JPS6168388A - 単結晶製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 例　技術分野 この発明は、単結晶製造装置の改良に関する。

単結晶を製造する方法として、引上げ法と、ボート法が
ある。引上げ法は円形の単結晶を得やすい、という長所
があるが、単結晶を上方へ引上げてゆくので、熱環境を
正確に再現性良く設定する、というのが難しい。

本発明は引上げ法の改良に関する。

（イ）従来技術とその問題点 第６図は従来のＬＥＣ単結晶引上装置の断面を示す。Ｃ
，ａＡ　ｓを例にとって説明する。

ＣｙａＡｓ単結晶１は、種結晶２につづいてるつぼ３の
中の原料融液４から引上げられる。ＬＥＣ法であるので
、Ｂ２Ｏ３による液体カプセル層５が原料融液４を押え
ていて、Ａｓの揮散を防止している。

上軸６は回転昇降自在の軸で、下端に種結晶２がとりつ
けられ、単結晶１を回転させながら引上げる。

下軸７はるつぼ３を支持し、回転昇降できるようになっ
ている。

るつぼ３を囲んで、単一の円筒形ヒータ８が設けられる
。ヒータ８の外側を囲んで、円筒形の保温材９が設けら
れる。これらの設備の全体をチャンバ１０が囲んでいる
。

るつぼ３には、ＧａＡ　ｓの多結晶を入れておき、上軸
６には種結晶２を取付けておく。ヒータ８に大電流を流
して、これを発熱させる。るつぼ内の多結晶と液体カプ
セルは、ヒータの熱によって融ける。ＧａＡｓの融液と
なったものの中へ種結晶２を浸け、温度を下げて、上軸
を回転しながら引上げて単結晶１を育成してゆく。

熱環境を知るための熱電対は、るつぼ底熱電対１１と、
ヒータ熱電対１２とが設けられている。

２つの熱電対１１．１２によって、炉内の温度がモニタ
され、ヒータ電力の制御等のためのデータとして用いら
れる。

このようにして育成された単結晶は、炉内の温度分布に
よって、冷却中に強い熱応力を生じゃすい。熱応力が大
きいので、多数の転位を生ずるのがふつうである。

転位以外にも、結晶欠陥の種類はあるが、欠陥の大いさ
の評価は、ふつうエッチピット密度（ＥＰＤ）によって
なされる。ＧａＡｓの場合、これは数万〜数十万／７に
達するこ七が多い。

Ｉ−Ｖ族化合物半導体は、Ｖ族元素の分解圧が高いので
、表面から■族元素が抜けやすい。このため、冷却中に
ストイキオメトリからずれてくる。

表面と中心部で温度が異なるので、熱応力は必ず発生す
る。温度分布を調節することによって、転位の少ない、
＾Ｓ抜けの少ないＧａＡｓ単結晶を育成できるはずであ
る。

実際、転位を生じに＜＜、表面からのＡｓの蒸発の少な
い最適の温度分布を与える条件が実験によって求められ
る。

最適育成条件時の、ヒータ形状、保温材形状、２段以上
のヒータがある場合は、各ヒータ間の電力比率などが判
明すると、これらの条件を固定して、以後、単結晶を育
成することができる。

しかし、これらの方法には、次のような欠点がある。

（１）　　ひとつは、温度分布の再現性に乏しく、結　
　。

異品質にも再現性がない、ということである。

たとえ、ヒータや保温材が同一であるとしても、条件が
変化してゆくからである。

保温材が劣化し、形状や寸法が少しずつ変化してゆき、
保温力が変動する。チャンバ内壁にＡｓなどが蒸着され
てゆき、チャンバ内壁の反射率が増加してくる。さらに
、ヒータが劣化し、部分的に有効断面積が狭くなり、ヒ
ータの電気抵抗分布が変化してくるので、発熱分布が変
化する。同じようにサイリスタ制御していて全パワーを
一定に保っても、熱分布はかわってしまう。

