JPS6178027A - 磁気近接スイツチ - Google Patents
磁気近接スイツチInfo
- Publication number
- JPS6178027A JPS6178027A JP19994784A JP19994784A JPS6178027A JP S6178027 A JPS6178027 A JP S6178027A JP 19994784 A JP19994784 A JP 19994784A JP 19994784 A JP19994784 A JP 19994784A JP S6178027 A JPS6178027 A JP S6178027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias magnet
- magnetic
- proximity switch
- ferromagnetic material
- detection sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、磁気感応素子を用いた検出感度調節可能な磁
気近接スイッチて関するものである。
気近接スイッチて関するものである。
従来の磁気近接スイッチは、第８図のよう）て、ホーＩ
ｔ、 Ｉ Ｃ等の磁気感応素子（１）の背面ンζバイア
ス磁石（２）を取着し、ケース（３）内て収納して樹弓
旨（４）を充填して形成していたっこのもの：・てあっ
ては、検出磁石、′５）つ；近接したときの磁気感応素
子（１）の検出感度は、バイアス磁石（２１を減磁調整
すること湾より変化できる。しかる罠、バイアス磁石（
２）を減磁調整するためＫは、第９図のように千セッづ
（６）を有するコア（７）に］コイル８）を巻回し、甲
セッづ（６）テバイアス磁石（２）を挿入して電源装置
（９）よりコイル（７）Ｋ電流を調整しながら通電する
必要があり、減磁調整のための装置が大型てなる上、ユ
ーザーでの検出感度調節ができないという欠点を有して
いた。
ｔ、 Ｉ Ｃ等の磁気感応素子（１）の背面ンζバイア
ス磁石（２）を取着し、ケース（３）内て収納して樹弓
旨（４）を充填して形成していたっこのもの：・てあっ
ては、検出磁石、′５）つ；近接したときの磁気感応素
子（１）の検出感度は、バイアス磁石（２１を減磁調整
すること湾より変化できる。しかる罠、バイアス磁石（
２）を減磁調整するためＫは、第９図のように千セッづ
（６）を有するコア（７）に］コイル８）を巻回し、甲
セッづ（６）テバイアス磁石（２）を挿入して電源装置
（９）よりコイル（７）Ｋ電流を調整しながら通電する
必要があり、減磁調整のための装置が大型てなる上、ユ
ーザーでの検出感度調節ができないという欠点を有して
いた。
本発明の目的とするところは、減磁調整装石を使用せず
て検出感度を調節できるよってしてユーザーでの感度調
節を容易てすること・であるっ〔発明の開示〕 実施例１ 第１図において、（１）Ｖ′ｉホー＋Ｉ、 Ｉ Ｃ等の
磁気感応素子で、その背面てバイアス磁石（２）を取６
し、ケース（３）内に収納して樹脂（４）を充填する。
て検出感度を調節できるよってしてユーザーでの感度調
節を容易てすること・であるっ〔発明の開示〕 実施例１ 第１図において、（１）Ｖ′ｉホー＋Ｉ、 Ｉ Ｃ等の
磁気感応素子で、その背面てバイアス磁石（２）を取６
し、ケース（３）内に収納して樹脂（４）を充填する。
（！０）は強磁性体で、外局てねしく１１）を刻設する
とともて上面て調整用１４（１匂を設けておくっ（ＩＪ
は非磁性体より成る雌ねじで、ケース（３）に固着し、
強磁性体Ｂ＋ｏ＋を螺合するっ動作時オンタイプでは、
バイアス磁石（２）の方向は、検出磁石（６）と反発す
る方向て収着するっｖ１作 強磁性体（１０）が第２図のように、バイアス磁石（２
）から離れているとき、バイアス磁石ｆ２１による磁気
感応素子ｉ１１における磁束は、強磁性体（９）の影響
を受けない、このとき、検出磁石（５）を第４図のよっ
て移動した場合の磁気感応素子（１）の「動作」「復帰
」の軌跡は第５図のよってなる。つぎて強磁性体（１０
１の調整用溝（１２）Ｋドライバー又はコインを挿入し
て強磁性体＋１０１を回転し、５＠３図のよって強磁性
体（１０）をバイアス磁石（２）・て近接させると、バ
イアス磁石（２）の磁束が強磁性体（＋０１を通り、磁
気感応素子（１）の検知部中心Ａを通り検出磁石（６）
と反発する方向の磁石が減少する。反発する方向の磁束
が減少することシてより結果としてバイアス磁石（２）
を減磁させた゛ことになり、順方向の磁束は増加し、検
出感度が高くなって磁気感応素子（夏）の「動作」「復
帰」の軌跡は第６図のよってなる。したがって、強磁性
体（９）の位置を変えること）でよって検出路宴の調節
が可能となるっ尚、Ｕ力作時オフタイプは、磁気回路上
オンタイプと同じであるので、９作時オンタイプと同様
罠検出感度を調節することができる。
とともて上面て調整用１４（１匂を設けておくっ（ＩＪ
は非磁性体より成る雌ねじで、ケース（３）に固着し、
強磁性体Ｂ＋ｏ＋を螺合するっ動作時オンタイプでは、
バイアス磁石（２）の方向は、検出磁石（６）と反発す
る方向て収着するっｖ１作 強磁性体（１０）が第２図のように、バイアス磁石（２
）から離れているとき、バイアス磁石ｆ２１による磁気
感応素子ｉ１１における磁束は、強磁性体（９）の影響
を受けない、このとき、検出磁石（５）を第４図のよっ
て移動した場合の磁気感応素子（１）の「動作」「復帰
」の軌跡は第５図のよってなる。つぎて強磁性体（１０
１の調整用溝（１２）Ｋドライバー又はコインを挿入し
て強磁性体＋１０１を回転し、５＠３図のよって強磁性
体（１０）をバイアス磁石（２）・て近接させると、バ
イアス磁石（２）の磁束が強磁性体（＋０１を通り、磁
気感応素子（１）の検知部中心Ａを通り検出磁石（６）
と反発する方向の磁石が減少する。反発する方向の磁束
が減少することシてより結果としてバイアス磁石（２）
を減磁させた゛ことになり、順方向の磁束は増加し、検
出感度が高くなって磁気感応素子（夏）の「動作」「復
帰」の軌跡は第６図のよってなる。したがって、強磁性
体（９）の位置を変えること）でよって検出路宴の調節
が可能となるっ尚、Ｕ力作時オフタイプは、磁気回路上
オンタイプと同じであるので、９作時オンタイプと同様
