JPS62102602A - 反射型減衰器 - Google Patents
反射型減衰器Info
- Publication number
- JPS62102602A JPS62102602A JP24133185A JP24133185A JPS62102602A JP S62102602 A JPS62102602 A JP S62102602A JP 24133185 A JP24133185 A JP 24133185A JP 24133185 A JP24133185 A JP 24133185A JP S62102602 A JPS62102602 A JP S62102602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- circuit
- bias
- diodes
- attenuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Attenuators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減衰器に係り、特に平面回路によって構成され
、分布定数回路による３ｄＢ［力分配器のカップリング
ポートと通過ポートにそれぞれ接地された可変抵抗素子
を接続した反射型減衰器に関するものである。
、分布定数回路による３ｄＢ［力分配器のカップリング
ポートと通過ポートにそれぞれ接地された可変抵抗素子
を接続した反射型減衰器に関するものである。
従来、分布定数回路による３ｄＢ電力分配器とＰＩＮダ
イオード２個を組み合わせた形式の反射型減衰器が用い
られている。
イオード２個を組み合わせた形式の反射型減衰器が用い
られている。
従来のこの種の反射型減衰器の一例を第３図に示し説明
すると、図において、１は入力ポート、２はアイソレー
シヨンポート、３はカップリングポート、４は通過ポー
ト、５ａ 、 ５ｂは可変抵抗素子としてのＰＩＮダイ
オード、６ａ 、 ６ｂはグランド（接地）、７はバイ
アス回路（ＰＩＮダイオード５＆。
すると、図において、１は入力ポート、２はアイソレー
シヨンポート、３はカップリングポート、４は通過ポー
ト、５ａ 、 ５ｂは可変抵抗素子としてのＰＩＮダイ
オード、６ａ 、 ６ｂはグランド（接地）、７はバイ
アス回路（ＰＩＮダイオード５＆。
５ｂへのバイアス供給回路）、８ａ 、 ａｂは保護抵
抗、９ｍ 、 ９ｂはＤＣカットコンデンサ、１０は分
布定数回路を用いた３ｄＢ電力分配器である。そして、
この３ｄＢ＠力分配器１０の入力ポート１およびアイソ
レーシヨンポート２を入出力端子としている。
抗、９ｍ 、 ９ｂはＤＣカットコンデンサ、１０は分
布定数回路を用いた３ｄＢ電力分配器である。そして、
この３ｄＢ＠力分配器１０の入力ポート１およびアイソ
レーシヨンポート２を入出力端子としている。
このように、分布定数回路を用いな３ｄＢ’ｔｌ力分配
器１００入カポート１およびアイソレーシヨンポート２
を入出力端子とし、カッ・プリングポート３、通過ポー
ト４にそれぞれ接地され、＋、町変抵抗素子としてのＰ
ＩＮダイオード５ａ 、 ｓｂを接続して構成されてい
る。
器１００入カポート１およびアイソレーシヨンポート２
を入出力端子とし、カッ・プリングポート３、通過ポー
ト４にそれぞれ接地され、＋、町変抵抗素子としてのＰ
ＩＮダイオード５ａ 、 ｓｂを接続して構成されてい
る。
このように構成された反射型減衰器において、高周波入
力信号が入力ポート１よυ印加され、３ｄＢ電力分配器
１０にてカップリングポート３および通過ポート４にそ
れぞれ１／２ずつ分岐される。そして、この分岐した信
号はＰＩＮダイオード５ ａ ＋５ｂで反射され、アイ
ソレーシヨンポート２へ出力されるが、上記ＰＩＮダイ
オード５ａ 、 ５ｂに流れる電流を変化させることに
より、高周波抵抗が変化するため反射量を制御すること
ができ、アイソレーシヨンポート２へ出力される信号の
レベルを制御することができる。
力信号が入力ポート１よυ印加され、３ｄＢ電力分配器
１０にてカップリングポート３および通過ポート４にそ
れぞれ１／２ずつ分岐される。そして、この分岐した信
号はＰＩＮダイオード５ ａ ＋５ｂで反射され、アイ
ソレーシヨンポート２へ出力されるが、上記ＰＩＮダイ
オード５ａ 、 ５ｂに流れる電流を変化させることに
より、高周波抵抗が変化するため反射量を制御すること
ができ、アイソレーシヨンポート２へ出力される信号の
レベルを制御することができる。
ここで、このＰＩＮダイオード５ａ、５ｂの高周波抵抗
が３ｄＢ電力分配器１０の特性インピーダンスと一致す
