JPS6186782A - Color liquid crystal display element - Google Patents

Color liquid crystal display element

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JPS6186782A
JPS6186782A JP20798984A JP20798984A JPS6186782A JP S6186782 A JPS6186782 A JP S6186782A JP 20798984 A JP20798984 A JP 20798984A JP 20798984 A JP20798984 A JP 20798984A JP S6186782 A JPS6186782 A JP S6186782A
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JP
Japan
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liquid crystal
layer
display element
crystal display
electrode
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JP20798984A
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Japanese (ja)
Inventor
関村 信行
優 神尾
英治 坂本
泰子 元井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、表示要素単位となる複数個の電極を備えてい
る薄膜トランジスタ(TFT)アレイを設けた第1の基
板と、対向電極を設けた第2の基板とを有し、これらの
基板の間で生じる電気光学的変化によって表示を行う表
示装置に関するもので、特に、カラーフィルターを設け
てカラー表示を行うカラー液晶表示素子に関するもので
ある。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention provides a first substrate provided with a thin film transistor (TFT) array including a plurality of electrodes serving as display element units, and a first substrate provided with a counter electrode. The present invention relates to a display device that has a second substrate and performs display by electro-optical changes occurring between these substrates, and particularly relates to a color liquid crystal display element that provides a color filter and performs color display.

[従来の技術J 従来、この種の装置は、電気光学的変調材料として、液
晶、 EC(エレクトロクロミー)、EL(エレクトロ
ルミネセンス)等の材料を使用していて、薄膜構成によ
って基板上に駆動用半導体アレイが設けられた第1の基
板と、対向電極を形成した第2の基板を用い、これらの
基板間に電気光学的変調材料の層を挟持してなる構成が
用いられる。以下、その代表的例として薄膜半導体構造
を有する液晶表示装置の例について図を用いて説明する
[Prior Art J] Conventionally, this type of device has used materials such as liquid crystal, EC (electrochromy), and EL (electroluminescence) as electro-optic modulation materials, and has been applied to a substrate using a thin film structure. A configuration is used in which a first substrate is provided with a driving semiconductor array, a second substrate is provided with a counter electrode, and a layer of electro-optic modulation material is sandwiched between these substrates. Hereinafter, as a representative example, a liquid crystal display device having a thin film semiconductor structure will be described with reference to the drawings.

第3図及び第4図は、薄膜半導体を有する基板の例で、
これを液晶表示装置として構成した例を第5図によって
示す、即ち、第3図は表示用パネルを構成する基板(ガ
ラス等)6上に、2〜10本/■程度の密度でマトリク
ス配置された駆動用薄膜トランジスタ(丁FT:Th1
n Film Transistor)を設けたもので
ある。 TFTは、基板6上に形成されたゲート線1a
(透明又は金属の薄膜導電膜からなる)、該ゲート線上
に設けたゲート電極l、前記ゲート電極上に絶縁[91
3を介して形成した薄膜状の半導体2、半導体の一端に
接して設けたソース線(導電膜からなる) 3a及び半
導体の他端に設けたドレイン電極4等から構成されてい
る。上記トレイン電極4は表示要素単位となる電極を構
成している。第4図は、第3図の矢印B方向から眺めた
平面図であり、マトリクス駆動回路の一部を示している
3 and 4 are examples of substrates having thin film semiconductors,
An example in which this is configured as a liquid crystal display device is shown in FIG. 5. In other words, FIG. drive thin film transistor (FT: Th1
n Film Transistor). The TFT has a gate line 1a formed on the substrate 6.
(consisting of a transparent or metal thin conductive film), a gate electrode l provided on the gate line, an insulating film [91
3, a source line (made of a conductive film) 3a provided in contact with one end of the semiconductor, a drain electrode 4 provided at the other end of the semiconductor, and the like. The train electrode 4 constitutes an electrode serving as a display element unit. FIG. 4 is a plan view viewed from the direction of arrow B in FIG. 3, showing a part of the matrix drive circuit.

