JPS62110731A - 特に電子素子パツケ−ジに適用が可能な、容器内の湿度制御装置 - Google Patents
特に電子素子パツケ−ジに適用が可能な、容器内の湿度制御装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、密閉容器内の雰囲気中の湿度を制御するだめ
の装置に関するものである。このような装置は、特に電
子素子や電子回路を収納するのに使用されるパッケージ
に適用される。
の装置に関するものである。このような装置は、特に電
子素子や電子回路を収納するのに使用されるパッケージ
に適用される。
従来の技術
周知のように、電子素子パッケージ内の水分の抑制、あ
るいは、制御は大きな問題である。
るいは、制御は大きな問題である。
半導体ウェハ上の集積回路またはノ＼イブリ・ノド回路
のディスクＩＪ −ト素子の信頼性に関して最も深刻か
つ有害な作用を及ぼす汚染物は、雰囲気中に含まれる水
分であることが実際に知られている。
のディスクＩＪ −ト素子の信頼性に関して最も深刻か
つ有害な作用を及ぼす汚染物は、雰囲気中に含まれる水
分であることが実際に知られている。
特に、湿気があると回路の接続端子が腐蝕しやすくなる
。また湿気により、イオンが溶けやすくなり、その結果
として、腐食が加速される。このような効果は集積回路
にとって非常に都合の悪いものであり、集積回路の集積
度が高くなればなる程、すなわち、接続端子が小さくな
る程この効果が及ぼす影響は大となる。
。また湿気により、イオンが溶けやすくなり、その結果
として、腐食が加速される。このような効果は集積回路
にとって非常に都合の悪いものであり、集積回路の集積
度が高くなればなる程、すなわち、接続端子が小さくな
る程この効果が及ぼす影響は大となる。
電子素子または電子回路が収納されたパッケージ内に水
の分子が存在していることには原因がいくつかある。
の分子が存在していることには原因がいくつかある。
第１は、外的な原因である。パッケージを密閉する前に
雰囲気から水の分子を排除するためにあらゆる対策を講
じたとしても、密閉後も、水の分子がいくらか残る。さ
らに、パッケージのふたがどんなに注意深くパッケージ
本体に密着シールされても、密着シール部分には必ず漏
れ口が存在する。このため、パッケージが一般に使用さ
れる温度範囲で温度が変化すると、この漏れ口を介して
ポンプ作用が起こる。すなわち、低温になるとパッケー
ジ内部の圧力が外部の圧力より小さくなって空気が引き
込まれ、パッケージ内部が周囲の湿度と同じになってし
まう。このようにして入り込んだ水分子は、パッケージ
内部に存在する素子により少なくともその一部が固定さ
れる。温度上昇の間に外部に排出される気体は従って、
最初に入り込んだ水分子より少ない量の水分子を含んで
いるはずである。従って、水分子の数はパッケージ内部
で増大する一方となる。
雰囲気から水の分子を排除するためにあらゆる対策を講
じたとしても、密閉後も、水の分子がいくらか残る。さ
らに、パッケージのふたがどんなに注意深くパッケージ
本体に密着シールされても、密着シール部分には必ず漏
れ口が存在する。このため、パッケージが一般に使用さ
れる温度範囲で温度が変化すると、この漏れ口を介して
ポンプ作用が起こる。すなわち、低温になるとパッケー
ジ内部の圧力が外部の圧力より小さくなって空気が引き
込まれ、パッケージ内部が周囲の湿度と同じになってし
まう。このようにして入り込んだ水分子は、パッケージ
内部に存在する素子により少なくともその一部が固定さ
れる。温度上昇の間に外部に排出される気体は従って、
最初に入り込んだ水分子より少ない量の水分子を含んで
いるはずである。従って、水分子の数はパッケージ内部
で増大する一方となる。
さらにまた、パッケージ内の湿度を増加させる内的原因
もある。その原因として、主に以下の２つが挙げられる
。
もある。その原因として、主に以下の２つが挙げられる
。
−第１に、パッケージ内の回路および素子が吸収あるい
は吸着していた水分子はこのパッケージの使用中に放出
されるであろう。この欠点を解決するため、パッケージ
に収める前に、通常脱ガス処理を施す。しかし、この処
理では、特に高性能集積回路パッケージにおいては不充
分であることが明らかにされている。