るよう電流を流したとき減衰量は最大となシ、電流が零
（０）で高抵抗の場合および電流を充分に流し、ショー
ト（短絡）に近い低抵抗の場合に減衰量は最小となる。
が３ｄＢ電力分配器１０の特性インピーダンスと一致す
るよう電流を流したとき減衰量は最大となシ、電流が零
（０）で高抵抗の場合および電流を充分に流し、ショー
ト（短絡）に近い低抵抗の場合に減衰量は最小となる。
そして、減衰量を制御する電流範囲として高周波抵抗が
特性インピーダンスと一致する値を境界として、低電流
領域と高電流領域があるが、消費電力が小さくてすむと
いう利点などから低電流領域がよく用いられる。
特性インピーダンスと一致する値を境界として、低電流
領域と高電流領域があるが、消費電力が小さくてすむと
いう利点などから低電流領域がよく用いられる。
上述した従来の反射型減衰器では、カップリングポート
および通過ポートとＰＩＮダイオードとの間にバイアス
回路が接続されておシ、ＰＩＮダイオードの電流が小さ
く、高周波抵抗が高抵抗領域では、バイアス回路の接続
点が伝送線路上の電圧最大点の近くになるため、信号の
一部がバイアス回路７に洩れてしまうため、出力信号の
電力が減少してしまうという欠点があった。
および通過ポートとＰＩＮダイオードとの間にバイアス
回路が接続されておシ、ＰＩＮダイオードの電流が小さ
く、高周波抵抗が高抵抗領域では、バイアス回路の接続
点が伝送線路上の電圧最大点の近くになるため、信号の
一部がバイアス回路７に洩れてしまうため、出力信号の
電力が減少してしまうという欠点があった。
また、元来、減衰器は信号を減衰させるものであシ、減
衰させているときは上記の原因による減衰量は問題にな
らないが、実用上減衰値を小さくして使用したいときな
ど、ダイオードに印加する電流を零（０）にした状態で
の減衰器としての損失が問題になることがらシ、なるべ
くこの減衰量は小さい方がよい。
衰させているときは上記の原因による減衰量は問題にな
らないが、実用上減衰値を小さくして使用したいときな
ど、ダイオードに印加する電流を零（０）にした状態で
の減衰器としての損失が問題になることがらシ、なるべ
くこの減衰量は小さい方がよい。
本発明の反射型減衰器は、ダイオードのバイアス供給回
路の接続点を上記ダイオードから約１７４波長離れた点
に配置した構成とするようにしたものである。
路の接続点を上記ダイオードから約１７４波長離れた点
に配置した構成とするようにしたものである。
バイアス回路の接続点がバイアス供給回路にショートと
なるように、ＰＩＮダイオードの接続点から約１／４波
長離した位置にバイアス回路を接続し、このＰＩＮダイ
オードに印加する電圧を制御することによりＰＩＮダイ
オードの高周波抵抗を変化させ、出力信号のレベルを制
御する。
なるように、ＰＩＮダイオードの接続点から約１／４波
長離した位置にバイアス回路を接続し、このＰＩＮダイ
オードに印加する電圧を制御することによりＰＩＮダイ
オードの高周波抵抗を変化させ、出力信号のレベルを制
御する。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による反射型減衰器の一実施例を示す回
路図である。
路図である。
この第１図において第３図と同一符号のものは相当部分
を示し、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂへのバイアス供給
回路（バイアス回路）γの接続点がバイアス供給回路に
ショート（短絡）となるように、ＰＩＮダイオード５ａ
、５ｂの接続点からそれぞれ約１／４波長離した位置に
バイアス回路Ｔを接続している。すなわち、約λ／４長
の伝送線路１１１ 、１１ｂがバイアス回路γの接続点
とＰＩＮダイオード５ａ。
を示し、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂへのバイアス供給
回路（バイアス回路）γの接続点がバイアス供給回路に
ショート（短絡）となるように、ＰＩＮダイオード５ａ
、５ｂの接続点からそれぞれ約１／４波長離した位置に
バイアス回路Ｔを接続している。すなわち、約λ／４長
の伝送線路１１１ 、１１ｂがバイアス回路γの接続点
とＰＩＮダイオード５ａ。
５ｂとの間に接続されている。
つぎにこの第１図に示す実施例の動作を説明する。
まず、３ｄＢ電力分配器１０の入力ポート１から入力し
た高周波信号はこの３ｄＢ電力分配器１０にエリカップ
リングポート３と通過ポート４に分岐し、その分岐され
た信号はそれぞれＰＩＮダイオード５ａ、５ｂで反射さ
れ、アイソレーシヨンポート２に出力される。
た高周波信号はこの３ｄＢ電力分配器１０にエリカップ