又、第5図は、第3図に示す基板と対向電極基板とで構
成される液晶表示装置を示すもので、第4図に示す線A
−A ’に相当する断面図である。
5 shows a liquid crystal display device composed of the substrate shown in FIG. 3 and a counter electrode substrate, and the line A shown in FIG.
- It is a sectional view corresponding to A'.

第5図に於いて、6及び8aはガラス等の基板、4は前
述のドレイン電極、7は対向電極である。
In FIG. 5, 6 and 8a are substrates such as glass, 4 is the aforementioned drain electrode, and 7 is a counter electrode.

4.7等には、rn203. 5n02等の透明導電膜
或いは場合によってAu、Ai、Pd等の金属薄膜が使
用される。l及び3aはそれぞれゲート電極及びソース
線であって、 An 、 Au、 Ag、 Pt、 P
d、 Cu等の金属が使用される。5は絶縁膜13をl
a等のゲート線上にみに形成した例を特別に示してあり
、又8は必要に応じて設けられる絶縁膜であり、配向膜
も兼ねることができる。2はCdS、 CdSe、 T
e。
4.7, rn203. A transparent conductive film such as 5n02 or a metal thin film such as Au, Al, Pd or the like is used depending on the case. 1 and 3a are a gate electrode and a source line, respectively, An, Au, Ag, Pt, P
Metals such as d and Cu are used. 5 is the insulating film 13
An example in which the film is formed only on the gate line such as a is specially shown, and 8 is an insulating film provided as necessary, and can also serve as an alignment film. 2 is CdS, CdSe, T
e.

アモルフォスシリコン等の半導体、9はスヘーサー、l
Oは液晶層である。尚、表示装置では、動的散乱モード
(DSM)・ねじれ配列ネマティック(TN)等表示モ
ードのいずれを利用するか或いは装置を透過型又は反射
型にするかに応じて、種々の液晶分子配向状態及び偏向
板・入/4板・反射板等の光学検知手段が適宜設定され
る。
Semiconductor such as amorphous silicon, 9 is a shacer, l
O is a liquid crystal layer. In addition, in display devices, various liquid crystal molecule orientation states are available depending on whether a display mode such as dynamic scattering mode (DSM) or twisted nematic (TN) is used, or whether the device is a transmissive type or a reflective type. Optical detection means such as a deflection plate, an input/quarter plate, and a reflection plate are appropriately set.

かかる装置において、カラー表示を行なう手段としては
、駆動用半導体アレイが設けられた基板か、対向する対
向電極基板上のどちらか一方にカラーフィルターを形成
する方法が一般的である。
In such a device, a common method for performing color display is to form a color filter on either the substrate on which the driving semiconductor array is provided or the opposing counter electrode substrate.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、色素によるカラーフィルターは、入射光
により退色し易く、特に紫外線による退色劣化が著しい
、したがって、従来これらの退色劣化を防止する為に、
カラーフィルター組込みの液晶表示素子には第2図に示
すように、別のガラス状の紫外線カツトフィルター12
が組込まれていた。このため表示素子は、その構造上必
然的に厚くなるという欠点を有していた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, color filters made of dyes are prone to fading due to incident light, and are particularly prone to fading due to ultraviolet rays.
As shown in FIG. 2, the liquid crystal display element incorporating the color filter is equipped with another glass-like ultraviolet cut filter 12.
was incorporated. For this reason, the display element has had the disadvantage that it is necessarily thick due to its structure.

本発明は、このような従来の欠点に鑑みなされたもので
、カラーフィルター組込みの表示素子として薄く、かつ
耐光性が良いカラー液晶表示素子の提供を目的としてい
る。
The present invention has been made in view of these conventional drawbacks, and an object of the present invention is to provide a color liquid crystal display element that is thin and has good light resistance as a display element incorporating a color filter.

[問題点を解決するための手段] 素子の厚みを薄くする為には、紫外線カツトフィルター
、あるいはそれと同等の機能をもつ物質を素子内部に組
み込まなければならない。
[Means for solving the problem] In order to reduce the thickness of the element, it is necessary to incorporate an ultraviolet cut filter or a substance with an equivalent function into the element.