は吸着していた水分子はこのパッケージの使用中に放出
されるであろう。この欠点を解決するため、パッケージ
に収める前に、通常脱ガス処理を施す。しかし、この処
理では、特に高性能集積回路パッケージにおいては不充
分であることが明らかにされている。
−第２に、パッケージの使用中にパッケージ内部に水分
子が発生する。これは、特に、ＯＨ基と水素原子の化学
的再結合、ガラスを含むパッケージのガラスが分解する
反応等により起こる。
子が発生する。これは、特に、ＯＨ基と水素原子の化学
的再結合、ガラスを含むパッケージのガラスが分解する
反応等により起こる。
この湿度の問題を解決するため様々な解決法が知られて
いる。その中には下記のようなものがある。
いる。その中には下記のようなものがある。
湿度が所定の値を超過するとそれを知らせる警報を発す
る水分探知用電子回路をパッケージ内に設ける方法。し
かし、湿度が警報値に達すると、そのパッケージは使用
不可能とみなされ、取り替えられる。従ってこの解決法
はコストがかかる。
る水分探知用電子回路をパッケージ内に設ける方法。し
かし、湿度が警報値に達すると、そのパッケージは使用
不可能とみなされ、取り替えられる。従ってこの解決法
はコストがかかる。
パッケージ内に、水分子を固定することが可能な材料を
備える方法。この解決法の効果は、使用する材料の水分
子吸収力で決まる。前述のように、水分子はパッケージ
が使用されている期間を通じて入り込んだりあるいは発
生するので、ある一定の使用期間が過ぎろと上記の吸収
材料は、新しい水分子を固定することができなくなり、
この場合、前述した周知の問題が再び生じる。
備える方法。この解決法の効果は、使用する材料の水分
子吸収力で決まる。前述のように、水分子はパッケージ
が使用されている期間を通じて入り込んだりあるいは発
生するので、ある一定の使用期間が過ぎろと上記の吸収
材料は、新しい水分子を固定することができなくなり、
この場合、前述した周知の問題が再び生じる。
パッケージ内に、水分子を固定することが可能な材料と
ともに、この材料自身を再生させる加熱手段を備える方
法。この方法で、パッケージ使用期間を通じて、パッケ
ージ内に入り込んだり、パッケージ内で発生した水分子
を固定することができる。
ともに、この材料自身を再生させる加熱手段を備える方
法。この方法で、パッケージ使用期間を通じて、パッケ
ージ内に入り込んだり、パッケージ内で発生した水分子
を固定することができる。
ｔ ｑ ｂ＜解決しようとする問題点
しかし、本特許出願の出願人の研究により、最後の解決
法も場合によっては不充分であることが明らかにされた
。本出願人の研究によると、酸素を固定して水分子を分
解することにより水素が放出されるため、パッケージ内
の圧力が上昇することがわかった。その結果、酸素固定
反応の速度が遅くなる。水素圧が大きくなりすぎるとこ
の酸素固定反応は完全に停止する。従って、上記のよう
な機構ではパッケージ内の湿度の増加を止めることはで
きない。
法も場合によっては不充分であることが明らかにされた
。本出願人の研究によると、酸素を固定して水分子を分
解することにより水素が放出されるため、パッケージ内
の圧力が上昇することがわかった。その結果、酸素固定
反応の速度が遅くなる。水素圧が大きくなりすぎるとこ
の酸素固定反応は完全に停止する。従って、上記のよう
な機構ではパッケージ内の湿度の増加を止めることはで
きない。
本発明の目的は、以上のような問題点と制約を克服する
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
問題点を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明による装置は、
−水分子を構成する酸素と化学反応して酸化物を形成す
ることにより水分子を分解するとともに、分解された該
水分子の水素を固定する手段と、−上記酸化物層を制御
しながら加熱することにより酸化物形成の化学反応を継
続させる手段とを備える。
ることにより水分子を分解するとともに、分解された該
水分子の水素を固定する手段と、−上記酸化物層を制御
しながら加熱することにより酸化物形成の化学反応を継
続させる手段とを備える。
本発明のその他の目的、特徴、成果を添付の図面を参照