このように、ヒータ、保温材の劣化が起るから、条件が
変動してしまい、温度分布が変わってしまう。

これを防ぐには、常時温度分布を正しく計測すればよい
。しかし、これも次の理由で、従来は、なされていない
。

（２）炉内に設置された熱電対（固定熱電対）の信頼性
が低いので、これら熱電対の測定結果が、温度分布を推
定する上であまり役だだない。

第７図は、炉内の熱電対の設置場所の一例を示す。熱電
対１２が、ヒータ８と保温材９の間に設置されたとする
。

第８図は、熱電対を通る水平線Ａ　Ａ／上の温度分布を
例示するグラフである。

ヒータ８，８の存在する点で最高温間を示し、ヒータ８
，８にはさまれる部分はこれらより低い温度になる。原
料融液４の存在する領域は融点になるよう調節しである
。ヒータ８゜８の外側で、温度は単調減少する。

実線は、保温材が新しい場合の温度分布を示す。破線は
保温材が劣゛化した場合の温度分布を示す。

保温材が劣化すると、熱が逃けやすくなるので、ヒータ
８より外側での温度下降の勾配が急になる。ところが原
料融液ての温度は、融液の融点に固定されるべきである
から、ヒータのパワーが大きくなっている。ヒータ８の
温度ピークは上方へずれる。ところが保温材９に於ける
温度下降は、先程より急になっている。

温度分布に関して、上へ向う動きと、下へ向う動きとが
、熱電対１２の近傍のある（キャンセル）点て打消しあ
う。

熱電対１２が、キャンセル点にあるとすれば、この熱電
対１２はヒータ温度の上昇を検知できない。

熱電対１２が、キャンセル点より外にあれば、ヒータ温
度が上昇しているのに、下降しているような測定結果を
もたらす。

また熱電対は、アルミナの保護管内にある。

第９図、第１０図は保護管３１内の熱電対の断面図を示
している。取付は位置近傍の温度勾配が大きいため、僅
かな位置の変化であったとしても、測定温度がかわって
しまう。

第９図に於て、熱電対の先端が曲って、保護管の側面に
接触している。温度の測定値は低くてる。

第１０図に於て、熱電対の先端は、正しく、保護管先端
の真中に接触している。温度の測定値は、高くでる。

このように、同じ温度環境を同じ熱電対によって測定し
ても、測定値が異なる、という事がある。

さらに、熱電対は、雰囲気ガスにさらされている。雰囲
気がスは、加圧されており、対流も激しく起っている。

このため雰囲気ガスの影響で、温度の測定値が時間的に
変動する。

アルミナ保護管３１の外側には次第にＡｓが蒸着されて
ゆく。Ａｓの蒸着により、保護管３１内へ入る輻射熱の
量が減ってくる。これによって、温度測定イ直が変動す
る。このように、測定値に影響する、さまざまな要因が
あり、これらが変動するから、熱電対による温度測定は
、信頼性が低いのである。

以上は、ひとつのヒータを用いるものであった。

第１１図に示すように、多段のヒータを用いる炉に於い
ても、同様に、温度測定の信頼性は低い。ヒータ８は２
分割のヒータで、下ヒータ２０と上ヒータ２１よりなっ
ている。これらは独立に、上下方向に変位させることが
できる。ヒータパワーも独立に設定することができる。

ヒータ用熱電対１３は３本あって、上ヒータ２１の外面
に接する第１熱電対２３、下ヒータの上端外面に接する
第２熱電対２４、下ヒータの中間部外面に接する第３熱
電対２５よりなる。

このようなヒータ用熱電対による温度測定は、次のよう
な理由で、必ずしも、常に、るつぼまわりの温度環境を
正しくとらえるものではない。

ヒータの劣化により、ヒータ形状が変化する。ヒータ形
状が変化すると、２つのヒータ間の隙間が拡大し、不活
性ガスの対流の量も変化するし、ヒータのパワーの比も
変動する。

このため、るつぼをとりまく熱環境が不安定になる。こ
れは、実際に温度分布が変化するものである。

それに加えて、測定の信頼性の問題もある。

ヒータが劣化し、形状に変化が生じると、熱電対とヒー
タの接触関係が変化するので、温度測定が正確に行われ
ない。

（つ）　　目　　　　　　　的 特性のそろった単結晶を製造することは、電子デバイス
の基板とする場合に於ても、光電素子の中の能動素子部
分とする場合に於ても、極めて重要なことである。

