JPS6182443A - Monolithic semicuston system lsi - Google Patents

Monolithic semicuston system lsi

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JPS6182443A
JPS6182443A JP59204455A JP20445584A JPS6182443A JP S6182443 A JPS6182443 A JP S6182443A JP 59204455 A JP59204455 A JP 59204455A JP 20445584 A JP20445584 A JP 20445584A JP S6182443 A JPS6182443 A JP S6182443A
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mask
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Abstract

PURPOSE:To simplify a system configuration and to reduce the size by mutually connecting by one layer or multilayer pattern wirings between constituents, and programming a mask ROM in contact, thereby integrating a microcomputer and its peripheral circuit. CONSTITUTION:A monolithic LSI of an arbitrary system configuration is formed in the same level as the conventional printed board design by forming glue circuit corresponding to an LSI object in gate array portions, connecting LSI logics 1'-8' and a mask ROM9' by using the first layer aluminum wiring region and the second layer aluminum wiring region, and further programming the data pattern of the ROM9' by contacts or ion implantation. Since newly generated step is only aluminum wirings, the manufacturing period can be largely reduced. Thus, the system configuration can be simplified, reduced in size and cost.

Description

【発明の詳細な説明】 し発明の技術分野〕 本発明は、単品LSIとして機能する既に完成された論
理構成並びに配線パターンをもつ複数種の標準LSIロ
ジック部、及びその周辺回路を構成するゲートアレイと
これら回路の制陣に供されるマスクROMとを有してな
るモノリシックセミカスタムシステムLSIに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a plurality of types of standard LSI logic sections having already completed logic configurations and wiring patterns that function as a single LSI, and a gate array constituting its peripheral circuit. The present invention relates to a monolithic semi-custom system LSI comprising: and a mask ROM used for controlling these circuits.

[発明の技術的背景とその問題点1 近年、LSI設計技術は、ゲートアレイ(gatear
ray)を頂点として簡易化が進んでいる。この技法を
用いることによって、従来、半導体技術者だけが行なっ
ていたLSI設計をシステム技術者が比較的容易に行な
えるようになった。その結果、システムのLSI化が進
み、所謂、機器の軽薄短小化に役立ってきた。
[Technical background of the invention and its problems 1 In recent years, LSI design technology has focused on gate arrays.
Simplification is progressing with ray) at the top. By using this technique, system engineers can now relatively easily carry out LSI design, which was previously done only by semiconductor engineers. As a result, systems have become increasingly integrated into LSIs, which has helped make devices lighter, thinner, and smaller.

今日、マイクロコンピュータや、その周辺LSIファミ
リの使用が盛んになり、このとき、LSI化の対象とな
る部分は、マイクロコンピュータや周辺LSI77ミリ
の外に取り残された、Glue回路と呼ばれる雑回路で
ある。何故なら、ゲートアレイやスタンダードセルでは
、マイクロコンピュータや周辺LSI77ミリ回路のよ
うな大規模回路は収容しきれないからである。従って、
現在、最もコンパクトな形でハードウェア論理回路を構
成する場合、[マイクロコンピュータ十周辺)7ミリチ
ツプ+ゲートアレイ又はスタンダードセル]止りであり
、より以上の小形化、高集積化を図ることが困難であっ
た。
Today, the use of microcomputers and their peripheral LSI families has become popular, and at this time, the parts targeted for LSI conversion are miscellaneous circuits called glue circuits that have been left outside of microcomputers and peripheral LSIs of 77 mm. . This is because gate arrays and standard cells cannot accommodate large-scale circuits such as microcomputers and peripheral LSI 77mm circuits. Therefore,
Currently, when configuring a hardware logic circuit in the most compact form, it is limited to a 7mm chip + gate array or standard cell (microcomputer peripherals), and it is difficult to achieve further miniaturization and higher integration. there were.