リングポート３と通過ポート４に分岐し、その分岐され
た信号はそれぞれＰＩＮダイオード５ａ、５ｂで反射さ
れ、アイソレーシヨンポート２に出力される。
そして、上記ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂに印加する電
圧を制御することによシ、このＰＩＮダイオード５ａ、
５ｂの高周波抵抗を変化させることができ、出力信号の
レベルを制御することができる。
圧を制御することによシ、このＰＩＮダイオード５ａ、
５ｂの高周波抵抗を変化させることができ、出力信号の
レベルを制御することができる。
つぎに、ＰＩＮダイオード５ａ、５ｂのインピーダンス
は流れる電流とともに、ＰＩＮダイオードのインピーダ
ンスの説明図である第２図に示すようにスミスチャート
上を変化するが、ここで問題とするのは点１２で示す電
流が零（０）で、最も反射の大きいときである。なお、
この第２図において、矢印１３は電流大を示す。
は流れる電流とともに、ＰＩＮダイオードのインピーダ
ンスの説明図である第２図に示すようにスミスチャート
上を変化するが、ここで問題とするのは点１２で示す電
流が零（０）で、最も反射の大きいときである。なお、
この第２図において、矢印１３は電流大を示す。
そして、一般に、非バイアス印加時のＰＩＮダイオード
のインピーダンスは、第２図に示すスミスチャートでオ
ープン（ＯＰＥＮ）Ｋ近い容量性であるため、約λ／４
長の伝送線路１１ａ 、 １１ｂをバイアス回路７の接
続点とＰＩＮダイオード５ａ 、 ５ｂとの間にそれぞ
れ入れると、バイアス回路７の接続点はショート（Ｓｈ
ｏｒｔ ）状態となる。
のインピーダンスは、第２図に示すスミスチャートでオ
ープン（ＯＰＥＮ）Ｋ近い容量性であるため、約λ／４
長の伝送線路１１ａ 、 １１ｂをバイアス回路７の接
続点とＰＩＮダイオード５ａ 、 ５ｂとの間にそれぞ
れ入れると、バイアス回路７の接続点はショート（Ｓｈ
ｏｒｔ ）状態となる。
したがって５本発明の方式でバイアス回路を構成すれば
、他の位置に接続したバイアス回路よシバイアス回路に
よる損失を小さくすることができる。
、他の位置に接続したバイアス回路よシバイアス回路に
よる損失を小さくすることができる。
以上説明したように、本発明によれば、複雑な手段を用
いることなく、反射型減衰器のバイアス回路の接続位置
をＰＩＮダイオードの接続位置よυ約λ／４離れた特定
の位置にした簡単な構成によって、減衰させていないと
きの減衰器の損失を小さくすることができるので、実用
上の効果は極めて大である。
いることなく、反射型減衰器のバイアス回路の接続位置
をＰＩＮダイオードの接続位置よυ約λ／４離れた特定
の位置にした簡単な構成によって、減衰させていないと
きの減衰器の損失を小さくすることができるので、実用
上の効果は極めて大である。
第１図は本発明による反射型減衰器の一実施例を示す回
路図、第２図は第１図の動作説明に供するＰＩＮダイオ
ードのインピーダンスの説明図、第３図は従来の反射型
減衰器の一例を示す回路図である。 １・・・・入力ポート、２・・・・アインレーションポ
ート、３・・・・カップリングポート、４命・・畳通過
ポート、５ａ、５ｂ・・・拳ＰＩＮダイオード、６ａ
、 ６ｂ・・・・接地、Ｔ・・・・バイアス回路（バイ
アス供給回路）１０・・・・３ｄＢ電力分配器、１１ｍ
、 １１ｂ・・・・約λ／４長の伝送線路。
路図、第２図は第１図の動作説明に供するＰＩＮダイオ
ードのインピーダンスの説明図、第３図は従来の反射型
減衰器の一例を示す回路図である。 １・・・・入力ポート、２・・・・アインレーションポ
ート、３・・・・カップリングポート、４命・・畳通過
ポート、５ａ、５ｂ・・・拳ＰＩＮダイオード、６ａ
、 ６ｂ・・・・接地、Ｔ・・・・バイアス回路（バイ
アス供給回路）１０・・・・３ｄＢ電力分配器、１１ｍ
、 １１ｂ・・・・約λ／４長の伝送線路。
Claims (1)
- 分布定数回路を用いた３ｄＢ電力分配器の入力ポート
およびアイソレーシヨンポートを入出力端子とし、カッ
プリングポート、通過ポートにそれぞれ接地された可変
抵抗素子としてのＰＩＮダイオードを接続して構成され
る反射型減衰器において、前記ＰＩＮダイオードへのバ
イアス供給回路の接続点を該ＰＩＮダイオードから約１
／４波長離れた点に配置した構成とするようにしたこと