しかしながら、紫外線カツトフィルターをそのまま内部
に組み込むことは、技術的に大変困難である。そこで本
発明においては、紫外線カツトフィルターを内部に組み
込むかわりに、それと同等の機能を有するポリイミド樹
脂を素子内部に形成した。なお、ここで用いられるポリ
イミド樹脂は、液晶の配向材としては良く知られている
が、紫外線をカットする材料としてはあまり知られてい
な゛いものである。
However, it is technically very difficult to incorporate the ultraviolet cut filter directly into the interior. Therefore, in the present invention, instead of incorporating an ultraviolet cut filter inside, a polyimide resin having the same function as the ultraviolet cut filter is formed inside the element. The polyimide resin used here is well known as an alignment material for liquid crystals, but is not well known as a material that blocks ultraviolet rays.

具体的には、第1図に示すように基板6上に透明電極(
画素電極14)を形成し、その上に絶縁膜13を介して
色素層(カラーフィルター)18を形成させ、更にポリ
イミド樹脂層17を前記色素層18の上に形成させるわ
けであるが、ここで問題となるのはポリイミド樹脂が、
その前駆体であるポリアミック酸樹脂成分の溶媒として
例えばN−メチルピロリドン等が使用されており、この
溶媒が塗布時に色素層を溶解する為に、色素層上に直接
形成することは出来ないことである。そこで本発明にお
いては色素層1′8とポリイミド樹脂層17の間に透明
絶縁層18を形成させることにより、色素層がポリイミ
ド樹脂中の前駆体であるポリアミック酸の塗布液に含有
している溶剤の悪影響を受けることを防止している。さ
らにこのポリイミド樹脂の表面をラビング処理すること
により、液晶分子に配向機能を付与させている。
Specifically, as shown in FIG. 1, a transparent electrode (
A pixel electrode 14) is formed, a dye layer (color filter) 18 is formed thereon via an insulating film 13, and a polyimide resin layer 17 is further formed on the dye layer 18. The problem is that polyimide resin
For example, N-methylpyrrolidone is used as a solvent for the polyamic acid resin component, which is the precursor, and because this solvent dissolves the dye layer during coating, it cannot be directly formed on the dye layer. be. Therefore, in the present invention, by forming the transparent insulating layer 18 between the dye layer 1'8 and the polyimide resin layer 17, the dye layer is free from the solvent contained in the coating solution of polyamic acid, which is a precursor in the polyimide resin. This prevents the negative effects of Furthermore, by rubbing the surface of this polyimide resin, an alignment function is imparted to the liquid crystal molecules.

[作 用〕 本発明に用いられるポリイミド樹脂(例えば、米国特許
第3179634号公報に記載のポリアミド樹脂を用い
ることができる。)は、液晶の配向材料として機能する
と共に、樹脂自体が紫外線カツトフィルターとしても機
能する。したがって、このポリイミド樹脂を、液晶内部
の色素層上に形成させることによって1表示素子外部に
紫外線カツトフィルターを設けることが不要となる。
[Function] The polyimide resin used in the present invention (for example, the polyamide resin described in US Pat. No. 3,179,634 can be used) functions as an alignment material for liquid crystals, and the resin itself functions as an ultraviolet cut filter. also works. Therefore, by forming this polyimide resin on the dye layer inside the liquid crystal, it becomes unnecessary to provide an ultraviolet cut filter outside one display element.

[実施例] 本発明の実施例を第6図〜第8図において説明する。第
6図は薄膜トランジスタ上に色素層を形成させる過程の
一実施例を示した断面概略図である。
[Example] An example of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the process of forming a dye layer on a thin film transistor.

