JPS6177886A - Liquid crystal matrix panel - Google Patents

Liquid crystal matrix panel

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JPS6177886A
JPS6177886A JP20092084A JP20092084A JPS6177886A JP S6177886 A JPS6177886 A JP S6177886A JP 20092084 A JP20092084 A JP 20092084A JP 20092084 A JP20092084 A JP 20092084A JP S6177886 A JPS6177886 A JP S6177886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
display
switching elements
liquid crystal
active matrix
Prior art date
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Pending
Application number
JP20092084A
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Japanese (ja)
Inventor
野口 今朝男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は液晶ディスプレイパネル、特に各画素にスイッ
チング素子を配置したアクティブマトリ、クス形液晶デ
ィスプレイノ臂ネルの構造に関するものでちる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a liquid crystal display panel, and particularly to the structure of an active matrix, box-shaped liquid crystal display panel in which a switching element is arranged in each pixel.

(従来技術) 種々のフラットパネルディスプレイのなかで、アクティ
ブマトリ、ジス形液晶ディスグレイは大容量表示、カラ
ー表示、大面積表示、低消費電力などが可能なため、そ
の開発が特に活発に行われているう アクティブマトリックス形液晶ディスプレイパネルの構
造の概略は、スイッチング素子が設けられたアクティブ
マトリックス基板と、対向電極基板および、これら2枚
の基板間に充填された液晶層と、偏光板等によって構成
される。第4図はアクティブマトリックス基板の一例の
平面図の一部分を示したものでちる。絶縁性基板上に表
示電極41がマトリックス状に配置され、多数の走査線
(ダートライン)44と多数の信号線(ドレインライン
)43とが互いに絶縁して直交に配列されている。
(Prior art) Among the various flat panel displays, active matrix and strip type liquid crystal displays are being actively developed because they are capable of large capacity display, color display, large area display, and low power consumption. The general structure of an active matrix liquid crystal display panel consists of an active matrix substrate provided with switching elements, a counter electrode substrate, a liquid crystal layer filled between these two substrates, a polarizing plate, etc. be done. FIG. 4 shows a portion of a plan view of an example of an active matrix substrate. Display electrodes 41 are arranged in a matrix on an insulating substrate, and a large number of scanning lines (dirt lines) 44 and a large number of signal lines (drain lines) 43 are arranged orthogonally insulated from each other.

1画素45に対応した1個の表示電極41には液晶をO
N 、 OFFさせるためのスイッチング素子42が同
様にマトリックス状に配置され、走査線44と信号線4
3と表示電極41とが各々接続されている。走査、@4
4の信号と信号線43の信号とでスイッチング素子42
がONとなって、表示電極41に信号が伝えられ、対向
基板電極(第4図には記入されてない)間の液晶がスイ
ッチングし、所要の表示が得られる。なお、ここで云う
1画素とは多色表示の場合は1色を表示するための画素
を指す。
A liquid crystal is connected to one display electrode 41 corresponding to one pixel 45.
N, switching elements 42 for turning off are similarly arranged in a matrix, and the scanning line 44 and the signal line 4
3 and a display electrode 41 are connected to each other. Scan, @4
4 and the signal on the signal line 43, the switching element 42
is turned on, a signal is transmitted to the display electrode 41, the liquid crystal between the opposing substrate electrodes (not shown in FIG. 4) is switched, and the desired display is obtained. Note that one pixel here refers to a pixel for displaying one color in the case of multicolor display.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、上記のような従来のアクティブマトリックス
基板の構造には以下のような欠点があった。すなわち、
従来構造によれば、1画素が1個のスイッチング素子と
1個の表示電極及び1本の信号線と1本の走査線とによ
シ構成されているため、画素欠陥にはスイッチング素子
不良、信号線及び走査線の断線のうち、いずれか1ケで
も欠陥があればその画素は動作せず、画像キズとなると
いう欠点である。
(Problems to be Solved by the Invention) The structure of the conventional active matrix substrate as described above has the following drawbacks. That is,
According to the conventional structure, one pixel consists of one switching element, one display electrode, one signal line, and one scanning line, so pixel defects include switching element failure, The disadvantage is that if any one of the signal lines and scanning lines is broken, the pixel will not operate and the image will be damaged.

特に、アクティブマトリックス形液晶ディスプレイは大
容量表示が可能である特徴をゼしているため、この特徴
を生してテレビゾョン(TV)表示を行う試みもさかん
に行われているが、TV表示などの場合、画素数は数十
万個にも達し、これを構成するスイッチング素子、信号
線、走査線を無欠陥で製作するのは極めて困難であった
In particular, active matrix liquid crystal displays have the characteristic of being able to display large amounts of data, and many attempts have been made to utilize this characteristic to display televisions. In this case, the number of pixels reaches several hundred thousand, and it is extremely difficult to manufacture the switching elements, signal lines, and scanning lines that make up the pixels without defects.