して以下に詳しく説明する。
して以下に詳しく説明する。
実施例
添付の図面においては、同一の構成要素には同一参照番
号が付されている。また、これら図面は説明をわかりや
すくするため、実物通りの縮尺では描いてない。
号が付されている。また、これら図面は説明をわかりや
すくするため、実物通りの縮尺では描いてない。
第１図には、絶縁材料から成るウェハ１が示されている
。このウェハは本発明の装置の基板として使用されてい
る。この装置の片面、すなわち図中の上部表面−Ｌには
、手段３を加熱するのに用いる、抵抗を有する材料から
成る層２が配置されている。手段３が導電性である場合
、この手段３は、図に示されているように、絶縁層４を
介して抵抗層２上に配置される。さらにこの装置は参照
番号５で示される２箇の接続端子を備える。これら接続
端子５は例えば、基板１上の抵抗層２０両端にそれぞれ
配置して、抵抗層２を外部電源に電気的に接続するのに
用いる。
。このウェハは本発明の装置の基板として使用されてい
る。この装置の片面、すなわち図中の上部表面−Ｌには
、手段３を加熱するのに用いる、抵抗を有する材料から
成る層２が配置されている。手段３が導電性である場合
、この手段３は、図に示されているように、絶縁層４を
介して抵抗層２上に配置される。さらにこの装置は参照
番号５で示される２箇の接続端子を備える。これら接続
端子５は例えば、基板１上の抵抗層２０両端にそれぞれ
配置して、抵抗層２を外部電源に電気的に接続するのに
用いる。
基板１は例えば、アルミナ製で、その上に抵抗層２が例
えばシルクスクリーン印刷により堆積されている。この
抵抗層２は、ルテニウム酸化物を主体とした物質で構成
されている。その上にさらに、ガラス製の絶縁層４が、
これもまた例えばシルクスクリーン印刷により堆積され
ている。
えばシルクスクリーン印刷により堆積されている。この
抵抗層２は、ルテニウム酸化物を主体とした物質で構成
されている。その上にさらに、ガラス製の絶縁層４が、
これもまた例えばシルクスクリーン印刷により堆積され
ている。
手段３の目的は、従って酸素と化学反応させて酸化物を
形成し、手段３の表面３０と接触する、雰囲気中に含ま
れる水の分子を分解し、その分解によって解放された水
素を固定するこきである。これは、雰囲気内の部分圧が
上述の酸化反応を妨げるほどには上昇しないようにする
、あるいはすでに形成された酸化物を還元するためであ
る。水素を固定する機構は例えば゛固溶体″として知ら
れる物質を形成する、すなわちその物質の原子が配列し
ている中に水素原子を捕獲するという機構が可能である
。手段３は、例えば第１図に示されるように、上記の２
つの機能を備えた物質から成る層によって形成され、抵
抗層２または絶縁層４上に設置される。手段３はまた、
２つの別々の物質が絶縁層４（または抵抗層２）上に混
合されて配置され、あるいは互いに並置されて上記の２
機能を果たすものであってもよい。説明の簡潔化のため
、一つの物質からなる手段３が上記２機能を備える場合
についてのみ説明することにする。
形成し、手段３の表面３０と接触する、雰囲気中に含ま
れる水の分子を分解し、その分解によって解放された水
素を固定するこきである。これは、雰囲気内の部分圧が
上述の酸化反応を妨げるほどには上昇しないようにする
、あるいはすでに形成された酸化物を還元するためであ
る。水素を固定する機構は例えば゛固溶体″として知ら
れる物質を形成する、すなわちその物質の原子が配列し
ている中に水素原子を捕獲するという機構が可能である
。手段３は、例えば第１図に示されるように、上記の２
つの機能を備えた物質から成る層によって形成され、抵
抗層２または絶縁層４上に設置される。手段３はまた、
２つの別々の物質が絶縁層４（または抵抗層２）上に混
合されて配置され、あるいは互いに並置されて上記の２
機能を果たすものであってもよい。説明の簡潔化のため
、一つの物質からなる手段３が上記２機能を備える場合
についてのみ説明することにする。
酸素と手段３により生成された酸化物により、手段３の
表面上に封止層や保護層が形成されてはならない。なぜ
なら、これらの層により、続いて行われる酸化物の形成
が妨げられ、その結果水を構成する酸素の固定が不可能
となるためである。
表面上に封止層や保護層が形成されてはならない。なぜ
