JPH01154602A - 反射型減衰器 - Google Patents
反射型減衰器Info
- Publication number
- JPH01154602A JPH01154602A JP31225787A JP31225787A JPH01154602A JP H01154602 A JPH01154602 A JP H01154602A JP 31225787 A JP31225787 A JP 31225787A JP 31225787 A JP31225787 A JP 31225787A JP H01154602 A JPH01154602 A JP H01154602A
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- JP
- Japan
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- port
- hybrid
- input
- bias
- input port
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- Pending
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減衰器に関し、特に分布定数回路による３ｄＢ
ハイブリツドのカップリングポートと通過ポートにそれ
ぞれ接地された可変抵抗素子を接続した反射型減衰器に
関する。
ハイブリツドのカップリングポートと通過ポートにそれ
ぞれ接地された可変抵抗素子を接続した反射型減衰器に
関する。
従来、この種の反射型減衰器は、第３図に示すように３
ｄＢハイブリツド１の入力ポート２．アイソレーション
ポート３を夫々入力端子、出力端子とし、カップリング
ポート４及び通過ポート５に夫々可変抵抗素子として接
地したＰＩＮダイオード６．６を接続している。そして
、バイアス端子１２から保護用抵抗９．９を介してＰＩ
Ｎダイオード６．６へ供給されるバイアス電流の供給回
路の接続点を、各ポート４．５と各ＰＩＮダイオード６
．６の中間に配置した構成となっている。
ｄＢハイブリツド１の入力ポート２．アイソレーション
ポート３を夫々入力端子、出力端子とし、カップリング
ポート４及び通過ポート５に夫々可変抵抗素子として接
地したＰＩＮダイオード６．６を接続している。そして
、バイアス端子１２から保護用抵抗９．９を介してＰＩ
Ｎダイオード６．６へ供給されるバイアス電流の供給回
路の接続点を、各ポート４．５と各ＰＩＮダイオード６
．６の中間に配置した構成となっている。
〔発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の反射型減衰器は、ＰＩＮダイオード６．
６へのバイアス供給点が、３ｄＢハイブリツド１のカッ
プリングポート４及び通過ボート５とＰＩＮダイオード
６．６との間に設定されている。このため、バイアス電
流を変化してＰＩＮダイオード６．６の高周波抵抗を変
化させ、これにより減衰量を制御する場合、バイアス供
給点におけるインピーダンスが変化し、周波数特性に悪
影響を及ぼすという問題がある。
６へのバイアス供給点が、３ｄＢハイブリツド１のカッ
プリングポート４及び通過ボート５とＰＩＮダイオード
６．６との間に設定されている。このため、バイアス電
流を変化してＰＩＮダイオード６．６の高周波抵抗を変
化させ、これにより減衰量を制御する場合、バイアス供
給点におけるインピーダンスが変化し、周波数特性に悪
影響を及ぼすという問題がある。
本発明はバイアス電流の変化によってもバイアス供給点
におけるインピーダンス変化を防止して周波数特性を改
善することができる反射型減衰器を提供することを目的
としている。
におけるインピーダンス変化を防止して周波数特性を改
善することができる反射型減衰器を提供することを目的
としている。
〔問題点を解決するための手段］
本発明の反射型減衰器は、ハイブリッドで構成される反
射型減衰器に設けられるＰＩＮダイオードへのバイアス
供給回路の接続点を、ハイブリッドの入力ポート及びア
イソレーションボートに配置し、バイアス電流変化に伴
う接続点におけるインピーダンス変化を防止する構成と
している。
射型減衰器に設けられるＰＩＮダイオードへのバイアス
供給回路の接続点を、ハイブリッドの入力ポート及びア
イソレーションボートに配置し、バイアス電流変化に伴
う接続点におけるインピーダンス変化を防止する構成と
している。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。図において
、１は分布定数回路を用いた３ｄＢハイブリツドであり
、その入力ポート２は入力端子１０に、アイソレーショ
ンボート３は出力端子１１に接続されている。また、カ
ップリングポート４及び通過ボート５には夫々接地され
たＰＩＮダイオード６．６を接続している。そして、前
記入力ポート２及びアイソレーションボート３には、夫
々１／４波長高インピーダンスライン７．７及び高周波
接地用コンデンサ８．８の直列回路を接続して接地させ
、この接続点にダイオード保護用抵抗９．９を介して前
記ＰＩＮダイオード６．６にバイアスを供給するバイア
ス端子１２を接続している。
、１は分布定数回路を用いた３ｄＢハイブリツドであり
、その入力ポート２は入力端子１０に、アイソレーショ
ンボート３は出力端子１１に接続されている。また、カ
ップリングポート４及び通過ボート５には夫々接地され
たＰＩＮダイオード６．６を接続している。そして、前
記入力ポート２及びアイソレーションボート３には、夫
々１／４波長高インピーダンスライン７．７及び高周波
接地用コンデンサ８．８の直列回路を接続して接地させ
、この接続点にダイオード保護用抵抗９．９を介して前
記ＰＩＮダイオード６．６にバイアスを供給するバイア
ス端子１２を接続している。
この構成によれば、入力端子１０より入力された高周波
信号は３ｄＢハイブリツド１の入力ポート２に入り、電
力を２分してカップリングポート４及び通過ボート５に
現れる。２分割された信号はＰＩＮダイオード６．６に
達し、その高周波抵抗に応じた反射係数で反射され、そ
れぞれのボートに至る。この時、通過ボート５側の信号
はカップリングポート４側の信号に比べ位相が９０°遅
れているため、反射波はアイソレーションボート３を経
て出力端子１１に現れる。
信号は３ｄＢハイブリツド１の入力ポート２に入り、電
力を２分してカップリングポート４及び通過ボート５に
現れる。２分割された信号はＰＩＮダイオード６．６に
達し、その高周波抵抗に応じた反射係数で反射され、そ
れぞれのボートに至る。この時、通過ボート５側の信号
はカップリングポート４側の信号に比べ位相が９０°遅
れているため、反射波はアイソレーションボート３を経
て出力端子１１に現れる。
減衰量はＰＩＮダイオード６．６の高周波抵抗を制御す
ること、すなわちバイアス電流を制御することにより制
御される。ここではバイアス供給点を入力端子１０と入
力ポート２の間及び出力端子１１とアイソレーションボ
ート３の間に配置しており、４分の１波長の高インピー
ダンスライン７．７を介してショートスタブを構成し、