本発明の目的はアクティブマトリックス液晶ディスプレ
イのアクティブマトリックス基板を構成するスイッチン
グ素子、信号線、走査線などの欠陥により一画素全体が
画像欠陥とならず、仮に欠陥があっても一画素の一部の
みの画像欠陥に止めてこの欠陥を目立たせないような構
造を提供することにある。
The purpose of the present invention is to prevent an entire pixel from becoming an image defect due to a defect in a switching element, signal line, scanning line, etc. that constitutes an active matrix substrate of an active matrix liquid crystal display, and even if there is a defect, only a part of one pixel exists. The object of the present invention is to provide a structure that makes image defects less noticeable.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、スイッチング素子を有するアクティブマトリ
ックス基板に形成された1画素が複数個の表示電極群と
、走査線と、信号線と、1画素内に分配配置された複数
個のスイッチング素子とからなり、前記走査線および信
号線の少くとも一方が複数本で構成され、上記表示電極
を各々スイッチング素子を介して走査線および信号線に
接続した液晶マトリックスパネルである。
(Means for Solving the Problems) According to the present invention, one pixel formed on an active matrix substrate having switching elements has a plurality of display electrode groups, scanning lines, and signal lines distributed within one pixel. a plurality of switching elements, at least one of the scanning line and the signal line is composed of a plurality of lines, and the display electrode is connected to the scanning line and the signal line through each switching element. be.

(作用) 本発明は1画素を複数個に分割することによシ、画素欠
陥を最小限に止め、又複数のスイッチング素子を等しく
分散配置(て構成することにより、1画素分のスイッチ
ング素子全部の欠陥となる確率を低下させる。
(Function) The present invention minimizes pixel defects by dividing one pixel into a plurality of parts, and by configuring a plurality of switching elements in an equally distributed arrangement, all the switching elements for one pixel are Reduces the probability of defects.

(実施例) 以下に具体的な配置構成の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
(Example) Examples of specific arrangement configurations will be described in detail below with reference to the drawings.

(実施例1) 第1図は本発明の第1の実施例を説明するためのアクテ
ィブマトリックス基板の平面図の一部を示す図である。
(Example 1) FIG. 1 is a diagram showing a part of a plan view of an active matrix substrate for explaining a first example of the present invention.

本実施例は1画素15を4分割した例である。主に、4
個の表示電極11と4個のスイッチング素子12および
2本の信号線13と2本の走査線14とで構成されてい
る。画素ピッチは250μmで表示電極は100μ、x
105μmの4個の表示電極11の組合せを用いてこれ
を1画素分とした。スイッチング素子12にはアモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタを用いてチャネル長8μ
mチャネル幅80μmとした。又、信号線および走査線
の線幅を10μmとした。さらに、薄膜トランジスタの
欠陥発生率を釆低にするため、1画素内で、薄膜トラン
ジスタを第1図中、12に示したように1画素内に等し
く分散配置した。
This embodiment is an example in which one pixel 15 is divided into four. Mainly, 4
The display electrode 11 includes four display electrodes 11, four switching elements 12, two signal lines 13, and two scanning lines 14. The pixel pitch is 250μm and the display electrode is 100μ, x
A combination of four display electrodes 11 each having a diameter of 105 μm was used to form one pixel. The switching element 12 is an amorphous silicon thin film transistor with a channel length of 8μ.
The m channel width was 80 μm. Further, the line widths of the signal lines and scanning lines were set to 10 μm. Furthermore, in order to reduce the defect occurrence rate of thin film transistors, the thin film transistors were equally distributed within one pixel as shown at 12 in FIG.

本発明を実施した液晶マ) IJワックスネルにおける
100μmX105μmの4個の表示電極で1画素を表
示した結果を、1画素を215μm X 220μmの
表示電極1個で表示した従来例のノ4ネルと比較したと
ころ、その表示特性はほぼ同程度であった。これは 表
示rat極が小さくなった分だけ、液晶をスイッチング
するのに要する充電電流が小さくて済むため、トランジ
スタのチャネル幅が従来200μm前後必要であったの
に比べ、約−〜翅の50μm〜100μmのチャネル幅
でも同程度の表示特性が得られることを示している。
Comparing the results of displaying one pixel with four display electrodes of 100 μm x 105 μm in IJ Waxnel in which the present invention is implemented with the conventional No4Nel displaying one pixel with one display electrode of 215 μm x 220 μm. As a result, the display characteristics were almost the same. This is because the charging current required to switch the liquid crystal is smaller as the display rat pole is smaller, so the channel width of the transistor is about 50 μm compared to the conventional 200 μm. This shows that comparable display characteristics can be obtained even with a channel width of 100 μm.