罠検出感度を調節することができる。
実施例２
第７図は本発明の他の実施例で、非磁性体ねじ’１４）
Ｋバイアス磁石（２）を固着し、非磁性体ねじ（国を雌
ねじＨ７Ｃ＠合して移動可能てし、磁気感応素子（１）
の背面で磁気感応素子！＋）とバイアス磁石ｉ２１ 、
！ｍの間隔を可変できるようにしたものであるっこのも
のはバイアス磁石（２）を直唆移動させること；てより
磁気感応素子（１）の検知部中心を通る磁下を変化させ
、同様に検出感度調節ができるっ 〔発明の効果〕 上述のよって本発明は、磁気感応素子の背面；てバイア
ス磁石を設け、前記バイアス磁石の背面て設けた強磁性
体あるいはバイアス磁石を移動可能例して磁気感応素子
の検出感度を調節可能としたづ・ら、減磁調整装置を使
用することなく検出感度をｕＷＪでき、ユーザーでの感
度調節が容易てできるという効果を奏するものである。
Ｋバイアス磁石（２）を固着し、非磁性体ねじ（国を雌
ねじＨ７Ｃ＠合して移動可能てし、磁気感応素子（１）
の背面で磁気感応素子！＋）とバイアス磁石ｉ２１ 、
！ｍの間隔を可変できるようにしたものであるっこのも
のはバイアス磁石（２）を直唆移動させること；てより
磁気感応素子（１）の検知部中心を通る磁下を変化させ
、同様に検出感度調節ができるっ 〔発明の効果〕 上述のよって本発明は、磁気感応素子の背面；てバイア
ス磁石を設け、前記バイアス磁石の背面て設けた強磁性
体あるいはバイアス磁石を移動可能例して磁気感応素子
の検出感度を調節可能としたづ・ら、減磁調整装置を使
用することなく検出感度をｕＷＪでき、ユーザーでの感
度調節が容易てできるという効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は同上の
強磁性体が遠去った状態の説明図、第３図は同上の強磁
性体が近接した状態の説明図、第４図１−を同上の動作
説明図、第５図か同上の強磁性体が遠去った状態の特性
図、第６図は同上の強磁性体が近接した状態の特性図、
第７図は本発明の他の実施例の縦断面図、第８図は従来
の磁気近接スイッチの縦断面図、第９図は同上の減磁調
整装置の構吸図であるっ （１）・磁気感応素子、（２）・・バイアス磁石、［＋
０１・・・強磁性体っ 代理人 弁理士 石 １）長 七 ′：ｓ １図 瑠２Ｓ ｐ ！！３図 １゜ 亀４図 ′１ を 箪５Ｉｇ ｉ 壇６図 ソー ［７図 １９ｍ
強磁性体が遠去った状態の説明図、第３図は同上の強磁
性体が近接した状態の説明図、第４図１−を同上の動作
説明図、第５図か同上の強磁性体が遠去った状態の特性
図、第６図は同上の強磁性体が近接した状態の特性図、
第７図は本発明の他の実施例の縦断面図、第８図は従来
の磁気近接スイッチの縦断面図、第９図は同上の減磁調
整装置の構吸図であるっ （１）・磁気感応素子、（２）・・バイアス磁石、［＋
０１・・・強磁性体っ 代理人 弁理士 石 １）長 七 ′：ｓ １図 瑠２Ｓ ｐ ！！３図 １゜ 亀４図 ′１ を 箪５Ｉｇ ｉ 壇６図 ソー ［７図 １９ｍ
Claims (1)
- （１）磁気感応素子の背面にバイアス磁石を設け、前記
バイアス磁石の背面に設けた強磁性体あるいはバイアス
磁石を移動可能にして磁気感応素子の検出感度を調節可
能として成ることを特徴とする磁気近接スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19994784A JPS6178027A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 磁気近接スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19994784A JPS6178027A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 磁気近接スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178027A true JPS6178027A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16416241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19994784A Pending JPS6178027A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 磁気近接スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114017A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-18 | 株式会社 日本アレフ | 感磁性スイツチ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116983A (en) * | 1975-04-08 | 1976-10-14 | Idec Izumi Corp | Sensitivity adjusting device for magnetic proximity switch |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP19994784A patent/JPS6178027A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116983A (en) * | 1975-04-08 | 1976-10-14 | Idec Izumi Corp | Sensitivity adjusting device for magnetic proximity switch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114017A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-18 | 株式会社 日本アレフ | 感磁性スイツチ装置 |
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