なら、これらの層により、続いて行われる酸化物の形成
が妨げられ、その結果水を構成する酸素の固定が不可能
となるためである。
本発明によれば、抵抗層２を用いて手段３を加熱し、そ
の手段のまだ酸化されていない部分へ酸素原子が移動す
るのを促進させる。場合により、これと同時に、酸素の
捕獲のため手段３の原子がその表面３０に向かって相互
に移動することもある。
の手段のまだ酸化されていない部分へ酸素原子が移動す
るのを促進させる。場合により、これと同時に、酸素の
捕獲のため手段３の原子がその表面３０に向かって相互
に移動することもある。
手段３には、上記のような移動を行わせるためにそれほ
ど高い温度が必要ない物質を選んでエネルギー消費と周
囲の温度上昇を抑えることが望ましい。本発明の装置が
電子素子パッケージに入れられている場合、素子自体か
ら放出される熱だけでもすでに問題となることが知られ
ている。従って、この熱に水分を捕えるために装置が発
生する熱がさらに加わることは望ましくない。
ど高い温度が必要ない物質を選んでエネルギー消費と周
囲の温度上昇を抑えることが望ましい。本発明の装置が
電子素子パッケージに入れられている場合、素子自体か
ら放出される熱だけでもすでに問題となることが知られ
ている。従って、この熱に水分を捕えるために装置が発
生する熱がさらに加わることは望ましくない。
電子素子パッケージは一般に真空に密閉されるのではな
く、ガスで充たされている。この場合、手段３を構成す
る物質は、酸化と水素の固定化の双方またはいずれかの
期間に、パッケージに充たされているガス（一般に窒素
）に対し、不活性、あるいは少なくとも、不活性な成分
を含むようなものを選択するとよい。
く、ガスで充たされている。この場合、手段３を構成す
る物質は、酸化と水素の固定化の双方またはいずれかの
期間に、パッケージに充たされているガス（一般に窒素
）に対し、不活性、あるいは少なくとも、不活性な成分
を含むようなものを選択するとよい。
手段３を構成する物質は例えばジルコニウムあるいはチ
タニウム、マグネシウム、ベリリウム、トリウム等から
選択するとよい。また別の変形例として手段３の物質は
上記金属の一つあるいは二つ以上からなる合金とするこ
とも可能である。
タニウム、マグネシウム、ベリリウム、トリウム等から
選択するとよい。また別の変形例として手段３の物質は
上記金属の一つあるいは二つ以上からなる合金とするこ
とも可能である。
さらに別の変形例として、形成された酸化層の保護効果
を低下させる役割を特に有する様々な添加剤を手段３の
物質にごく少量添加する。添加量は、例えばほんの敬重
量％である。このような添加剤として例えば、すず、ノ
ビウム、ニオビウム、アルミニウム、あるいは亜鉛、鉄
、銅、鉛等が挙げられる。
を低下させる役割を特に有する様々な添加剤を手段３の
物質にごく少量添加する。添加量は、例えばほんの敬重
量％である。このような添加剤として例えば、すず、ノ
ビウム、ニオビウム、アルミニウム、あるいは亜鉛、鉄
、銅、鉛等が挙げられる。
さらに別の変形例として、上記のように、別のタイプの
添加剤を水素を固定するため手段３の物質に添加するこ
とが可能である。この添加剤としては例えばチタニウム
を用いる。
添加剤を水素を固定するため手段３の物質に添加するこ
とが可能である。この添加剤としては例えばチタニウム
を用いる。
手段３の物質は、例えば接着、再融解により絶縁層４（
または抵抗層２）上に固定されるか、あるいはこの層の
上に堆積される。
または抵抗層２）上に固定されるか、あるいはこの層の
上に堆積される。
第２図は、本発明による装置の第２の実施例を示す図で
ある。この装置は第１図の装置と比べて、断熱手段を装
置自体とこの装置が収納されることになるパッケージと
の間にさらに備えている。
ある。この装置は第１図の装置と比べて、断熱手段を装
置自体とこの装置が収納されることになるパッケージと
の間にさらに備えている。
第２図に示される装置は第１図に示されるものと同じで
あるが、断熱層６をさらに備えている。
あるが、断熱層６をさらに備えている。
この断熱層６は、基板１の、抵抗層２が接していない方
の面に設置されている。この装置は断熱層６の側がパッ
ケージに固定される。
の面に設置されている。この装置は断熱層６の側がパッ