単結晶を原料融液から上方へ引上げてゆく引上げ法に於
ては、温度勾配が上下方向に於て特に大きく生じ、また
半径方向にむ温度は著しく変化する。ところが温度条件
は、引上げた単結晶の冷却に強く影響するので、温度条
件を常に一定に保つという事が望ましい。

従来、引上げ法に於て、温度条件を完全に制御しきれな
かったのは、これまでに説明したように、２つの要因が
ある。

ひとつは、ヒータや保温材の使用による劣化である。劣
化は特に大電流を流し、高熱状態になるヒータに於て著
しい。ヒータの劣化により電気抵抗が変化し、形状、寸
法も変化する。しかし、ヒータの劣化は必ず起るのであ
って、これを抑えることはできない。

もうひとつは、熱電対による温度測定の不安定性である
。熱電対は、その先端が炉内の空間中に孤立して設けら
れるか、又は先端がヒータに接触しているかである。つ
まり、熱電対の存在する部分の温度が安定でない、とい
う事である。熱容量の大きいもので囲まれていないから
、ゆらぎが大きいし、測定値がドリフトしやすい。

本発明の目的は、これらの欠点を克服することである。

すなわち、 （１）　　るつぼまわり、及びるつぼの上方の空間の温
度環境を安定なもの【こすること。

ヒータの劣化に拘らず、温度環境が安定している、とい
うことである。

（２）　　熱電対による温度測定の信頼性を向上すると
いうこと。熱環境を正しく捕えることである。

（３）　　安定した温度環境を実現し、正しく温度測定
できることから、るつぼまわり、るつぼ上方の空間の温
度環境を厳密に制御可能なものにすること。

などである。

（工）構　成 本発明の単結晶製造装置は、るつぼの周囲及びるつぼ上
方の空間の周囲に、熱伝導性が良く劣化の少ない物質よ
りなる安定材を設け、かつ熱電対の先端は安定材の内部
へ埋込んでいる。

第１図は本発明の単結晶製造装置の一例を示す断面図で
ある。

るつぼ３の中に原料融液４と、これを封止する液体カプ
セル５とがある。単結晶１は、原料融液４から種結晶２
につづいて引上げられてゆく。上軸６は回転しながら上
昇してゆく。下軸７は、下方からるつぼ３を支える。る
つぼと下軸７の間にるつぼ底熱電対１１が取付けられ、
るつぼ温度を測定している。

ヒータ８は、この例では３段ヒータになっている。上ヒ
ータ１５、中ヒータ１６、下ヒータ１７である。ヒータ
の数は、本発明にとっては任意の事項である。

ヒータ８の外周には、保温材９が設けられている。これ
は従来の引上げ装置に設けられているものと同じで、ヒ
ータ８の熱がチャンバの外へ輻射によって逃げてしまう
のを防ぐためのものである。

以上の構成は、従来のものと異ならない。

本発明にあっては、新しく、るつぼ３と、ヒータ８の間
に、熱伝導の良い物質を主材料とし、スペーサー等で各
部の熱伝達率を調整した安定材１４を設け、ヒータ８か
ら輻射餐こよって、直接にるつぼ３へ熱が伝達されるの
を禁止している。

安定材１４は、熱伝導が良く、しかも耐熱性のある物質
で作る。たとえばＢＮ、カーボン、モリブデンなどであ
る。

第１図の安定材１４は、円筒形を生体とし、下方が円錐
形３２になっている。これは下ヒータ１Ｔが円錐形であ
るからである。

安定材１４の上部側面には、水平に支持板３３が固着さ
れている。これは、保温材９に乗せて安定材１４を支持
するためのものである。

安定材１４によって、るつぼ３と、その下方の空間、及
び上方の空間が囲まれる。ヒータ８の存在する空間と、
るつぼの存在する空間が、安定材１４によって分離され
る。

さらに、本発明に於て重要なことは新たに設けた安定材
１４の内部へ、熱電対２６．２７．２８゜２９が埋め込
まれている、ということである。

安定材１４は、ヒータ８とるつぼ３の間にあればよく、
形状は任意である。直円筒形状、おわん形状、ロート形
状であってもよい。

安定材１４は必ずしも一体である必要はなく空間的に分
離していてもよい（第１２図）。

安定材１４は完全に盲板である必要はない。一部にスリ
ットや穴が穿孔されていてもよい。また均一な厚さをも
つ必要はなく、必要な温度勾配をもつように２〜１００
ｍｍの厚さをもつ部分を組みあわせても良い（第１３図
）。また成長の安定化のために温度勾配が高いことが必
要な部分には、アルミナ等熱伝導率の低い物質等を組み
あわせても良い（第１４図）。

