JPS6167768A - スパツタタ−ゲツト - Google Patents
スパツタタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6167768A JPS6167768A JP18960184A JP18960184A JPS6167768A JP S6167768 A JPS6167768 A JP S6167768A JP 18960184 A JP18960184 A JP 18960184A JP 18960184 A JP18960184 A JP 18960184A JP S6167768 A JPS6167768 A JP S6167768A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- film
- annular
- sputtering
- plane
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はスパッタ装置に係り、特に２種以上の材料を混
合１−て膜形成を行なう場合に使用するスパッタターゲ
ットの改良に関するものである。
合１−て膜形成を行なう場合に使用するスパッタターゲ
ットの改良に関するものである。
半導体製品の製造に利用される薄膜形成技術としてスパ
ッタ法が使用されている（工業調査会発行電子材料１９
８１年別冊、昭和５６年１１月１０日発行、ｐ１４３〜
ｐ１４８）。そして、近年ではスパッタターゲットに複
数種のターゲットを用いることにより、合金が不可能な
組成の薄膜を形成することが行なわれている。例えば、
半導体製品の高速動作化に伴なって近年多用されている
Ｍｏｖｉｅ （モリブシリサイド）もその−例であり
、ＭｏとＳｉの各ターゲットを夫々配設しかつこれらの
ターゲットに対して同時にスパッタを行なうことにより
、Ｍｏ 、 Ｓ ｉ 訂混合した、つまり合金組成のＭ
ｏＳ＋、、膜を得ることができる。
ッタ法が使用されている（工業調査会発行電子材料１９
８１年別冊、昭和５６年１１月１０日発行、ｐ１４３〜
ｐ１４８）。そして、近年ではスパッタターゲットに複
数種のターゲットを用いることにより、合金が不可能な
組成の薄膜を形成することが行なわれている。例えば、
半導体製品の高速動作化に伴なって近年多用されている
Ｍｏｖｉｅ （モリブシリサイド）もその−例であり
、ＭｏとＳｉの各ターゲットを夫々配設しかつこれらの
ターゲットに対して同時にスパッタを行なうことにより
、Ｍｏ 、 Ｓ ｉ 訂混合した、つまり合金組成のＭ
ｏＳ＋、、膜を得ることができる。
ところで、この種のターゲット構成は、第６図に示すも
ので、これは３重環状ターゲットと称されるもので中心
部１と外環部２をＳｉ で形成し、内環部３をＭｏで形
成したものである。そして、このターゲットを所定の電
極上にセットした上で舘７図に示すように表面上に発生
されるプラズマＰを図示左右力向に、移動制御しかつそ
の停止時間を制御することにより、ＳｉとＭｏのスパッ
タ比を制御でき、これにより任意のＳｉ／Ｍｏ比の合金
膜を得ることができる。
ので、これは３重環状ターゲットと称されるもので中心
部１と外環部２をＳｉ で形成し、内環部３をＭｏで形
成したものである。そして、このターゲットを所定の電
極上にセットした上で舘７図に示すように表面上に発生
されるプラズマＰを図示左右力向に、移動制御しかつそ
の停止時間を制御することにより、ＳｉとＭｏのスパッ
タ比を制御でき、これにより任意のＳｉ／Ｍｏ比の合金
膜を得ることができる。
しかしながら、これらの図に示したターゲットは、中心
部１と内環部３および夕（環部２の各間の隙間から下側
の支持用電極（通常１ＩＣｕ）がスパッタされないよう
に、内環部の両側を中心部１゜外環部２」：に張出した
構成とされており、そこに段差が生じている。このため
、プラズマは磁界が強くなる中央部】と外環部２１Ｃ対
するスパッタ作用が犬ぎくなり、しかもこの場合にはＭ
ｏよりもＳｉの方がスパッタされ易いことが原因となり
第７図に示したように中央部１と外環部２のエロージョ
ン４の深さが増大される。この結果中央部１゜外環部２
と内環部３の段差りが更に増大され、前述したスパッタ
作用の強さの差が一層大きくなる。
部１と内環部３および夕（環部２の各間の隙間から下側
の支持用電極（通常１ＩＣｕ）がスパッタされないよう
に、内環部の両側を中心部１゜外環部２」：に張出した