第3図は、従来のLSI技法によるシステム構成例を示
すブロック図であり、30乃至69の各機能ブロックが
それぞれ独立した論理回路素子(半導体チップ)により
構成されていた。図中、30はCPU、31A、soA
は発振器(O20)、31Bはクロック発生器(C−G
)、32はバスコントローラ(Bus−CONT) 、
33.34はDMAコントロ“−ラ(DMA−CONT
) 、35.40.47.48.54はラッチ回路(L
ATCH)、36はタイマ回路(TMR)、37は割込
み制御回路(PIC)、38゜454;tvマスクOM
 (MROM) 、39はRAM、41゜46はダイナ
ミックRAM (D−RAM) 、42はD−RAMコ
ントローラ(DRAM−CONT)である。43.49
はそれぞれゲートアレイ(GA)により構成されたQl
tle回路であり、43はCRT9を回路(GA−CR
T>、49はCPU雑回路(GA−CPU)である。4
4はCRTコントローラ(CRTC)、50BはPLL
回路(PLL)、51はフロッピィディス°クコントロ
ーラ(FCC)、52はフロッピィディスクインターフ
ェイス回路(FDD−IF)、53はレジスタ(REG
)、55はビデオ’r’5イバ(V IDEO−OUT
PUT) 、56゜57、58.59.60.63はド
ライバ(DRV)、61はパリティジェネレータ(PA
R−G) 、 62.64゜65、66、67はドライ
バ/レシーバ(D/R)、68はキーボード・スピーカ
インターフェイス回路(KB−8PK−8W) 、69
は数値データプロセッサ、PJI 、PJ2 、PJ4
〜PJ11はコネクタのピンジャンクションである。尚
、括弧内の複数桁の記号は代表的な素子の形式例を示す
FIG. 3 is a block diagram showing an example of a system configuration using the conventional LSI technique, in which each of 30 to 69 functional blocks is composed of independent logic circuit elements (semiconductor chips). In the figure, 30 is the CPU, 31A, soA
is an oscillator (O20), 31B is a clock generator (CG
), 32 is a bus controller (Bus-CONT),
33.34 is the DMA controller (DMA-CONT)
), 35.40.47.48.54 is the latch circuit (L
ATCH), 36 is a timer circuit (TMR), 37 is an interrupt control circuit (PIC), 38°454; tv mask OM
(MROM), 39 is a RAM, 41.degree. 46 is a dynamic RAM (D-RAM), and 42 is a D-RAM controller (DRAM-CONT). 43.49
are each composed of a gate array (GA)
tle circuit, and 43 is a CRT9 circuit (GA-CR
T>, 49 is a CPU miscellaneous circuit (GA-CPU). 4
4 is CRT controller (CRTC), 50B is PLL
circuit (PLL), 51 is a floppy disk controller (FCC), 52 is a floppy disk interface circuit (FDD-IF), and 53 is a register (REG).
), 55 is the video 'r'5 driver (V IDEO-OUT
PUT), 56°57, 58.59.60.63 is the driver (DRV), 61 is the parity generator (PA
62.64° 65, 66, 67 are driver/receivers (D/R), 68 are keyboard/speaker interface circuits (KB-8PK-8W), 69
are numerical data processors, PJI, PJ2, PJ4
~PJ11 is a pin junction of the connector. Note that the multi-digit symbol in parentheses indicates an example of a typical element format.

このように、従来では、上記各機能回路(30〜69)
がそれぞれ独立した論理回路素子(半導体チップ)によ
り構成されていることから、回路設計上に於いては成る
程度の自由度をもつ反面、システムハードウェアの小形
化、簡素化は難しいという欠点があった。
In this way, conventionally, each of the above functional circuits (30 to 69)
Since each of the circuits is composed of independent logic circuit elements (semiconductor chips), it has a certain degree of freedom in circuit design, but has the disadvantage that it is difficult to downsize and simplify the system hardware. Ta.

[発明の目的] 本発明は上記実情に鑑みなされたもので、マイクロコン
ピュータ及びその周辺の回路をより高集積化して、シス
テム構成の簡素化、小形化、更には低価格化を図るとと
もに、システム技術者による回路設計技術を十分に発揮
でき、任意の機能回路構成を容易に実現可能にしたモノ
リシックセミカスタムシステムLSIを提供することを
目的とする。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is an object of the present invention to increase the integration of a microcomputer and its peripheral circuits, thereby simplifying the system configuration, downsizing it, and lowering its cost. It is an object of the present invention to provide a monolithic semi-custom system LSI that allows engineers to fully utilize their circuit design techniques and easily realizes arbitrary functional circuit configurations.