第２図〜第４図は安定材１４の形状の例を示す断面図で
ある。

第２図の安定材１４は、上部が内側へ折曲っている。こ
れはるつぼ３をより完全に覆い、るつぼ上方の不活性ガ
スの対流を阻止し、るつぼ上方の温度分布の変動を抑え
る効果がある。

この安定材は上方も内側に折曲っている。上円錐３５、
下円錐３４は、るつぼまわりの空間を他の空間から仕切
ることにより、温度分布の変動を抑制するようにしてい
る。このように、るつぼ３より小さい上下開口をもつ安
定材１４は、ニラ割りにすればよい。

第３図に示す安定材１４は直円筒形状である。

これはヒータ８がひとつの場合（第６図の装置のように
）に適している。安定材は、るつぼと、ヒータを空間的
に遮断すればよいのであるから、白−タ８が単一円筒形
であれば、安定材も直円筒状であってもよいのである。

第４図に示す安定材は、るつぼ３の上端近くに対応する
位置へ、内側へ突出した内向突条３６を設けたものであ
る。内向突条３６は、これより下方の空間と、上方の空
間との間のガスの流通を遮断する。るつぼ下方の温度は
、上方の温度より高いから、不活性ガスはるつぼのまわ
りで、下から上へ向う強い対流を生じるが、内向突条３
６は対流を有効に抑制する。これによって、るつぼ上方
の空間の熱環境を一層安定なものにしている。

埋込むべき熱電対は、安定材１４がＢＮのように絶縁性
であれば、保護管に入れず、先端を直接に、埋込む。熱
容量の大きし＼安定材物質の中に閉じこめられるから、
ガス対流や、ヒータ位置の変動、装置の振動などによっ
て、測定値は変動しない。正しく、安定材の温度を測定
できる。

安定材１４がカーボン、モリブデンなどのように導電性
物質の場合は、熱電対の絶縁のため、保護管を必要とす
る場合もある。しかし、電気回路を工夫すれば、保護管
なしで直接に、安定材の中へ埋込むようにもできる。

いずれにしても、熱電対はなるべく細いものを用い、熱
電対先端と、安定材物質との間に空間が残らないように
する。

さらに、安定材の中でも、るつぼ３に近い内側表面近く
へ熱電対を設置するのが望ましい。るつぼの温度をでき
るだけ正確に測定するためである。

第１作　用 安定材１４は熱伝達率のよい物質で、るつぼとヒータと
を空間的に遮断するように設けられる。

つまり、るつぼは、ヒータからの直接の輻射を受けない
。

ヒータは安定材１４を加熱する。安定材の外表面が受け
る輻射熱は、ヒータの数、面積、配置により異なる。し
かし、この熱は、ヒータから、安定材に移り、安定材中
を伝導し、内表面に至る。

安定材１４の温度が高くなるので、安定材１４が輻射を
生じ、るつぼを加熱し、融液、単結晶を加熱する。

単位面積あた抄の輻射は、黒体輻射と同様絶対温度の４
乗に比例するものと考えられる。

安定材１４はある程度厚みがあり（２ｍｍ以上である）
、熱伝導度も高いので、一様な温度になる傾向がある。

したがって、安定材からの輻射は、はぼ一様である、と
いうことになる。またヒータの劣化による発熱分布の不
均一を吸収し、一様にする働きもある。

とじられた空間に於て、境界から等しい等方的な輻射を
受ける場合、任意の空間中の点に於て単位体積、単位時
間に吸収する輻射の量は等しい。

従って安定材で囲まれる空間内は温度分布が均一に近く
なる。

また、雰囲気ガスの対流を、安定材は、有効に゛　遮断
する。

カ）効　果 （１）　　安定材は、ヒータとるつぼの間にあって両者
を空間的に分離する。ヒータからの熱輻射は、直接に、
るつぼに当らない。安定材にいったん吸収された熱が、
再度輻射によってるつほへ伝わる。

