JPS6182650A - イオン開裂反応測定装置 - Google Patents
イオン開裂反応測定装置Info
- Publication number
- JPS6182650A JPS6182650A JP59205332A JP20533284A JPS6182650A JP S6182650 A JPS6182650 A JP S6182650A JP 59205332 A JP59205332 A JP 59205332A JP 20533284 A JP20533284 A JP 20533284A JP S6182650 A JPS6182650 A JP S6182650A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- electric field
- ion
- sweep
- magnetic
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/022—Circuit arrangements, e.g. for generating deviation currents or voltages ; Components associated with high voltage supply
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本発明は逆配置二重収束型質量分析計におけるイオン開
裂反応測定技術に関するものである。
裂反応測定技術に関するものである。
質量分析計は試料イオン化室で形成された試料分子のイ
オンを質量の大小によって展開し、質量スペクトルを測
定するものである。しかし試料イオン化室で形成された
イオンの成るものは準安定状態にあり、質量分析計内を
飛行している間に更に中性分子とイオンとに開裂する。
オンを質量の大小によって展開し、質量スペクトルを測
定するものである。しかし試料イオン化室で形成された
イオンの成るものは準安定状態にあり、質量分析計内を
飛行している間に更に中性分子とイオンとに開裂する。
質量分析では開裂反応を起さなかったイオンについて質
量を測定しているのであるが、開裂したイオンを調べる
こと1こよっても分析上の情報が得られる。この場合、
最初に生じたイオンが更に中性分子とイオンとに開裂す
る開裂の仕方とその反応速度とはもとのイオン種とその
励起状態によって決まるので、開裂によって生ずるイオ
ン種とその開裂の反応速度とが測定対象となる。
量を測定しているのであるが、開裂したイオンを調べる
こと1こよっても分析上の情報が得られる。この場合、
最初に生じたイオンが更に中性分子とイオンとに開裂す
る開裂の仕方とその反応速度とはもとのイオン種とその
励起状態によって決まるので、開裂によって生ずるイオ
ン種とその開裂の反応速度とが測定対象となる。
今もとのイオンの質量をmO1加速電圧をVとすると、
そのイオンの速度Vは、イオンの電荷をeとして、 mov”=eV ま た開裂後のイオンも中性分子も、元と同じ速度Vを持っ
ているので、開裂したイオンのエネルギーは そこで磁場先行二重収束型質量分析計で磁場を質Ql
m 01ζ合せておき、電場でエネルギー走査を行う、
”!Qmnのl)七のイオンカダ開裂しτ夫゛のような
質量のイオンを生じたかが判る。この場合1ζは、磁場
と電場との間で開裂したイオンが測定されている。そこ
で磁場の入口スリットから磁場に入射する迄の空間で開
裂したイオンを測定すれば上述した測定結果を参照して
開裂の反応速度を知ることができる。所でこの磁場に入
射前1こ開裂したイオンについて測定を行うには、磁場
を固定せず、磁場と電場とを一定の関係を保って同時に
変化させる必要がある。
そのイオンの速度Vは、イオンの電荷をeとして、 mov”=eV ま た開裂後のイオンも中性分子も、元と同じ速度Vを持っ
ているので、開裂したイオンのエネルギーは そこで磁場先行二重収束型質量分析計で磁場を質Ql
m 01ζ合せておき、電場でエネルギー走査を行う、
”!Qmnのl)七のイオンカダ開裂しτ夫゛のような
質量のイオンを生じたかが判る。この場合1ζは、磁場
と電場との間で開裂したイオンが測定されている。そこ
で磁場の入口スリットから磁場に入射する迄の空間で開
裂したイオンを測定すれば上述した測定結果を参照して
開裂の反応速度を知ることができる。所でこの磁場に入
射前1こ開裂したイオンについて測定を行うには、磁場
を固定せず、磁場と電場とを一定の関係を保って同時に
変化させる必要がある。
加速電圧用式を参照すると、質量moのイオンが磁場入
射館に開裂して生じた質量mのイオンは加速電圧がV’
=(m/mg)Vであることに相当する。従ってこのよ
うな開裂イオンが磁場を通過するためには磁場Bは (2)式から K=丹 O また前記(1)式によってmoが一定の場合開裂イオン
のエネルギーはmに比例しているので、電場EをBと比
例関係を保って変化させることIこより、@mmoのイ
オンが磁場Cζ入射する前1こ開裂したときの開裂イオ
ンの質量スペQトルが得うレル。
射館に開裂して生じた質量mのイオンは加速電圧がV’
=(m/mg)Vであることに相当する。従ってこのよ
うな開裂イオンが磁場を通過するためには磁場Bは (2)式から K=丹 O また前記(1)式によってmoが一定の場合開裂イオン
のエネルギーはmに比例しているので、電場EをBと比
例関係を保って変化させることIこより、@mmoのイ
オンが磁場Cζ入射する前1こ開裂したときの開裂イオ
ンの質量スペQトルが得うレル。
別の方法として質量mの開裂イオンを生するもとのイオ