[発明の概要] 本発明は、単品LSIとして機能する既に完成された論
理構成並びに配線パターンをもつ複数種の標準LSIロ
ジック部と、これら標準LSIロジック部と同一のプロ
セス条件に適応した設計基準をもち、前記標準LSIロ
ジック部の周辺回路を構成するための少なくとも1ブロ
ックのゲートアレイと、前記標準LSIロジック部及び
ゲートアレイと同一のプロセス条件に適応した設計基準
をもち、前記標準LSIロジック部及びゲートアレイを
対象にその任意の機能回路を動作させる命令語又はデー
タを書込むマスクROMと、前記各標準LSIロジック
部の各端子及びゲートアレイの各端子相互間を任意に接
続するための配線領域をもつマスクパターン部とをチッ
プサイズが最小になるようにそれぞれ配置するとともに
、前記各標準LSIロジック部、マスクROM、及、び
ゲードアレイを囲繞するようにリード端子接続用のボン
ディングパッド部を設けて、これらの各構成要素がマス
クとして共通のハードウェアをなす構成とし、かつ前記
各構成要素間を1層乃至多層のパターン配線により相互
接続するとともに、前記マスクROMをコンタクト又は
イオンインプランテーション等によってプログラムする
構成として、高集積化されたモノリシックセミカスタム
システムLSIを実現したものである。
[Summary of the Invention] The present invention provides a plurality of types of standard LSI logic parts having already completed logic configurations and wiring patterns that function as a single LSI, and design standards adapted to the same process conditions as these standard LSI logic parts. and at least one block of gate array for forming a peripheral circuit of the standard LSI logic section, and a design standard adapted to the same process conditions as the standard LSI logic section and the gate array, and the standard LSI logic section and A mask ROM in which commands or data for operating arbitrary functional circuits of the gate array are written, and a wiring area for arbitrarily connecting each terminal of each standard LSI logic section and each terminal of the gate array. mask pattern portions having the same characteristics as those shown in FIG. , each of these components is configured to form common hardware as a mask, and each of the components is interconnected by one-layer to multi-layer pattern wiring, and the mask ROM is programmed by contact or ion implantation, etc. As a configuration, a highly integrated monolithic semi-custom system LSI is realized.

このような構成のセミカスタムシステムLSIを用いて
システムを構成することにより、システム構成を簡素化
、小形化、更には低価格化できるとともに、システム技
術者による回路設計技術を十分に活かして、任意の機能
回路構成を持つシステムを容易に構築できる。
By configuring a system using a semi-custom system LSI with such a configuration, the system configuration can be simplified, made smaller, and even lower in price. A system with a functional circuit configuration can be easily constructed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図及び第2図はそれぞれ本発明の一実施例を説明す
るためのもので、第1図は回路ブロック図、第2図は回
路配置図(フロア図)である。
1 and 2 are for explaining one embodiment of the present invention, respectively. FIG. 1 is a circuit block diagram and FIG. 2 is a circuit layout diagram (floor diagram).