第6図(a)において、先ず基板(ガラス;コーニング
社製7059) 6の上に、100OAのITO膜から
なる画素電極14を、フォトリン工程によって所望のパ
ターンに形成した0次に同図(b)において、lを10
0OA厚に真空蒸着し、フォトリン工程により所望のパ
ターンのゲート電極1を形成した。
In FIG. 6(a), first, a pixel electrode 14 made of a 100 OA ITO film was formed into a desired pattern on a substrate (glass; 7059 manufactured by Corning Incorporated) 6 by a photorin process. In b), l is 10
Vacuum deposition was performed to a thickness of 0 OA, and a gate electrode 1 with a desired pattern was formed by a photorin process.

次に同図(C)において、感光性ポリイミドから成る絶
縁膜13を100OA厚に塗布し、露光・現像処理によ
り、画素電極14が、ドレイン電極4とコンタクトする
為のスルーホールを形成した1次に同図(d)において
、H2で希釈されたSiH4を真空中でグロー放電法に
よって堆積させることにより。
Next, in the same figure (C), an insulating film 13 made of photosensitive polyimide is applied to a thickness of 100 OA, and through exposure and development processing, a through hole is formed for the pixel electrode 14 to contact the drain electrode 4. In the same figure (d), SiH4 diluted with H2 is deposited by glow discharge method in vacuum.

a−Si層からなる200OA厚の光導電層15(イン
トリンシック層=i層)を形成した後、その上に同様な
工程によりa−Si層からなるn′″層16を形成し、
更にドライエツチング法により前記n3層16を所望の
形状にエツチングして薄膜トランジスタを形成した0次
に同図(f)において、A文をIGOOA厚に真空蒸着
し、フォトリン工程により所望のパターンのソース電極
3及びドレイン電極4を形成した。このようにして薄膜
トランジスタの形成された画素電極(ドレイン電極4)
上に同図(g)に示すように色素層(カラーフィルター
)1日を形成した。
After forming a 200 OA thick photoconductive layer 15 (intrinsic layer = i layer) made of an a-Si layer, an n'' layer 16 made of an a-Si layer is formed thereon by the same process,
Furthermore, the N3 layer 16 is etched into a desired shape by a dry etching method to form a thin film transistor. As shown in FIG. Electrode 3 and drain electrode 4 were formed. The pixel electrode (drain electrode 4) where the thin film transistor is formed in this way
A dye layer (color filter) was formed on top for one day as shown in FIG.

ここで色素層(カラーフィルター)18の基板上への形
成過程を更に詳しく説明する。
Here, the process of forming the dye layer (color filter) 18 on the substrate will be explained in more detail.