構成とされており、そこに段差が生じている。このため
、プラズマは磁界が強くなる中央部】と外環部２１Ｃ対
するスパッタ作用が犬ぎくなり、しかもこの場合にはＭ
ｏよりもＳｉの方がスパッタされ易いことが原因となり
第７図に示したように中央部１と外環部２のエロージョ
ン４の深さが増大される。この結果中央部１゜外環部２
と内環部３の段差りが更に増大され、前述したスパッタ
作用の強さの差が一層大きくなる。
このため、第８図の符号人のようにウェーハの処理枚数
の増大に伴なって合金膜中のＳｉ含有量（Ｓｉｗｔ％）
が碩増Ｌ、製品の品質や特性の不均一を生じることにな
る。また、これと共にターゲットの寿命も短かくなり、
高価なターゲットであることから製品のコスト低下の障
害になっている。
の増大に伴なって合金膜中のＳｉ含有量（Ｓｉｗｔ％）
が碩増Ｌ、製品の品質や特性の不均一を生じることにな
る。また、これと共にターゲットの寿命も短かくなり、
高価なターゲットであることから製品のコスト低下の障
害になっている。
本発明の目的はターゲットにおけるエロージョンの発生
な抑ｆｉｉｌＪすると共に、エロージョンによるスパッ
タ特性の変動を防止して均一な組成の膜形成を可能とし
、合わせてその寿命の向上を図ることのでさるスパッタ
ターゲットを提供することにある。
な抑ｆｉｉｌＪすると共に、エロージョンによるスパッ
タ特性の変動を防止して均一な組成の膜形成を可能とし
、合わせてその寿命の向上を図ることのでさるスパッタ
ターゲットを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すフ、「わち、中心部および１以上の環状ｆ／、ｔ（か
らなるスパッタターゲットでｋ〕って、各部間の隙間を
覆うように構成すると共に、各部の表面を均一な平面高
さに構成することにより、各部におけるスパッタ作用の
均一化を図り、かつエロージョンが生じた場合にもその
段差を小さく抑えて膜組成の変動を抑制することができ
るものである。
らなるスパッタターゲットでｋ〕って、各部間の隙間を
覆うように構成すると共に、各部の表面を均一な平面高
さに構成することにより、各部におけるスパッタ作用の
均一化を図り、かつエロージョンが生じた場合にもその
段差を小さく抑えて膜組成の変動を抑制することができ
るものである。
また、エロージョンの生じ易い部位の側縁な曲成しかつ
テーバ状に形成することにより、ターゲットの割れ、欠
けの発生を防ぎ、異物による信ｊ１・［（性の低下を防
止できる。
テーバ状に形成することにより、ターゲットの割れ、欠
けの発生を防ぎ、異物による信ｊ１・［（性の低下を防
止できる。
第１図は本発明のスパッタターゲットを適用したスパッ
ク成膜装置の一実施例である。内部を所要のガス雰囲気
圧に設定可能なチャンバｌｏ内にはカソード電極１２と
ウェーハホルダ１１とを上下刃向に対向配置＋、、カソ
ード電極１２．アノード電極、間忙直流市源３２により
、高電圧印加しイ（するようになっている。そして、Ｃ
ｕ等により形成されたカソード電極（バッキングプレー
１・）１２」：には詳細を後述するターゲット２０を取
着し、またカソード電極１２下にはプラズマ制御部１３
を設けている。このプラズマ匍ｊｔ１部１３は中心壁１
４ａに対して同心配置された内、外の周壁１４１） 、
ｉ ４． ｃを有する円形のヨーク１４を主体とし、
各壁間で構成される環状溝１．５ａ、、１５ｂ内にコイ
ル１６．１７を内装している。これらコイル１６．１７
は夫々別個の電流源１８ 、、１９に接続しており、各
電流源１８，１９の制御によっテ各コイル１６．１７へ
の通電量を変えることにより、例えば中心壁１４ａをＮ
極、内、外の合壁１４１） 、 １４ ｃを夫々Ｓ極と
１．た磁石構体を構成して前記カソード電極１２上に磁
界を生せしめ、かつこの磁界の強度分布な適宜に変化す
ることができる。これによりカソード％ 杼１に発生さ
れる環状のプラズマＰ１径を変化させ、前記ターゲット
２０に対するプラズマＰ１の水平（半径方向）位置を移
動制御することができる。
ク成膜装置の一実施例である。内部を所要のガス雰囲気
圧に設定可能なチャンバｌｏ内にはカソード電極１２と
ウェーハホルダ１１とを上下刃向に対向配置＋、、カソ
ード電極１２．アノード電極、間忙直流市源３２により
、高電圧印加しイ（するようになっている。そして、Ｃ
ｕ等により形成されたカソード電極（バッキングプレー
