JPS6180887A - 複合半導体レ−ザ装置 - Google Patents
複合半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6180887A JPS6180887A JP20232084A JP20232084A JPS6180887A JP S6180887 A JPS6180887 A JP S6180887A JP 20232084 A JP20232084 A JP 20232084A JP 20232084 A JP20232084 A JP 20232084A JP S6180887 A JPS6180887 A JP S6180887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light
- receiving element
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は同一半導体基板上に複数個の半導体レーザ及び
受光素子を構成した複合半導体レーザ装置に関する。
受光素子を構成した複合半導体レーザ装置に関する。
（従来技術〕
近来、半導体レーザはディソタルオーディオディスクを
始め、ビデオディスク等の情報処理用光源として利用さ
れ始めている。特に光信号による記録媒体への書き込み
及び読み出し機能を有するＤＲＡＷ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｒ
ｅａｄ Ａｆｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）装置への半導体レー
ザの応用は、記録密度の大幅な向上に合わせ、書き込み
、読み出しの高速度化が可能であり、情報処理機器の機
能拡大が期待されている。
始め、ビデオディスク等の情報処理用光源として利用さ
れ始めている。特に光信号による記録媒体への書き込み
及び読み出し機能を有するＤＲＡＷ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｒ
ｅａｄ Ａｆｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）装置への半導体レー
ザの応用は、記録密度の大幅な向上に合わせ、書き込み
、読み出しの高速度化が可能であり、情報処理機器の機
能拡大が期待されている。
ｌ久づ１が甥売１−二５とする問題５）しかしながら、
これまでに検討されてきた半導体レーザによるＤＲＡＷ
装置に於ては、同一の半導体レーザ光源を用いて書き込
み、読み出しを行うため、次の様な欠点があった。すな
わち、書き込み動作中に読み出し動作ができないため、
必要となる記録データを全て書き込んだ後で読み出しチ
ェックを行う必要があシ、記録データの確認に時間を要
するものであった。
これまでに検討されてきた半導体レーザによるＤＲＡＷ
装置に於ては、同一の半導体レーザ光源を用いて書き込
み、読み出しを行うため、次の様な欠点があった。すな
わち、書き込み動作中に読み出し動作ができないため、
必要となる記録データを全て書き込んだ後で読み出しチ
ェックを行う必要があシ、記録データの確認に時間を要
するものであった。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去し、書き込
み動作中にも読み出し動作を可能にする複合半導体レー
ザ装置を提供することにある。
み動作中にも読み出し動作を可能にする複合半導体レー
ザ装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、同一半導体基板上に、互いに独立した少なく
とも１組以上の半導体レーザと受光素子と全備え、各組
の半導体レーザおよび受光素子の相互間において、各々
の組の半導体レーザおよび受光素子に対する他の組の受
光素子よシ発する反射光の再入射を阻止する′４１ケ造
とした複合半導体レーザ装置である。
とも１組以上の半導体レーザと受光素子と全備え、各組
の半導体レーザおよび受光素子の相互間において、各々
の組の半導体レーザおよび受光素子に対する他の組の受
光素子よシ発する反射光の再入射を阻止する′４１ケ造
とした複合半導体レーザ装置である。
（作用）
本発明は、上述の構成を採用することによって、従来技
術の欠点を解決した。すなわち、同一半導体基板上に、
構成した各組の半導体レーザと受光素子について、特定
の受光素子から反射される光が他の半導体レーザ及び他
の受光素子に再入射することを避けることによって、一
方のレーザによりｖき込み動作を行いながら他方のレー
