管１０□を気密に固着し
、水配管３１を水タンク３０に、ガス配管３５をバルブ
３４ｔ−介して高圧ボンば３２に、電気配線３７を電源
３６にそれぞれ接続する。

なお、空間３内で電子顕微鏡４８及びヒーター兼コント
ローラー４αはコンセント４４とプラグ５０．４５、電
気配線５１．４６によって接続される。なお４７は便器
である。

こうして空間３を人間が作業するのに適した環境とする
ことができる。すなわち、新鮮な空気はガス配管３５を
通って高圧ボンベから供給され、空間３を循環したあと
、管１０□の中空部を通って排気される。飲料水は水配
管３１全通して水タンク３０からバルブ４０を開いたと
きのみ供給される。こほれた水は容器４２で受ける。電
力は電源３６から電気配線３７を介してヒーター兼コン
トローラー４α及び電子顕微鏡４８に供給されるので、
温度センサ４Ｃは空間３の温度全測定しながらヒーター
兼コントローラー４αを空間３の温度が低い時にはオン
、高い時にはオフとなるよう動作させる。したがって空
間３は適温に保持され、このような環境の中で作業員は
電子顕微鏡４８を操作し細菌を観察する。

この実施例の利点は、電子顕微鏡４８が完全に遮蔽され
ているため、その電子線が外部磁場によって揺らいで像
が不明瞭になることが防止されることである。さらに、
空間３を観測対象たる細菌等の微生物及び作業員に適し
た温度に保つことができ、水や空気が外部から供給され
るため長時間にわたって作業を続けることができる点も
、この実施例のメリットである。

なお、空間３は管１０□によって外部と連通されている
から、被遮蔽物を外部の機器と管１０□の中全通る線に
よって接続することができることになる。したがって、
場合によっては被遮蔽物を外部から遠隔操作、遠隔計測
することにし、作業員を空間３内に収容せず、また水配
管、ガス配管を省略するようにしてもよい。

また、外部の電磁波雑音が空間３に侵入するのを防止す
るため、配管３１．３５は電気的不良導体で作られ、そ
して電気配線３７は同軸ケーブルとして、その外部導体
は電気的に電源３６の導体ケース及び遮蔽体１に電気的
に接続させて電磁遮蔽を形成している。

以上述べてきた九個の実施例において、遮蔽体１はその
壁自身の厚さもしくは壁の超伝導状態にある領域の厚さ
がコンド９ン侵入長よりも厚ければ、完全な電気的遮蔽
、磁気的遮蔽を行う。しかし、壁がロンドン侵入長よシ
も薄いと、遮蔽効が低下することになるので、所望の遮
蔽効果との関連で遮蔽体１の壁の厚さもしくは壁の超伝
導状態にある領域の厚さを選定すればよい。また、温度
調節手段は被遮蔽物と別体になっているが、これらが一
体となって一方が他方を内蔵する状態とすることもでき
る。例えば、炉で被遮蔽物内部り囲むようにしてもよい
。あるいは被遮蔽物内部にヒーターを内蔵させてもよい
。空間３を所望の温度に保持しておく時間長は、実施の
態様に応じて適宜選択すればよい事項である。

発明の効果このように、この発明は、超伝導体で作られ超伝導状態
とされた≧Ｓ蔽体と、該遮蔽体で囲まれた空間及び／ま
たは被遮蔽物の温度を調節するための温度調節手段とか
ら構成されているので、遮蔽体で囲まれた空間及び／ま
たは被遮蔽物の温度を温度調節手段によって遮蔽体の温
度とは独立して自由に、且つ被遮蔽物に最適の温度に設
定することができる。したがって、超伝導遮蔽体内部に
入れる被遮蔽物はどのような最適動作温度をもっていて
も温度調節手段によりその温度に設定できることになり
、被遮蔽物の選択範囲が非常に広がって超伝導遮蔽装置
の応用範囲が飛躍的に拡大される。

また、遮蔽体の内部の空間の温度を被遮蔽体に不適切な
温度に設定することもできるので、完壁な遮蔽の下での
耐熱試験、耐寒試験を行うことができる。さらに、遮蔽
体で囲まれた空間の温度を人間が生存できる温度に設定
することによ＃）％人間が遮蔽体の内部に入って電子機
器を操作したりすることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の詳細な説明するための概略図、第
２〜１１図は、この発明の超伝導遮蔽装置の各種の実施
例金示す図であって、第２図は第１実施例を、第３図は
第２実施例を、第４図は第３実施例を、第５図は第４実
施例を、第６図は第５実施例を、第７図は第６実施例を
、第８図は第７実施例？、第９図は第８実施例を、第１
０．１１図は第９実施例を示している。第１２〜１３図は、超伝導遮蔽の原理を説明するための
概略図、第１４図は、この発明の超伝導遮蔽装置の基と
なる装置を説明する図である。１・・・遮蔽体　　　　　　２・・・被遮蔽物３・・・
空　間　　　　　　４・・・温度調節手段５・・・断熱
層特許出願人　株式会社　岡　崎製作所（外５名）第２図４ａ：ヒーター４ｂ：電源兼温度コントローラー４ｃ：）１度センサ第３図４ｄ：光ファイバ゛４ｅ：レーザー光源４ｆ：光吸収体第７図４９：ペルテイエ素子４１：蒸完器４に：）Ｉ縮器２２　　：ｌＩ２１１ｔｌ＠課第１１図

Claims

【特許請求の範囲】１、超伝導体で作られ、超伝導状態とされる遮蔽体と、該遮蔽体で囲まれた空間及び／または被遮蔽物の温度を
調節するための温度調節手段とから構成されることを特
徴とする超伝導遮蔽装置。２、前記温度調節手段が前記空間及び／または被遮蔽物
を加熱するものであることを特徴とする、特許請求の範
囲の第１項に記載された超伝導遮蔽装置。３、前記温度調節手段が前記空間及び／または被遮蔽物
を冷却するものであることを特徴とする特許請求の範囲
の第１項に記載された超伝導遮蔽装置。４、前記温度調節手段が、前記空間及び／または被遮蔽
物を加熱する手段と冷却する手段とから成り、両手段に
よる加熱・冷却のバランスで前記空間及び／または被遮
蔽物を適温に保持することを特徴とする、特許請求の範
囲の第１項に記載された超伝導遮蔽装置。