第1図に於いて、破線で囲んだ部分が本発明に於いてL
SI化の対象となる内部ハードウェアロジックであり、
マイクロコンピュータ周辺LSIと、バス制御ロジック
、インターフェイスロジック、アドレスラッチ、データ
ドライバ/レシーバ等から構成される。マイクロコンピ
ュータ周辺LSIとしては、クロックジェネレータ(C
−G :8284相当)1、バスコントローラ(Bus
  C0N T : 8288相当)2、DMAコント
ローラ(DMA ; 8237相当)3、タイマ回路(
TMR:8253相当)4、割込み制御回路(P I 
C; 8259相当)5、CRTコントローラ(CRT
 C; 46505s相当)6、双方向インターフェイ
ス回路(PPI:8255相当)7、フロッピィディス
クコントローラ(FDCニア65A相当)8等が設けら
れ、更にその周辺回路として、アドレスラッチ回路(L
ATCH)9、アドレスバッファ(ADR8BUF)、
データバスドライバ/レシーバ(DATA  BUF>
11゜11・・・、DMAバス/CPUバスタイミング
制御部(DMA   READY−CPtJ  WAI
T)12、周辺LSI・メモリチップセレクトロジック
(CHIP  5EL)13、DMAインターフェイス
部(DMA  PAGE  REG、GATE、LAT
CH)14、FDCインターフェイス部(FDCCOM
  R’EG、FDCINTERFACE)15、パリ
ティ発生検査回路(PG&PC)1B、キーボード・ス
ピーカインターフェイス回路(KB・SPK  DSW
)17、マスクROM (MROM)18等が設けられ
る。
In FIG. 1, the part surrounded by a broken line is L in the present invention.
Internal hardware logic that is subject to SI,
It consists of a microcomputer peripheral LSI, bus control logic, interface logic, address latch, data driver/receiver, etc. As a microcomputer peripheral LSI, a clock generator (C
-G: 8284 equivalent) 1, Bus controller (Bus
C0NT: 8288 equivalent) 2, DMA controller (DMA; 8237 equivalent) 3, timer circuit (
TMR: 8253 equivalent) 4. Interrupt control circuit (PI
C; 8259 equivalent) 5. CRT controller (CRT
C; 46505s equivalent) 6, bidirectional interface circuit (PPI: 8255 equivalent) 7, floppy disk controller (FDC near 65A equivalent) 8, etc., and as peripheral circuits, an address latch circuit (L
ATCH) 9, address buffer (ADR8BUF),
Data bus driver/receiver (DATA BUF>
11゜11..., DMA bus/CPU bus timing control section (DMA READY-CPtJ WAI
T) 12, Peripheral LSI/Memory chip select logic (CHIP 5EL) 13, DMA interface section (DMA PAGE REG, GATE, LAT
CH) 14, FDC interface section (FDCCOM
R'EG, FDCINTERFACE) 15, parity generation check circuit (PG&PC) 1B, keyboard/speaker interface circuit (KB/SPK DSW)
) 17, a mask ROM (MROM) 18, etc. are provided.

第2図は上記第1図に示すLSI化対象部分に対する実
際のLSIフロア図であり、1′乃至8′は上記第1図
に示すブロック1乃至8に対応する、単品LSIとして
機能する既に完成された論理構成並びに配線パターンを
もつ標準LSIロジック部である。
FIG. 2 is an actual LSI floor diagram for the part to be converted into LSI shown in FIG. 1 above, and 1' to 8' correspond to blocks 1 to 8 shown in FIG. This is a standard LSI logic section with a logical configuration and wiring pattern.

9′は上記第1図のマスクROM18に相当するマスク
ROM (MROM)であり、ここでは8ビツトX8に
−64にビットで構成される。
Reference numeral 9' designates a mask ROM (MROM) corresponding to the mask ROM 18 in FIG.

A、B、C,D、はそれぞれゲートアレイ(GA)であ
り、Aは上記第1図に於けるキーボード・スピーカイン
ターフェイス回路17、及びクロック分周回路が組込ま
れるゲートアレイブロック、Bは上記第1図に於けるア
ドレスラッチ回路9、アドレスバッファ10、データバ
スドライバ/レシーバii、 ii、・・・、DMAバ
ス/CPUバスタイミング制御部12、周辺LSI・メ
モリチップセレクトロジック13、及びパリティ発生検
査回路16等が組込まれるゲートアレイブロック、Cは
上記第1図に於けるDMAインターフェイス部14、及
びFDCDMインターフェイス部が組込まれるゲートア
レイブロック、Dは外部インターフェイスのためのI1
0バッフ?エリアとなるゲートアレイブロックである。
A, B, C, and D are gate arrays (GA), A is a gate array block in which the keyboard/speaker interface circuit 17 and the clock frequency dividing circuit shown in FIG. Address latch circuit 9, address buffer 10, data bus driver/receiver ii, ii, . . . , DMA bus/CPU bus timing control unit 12, peripheral LSI/memory chip select logic 13, and parity generation check in FIG. C is a gate array block in which the circuit 16 etc. are incorporated, C is a gate array block in which the DMA interface section 14 and FDCDM interface section in FIG. 1 is incorporated, and D is I1 for external interface.
0 buff? This is a gate array block that serves as an area.

Eは外部接続のためのパッド(PAD)エリアである。E is a pad (PAD) area for external connection.