ケージに固定される。
この断熱層６の目的は、装置とこの装置を収納するパッ
ケージ間の熱交換を制限することにより、一方では手段
３の物質を加熱するのに必要なエネルギーを減少させ、
他方ではパッケージの温度上昇を妨げることにある。
ケージ間の熱交換を制限することにより、一方では手段
３の物質を加熱するのに必要なエネルギーを減少させ、
他方ではパッケージの温度上昇を妨げることにある。
例えば、この断熱層６はガラス製とすることができる。
基板１がアルミナ製の場合、断熱層としてガラスを選択
すると便利である。これは、ガラス層ですでに被覆され
たアルミナ製基板が手に入り易いためである。
すると便利である。これは、ガラス層ですでに被覆され
たアルミナ製基板が手に入り易いためである。
第３図は上記デバイスの変形例を示す図である。
断熱層６は基板１と抵抗層２との間に配置されている。
接続端子５は、前記したのと同様、抵抗層２と機械的か
つ電気的に接続する位置にあるが、本図面では、抵抗層
２は絶縁層６上に配置されている。
つ電気的に接続する位置にあるが、本図面では、抵抗層
２は絶縁層６上に配置されている。
この装置は基板ｌの断熱層６と接していない面がパッケ
ージに固定される。
ージに固定される。
第４図は、本発明の構成の一変形例を示す図である。エ
ネルギー消費を制限する目的で、抵抗層は特殊な形をし
ている。
ネルギー消費を制限する目的で、抵抗層は特殊な形をし
ている。
第４図に示される本発明の装置は上から見たものである
。基板１の上に参照番号２０で表わされる抵抗層が示さ
れており、この抵抗層２０は接続端子５を部分的に覆っ
ている。この抵抗層は手段３で覆われている。必要に応
じて、抵抗層２０と手段３との間に電気絶縁層４をはさ
むこともあるが図には示されていない。この実施例にお
いて、手段３は基板１の中央にほぼ楕円形を成して位置
し、抵抗層２０も手段３に合わせた形をしているが、両
端部が若干引き伸ばされている。引き伸ばされた部分は
参照番号２１と２２で示され、接続端子５と接続してい
る。
。基板１の上に参照番号２０で表わされる抵抗層が示さ
れており、この抵抗層２０は接続端子５を部分的に覆っ
ている。この抵抗層は手段３で覆われている。必要に応
じて、抵抗層２０と手段３との間に電気絶縁層４をはさ
むこともあるが図には示されていない。この実施例にお
いて、手段３は基板１の中央にほぼ楕円形を成して位置
し、抵抗層２０も手段３に合わせた形をしているが、両
端部が若干引き伸ばされている。引き伸ばされた部分は
参照番号２１と２２で示され、接続端子５と接続してい
る。
この実施例には、手段３において消費されるエネルギー
を最大にすることができるという利点がある。すなわち
、エネルギー消費を最大にしたい場所で最大にし、従っ
てその他の場所ではエネルギー消費を制限できるため、
既述した利点となる。
を最大にすることができるという利点がある。すなわち
、エネルギー消費を最大にしたい場所で最大にし、従っ
てその他の場所ではエネルギー消費を制限できるため、
既述した利点となる。
第５図は、本発明の装置の構成の一変形例の断面図であ
る。この装置には付加抵抗が備えられている。
る。この装置には付加抵抗が備えられている。
第５図には、第１図に示された実施例と同じ装置が示さ
れているが、参照番号２３で表わされる付加抵抗が、手
段３の垂直下方で抵抗層２と絶縁層４の間に配置される
。上記付加抵抗の目的は手段３において熱として消費さ
れるエネルギーを増加させるこきにある。
れているが、参照番号２３で表わされる付加抵抗が、手
段３の垂直下方で抵抗層２と絶縁層４の間に配置される
。上記付加抵抗の目的は手段３において熱として消費さ
れるエネルギーを増加させるこきにある。
第６図は本発明による装置を機械的かつ電気的に固定し
た場合の一実施例を示す図である。本装置は密閉容器、
例えば、電子素子パッケージの壁面、またはハイブリッ
ド回路基板等の収納システムの壁に固定される。
た場合の一実施例を示す図である。本装置は密閉容器、
例えば、電子素子パッケージの壁面、またはハイブリッ
ド回路基板等の収納システムの壁に固定される。
この図において、本発明の装置の例として第２図の実施
例が用いられている。この装置は、例えば接合剤または