また、薄膜トランジスタの欠陥によシ1画素が欠陥とな
る確率は従来は005%であったのに対し、本発明では
1画素分の4個のトランジスタが全部欠陥となり1画素
全体が欠陥となったのは0.00001チ以下であυ、
45万画素中1個も発見されなかった・なお、芝画素の
表示欠陥は同程度発生するが、面積が微細化されている
こと及び1画素に対する情報表示が矛画素分正常に動作
しているこふから、目立りた欠陥として現われることが
ない。
In addition, the probability that one pixel would become defective due to a defect in a thin film transistor was 0.05% in the past, but in the present invention, all four transistors for one pixel were defective, making the entire pixel defective. is less than 0.00001 υ,
None of the 450,000 pixels were found.Although the display defects of the grass pixels occur to the same extent, the area is miniaturized and the information display for each pixel works normally for the same number of pixels. Because of this, it does not appear as a noticeable defect.

本発明を実施した場合、欠陥が目立たないのは、薄膜ト
ランジスタが分散して配置されているため、1画素分の
4個のトランジスタが同時に欠陥を発生しにくいこと、
そのトランジスタのチャネル長を従来値よシ短縮したた
め欠陥発生率も低減できたこと、さらに信号線や走査線
を1画素に対して複数本としたので断線などによる欠陥
発生も低減できたことによる。
When the present invention is implemented, the defects are not noticeable because the thin film transistors are arranged in a distributed manner, so it is difficult for the four transistors for one pixel to generate defects at the same time.
This is because the channel length of the transistor has been shortened compared to the conventional value, which reduces the defect occurrence rate, and because each pixel has multiple signal lines and scanning lines, the occurrence of defects due to disconnections and the like can also be reduced.

ところで、スイッチング素子を分散させたアクティブマ
トリックス基板の構造としては第2図(a)。
By the way, the structure of an active matrix substrate in which switching elements are distributed is shown in FIG. 2(a).

(b) 、 (e)のような例が考えられ、それぞれス
イッチング素子22はそれぞれ図示の位置に配置されて
いる。1画素25は斜線で示した表示電極21群である
。図中、23は信号線、24は走査線をそれぞれ示して
いる。
Examples (b) and (e) are possible, in which the switching elements 22 are arranged at the positions shown in the figures. One pixel 25 is a group of display electrodes 21 indicated by diagonal lines. In the figure, 23 indicates a signal line, and 24 indicates a scanning line.

(実施例2) 第3図は本発明を実施した他の例を説明するためのアク
ティブマトリックス基板の平面図の一部を示す図である
(Example 2) FIG. 3 is a diagram showing a part of a plan view of an active matrix substrate for explaining another example of implementing the present invention.

本実施例では1画素35を2分割し、2個の表示電極3
1群と2個のスイッチング素子32および2本の走査?
A34と1本の信号線33とで主に構成される構造とし
た。これは1画素の縦横比が2倍前後異なる場合に有効
な方法である。1画素の大きさは15011mX300
μmで、表示電極には120.bX125#+の大きさ
の2個の表示電極31.31を用いた。スイッチング素
子32には、チャネル長10細、チャネル幅100μm
のアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いた。又
、信号線33および走査線34の線幅は15μmとした
。又、薄膜トランジスタの欠陥発生率を小さくするため
1画素内でのスイッチング素子32の配置を第3図の図
示のように分散させた。
In this embodiment, one pixel 35 is divided into two, and two display electrodes 3
1 group, 2 switching elements 32 and 2 scanning elements?
The structure is mainly composed of A34 and one signal line 33. This is an effective method when the aspect ratio of one pixel differs by about twice. The size of one pixel is 15011m x 300
μm, and the display electrode has 120. Two display electrodes 31, 31 with a size of bX125#+ were used. The switching element 32 has a channel length of 10 mm and a channel width of 100 μm.
Amorphous silicon thin film transistors were used. Further, the line widths of the signal line 33 and the scanning line 34 were set to 15 μm. Furthermore, in order to reduce the defect occurrence rate of thin film transistors, the arrangement of the switching elements 32 within one pixel is dispersed as shown in FIG.