高周波的に信号に影響を小さくしている。
ること、すなわちバイアス電流を制御することにより制
御される。ここではバイアス供給点を入力端子１０と入
力ポート２の間及び出力端子１１とアイソレーションボ
ート３の間に配置しており、４分の１波長の高インピー
ダンスライン７．７を介してショートスタブを構成し、
高周波的に信号に影響を小さくしている。
このため、バイアス電流を変化してＰＩＮダイオード６
．６の高周波抵抗を変化させ、減衰量を制御しても、バ
イアス供給点におけるインピーダンスがバイアス電流に
より変化されることはなく、周波数特性への悪影響を排
除することができる。
．６の高周波抵抗を変化させ、減衰量を制御しても、バ
イアス供給点におけるインピーダンスがバイアス電流に
より変化されることはなく、周波数特性への悪影響を排
除することができる。
特に、この実施例では１／４波長高インピーダンスライ
ン７．７を用いてバイアスを供給しているため、バイア
ス供給ラインの影響を殆ど無くし、理想的な反射型減衰
器が実現できる。
ン７．７を用いてバイアスを供給しているため、バイア
ス供給ラインの影響を殆ど無くし、理想的な反射型減衰
器が実現できる。
ここで、回路を簡単な構成とする場合には、第２図に示
すように、バイアス端子１２を単に保護用抵抗９．９を
介して３ｄＢハイブリツド１の入力ボート２．アイソレ
ーシヨンボート３に接続する構成としてもよく、第１図
の実施例と路間等の効果を得ることができる。
すように、バイアス端子１２を単に保護用抵抗９．９を
介して３ｄＢハイブリツド１の入力ボート２．アイソレ
ーシヨンボート３に接続する構成としてもよく、第１図
の実施例と路間等の効果を得ることができる。
以上説明したように本発明は、ハイブリッドに接続した
ＰＩＮダイオードへのバイアス供給回路の接続点を、ハ
イブリッドの入力ポート及びアイソレーションボートに
配置しているので、バイアス電流変化に伴う接続点にお
けるインピーダンス変化を防止することができ、周波数
特性への悪影響を排除できる効果がある。
ＰＩＮダイオードへのバイアス供給回路の接続点を、ハ
イブリッドの入力ポート及びアイソレーションボートに
配置しているので、バイアス電流変化に伴う接続点にお
けるインピーダンス変化を防止することができ、周波数
特性への悪影響を排除できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は本発明の
他の実施例の回路図、第３図は従来の回路図である。 １・・・３ｄＢハイブリツド、２・・・入力ポート、３
・・・アイソレーションボート、４・・・カップリング
ポート、５・・・通過ボート、６・・・ＰＩＮダイオー
ド、７・・・１／４波長高インピーダンスライン、８・
・・高周波接地用コンデンサ、９・・・ダイオード保護
用抵抗、１０・・・入力端子、１１・・・出力端子、１
２・・・パイア第１図 １ンバイアス１ヤン 第２図 第３図
他の実施例の回路図、第３図は従来の回路図である。 １・・・３ｄＢハイブリツド、２・・・入力ポート、３
・・・アイソレーションボート、４・・・カップリング
ポート、５・・・通過ボート、６・・・ＰＩＮダイオー
ド、７・・・１／４波長高インピーダンスライン、８・
・・高周波接地用コンデンサ、９・・・ダイオード保護
用抵抗、１０・・・入力端子、１１・・・出力端子、１
２・・・パイア第１図 １ンバイアス１ヤン 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）分布定数回路を用いたハイブリッドの入力ポート
及びアイソレーションポートを夫々入力端子，出力端子
とし、かつカップリングポート及び通過ポートに夫々可
変抵抗素子としての接地されたＰＩＮダイオードを接続
してなる反射型減衰器において、前記ＰＩＮダイオード
へのバイアス供給回路の接続点を前記入力ポート及びア
イソレーションポートに配置したことを特徴とする反射
型減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225787A JPH01154602A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 反射型減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225787A JPH01154602A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 反射型減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154602A true JPH01154602A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18027061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31225787A Pending JPH01154602A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 反射型減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2759203A1 (fr) * | 1997-02-05 | 1998-08-07 | Thomson Csf | Attenuateur electronique hyperfrequences |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57501205A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-07-08 | ||
| JPS62264701A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Nec Corp | 反射型減衰器 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP31225787A patent/JPH01154602A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57501205A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-07-08 | ||
| JPS62264701A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Nec Corp | 反射型減衰器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2759203A1 (fr) * | 1997-02-05 | 1998-08-07 | Thomson Csf | Attenuateur electronique hyperfrequences |
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