ここで、上記第2図に於ける標準LSIロジック部1′
乃至8′は、既に単品LSIとして使用されていたもの
と全く同一のパターンと論理機能をもち、性能も変らな
い。又、これらの各LSIロジック部1′〜8′はそれ
ぞれ同一の設計基準により規格化される。即ち、ゲート
長、線幅、ゲート酸化膜の厚さ等がそれぞれ同一のプロ
セスパラメータに適合できるものである。又、従来の個
々のLSIのパッドに相当する部分、及び外部端子に相
当する部分は、ここでは配線が引出せる程度に小さくさ
れている。又、上記各LSI0979部1′乃至8′の
既配線層の数は同一であり・、A4の一層が使われてい
る。
Here, the standard LSI logic section 1' in FIG.
LSIs 8' to 8' have exactly the same pattern and logic functions as those already used as single LSIs, and their performance remains unchanged. Further, each of these LSI logic sections 1' to 8' is standardized according to the same design standard. That is, the gate length, line width, gate oxide film thickness, etc. can be adapted to the same process parameters. Further, the portions corresponding to pads of each conventional LSI and the portions corresponding to external terminals are made small enough to allow wiring to be drawn out. Furthermore, the number of wiring layers in each of the LSI0979 sections 1' to 8' is the same, and one A4 layer is used.

又、マスクROM9’も上記各LSIロジック部1′〜
8′と同一の設計基準となっていて、従来のパッドに相
当する部分も同様に配線が引き出せる程度に小さくなっ
ている。
In addition, the mask ROM 9' is also connected to each of the LSI logic sections 1' to 1'.
It has the same design standards as 8', and the portion corresponding to the conventional pad is also small enough to allow wiring to be drawn out.

このマスクROM9 ’ のデータパターンは、コンタ
クト又はイオンインプランテーションにより決められる
が、ここでは、その処理が未だなされていない状態のも
のである。
The data pattern of this mask ROM 9' is determined by contact or ion implantation, but this process has not yet been performed here.

又、ゲートアレイブロックA、B、Cはそれぞれに規模
を異にし、上記LSIロジック部1′〜8′と同一の設
計基準をもつもので、パッドは無い。このゲートアレイ
ブロックA、B、Cは、ゲートやフリップフロップを構
成して回路を実現する配線層として、一層、二層の八2
が使用できる。
Further, gate array blocks A, B, and C have different scales, have the same design standards as the LSI logic sections 1' to 8', and have no pads. These gate array blocks A, B, and C are one-layer and two-layer wiring layers that form gates and flip-flops to realize circuits.
can be used.

又、ゲートアレイブロックDは、上記ゲートアレイブロ
ックA、B、Cと、LSIロジック部1′〜8′及びマ
スクROM9 ’や本LSI外部とのインターフェイス
用のI10バッファ部となるゲートアレイである。
Gate array block D is a gate array that serves as an I10 buffer section for interfacing with the gate array blocks A, B, and C, LSI logic sections 1' to 8', mask ROM 9', and the outside of this LSI.

又、パッドエリアEには外部接続用のパッド群が設けら
れる。
Further, pad area E is provided with a group of pads for external connection.

以上の各機能ブロック(1′〜9’、A−E)をチップ
サイズが最小になるように、第2図に示す如く配置し、
共通マスクとして一枚のウェファ上に構成しておく。
The above functional blocks (1' to 9', A to E) are arranged as shown in Fig. 2 so that the chip size is minimized,
A common mask is formed on one wafer.

上記LSIを使用するシステム技術者は、所望のシステ
ムに応じて、即ちここでは第1図のLSI対象部分く破
線内)に相応してGIUe回路部を上記各ゲートアレイ
(ゲートアレイブロックA〜D)の部分で実現し、又、
LSIロジック部1′〜8′及びマスクROM9’ と
の相互接続を一層目のへ2配線領域(各LSIロジック
部間、ゲートアレイブロックの一層目の配線領域)と、
二層目のA2配線領域(チップ全域)とを用いて行ない
、更にマスクROM9’のデータパターンをコンタクト
又はイオンインプランテーションを用いてプログラムす
ることにより、従来のプリント基板設計と同一レベルで
任意システム構成のモノリシックLSIを実現できる。
A system engineer who uses the above-mentioned LSI configures the GIUe circuit section according to the desired system, that is, the LSI target part in FIG. ), and also,
Interconnection with LSI logic parts 1' to 8' and mask ROM 9' is made to the first layer 2 wiring area (between each LSI logic part, first layer wiring area of gate array block),
By using the second layer A2 wiring area (the entire chip area) and programming the data pattern of the mask ROM 9' using contact or ion implantation, you can configure any system at the same level as conventional printed circuit board design. A monolithic LSI can be realized.