薄膜トランジスタのスイッチング素子32には表示電極
31と信号線33と走査線34とが各々接続されている
A display electrode 31, a signal line 33, and a scanning line 34 are connected to the thin film transistor switching element 32, respectively.

本発明を実施した結果、1画素全体が欠陥となったのは
7万5千画素中1個も無く、従来0.05%の確率で発
生していたのが、0.001チ以下の発生確率に低減で
きた。したがって、実施例1と同様画素欠陥はスイッチ
ング素子が増加し之効果と、スイッチング素子を分散さ
せた効果とスイッチング素子を小形化した効果と、走査
線を複数本にした効果と表示電極を分割させた効果との
それぞれの相乗効果により極めて大幅に低減できること
が確められた。
As a result of implementing the present invention, not a single pixel out of 75,000 pixels became defective, and the probability of defect occurring was less than 0.001, compared to 0.05% in the past. The probability could be reduced. Therefore, as in Example 1, pixel defects are caused by the effect of increasing the number of switching elements, the effect of distributing the switching elements, the effect of reducing the size of the switching elements, the effect of using multiple scanning lines, and the effect of dividing the display electrode. It was confirmed that the synergistic effect of each effect with the other effects can significantly reduce the amount of carbon dioxide.

なお、上記実施例1および2において、スイッチング素
子としてアモルファスシリコン#膜トランジスタを用い
たが、これに限らず、ポリシリコン薄膜などの他の半導
体薄膜による薄膜トランジスタやダイオード、あるいは
金属−絶縁膜−金属(MIM)素子などの非線形スイッ
チング素子を用いた場合でも有効である。
In Examples 1 and 2 above, an amorphous silicon film transistor was used as a switching element, but the switching element is not limited to this, and thin film transistors or diodes made of other semiconductor thin films such as polysilicon thin films, or metal-insulating film-metal (metal-insulating film-metal) This method is also effective even when a nonlinear switching element such as an MIM (Multi-dimensional Imaging Mechanism) element is used.

(発明の効果) 以上のように、本発明においては、1画素を複数個に分
割し、複数個の表示電極とスイッチング素子及び少くと
も一方を′M、数本とした走査線と信号線などで1画素
分を同時に駆動する構造とし、スイッチング素子を1画
素内に分散配置した構造としたため、1画素全体が表示
欠陥となる確率を大幅に低減できる。
(Effects of the Invention) As described above, in the present invention, one pixel is divided into a plurality of parts, a plurality of display electrodes and switching elements, at least one of which is 'M', and several scanning lines, signal lines, etc. Since the structure is such that one pixel is driven at the same time and the switching elements are dispersed within one pixel, the probability that one pixel as a whole becomes a display defect can be significantly reduced.

本発明は1画素の縦横比が大きい場合に、長辺方向に分
割し、上記構成を持つ構造にすることは、従来の製造プ
ロセスを変更なく使用できるので、有効な構造である。
In the present invention, when the aspect ratio of one pixel is large, dividing the pixel in the long side direction and creating a structure having the above configuration is an effective structure because the conventional manufacturing process can be used without modification.

通常用いられる1画素のサイズは、前述実施例で述べた
ように2508mX250μmとか150μmX300
μm前後の大きさであるのに対し、その画素の表示電極
を駆動するためのスイッチング素子の大きさ、走査線幅
、信号線幅は1画素の15チ以下の大きさである。した
がって、塵埃等により発生する欠陥の大きさよシ十分大
きい。よりて、1画素を複数個に分割して駆動できる構
造にすれば、欠陥のある個所は1画素中側分の1かは表
示欠陥となるが、他の個所が正常に動作するので、表示
品質を余り劣化させずにすむ。又、分割した表示電極に
接続されるスイッチング素子、駆動するための走査線と
信号≧J−を店埃等によシ発生する欠陥の大きさよシ大
きい距離で分散させて離せば、分割された1画素全体が
同時に欠陥となる確率を極めて小さくできる効果を有す
る。
The size of one pixel that is usually used is 2508 m x 250 μm or 150 μm x 300 m, as described in the above example.
Whereas the size of the switching element for driving the display electrode of the pixel, the width of the scanning line, and the width of the signal line are about 15 μm or less for one pixel. Therefore, the size of the defects caused by dust and the like is sufficiently larger. Therefore, if we create a structure in which one pixel can be divided into multiple parts and driven, the defective part will be a display defect in the middle part of one pixel, but the other parts will operate normally, so the display will not work. This will prevent the quality from deteriorating too much. In addition, if the switching elements connected to the divided display electrodes, the scanning lines for driving, and the signal ≧J- are separated by a distance larger than the size of defects caused by store dust, etc., the divided display electrodes can be separated. This has the effect of extremely reducing the probability that one entire pixel will become defective at the same time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示すアクティブマトリ
ックス基板の一部を示す平面図、第2図(、) 、 (
b) 、 (C)はそれぞれスイッチング素子の配置例
を示す平面図、第3図は本発明の第2の実施例を示すア
クティブマトリックス基板の一部を示す平面図、第4図
は従来のアクティブマトリックス基板の一部を示す平面
図である。 図において、11 、21 、31は表示電極、12゜
22 、32はスイッチング素子、13 、23 、3
3  は信号線、14 、24 、34は走査線、15
 、25 、35は1画素をそれぞれ示す。− 15−1画素 (CL)           (b)(C)    
21−表示電極 22−スイッチング素子 33−信号線 34−走査線 35−1画素
FIG. 1 is a plan view showing a part of an active matrix substrate showing the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 (, ), (
b) and (C) are plan views showing examples of the arrangement of switching elements, FIG. 3 is a plan view showing a part of an active matrix substrate showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing an example of the arrangement of switching elements. FIG. 3 is a plan view showing a part of the matrix substrate. In the figure, 11, 21, 31 are display electrodes, 12°22, 32 are switching elements, 13, 23, 3
3 is a signal line, 14, 24, 34 is a scanning line, 15
, 25 and 35 each represent one pixel. - 15-1 pixels (CL) (b) (C)
21 - Display electrode 22 - Switching element 33 - Signal line 34 - Scanning line 35 - 1 pixel