輻射熱は均一化しており、るつぼは平均化−された熱を
受ける。

ヒータの分布が不均一な熱を発生するものであっても、
常に平均化されるから、るつぼ、るつぼ上方の熱環境が
安定する。

従って、欠陥の少ない単結晶を引上けることができる。

（２）安定材は、雰囲気がス（不活性ガス）のるつぼ近
傍での強い対流の発生を抑制するから、冷却中の単結晶
に強い熱応力が発生するのを防ぐ。このため、高品質の
単結晶を得ることができる。

（３）　　ヒータが劣化して、電気抵抗が変化し、寸法
、形状が変化することによって、単位面積あたりの発熱
量の分布が変動したりしても、安定材でいったん不均一
な輻射熱を吸収するから、ヒータ劣化の影響は全く現わ
れない。

るつぼまわりの温度分布は変動しない。

つまり、温度分布に関し、高い再現性が得られる。

このため、特性の一定した単結晶を、再現性よく、製造
できるようになる。

（４）熱電対の先端は安定材に埋めこんである。

安定材は、単位体積あたりの熱容量が、ガスよりもはる
かに大きく、温度変化が少い。

つまり、熱の緩衝材としての機能をもっている。このた
め、熱電対によって、正確に温度を測定できる。

（５）安定材は熱伝達率が良く、その中では温度分布が
なだらかに変化する。そのため、安定材の内表面近くの
温度を測ることにより、安定材のるつぼ側表面の温度分
布を正確に推定できる。

（６）安定材の温度は変化しにくく、しかも温度を正確
に測定できるから、ヒータの電力調整によって、一定の
熱環境を再現性よく作り出すことができる。

つまり、制御可能性が高揚する。

（７）安定材の温度は、十数百度〜千度にも達する。高
温であるので、たとえＡｓが蒸着した止しても、高温に
なった時に、Ａｓは飛んでしまう。つま９、表面は常に
清浄で汚染されない。

一定した表面状態であるので、電磁波に対する反射率を
一定に保つことができる。このため輻射の変動もない。

一定強さの輻射である。

（８）安定材は、単にるつぼを囲んでヒータと遮断すれ
ばよいので、比較的単純な形状をしている。安定材の劣
化があったとしても形状変化は少なく、この意味でも再
現性がある。

（９）　　安定材が熱の緩衝材となるので、ヒータの形
状変化、保温材の形状変化の影響を緩和する。

ヒータの劣化による変化だけでなく、劣化したヒータを
新しいものにとりかえた時の変化をも緩和するこ、とが
できる。

ヰ）用　途 本発明の単結晶製造装置は、次のような材料の単結晶引
上げに用いることができる。

（１）　　Ｓｉ　　、　Ｇｅなどの半導体（２）　　Ｇ
ａＡｓ　、　ＧａＰ　、　ＩｎＡｓ　、　ＩｎＰ等の化
合物半導体 （３）　　Ｂ　Ｓ　Ｏ、Ｌ　Ｂ　Ｏなどの誘電体（り）
実施例 第５図に示すような、４段ヒータの炉の中へ、２つ割の
安定材１４を設置した。この安定材１４は、上下が円錐
面になっている。安定材１４は、厚さ１ｃｒｎのＢＮ製
であり下方より約２戸の細孔をあけそこに、絶縁管をと
おした熱電対をうめこんだ。

安定材の下方から、それぞれのヒータの中心部に面した
位置にＢ型熱電対を゛差込んだ。

第１ヒータ１５に対向して、第１ヒータ熱電対２８が埋
込んである。

第２ヒータ１６に対向して、第２ヒータ熱電対２７が埋
込んである。

第４ヒータ１７に対向して、第４ヒータ熱電対２９が埋
込んである。

第３ヒータ１８に対応する熱電対は安定材の中に設けず
、るつぼ底熱電対１１を使用することにしている。

第１ヒータ１５は、第１ヒータ熱電対２８による自動温
度調節器ＡＴＣて制御される。第２ヒータ１６は、第２
ヒータ熱電対２７による測定値をもとにＡＴＣ：　（図
示せず）により制御される。第４ヒータ１７は、第１ヒ
ータ熱電対２８によって、ＡＴＣにより制御される。