ガラスから成る電気的に絶縁性の固定用層８によりパッ
ケージ基板７に機械的に固定される。電気的接続は、パ
ッケージ基板７上の導電路または接続端子５２に対して
ボンディングワイヤ５１により行われる。熱の問題から
、ボンディングワイヤによる接続の方が接続端子同士の
接続よりも好ましい。なぜなら、装置の接続端子が接続
端子５２に直接はんだ付けされると、この装置とパッケ
ージ基板７の間に伝熱路が形成されるが、これはもちろ
ん前述の理由から避けなければならないものだからであ
る。固定用層８は装置の下部（本実施例では断熱層６）
全体を覆ってもよいし、あるいは第６図に示されている
ようにこの下部の一部分だけを覆ってもよい。
例が用いられている。この装置は、例えば接合剤または
ガラスから成る電気的に絶縁性の固定用層８によりパッ
ケージ基板７に機械的に固定される。電気的接続は、パ
ッケージ基板７上の導電路または接続端子５２に対して
ボンディングワイヤ５１により行われる。熱の問題から
、ボンディングワイヤによる接続の方が接続端子同士の
接続よりも好ましい。なぜなら、装置の接続端子が接続
端子５２に直接はんだ付けされると、この装置とパッケ
ージ基板７の間に伝熱路が形成されるが、これはもちろ
ん前述の理由から避けなければならないものだからであ
る。固定用層８は装置の下部（本実施例では断熱層６）
全体を覆ってもよいし、あるいは第６図に示されている
ようにこの下部の一部分だけを覆ってもよい。
第７図は第６図の実施例の構成の変形例を示す図である
。ここでは本発明による装置を、パッケージ基板７に機
械的に固定するために断熱性も備える材料が使用されて
いる。
。ここでは本発明による装置を、パッケージ基板７に機
械的に固定するために断熱性も備える材料が使用されて
いる。
本発明による装置は、例えば、第１図に示された装置と
同様に表わされている。この装置は、基板１の、抵抗層
２に接していない側の面に延在する接続層９により、パ
ッケージ基板７に固定される。この接続層９は断熱層で
もある。しかし、この接続層９は、ガラスまたは伝熱性
の接合剤によって構成することが可能である。接続層９
は、第６図に示された固定用層８も同様であるが、連続
していてもよいし、分離していてもよい。電気的接続は
第６図に示したようになされるのが望ましい。
同様に表わされている。この装置は、基板１の、抵抗層
２に接していない側の面に延在する接続層９により、パ
ッケージ基板７に固定される。この接続層９は断熱層で
もある。しかし、この接続層９は、ガラスまたは伝熱性
の接合剤によって構成することが可能である。接続層９
は、第６図に示された固定用層８も同様であるが、連続
していてもよいし、分離していてもよい。電気的接続は
第６図に示したようになされるのが望ましい。
上記のように湿度制御装置について説明した。
この装置は小さなウェハ状をしており、電子回路素子パ
ッケージ内＃二容易に収納および接続することができる
。この装置は水の分子を分解により固定する。水分子固
定力は外部からの制御（抵抗層２への電圧の印加）によ
り再生することができる。
ッケージ内＃二容易に収納および接続することができる
。この装置は水の分子を分解により固定する。水分子固
定力は外部からの制御（抵抗層２への電圧の印加）によ
り再生することができる。
以上本゛発明の実施例について説明してきたが、本発明
はこれに制限されるものではない。この他の変形例も本
発明の範囲内で可能である。従って例えば抵抗層２の接
続端子５は、パッケージ基板７と本発明による装置との
間に伝熱路が形成されないという条件であれば、上から
見た形のみならず断面の形が異なるものも可能である。
はこれに制限されるものではない。この他の変形例も本
発明の範囲内で可能である。従って例えば抵抗層２の接
続端子５は、パッケージ基板７と本発明による装置との
間に伝熱路が形成されないという条件であれば、上から
見た形のみならず断面の形が異なるものも可能である。
第１図は、本発明による装置の第１の実施例の断面図で
あり、 第２図は、本発明による装置の第２の実施例で、断熱手
段を備えた装置の断面図であり、第３図は、第２図の変
形例を示す図であり、第４図は、本発明による装置の構
成の変形例を示す図であり、 第５図は、本発明による装置のさらに別の変形例を示す