を特徴とする反射型減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24133185A JPS62102602A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射型減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24133185A JPS62102602A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射型減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102602A true JPS62102602A (ja) | 1987-05-13 |
Family
ID=17072707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24133185A Pending JPS62102602A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射型減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102602A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6458109A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toyo Communication Equip | Step variable type high frequency attenuator |
| US5349312A (en) * | 1993-05-28 | 1994-09-20 | Raytheon Company | Voltage variable attenuator |
| FR2714531A1 (fr) * | 1993-12-27 | 1995-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Atténuateur variable. |
| US5568105A (en) * | 1993-02-10 | 1996-10-22 | Raytheon Company | Spurious frequency suppressor |
| CN112865830A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-28 | 无锡国芯微电子系统有限公司 | 一种数控幅相多功能芯片 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24133185A patent/JPS62102602A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6458109A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toyo Communication Equip | Step variable type high frequency attenuator |
| US5568105A (en) * | 1993-02-10 | 1996-10-22 | Raytheon Company | Spurious frequency suppressor |
| US5349312A (en) * | 1993-05-28 | 1994-09-20 | Raytheon Company | Voltage variable attenuator |
| FR2714531A1 (fr) * | 1993-12-27 | 1995-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Atténuateur variable. |
| US5477200A (en) * | 1993-12-27 | 1995-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Variable attenuator |
| CN112865830A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-28 | 无锡国芯微电子系统有限公司 | 一种数控幅相多功能芯片 |
| CN112865830B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-02-18 | 无锡国芯微电子系统有限公司 | 一种数控幅相多功能芯片 |
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