ザにょシ記録の読み出し動作を行うことを可能にするも
のであり、それぞれのレーザと組み合わせた受光素子に
より個別のレーザ動作状態を監視し、書き込み、読み出
し時に必要な最適動作状態を維持するものである。
術の欠点を解決した。すなわち、同一半導体基板上に、
構成した各組の半導体レーザと受光素子について、特定
の受光素子から反射される光が他の半導体レーザ及び他
の受光素子に再入射することを避けることによって、一
方のレーザによりｖき込み動作を行いながら他方のレー
ザにょシ記録の読み出し動作を行うことを可能にするも
のであり、それぞれのレーザと組み合わせた受光素子に
より個別のレーザ動作状態を監視し、書き込み、読み出
し時に必要な最適動作状態を維持するものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の詳細な説明する図である。まず、第
１の結晶成長工程にょ９、ｎ呈ＧａＡｓ基板１上に順次
、ｎ型ＡｊＪａａＧＬ ａｂＡ１１層２ ＋ ｎ ｆＪ
ＩＡＩ Ｉｌ、Ｇａ 、、Ａｓ層３．活性層となるＡｌ
１ ｃＬ＋ ２ Ｑ ａ ａａ ａ Ａ １１ 層４
。
。第１図は本発明の詳細な説明する図である。まず、第
１の結晶成長工程にょ９、ｎ呈ＧａＡｓ基板１上に順次
、ｎ型ＡｊＪａａＧＬ ａｂＡ１１層２ ＋ ｎ ｆＪ
ＩＡＩ Ｉｌ、Ｇａ 、、Ａｓ層３．活性層となるＡｌ
１ ｃＬ＋ ２ Ｑ ａ ａａ ａ Ａ １１ 層４
。
ｐ型Ａｌ（Ｌ６Ｇ１１ （Ｌ４Ａ１１４層１ｐ型ＡＩ
Ｃ１０Ｇａ ａｔ、Ａ３層６．ｐｆｆＭＡｌ、、Ｇａ、
Ａｓ層７ｔ−順次形成する。各層厚はそれぞれＩＤ１１
ｍ＋０５１１ｍ ＋ ０１１１ｍ ＋ ０３μｍ ＋
１．０μｍ 、 ０５μｍ、とじた。しかる後に、化学
エツチング液（Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２＋３ ＣＨ，ＯＨ
）を用いてＧａＡｓ基板１へ達するまでエツチングを行
い、活性層４を有する帯状領域を複数本形成する。第１
図においては、２本の帯状領域を形成した例について示
してあり、２本の帯状領域の間隔として５０μへ一本の
帯状領域の幅として約３μｍとした。次にＨＦをエツチ
ング液として数秒間軽くエツチングするとｐ型ＡＪ、６
Ｇａユ１ＡｓＰＸ５のみがエツチングされ、０２μｍ程
度幅の狭くなったくびれ８が形成される・さら１前述し
た化学”″″液 １（Ｈ，ＰＯ４＋ Ｈ２Ｏ２＋
３ ＣＨ，ＯＨ）を用いて数秒間エツチングすると活
性層であるＡノ。１２Ｇａ［１８８”層４の厚さはせい
ぜい０１μｍであるためくびれ８の位置くあるＡｔＱ、
１２Ｇａｒ１．８８ＡｓＩＴ７３，４は容易に除去され
、その上に配置されているＡＬユｂ ＧＪＬ Ｉｌ４
Ａ８層５と同一の幅になり、Ａｔ１１１２”１１８Ｂ”
層４の側面にもその上段につづいてぐびれ８が形成され
る。
Ｃ１０Ｇａ ａｔ、Ａ３層６．ｐｆｆＭＡｌ、、Ｇａ、
Ａｓ層７ｔ−順次形成する。各層厚はそれぞれＩＤ１１
ｍ＋０５１１ｍ ＋ ０１１１ｍ ＋ ０３μｍ ＋
１．０μｍ 、 ０５μｍ、とじた。しかる後に、化学
エツチング液（Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２＋３ ＣＨ，ＯＨ
）を用いてＧａＡｓ基板１へ達するまでエツチングを行
い、活性層４を有する帯状領域を複数本形成する。第１
図においては、２本の帯状領域を形成した例について示
してあり、２本の帯状領域の間隔として５０μへ一本の
帯状領域の幅として約３μｍとした。次にＨＦをエツチ
ング液として数秒間軽くエツチングするとｐ型ＡＪ、６
Ｇａユ１ＡｓＰＸ５のみがエツチングされ、０２μｍ程
度幅の狭くなったくびれ８が形成される・さら１前述し
た化学”″″液 １（Ｈ，ＰＯ４＋ Ｈ２Ｏ２＋
３ ＣＨ，ＯＨ）を用いて数秒間エツチングすると活
性層であるＡノ。１２Ｇａ［１８８”層４の厚さはせい
ぜい０１μｍであるためくびれ８の位置くあるＡｔＱ、
１２Ｇａｒ１．８８ＡｓＩＴ７３，４は容易に除去され
、その上に配置されているＡＬユｂ ＧＪＬ Ｉｌ４
Ａ８層５と同一の幅になり、Ａｔ１１１２”１１８Ｂ”
層４の側面にもその上段につづいてぐびれ８が形成され
る。
次に第２の液相結晶成長工程により、ｎ型Ａ−１［１５
５Ｇ＆ （１６５層８層９、ｐ型Ａｔａ５５Ｇａｏ、ｂ
ｓＡａ層１０ 。
５Ｇ＆ （１６５層８層９、ｐ型Ａｔａ５５Ｇａｏ、ｂ
ｓＡａ層１０ 。
ｎ型ＡｔＯ，３５”ＣＬ６５Ａ８ Ｒｌｉ １１を順次
形成する。
形成する。
さらに、ｎ型オーミック電極１２．ｐ型オーミック゛ａ
極１３を形成したあと、エツチングによｌ）ｎ”ｊｌ
ｋＬ［ｌｓ ５Ｇａ ｌ１６ｓＡｓ層１１に達するまで