上述した如く、既に性能の確認がなされていて同−設計
基準化されている複数のLSIブロック、及びマスクR
OMと、ゲートアレイ(GA)を一枚のウェファ上に最
適配置して、これらの部分をマスクとして共通ハードウ
ェア化しておき、相互配線やゲートアレイについては一
層、二層のA2配線、又、マスクROMについてはコン
タクト又はイオンインプランテーションを設計者に自由
化することにより、チップサイズを最小にして、各種シ
ステムの相違に対応できるセミカスタムLSIを提供で
きる。又、プロセスで新たに発生する工程は、八2の配
線だけなので、製造期間が大幅に短縮化される。又、L
SI周辺の回路をゲートアレイで実現しているので、シ
ステム対応が容易にできる。
As mentioned above, multiple LSI blocks whose performance has already been confirmed and the same design standard and mask R
The OM and gate array (GA) are optimally arranged on one wafer, and these parts are used as a mask to create common hardware, and for mutual wiring and gate array, one or two layers of A2 wiring, or For mask ROM, by freeing the designer to perform contact or ion implantation, it is possible to minimize the chip size and provide a semi-custom LSI that can accommodate differences in various systems. Further, since only 82 wiring steps are newly generated in the process, the manufacturing period is significantly shortened. Also, L
Since the circuit around the SI is implemented with a gate array, it can be easily adapted to the system.

更に、マスクROMを内蔵しているので、システムに対
応したプログラム化、若しくは本チップのプログラムテ
ストが容易に可能である。
Furthermore, since it has a built-in mask ROM, programming corresponding to the system or program testing of this chip is easily possible.