第３ヒータ１８は、るつぼ底熱電対１１で制御される。

るつぼ内原料は、４（のＧａＡ　ｓ多結晶とした。

不純物はドープしない。Ｂ２Ｏ３は６０ＯＮである。

何回かの実；倹の結果、第１．第２．第４ヒータ１５．
１６．１７の温度を、７８０℃、１４３０℃、１３５０
℃に設定することで、次のような結晶を得た。

単結晶 直径　　　　　　８０±２間！ 長さく直胴部）　　　　１００７ｆｆｌ＋１重量　　　
　　　　　３．５９ これをスライスして、３インチダのウェハにした。ウェ
ハ内の平均転位密度は、 結晶前部　　１．０ｘｌＯ’／ｍ 結晶後部　　３．５Ｘ１０’／７ であった。単結晶の中間部から切りだしたウエノ・。

についての平均転位密度は、前記の値の中間の値であっ
た。

ここで、平均というのは１枚のウェハの面内での平均、
という事である。

以下、同様の設定温度でさらに５回の結晶成長ヲ行った
。３インチウェハ内の平均転位密度は、結晶前部　０　
、８〜１　、　ＩＸ　１０’／ｃｎｔ結晶後部　２．８
〜３’、５Ｘ１０’／ｆｆｌであった。先程の結果と比
較して、優れた再現性がある、ということを示している
。

結晶育成中、結晶径のコントロールは、第３ヒータ１８
で、るつぼ底の温度を変化させることによって行った。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の単結晶製造装置の一例を示す縦断面図
。 第２図は安定材の形状の例を示す縦断面図。 第３図は安定材の形状の他の例を示す縦断面図。 第４図は安定材の形状の他の例を示す縦断面図。 第５図は本発明の単結晶製造装置の他の例を示す縦断面
図。 第６図は従来の単結晶製造装置の縦断面図。 第７図は従来の単結晶製造装置のヒータ用熱電対の設置
場所を示す略断面図。 第８図は第７図のＡ　Ａ’線上の温度分布を示すグラフ
。 第９図は熱電対がアルミナ保護管の中にあり、先端が側
方にそれている状態を示す断面図。 第１０図は熱電対がアルミナ保護管の中にあり、先端が
正しく、保護管の先端裏面に接触している状態を示す断
面図。 第１１図は多段ヒータを用いた従来例の単結晶製造装置
の縦断面図。 第１２図は２分割型の安定材断面図。 第１３図は厚さの変化する安定材断面図。 第１４図は中間にアルミナスペーサを設けた安定材断面
図。 １・・・・・・単結晶 ２・・・・・・種結晶 ３・・・・・る　つ　ぼ ４・・・・・・原料融液 ５・・・・・・液体カプセル ６・・・・・・上　　軸 ７・・・・・・下　　軸 ８・・・・・・ヒ　−　タ ９・・・・・・保温材 １０・・・・・チャンバ １１・・・・・・るつぼ底熱電対 １２・・・・・ヒータ熱電対 １４・・・・・・安定材 １５．１６，１７．１８・・・・・・ヒ　−　タ２０．
２１　・・・・・ヒ　−　タ ２３．２４．２５・・・・・・熱　電　対２６〜２９・
・・・・・熱　電　対 ３１・・・・・・熱電対の保護管 ３２・・・・・・安定材の下円錐部 ３３・・・・・・支　持　板 ３４．３５・・・・・・円　　　錐 ３６・・・・・・内向突条 ４０・・・・・アルミナスペーサ 発　　明　　者　　　　　　　　中　　井　　龍　　資
特許出願人　　住友電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図　　　　　　第４図 第５図 第１２図　　　　　　　　第１３図 第１４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 原料融液４を入れたるつぼ３と、るつぼ３を支持する下
   軸７と、下端に種結晶２を取りつけ原料融液４から種結
   晶２に続いて単結晶１を引上げるための上軸６と、るつ
   ぼ３の周囲に設けられたヒータ８と、ヒータ８の外周に
   設けられた保温材９と、これらを内部に囲むチャンバ１
   ０とを含む単結晶製造装置に於て、るつぼ３とヒータ８
   の間に熱伝達率が良く耐熱性のある材質よりなる安定材
   １４を設け、安定材１４の中に熱電対の先端が埋め込ん
   である事を特徴とする単結晶製造装置。