溝１４を形成して本発明に係る複合半導体レーザ装面を
構成する。
極１３を形成したあと、エツチングによｌ）ｎ”ｊｌ
ｋＬ［ｌｓ ５Ｇａ ｌ１６ｓＡｓ層１１に達するまで
溝１４を形成して本発明に係る複合半導体レーザ装面を
構成する。
本構造に於ては、同一半導体基板上に間隔５０μｍをへ
だてて、２個のレーザＡ、Ｂが形成され、分離されてい
るｐ型オーミック電極１３によりそれぞれが完全に独立
した半導体レーザ動作を得ることができ、後方に受光素
子Ｃ，Ｄを配置することにより、半導体レーザの光出力
を検出できる複合半導体レーザ装置が得られる。さらに
加えて、本構造に於ては、半導体レーザの後方に配置さ
れた受光素子Ｃ，Ｄの入射面を、半導体レーザの共振面
に対しそれぞれが斜めに形成する。これによって、半導
体レーザＡの発振光は受光素子Ｃに受光される一方、受
光素子Ｃから反射した光が受光素子りには再入射するこ
とを防ぐとともに、半導体レーザＡに再入射することも
防ぐ。半導体レーザＢと受光素子りとの関係についても
同様に、半導体レーザＢの発振光は受光素子りに受光さ
れる一方、受光素子りから反射した光が受光素子Ｃには
再入射することを防ぐととも忙、半導体レーザＢに再入
射することも防ぐ。従って、本発明による複合半導体レ
ーザ装置によれば、２ケの半導体レーザがそれぞれ独立
に駆動できるとともに、各々の受光素子によシ各半導体
レーザの発振状態を、相互作用なく独立に検出し、その
駆動状態を精密に制御できるばかりでなく、２ケの半導
体レーザの間隔が５０μｍとせまいため、通常良く用い
る光学系をそのまま用いて２本の光ビームをコリメート
及び集束することができる特徴を有し、一方のレーザに
より書き込み動作を行いながら、他方のレーザによ少記
録の読み出し動作を行うことが可能となり、記録と読み
出しの高速化及び記録状況の同時モニタが可能となる。
だてて、２個のレーザＡ、Ｂが形成され、分離されてい
るｐ型オーミック電極１３によりそれぞれが完全に独立
した半導体レーザ動作を得ることができ、後方に受光素
子Ｃ，Ｄを配置することにより、半導体レーザの光出力
を検出できる複合半導体レーザ装置が得られる。さらに
加えて、本構造に於ては、半導体レーザの後方に配置さ
れた受光素子Ｃ，Ｄの入射面を、半導体レーザの共振面
に対しそれぞれが斜めに形成する。これによって、半導
体レーザＡの発振光は受光素子Ｃに受光される一方、受
光素子Ｃから反射した光が受光素子りには再入射するこ
とを防ぐとともに、半導体レーザＡに再入射することも
防ぐ。半導体レーザＢと受光素子りとの関係についても
同様に、半導体レーザＢの発振光は受光素子りに受光さ
れる一方、受光素子りから反射した光が受光素子Ｃには
再入射することを防ぐととも忙、半導体レーザＢに再入
射することも防ぐ。従って、本発明による複合半導体レ
ーザ装置によれば、２ケの半導体レーザがそれぞれ独立
に駆動できるとともに、各々の受光素子によシ各半導体
レーザの発振状態を、相互作用なく独立に検出し、その
駆動状態を精密に制御できるばかりでなく、２ケの半導
体レーザの間隔が５０μｍとせまいため、通常良く用い
る光学系をそのまま用いて２本の光ビームをコリメート
及び集束することができる特徴を有し、一方のレーザに
より書き込み動作を行いながら、他方のレーザによ少記
録の読み出し動作を行うことが可能となり、記録と読み
出しの高速化及び記録状況の同時モニタが可能となる。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明は同一半導体基板上に１組以
上の半導体レーザと受光素子とを構成し。
上の半導体レーザと受光素子とを構成し。
受光素子から反射される光が、他の半導体レーザ及び他
の受光素子に入射することを避けるようにしたため、一
方のレーザにより書き込み動作を行いながら他方のレー
ザにより記録の読み出し動作を行うことが可能となり、
それぞれのレーザと組み合わせた受光素子によシ個別の
レーザ動作状態をＱ祝し、書き込み、読み出し時に必要
なレーザの最適動作状態の制御が可能となり、書き込み
、読み出し機能の高速化、記録状況の瞬時モニタを行う
ことができ、安価で、製造容易な光情報処理用高性能半
導体レーザ装置を提供することができる。
の受光素子に入射することを避けるようにしたため、一
方のレーザにより書き込み動作を行いながら他方のレー
ザにより記録の読み出し動作を行うことが可能となり、
それぞれのレーザと組み合わせた受光素子によシ個別の
レーザ動作状態をＱ祝し、書き込み、読み出し時に必要
なレーザの最適動作状態の制御が可能となり、書き込み
、読み出し機能の高速化、記録状況の瞬時モニタを行う