図であり、 第６図は、本発明による装置を、電子素子パッケージ等
の、内部の湿度制御が必要とされる容器の壁に固定し電
気的に接続するための実施例を示す図であり、 第７図は、第６図の変形例を示す図である。 （主な参照番号） １・・基板、 ２・・抵抗層、３・・手段、
４・・絶縁層、５・・接続端子、
６・・断熱層、７・・パッケージ基板、 ８・・固
定用層、９・・絶縁層、 ５１・・ボンディングワイ
ヤ、５２・・接続端子
あり、 第２図は、本発明による装置の第２の実施例で、断熱手
段を備えた装置の断面図であり、第３図は、第２図の変
形例を示す図であり、第４図は、本発明による装置の構
成の変形例を示す図であり、 第５図は、本発明による装置のさらに別の変形例を示す
図であり、 第６図は、本発明による装置を、電子素子パッケージ等
の、内部の湿度制御が必要とされる容器の壁に固定し電
気的に接続するための実施例を示す図であり、 第７図は、第６図の変形例を示す図である。 （主な参照番号） １・・基板、 ２・・抵抗層、３・・手段、
４・・絶縁層、５・・接続端子、
６・・断熱層、７・・パッケージ基板、 ８・・固
定用層、９・・絶縁層、 ５１・・ボンディングワイ
ヤ、５２・・接続端子
Claims (12)
- （１）容器内の湿度を制御するための装置であって、水
分子を構成している酸素と化学反応して少なくともひと
つ酸化物を形成して該水分子を分解し、さらに分解され
た該水分子の水素を固定するための第１の手段と、 上記酸化層を制御しながら加熱して酸化物形成の化学反
応を継続させる第２の手段と を備えることを特徴とする装置。 - （２）上記第１の手段が、ジルコニウム、チタニウム、
ベリリウム、トリウムのうちの少なくとも１つを含む物
質から成る層により形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の装置。 - （３）上記第１の手段が、酸化物による該第１の手段の
保護効果を低下させる添加剤を少なくとも１つ含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （４）上記添加剤が、すず、ノビウム、アルミニウムの
うちの少なくとも１つを含むことを特徴とする特許請求
の範囲第３項に記載の装置。 - （５）上記第２の手段が上記第１の手段の近くに配置さ
れている抵抗層を備え、この抵抗層は、該抵抗層に電流
が流れるとき第１の手段を加熱することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （６）上記抵抗層は第１の手段にほぼ合った形をしてお
り、該抵抗層は該第１の手段と熱的に接続されて、第１
の手段の位置において最大の熱放出が起こることを特徴
とする特許請求の範囲第５項に記載の装置。 - （７）上記第１の手段の位置において、熱放出が増加す
るように配置された第２の抵抗層をさらに備える特許請
求の範囲第５項に記載の装置。 - （８）上記抵抗層と該抵抗層接続用の２つの端子が表面
上に配置されている基板をさらに備える特許請求の範囲
第５項に記載の装置。 - （９）上記抵抗層と上記第１の手段との間に電気絶縁層
をさらに備える特許請求の範囲第８項に記載の装置。 - （１０）断熱手段をさらに備える特許請求の範囲第１項
に記載の装置。 - （１１）固定手段で固定される特許請求の範囲第１項に
記載の装置を備える電子回路または電子素子のパッケー
ジ。 - （１２）上記固定手段が、上記基板の上記抵抗層に接し
ていない方の面に配置された層を備え、該層はパッケー
ジに対する装置の断熱と装置のパッケージの内壁面への
固定との２つの機能を果たすことを特徴とする特許請求
の範囲第第１１項に記載のパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8515661A FR2588770B1 (fr) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Dispositif de limitation de l'humidite dans une enceinte, notamment applicable a un boitier de composant electronique |