ン(親イオン)の質imoのスペクトルを測定すること
もできる。奇観イオンの質量をm。
ン(親イオン)の質imoのスペクトルを測定すること
もできる。奇観イオンの質量をm。
=αmとし、この親イオンがそのま\磁場を通過゛する
ときの磁場強度Boはf21式によってこの親イオンか
ら生じた質量mの開裂イオンが磁場を通り抜けるために
は磁場強度Bは(3)式によりmを一定とするので、 他方開裂イオンのエネルギーは[11式(こより従って
電場Eは E=−Dは定数・・・・・・・・(5)α !4)+5i式からcL之AiT4h 即ちB2/E=一定の関係でBとEを同時に変化させる
ことによって質fimの開裂イオンを生スる磁場入射萌
の親イオンのスペクトルを得ることができる。
ときの磁場強度Boはf21式によってこの親イオンか
ら生じた質量mの開裂イオンが磁場を通り抜けるために
は磁場強度Bは(3)式によりmを一定とするので、 他方開裂イオンのエネルギーは[11式(こより従って
電場Eは E=−Dは定数・・・・・・・・(5)α !4)+5i式からcL之AiT4h 即ちB2/E=一定の関係でBとEを同時に変化させる
ことによって質fimの開裂イオンを生スる磁場入射萌
の親イオンのスペクトルを得ることができる。
本発明は上述したような磁場と電場とを一定の関係で連
動させて変化させる方法即ちリンクトスキャンニングを
行う装置に関するものである。
動させて変化させる方法即ちリンクトスキャンニングを
行う装置に関するものである。
口 溝平坊創斤
従来のリックトスキャンを行う装置はアナログ方式で磁
場強度を検出し、その検出出力で電場制御回路を制御す
るもので、回路素子の特性の非直線性から、磁場電場の
関係の精度は余り良くなかった。精度向上のためディジ
タル方式も提案されているが、電場、磁場を夫々ディジ
タル信号で制(財)すると、磁場は階段状に変化するこ
と1こなるが、磁場の変化は自己誘導作用で変化の立り
りに遅れが生ずるため、各ステップ毎に磁場が一定値に
落若く迄の待ら時間を採る必要があり、結果的に掃引速
度が著るしく遅くなる。
場強度を検出し、その検出出力で電場制御回路を制御す
るもので、回路素子の特性の非直線性から、磁場電場の
関係の精度は余り良くなかった。精度向上のためディジ
タル方式も提案されているが、電場、磁場を夫々ディジ
タル信号で制(財)すると、磁場は階段状に変化するこ
と1こなるが、磁場の変化は自己誘導作用で変化の立り
りに遅れが生ずるため、各ステップ毎に磁場が一定値に
落若く迄の待ら時間を採る必要があり、結果的に掃引速
度が著るしく遅くなる。
ハ 発明が解決しようとする問題点
本発明は上述した所に鑑み、リンクトスキャンニングを
行う装置で高精度、高速掃引の可能な装置を提供しよう
とするものである。
行う装置で高精度、高速掃引の可能な装置を提供しよう
とするものである。
二 問題解決のための手段
本発明は磁場7a場を所定の相互関係を保ってアナログ
方式で掃引すると共に、電場にこの掃引速度より充分高
い周波数の電圧を重畳して、小範囲の高速電場掃引を行
いながら、磁場と所定の関係を以って主掃引を行うよう
にした。
方式で掃引すると共に、電場にこの掃引速度より充分高
い周波数の電圧を重畳して、小範囲の高速電場掃引を行
いながら、磁場と所定の関係を以って主掃引を行うよう
にした。
ホ 作用
電場は磁場に比しきわめて高速で変化させることができ
るので、電場を適当な振幅で振動させながら次第に変化
させて行くようにすると、電場と磁場との関係′5:m
制する回路の動作に誤差があっても、電場の振動範囲の
どこかに磁場に対応する正しい電場の値が存在するから
、正しいスペクトルを測定することができる。この作用
を第2図及び第3図を用いて説明する。
るので、電場を適当な振幅で振動させながら次第に変化
させて行くようにすると、電場と磁場との関係′5:m
制する回路の動作に誤差があっても、電場の振動範囲の
どこかに磁場に対応する正しい電場の値が存在するから
、正しいスペクトルを測定することができる。この作用
を第2図及び第3図を用いて説明する。
第2図イは磁場Bと電場Eとの関係を示す。実線は理想
的関係であり、点線は実際の場合の関係を示す。質量ス
ペクトルのピーク頂点PL、P2゜P3等はこの理想曲
線上にあり、同心円は各ピークに対するイオン検出強度
の等直線を示す。第2図口は測定されるイオン強度を磁
場を横軸として展開した質重スペクトルであって、実線
は理想曲線に沿ってB、 Eが変化した場合であり、
点線は実際の偏合のスペクトルである。例えばピークP
lては実際のBE関係曲線はPlの裾の辺を横断してい
るので、この場合のスペクトルの記録は点線のように正
しいピークより低質量側にずれ、ピーク高さも著しく低
くなっている。こメで電場Eに振動電圧を重畳すると、
磁場電場の関係は第3図イのようにジグザグのカーブと
なる。こ\でピークP1に対するスペクトル記録を同口
に示す。
的関係であり、点線は実際の場合の関係を示す。質量ス
ペクトルのピーク頂点PL、P2゜P3等はこの理想曲
線上にあり、同心円は各ピークに対するイオン検出強度
の等直線を示す。第2図口は測定されるイオン強度を磁
場を横軸として展開した質重スペクトルであって、実線
は理想曲線に沿ってB、 Eが変化した場合であり、
点線は実際の偏合のスペクトルである。例えばピークP
lては実際のBE関係曲線はPlの裾の辺を横断してい
るので、この場合のスペクトルの記録は点線のように正
しいピークより低質量側にずれ、ピーク高さも著しく低
くなっている。こメで電場Eに振動電圧を重畳すると、