先ず、スピンナー塗布法により、ポジ型レジスト(商品
名、 0FPR80G、東京応化型)を5000〜70
00Aの膜厚で画素電極上に塗布した0次に80℃、3
0分間のプリベータを行なった後、紫外光にてマスク露
光を行ない、専用現像液に1分間浸漬し、同じく専用リ
ンス液に1分間浸漬して、レジストマスクを形成した0
次にレジストマスクの形成されたフォトセンサーアレイ
全面に露光を行ない、溶剤に可溶とした。続いてフォト
センサーアレイと、Noポートに詰めた銅フタロシアニ
ンを真空容器内に設置し、真空度104〜1G” To
rrにおいて、Noポートを450〜550℃に加熱し
銅フタロシアニンの蒸着を行い、膜厚は400OAとし
た。しかる後に、0FPR専用現像液中にて浸漬撹拌を
行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜の不要部
分を除去することによって、パターン状青色色素層を形
成した。続いてこのパターン状青色色素層の形成された
フォトセンサーアレイ上に同様な工程で0FPR800
を塗布し、露光、現像した後、次のパターン状緑色色素
に相当するレジストマスクを形成した。全面露光後、真
空蒸着機に設置し、今度は、pbフタロシアニンを45
0〜550℃で蒸着し30GOAの膜を得た。しかる後
に現像液で浸漬撹拌し、パターン状緑色色素層を形成し
た。さらに全く同様な工程により、ペリレンテトラカル
ボン酸誘導体系の赤色色素として、イルガジンレッドB
PT  (商品名チバガイギー製(I No71127
)を、400〜500℃で約3000人蒸着し、現像液
処理によりパターン状赤色色素層を得た。
First, a positive resist (trade name, 0FPR80G, Tokyo Ohka type) was coated with 5000 to 700% by spinner coating method.
The 0th order coated on the pixel electrode with a film thickness of 00A at 80℃, 3
After performing pre-beta for 0 minutes, mask exposure was performed with ultraviolet light, immersion in a special developer for 1 minute, and immersion in a dedicated rinsing solution for 1 minute to form a resist mask.
Next, the entire surface of the photosensor array on which the resist mask was formed was exposed to light to make it soluble in a solvent. Next, the photosensor array and the copper phthalocyanine packed in the No port were installed in a vacuum container, and the vacuum level was 104~1G" To
In rr, the No port was heated to 450 to 550°C to deposit copper phthalocyanine to a film thickness of 400OA. Thereafter, a patterned blue dye layer was formed by immersing and stirring in a developer exclusively for 0FPR and removing unnecessary portions of the deposited film while dissolving the resist mask. Subsequently, 0FPR800 was applied in the same process on the photosensor array on which the patterned blue dye layer was formed.
After coating, exposing and developing, a resist mask corresponding to the next patterned green dye was formed. After the entire surface was exposed, it was installed in a vacuum evaporator, and this time 45% of PB phthalocyanine was applied.
A film of 30 GOA was obtained by vapor deposition at 0 to 550°C. Thereafter, it was immersed in a developer and stirred to form a patterned green dye layer. Furthermore, by using exactly the same process, Irgazine Red B was produced as a perylenetetracarboxylic acid derivative red pigment.
PT (Product name: Manufactured by Ciba Geigy (I No. 71127)
) was deposited by about 3,000 people at 400 to 500°C, and treated with a developer to obtain a patterned red dye layer.

このようにして色素層を形成した後、第6図(h)で示
すように、基板上の全面に透明絶縁層19としてネガレ
ジスト(例、東京応化型0DUR)を形成し、更にその
全面上にポリイミド樹脂を、1200A厚に塗布し、2
50℃、1時間の加熱硬化を行ってポリイミド樹脂層1
7を形成した(第1図参照)、シかる後に、該ポリイミ
ド樹脂層17の表面を、ラビング処理して液晶を配向さ
せる配向機能を付与させた。
After forming the dye layer in this way, as shown in FIG. 6(h), a negative resist (for example, Tokyo Ohka 0DUR) is formed as a transparent insulating layer 19 on the entire surface of the substrate, and further on the entire surface. Apply polyimide resin to a thickness of 1200A, and
Polyimide resin layer 1 was cured by heating at 50°C for 1 hour.
7 was formed (see FIG. 1), and after sintering, the surface of the polyimide resin layer 17 was subjected to a rubbing treatment to impart an alignment function for aligning the liquid crystal.

この様にして配向機能を付与したポリイミド樹脂層から
成る電極基板と、他方の対向電極基板とを対向させ、そ
の間隙に液晶を注入することにより、カラー液晶表示素
子を構成することができる。
A color liquid crystal display element can be constructed by placing an electrode substrate made of a polyimide resin layer imparted with an alignment function in this way and the other counter electrode substrate facing each other, and injecting liquid crystal into the gap between them.

また、色素層の他の構成法としては、第1図で示した様
な薄膜トランジスタを形成した電極基板上だけでなく、
第8図に示す様に他方の電極基板上に形成された透明電
極上に色素層を形成して、第7図の様にカラー液晶表示
素子として構成することもできる。
In addition, other methods of forming the dye layer include not only forming the dye layer on an electrode substrate on which a thin film transistor is formed as shown in FIG.
As shown in FIG. 8, a dye layer can be formed on the transparent electrode formed on the other electrode substrate, and a color liquid crystal display element can be constructed as shown in FIG. 7.

[発明の効果1 本発明は次の様な特有の効果を有する。[Effects of the invention 1 The present invention has the following unique effects.