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)スイッチング素子を有するアクティブマトリック
ス液晶パネルにおいて、アクティブマトリックス基板に
形成された1画素が複数個の表示電極群と走査線と信号
線と複数個のスイッチング素子とからなり、前記走査線
および信号線の少なくとも一方が複数本で構成され、上
記各表示電極を1画素内に分配配置された各々スイッチ
ング素子を介して走査線および信号線に接続したことを
特徴とする液晶マトリックスパネル。
(1) In an active matrix liquid crystal panel having switching elements, one pixel formed on an active matrix substrate is composed of a plurality of display electrode groups, a scanning line, a signal line, and a plurality of switching elements, and the scanning line and the signal A liquid crystal matrix panel characterized in that at least one of the lines is composed of a plurality of lines, and each of the display electrodes is connected to a scanning line and a signal line through respective switching elements distributed within one pixel.
JP20092084A 1984-09-26 1984-09-26 Liquid crystal matrix panel Pending JPS6177886A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20092084A JPS6177886A (en) 1984-09-26 1984-09-26 Liquid crystal matrix panel
US06/780,214 US4995703A (en) 1984-09-26 1985-09-26 Active matrix liquid crystal color display panel having split pixel electrodes

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JP (1) JPS6177886A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528396A (en) * 1987-06-10 1996-06-18 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices with a holding capacitance between the pixel electrode and a scanning signal line
US5610738A (en) * 1990-10-17 1997-03-11 Hitachi, Ltd. Method for making LCD device in which gate insulator of TFT is formed after the pixel electrode but before the video signal line

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528396A (en) * 1987-06-10 1996-06-18 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices with a holding capacitance between the pixel electrode and a scanning signal line
US5532850A (en) * 1987-06-10 1996-07-02 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display with gate lines having two layers, the gate electrode connected to the wider layer only
US5708484A (en) * 1987-06-10 1998-01-13 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices with two layer gate lines, the first being the same level and material as gate electrodes
US5838399A (en) * 1987-06-10 1998-11-17 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices with two layer gate lines, the first being the same level as gate electrodes.
US6184963B1 (en) 1987-06-10 2001-02-06 Hitachi, Ltd. TFT active matrix LCD devices employing two superposed conductive films having different dimensions for the scanning signal lines
US6384879B2 (en) 1987-06-10 2002-05-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device including thin film transistors having gate electrodes completely covering the semiconductor
US6839098B2 (en) 1987-06-10 2005-01-04 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices
US6992744B2 (en) 1987-06-10 2006-01-31 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices
US7196762B2 (en) 1987-06-10 2007-03-27 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices
US7450210B2 (en) 1987-06-10 2008-11-11 Hitachi, Ltd. TFT active matrix liquid crystal display devices
US5610738A (en) * 1990-10-17 1997-03-11 Hitachi, Ltd. Method for making LCD device in which gate insulator of TFT is formed after the pixel electrode but before the video signal line
US5671027A (en) * 1990-10-17 1997-09-23 Hitachi, Ltd. LCD device with TFTs in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films and before the deposition of the silicon gate insulator

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