磁場電場の関係は第3図イのようにジグザグのカーブと
なる。こ\でピークP1に対するスペクトル記録を同口
に示す。
電場Eが振動変化するとき、必ず理論値を横切り、振動
の半サイクルで、この理論値を横切るときのイオン検出
出力が最高を示すので、スペクトルの記録は電場振動の
半サイクルを一つの山とする細いピークの集合となり、
その包絡線が正しいスペクトルを与えることIこなる。
の半サイクルで、この理論値を横切るときのイオン検出
出力が最高を示すので、スペクトルの記録は電場振動の
半サイクルを一つの山とする細いピークの集合となり、
その包絡線が正しいスペクトルを与えることIこなる。
へ 実施例
第1図は本発明の一実施例を示す。1はイオン源、2は
磁場、3は電場、4はイオン検出器で、この構成は逆配
置二重収束質1分析計の構成である。5は磁場2を発生
する励磁電源であり、6は電場3を形成する電圧源であ
り、励磁電源5の出力を所定の関数関係で電圧に変換し
、電場3を形成する電極に印加している。7は三角波発
生器で、三角波形電圧を発生し、この電圧が加算回路1
0を介して電圧源6の出力電圧に重ねて電場3を形成す
る電極1こ印加される。なお11は衝突室である。
磁場、3は電場、4はイオン検出器で、この構成は逆配
置二重収束質1分析計の構成である。5は磁場2を発生
する励磁電源であり、6は電場3を形成する電圧源であ
り、励磁電源5の出力を所定の関数関係で電圧に変換し
、電場3を形成する電極に印加している。7は三角波発
生器で、三角波形電圧を発生し、この電圧が加算回路1
0を介して電圧源6の出力電圧に重ねて電場3を形成す
る電極1こ印加される。なお11は衝突室である。
第4図は本発明の他の実施例を示し、この実施例は磁場
、電場をディジタル方式で制匍するようになっている。
、電場をディジタル方式で制匍するようになっている。
第1図の各部と対応する部分には同じ符号をつけて−々
の説明は省略する。磁場2は励磁電源5によりアナログ
に制叩されている。
の説明は省略する。磁場2は励磁電源5によりアナログ
に制叩されている。
8はホール素子で、磁場2の強度を検出する。9はコン
ピュータで磁場と電場との関係の表が格納してあり、ホ
ール素子8の出力を読取って、そのときの磁場に対する
電場強度の値を上記表から読出し、この読出したデータ
1こよって電圧源6を制匍する。
ピュータで磁場と電場との関係の表が格納してあり、ホ
ール素子8の出力を読取って、そのときの磁場に対する
電場強度の値を上記表から読出し、この読出したデータ
1こよって電圧源6を制匍する。
ト 効果
本発明1こよれば、いわゆるリンクトスキャンニングに
おいて、磁場電場の関係に誤差があっても、電場を高速
で振動させることにより、細か(電場掃引を行って磁場
電場の正しい関係点を検索しなから全体の掃引を行って
いるので、理論的に正確なリンクトスキャンニングを行
ったときと同じ測定結果が得られる。
おいて、磁場電場の関係に誤差があっても、電場を高速
で振動させることにより、細か(電場掃引を行って磁場
電場の正しい関係点を検索しなから全体の掃引を行って
いるので、理論的に正確なリンクトスキャンニングを行
ったときと同じ測定結果が得られる。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の詳細な説明するグラフ、第3図も本発明の詳細な説
明するグラフ、第4図は本発明の他の一実施例のブロッ
ク図である。
明の詳細な説明するグラフ、第3図も本発明の詳細な説
明するグラフ、第4図は本発明の他の一実施例のブロッ
ク図である。
Claims (1)
- 逆配置二重収束質量分析計において、磁場と電場とを一
定の関係を以つて変化させる手段と、電場に磁場の掃引
速度より充分高い周波数の振動電圧を重畳する手段とを
設けたことを特徴とするイオン開裂反応測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205332A JPS6182650A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | イオン開裂反応測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205332A JPS6182650A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | イオン開裂反応測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6182650A true JPS6182650A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16505166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59205332A Pending JPS6182650A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | イオン開裂反応測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6182650A (ja) |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59205332A patent/JPS6182650A/ja active Pending
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