1、素子内部に形成されたポリイミド樹脂層が紫外線を
カットするため、外部に紫外線カツトフィルターを設け
る必要がなく、表示素子全体を薄くすることができる。
1. Since the polyimide resin layer formed inside the element blocks ultraviolet rays, there is no need to provide an external ultraviolet ray cut filter, and the entire display element can be made thinner.

2、配向材料としてのポリイミド樹脂が、前記した通り
紫外線カツトフィルターの役目を果たす為、色素層から
成るカラーフィルターの耐光性が向上し、表示素子の退
色劣化を防止する。
2. Since the polyimide resin as the alignment material plays the role of an ultraviolet cut filter as described above, the light resistance of the color filter consisting of the dye layer is improved and the fading and deterioration of the display element is prevented.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の基本概念を示す素子断面図。 第2図は従来のカラー液晶表示素子の一例を示す素子断
面図、第3図は薄膜半導体を有する基板の斜視図、第4
図は第3図の矢印B方向から眺めた平面図、第5図は第
4図のA−A ’断面に相当する基板と対向電極とで構
成される表示パネルの断面図、第6図(a)〜(h)は
本発明による色素層形成過程の一実施例を示す断面概略
図、第7図は本発明によるカラー液晶表示素子の斜視断
面図、第8図は本発明の他の実施例を示す構成断面図で
ある。 1:ゲート電極、1a:ゲート線、 2:薄膜半導体、3:ソース電極。 3a=ソース線、4ニドレイン電極。 6.8a:基板、7:対向電極、lO:液晶層、12:
紫外線カツトフィルター、ゝ13:絶縁膜。 14:画素電極、 15:光導電層(a−9i(i) )、Hl:n”層(
a−Si(n” ) ) 。 17:ポリイミド樹脂層、 18二色素層(カラーフィルター)、 18:透明絶縁層。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of an element showing the basic concept of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of a conventional color liquid crystal display device, FIG. 3 is a perspective view of a substrate having a thin film semiconductor, and FIG.
The figure is a plan view viewed from the direction of arrow B in FIG. 3, FIG. a) to (h) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of the dye layer forming process according to the present invention, FIG. 7 is a perspective cross-sectional view of a color liquid crystal display element according to the present invention, and FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the dye layer forming process according to the present invention FIG. 2 is a configuration cross-sectional view showing an example. 1: Gate electrode, 1a: Gate line, 2: Thin film semiconductor, 3: Source electrode. 3a = source line, 4 ni drain electrode. 6.8a: Substrate, 7: Counter electrode, lO: Liquid crystal layer, 12:
Ultraviolet cut filter, ゝ13: Insulating film. 14: Pixel electrode, 15: Photoconductive layer (a-9i(i)), Hl: n'' layer (
a-Si(n”)). 17: Polyimide resin layer, 18 Two-color layer (color filter), 18: Transparent insulating layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 上下に配置した電極基板間に、液晶を挟持してなる薄膜
トランジスタを用いた液晶表示素子において、どちらか
一方の電極基板の透明電極上に、先ず色素層からなるカ
ラーフィルターを形成し、続いて該カラーフィルター上
に透明絶縁層を形成して、更に該透明絶縁層上に、ポリ
イミド樹脂層を形成した後、該ポリイミド樹脂層の表面
に、液晶分子を配向させる為の配向機能を付与したこと
を特徴とする薄膜トランジスタを用いたカラー液晶表示
素子。
In a liquid crystal display element using a thin film transistor in which a liquid crystal is sandwiched between upper and lower electrode substrates, a color filter consisting of a dye layer is first formed on the transparent electrode of one of the electrode substrates, and then a color filter is formed on the transparent electrode of one of the electrode substrates. After forming a transparent insulating layer on a color filter and further forming a polyimide resin layer on the transparent insulating layer, the surface of the polyimide resin layer is given an alignment function for aligning liquid crystal molecules. A color liquid crystal display element using characteristic thin film transistors.
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