ことができ、安価で、製造容易な光情報処理用高性能半
導体レーザ装置を提供することができる。
なお、本発明においては、受光素子の入射面が結晶の層
厚方向に対し垂直な例について説明したが、層厚方向に
対し傾？１した面として構成しても良く、前述と同様な
効果を得ることができる。
厚方向に対し垂直な例について説明したが、層厚方向に
対し傾？１した面として構成しても良く、前述と同様な
効果を得ることができる。
第１図は本発明に係る複合半導体レーザ装置の一実施例
を示す斜視図である。 １：ｎ型ＧａＡｓ基板 ２：ｎ型ＡＬａ４ＧＪＬｎ６Ａ１１層 ３：ｎ型Ａｔ［１５Ｇａ 、Ａｓ ｉ ４ ： Ａｔｎｔ □ＧａｃＬａａＡｆｉ層５：ｐ型Ａ
ｔｃＬ６Ｇ！Ｌ ｔＬａＡ！ｌ Ｉ！６：ｐ型Ａｔｏ４
Ｇａ、６Ａｓ層 ７：ｐ型Ａｔ（１１Ｇａｃ、Ａ１１層 ８：ぐびれ ９：ｎ型ｆｉ−ｔｏ、３５Ｇ＆ｃＬ６５Ａ３層１０ ：
ｐ型ＡＬｃＬ５５Ｇｎ（Ｌｔ、５１８ Ｆｌｌ：ｎ型
Ａｔ、ｓ ｓＧａ ｎ６ｓ Ａｓ層１２：°型７−ミ・
り電極 １１３：ｐ型
オーミック電極 １４：溝 Ａ、Ｂ：半導体レーザ Ｃ、Ｄ ：受光素子
を示す斜視図である。 １：ｎ型ＧａＡｓ基板 ２：ｎ型ＡＬａ４ＧＪＬｎ６Ａ１１層 ３：ｎ型Ａｔ［１５Ｇａ 、Ａｓ ｉ ４ ： Ａｔｎｔ □ＧａｃＬａａＡｆｉ層５：ｐ型Ａ
ｔｃＬ６Ｇ！Ｌ ｔＬａＡ！ｌ Ｉ！６：ｐ型Ａｔｏ４
Ｇａ、６Ａｓ層 ７：ｐ型Ａｔ（１１Ｇａｃ、Ａ１１層 ８：ぐびれ ９：ｎ型ｆｉ−ｔｏ、３５Ｇ＆ｃＬ６５Ａ３層１０ ：
ｐ型ＡＬｃＬ５５Ｇｎ（Ｌｔ、５１８ Ｆｌｌ：ｎ型
Ａｔ、ｓ ｓＧａ ｎ６ｓ Ａｓ層１２：°型７−ミ・
り電極 １１３：ｐ型
オーミック電極 １４：溝 Ａ、Ｂ：半導体レーザ Ｃ、Ｄ ：受光素子
Claims (1)
- （１）同一半導体基板上に、互いに独立した少なくとも
１組以上の半導体レーザと受光素子とを備え各組の半導
体レーザおよび受光素子の相互間において、各々の組の
半導体レーザおよび受光素子に対する他の組の受光素子
より発する反射光の再入射を阻止する構造としたことを
特徴とする複合半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20232084A JPS6180887A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 複合半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20232084A JPS6180887A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 複合半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180887A true JPS6180887A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16455591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20232084A Pending JPS6180887A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 複合半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180887A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179792A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置の試験方法 |
| US5920587A (en) * | 1994-06-30 | 1999-07-06 | Sony Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP20232084A patent/JPS6180887A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179792A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置の試験方法 |
| US5920587A (en) * | 1994-06-30 | 1999-07-06 | Sony Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
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