| FR8515661 | 1985-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110731A true JPS62110731A (ja) | 1987-05-21 |
Family
ID=9324085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25156786A Pending JPS62110731A (ja) | 1985-10-22 | 1986-10-22 | 特に電子素子パツケ−ジに適用が可能な、容器内の湿度制御装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0222651A1 (ja) |
| JP (1) | JPS62110731A (ja) |
| FR (1) | FR2588770B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011024936A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Fujitsu General Ltd | 脱臭装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2940521B1 (fr) | 2008-12-19 | 2011-11-11 | 3D Plus | Procede de fabrication collective de modules electroniques pour montage en surface |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2820931A (en) * | 1953-04-27 | 1958-01-21 | Sylvania Electric Prod | Semiconductor devices and methods |
| US3007089A (en) * | 1958-12-22 | 1961-10-31 | Aden J King | Semi-conductor |
| DE2931596C2 (de) * | 1979-08-03 | 1982-11-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Einbringen eines Getterstoffes in das Gehäuse eines elektrischen Bauelementes |
| FR2538618B1 (fr) * | 1982-12-28 | 1986-03-07 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Boitier pour composant electronique comportant un element fixant l'humidite |
-
1985
- 1985-10-22 FR FR8515661A patent/FR2588770B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-10-16 EP EP86402323A patent/EP0222651A1/fr not_active Withdrawn
- 1986-10-22 JP JP25156786A patent/JPS62110731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011024936A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Fujitsu General Ltd | 脱臭装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2588770B1 (fr) | 1989-10-27 |
| EP0222651A1 (fr) | 1987-05-20 |
| FR2588770A1 (fr) | 1987-04-24 |
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