[発明の効果コ 以上詳記したように本発明によれば、単品LSIとして
機能する既に完成された論理構成並びに配線パターンを
もつ複数種の標準LSIロジック部と、これら標準LS
Iロジック部と同一のプロセス条件に適応した設計基準
をもち、前記標準LSIロジック部の周辺回路を構成す
るための少なくとも1ブロックのゲートアレイと、前記
標準LSIロジック部及びゲートアレイと同一のプロセ
ス条件に適応した設計基準をもち、前記標準LSIロジ
ック部及びゲートアレイを対象にその任意の芸能回路を
動作させる命令語又はデータを書込むマスクROMと、
前記各標準LSIロジック部、マスクROM、及びゲー
トアレイの各端子相互間を任意に接続するための配線領
域をもつマスクバターン部とをチップサイズが最小にな
るようにそれぞれ配置するとともに、前記各標準LSI
ロジック部、及びゲートアレイを囲繞するように外部接
続インターフェイスのための入出力バッファ用ゲートア
レイを設け、更にこの入出力バッファ用ゲートアレイを
囲繞するようにリード端子接続用のボンディングパッド
部を設けて、これら各構成要素をマスクとして共通ハー
ドウェア化し、前記各構成要素間を1層乃至多層のパタ
ーン配線により相互接続し、かつ前記マスクROMをコ
ンタクト又はイオンインプランテーションによりプログ
ラムする構成としたことにより、システム構成を簡素化
、小形化、更には低価格化できるとともに、システム技
術者による回路設計技術を十分に活かして、任意の機能
回路構成を持つシステムを容易に構築できるモノリシッ
クセミカスタムシステムLSIが提供できる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, a plurality of types of standard LSI logic sections having already completed logic configurations and wiring patterns that function as a single LSI, and these standard LSI logic sections are provided.
At least one block of gate array for configuring the peripheral circuit of the standard LSI logic section, which has a design standard adapted to the same process conditions as the I logic section, and the same process conditions as the standard LSI logic section and the gate array. a mask ROM that has design standards adapted to the standard LSI logic section and gate array and writes commands or data for operating any entertainment circuit thereof;
Each of the standard LSI logic sections, the mask ROM, and the mask pattern section having a wiring area for arbitrarily connecting each terminal of the gate array are arranged so that the chip size is minimized, and each of the standard LSI
A gate array for an input/output buffer for an external connection interface is provided so as to surround the logic section and the gate array, and a bonding pad section for connecting lead terminals is further provided to surround the gate array for the input/output buffer. , each of these components is made into common hardware as a mask, each of the components is interconnected by one-layer to multi-layer pattern wiring, and the mask ROM is programmed by contact or ion implantation. We provide a monolithic semi-custom system LSI that not only simplifies, downsizes, and lowers the price of the system configuration, but also makes it possible to easily build a system with any functional circuit configuration by fully utilizing the circuit design skills of system engineers. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に於ける回路構成を示すブロ
ック図、第2図は上記実施例に於ける配置構成を示すフ
ロア図、第3図は従来の回路構成を示すブロック図であ
る。 1′〜8′・・・a準Ls10シック部、9′・・・マ
スクROM、A−D・・・ゲートアレイ(ゲートアレイ
ブロック)、E・・・パッドエリア。
FIG. 1 is a block diagram showing the circuit configuration in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a floor diagram showing the arrangement in the above embodiment, and FIG. 3 is a block diagram showing the conventional circuit configuration. be. 1' to 8'...a quasi-Ls10 thick portion, 9'...mask ROM, A-D...gate array (gate array block), E...pad area.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  既に完成された論理構成並びに配線パターンをもつ複
数種の標準LSIロジック部と、これら標準LSIロジ
ック部と同一のプロセス条件に適応した設計基準をもち
、前記標準LSIロジック部の周辺回路を構成するため
の少なくとも1ブロックのゲートアレイと、前記標準L
SIロジック部及びゲートアレイと同一のプロセス条件
に適応した設計基準をもち、前記標準LSIロジック部
及びゲートアレイを対象にその任意の機能回路を動作さ
せる命令語又はデータを書込むことのできるマスクRO
Mと、前記各標準LSIロジック部、マスクROM、及
びゲートアレイの各端子相互間を任意に接続するための
配線領域をもつマスクパターン部と、前記各標準LSI
ロジック部、マスクROM、及びゲートアレイを囲繞す
るように設けられた外部接続インターフェイスのための
入出力バッファ用ゲートアレイと、この入出力バッファ
用ゲートアレイを囲繞するように設けられたリード端子
接続用のボンディングパッド部とを有し、前記各構成要
素がマスタとして共通のハードウェア構成をなし、前記
各構成要素間が少なくとも1層のパターン配線により相
互に接続され、かつ前記マスクROMがコンタクト若し
くはイオンインプランテーシヨンによってプログラム可
能なモノリシックセミカスタムシステムLSI。
In order to configure peripheral circuits of the standard LSI logic section, having multiple types of standard LSI logic sections having already completed logic configurations and wiring patterns, and design criteria adapted to the same process conditions as these standard LSI logic sections. at least one block of gate arrays of the standard L
A mask RO that has design standards adapted to the same process conditions as the SI logic section and gate array, and can write commands or data to operate any functional circuit in the standard LSI logic section and gate array.
M, a mask pattern section having a wiring area for arbitrarily connecting terminals of each of the standard LSI logic sections, the mask ROM, and the gate array, and each of the standard LSI
A gate array for an input/output buffer for an external connection interface provided surrounding the logic section, mask ROM, and gate array, and a lead terminal connection provided surrounding the gate array for the input/output buffer. a bonding pad portion, each of the components has a common hardware configuration as a master, each of the components is interconnected by at least one layer of pattern wiring, and the mask ROM has a contact or ion bonding pad portion. Monolithic semi-custom system LSI that can be programmed by implantation.
JP59204455A 1984-09-29 1984-09-29 Manufacturing method of monolithic semi-custom system LSI Expired - Lifetime JPH06101549B2 (en)

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KR1019850006831A KR900000563B1 (en) 1984-09-29 1985-09-18 Semi-custom lsi
US06/780,795 US4858175A (en) 1984-09-29 1985-09-27 Monolithic semi-custom IC having standard LSI sections and coupling gate array sections

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57100758A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Nec Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57100758A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Nec Corp Semiconductor device

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KR900000563B1 (en) 1990-01-31

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