１・）１２」：には詳細を後述するターゲット２０を取
着し、またカソード電極１２下にはプラズマ制御部１３
を設けている。このプラズマ匍ｊｔ１部１３は中心壁１
４ａに対して同心配置された内、外の周壁１４１） 、
ｉ ４． ｃを有する円形のヨーク１４を主体とし、
各壁間で構成される環状溝１．５ａ、、１５ｂ内にコイ
ル１６．１７を内装している。これらコイル１６．１７
は夫々別個の電流源１８ 、、１９に接続しており、各
電流源１８，１９の制御によっテ各コイル１６．１７へ
の通電量を変えることにより、例えば中心壁１４ａをＮ
極、内、外の合壁１４１） 、 １４ ｃを夫々Ｓ極と
１．た磁石構体を構成して前記カソード電極１２上に磁
界を生せしめ、かつこの磁界の強度分布な適宜に変化す
ることができる。これによりカソード％ 杼１に発生さ
れる環状のプラズマＰ１径を変化させ、前記ターゲット
２０に対するプラズマＰ１の水平（半径方向）位置を移
動制御することができる。
前記ターゲット２０は、第２図のように円形板状の中心
部２１ど、その外側圧同心配置した。ｌｌ’１４＆の内
環部２２．外環部２３とで３重環状に形成している。本
例では、スパッタ膜てＭｏ５ｉｚ を形成することか
ら、前記中心部２１と外環部２３をＳｌで形成し、内環
部２２をＭｏで形成している。そして、第３図九一部を
拡大して示すように１、内環部２２を断面Ｔ字状に形成
して中央部２１と外環部ｉく２３との間に介装し、中央
部２１．内環部２２゜外環部２３の各間に形成される隙
間２４．２５をその上側部で被って下側のカソード電極
１２がＡ′Ｓ呈されブｒいように構成する電力、中央部
２１と外環部２３はその厚さを内環部２２と同一と（−
１円環部２２との対向辺には段部２６．２７を夫々形成
して前記内環部２２の上側部を受は入れるように構成し
ている。この結果、中央部２１．内環部２２、夕（環部
（ｊ２３は全てその表面が同一高さの平面に形成される
ことになる。
部２１ど、その外側圧同心配置した。ｌｌ’１４＆の内
環部２２．外環部２３とで３重環状に形成している。本
例では、スパッタ膜てＭｏ５ｉｚ を形成することか
ら、前記中心部２１と外環部２３をＳｌで形成し、内環
部２２をＭｏで形成している。そして、第３図九一部を
拡大して示すように１、内環部２２を断面Ｔ字状に形成
して中央部２１と外環部ｉく２３との間に介装し、中央
部２１．内環部２２゜外環部２３の各間に形成される隙
間２４．２５をその上側部で被って下側のカソード電極
１２がＡ′Ｓ呈されブｒいように構成する電力、中央部
２１と外環部２３はその厚さを内環部２２と同一と（−
１円環部２２との対向辺には段部２６．２７を夫々形成
して前記内環部２２の上側部を受は入れるように構成し
ている。この結果、中央部２１．内環部２２、夕（環部
（ｊ２３は全てその表面が同一高さの平面に形成される
ことになる。
以上の構成によれば、チャンバ１０内の断裂のガス圧界
囲気下でカソード電極１２．アノード電極、間に高電圧
（直流電力）を印加すれば両電極間にプラズマＰ１が発
生される。そして、これと同時に電流源１８．１９を制
御して各コイル１６゜１７への通電を制御することによ
りクーゲノ）２０上に８ける磁界強度分布が変化され、
これに伴なってプラズマＰ、はターゲットの中径方向に
位置変化される。したがって、このプラズマＰ□の停止
位置およびその時間を適宜制御することにより、中央部
２１．内環部２２．外環部２３におけるスパッタ作用が
制御され、そのスパッタ割合からＳｌとＭｏの所望の混
合比の膜をウェーハＷ表面に形成することができる。
囲気下でカソード電極１２．アノード電極、間に高電圧
（直流電力）を印加すれば両電極間にプラズマＰ１が発
生される。そして、これと同時に電流源１８．１９を制
御して各コイル１６゜１７への通電を制御することによ
りクーゲノ）２０上に８ける磁界強度分布が変化され、
これに伴なってプラズマＰ、はターゲットの中径方向に
位置変化される。したがって、このプラズマＰ□の停止
位置およびその時間を適宜制御することにより、中央部
２１．内環部２２．外環部２３におけるスパッタ作用が
制御され、そのスパッタ割合からＳｌとＭｏの所望の混
合比の膜をウェーハＷ表面に形成することができる。
そして、このとき内環部２２が隙間２４ 、２５を被っ
ているのでカソード電極１２が露呈されることはなく、
スパッタ成膜中への不純物（Ｃｕ）の混入は防止される
。また、このとき中央部２１゜内環部２２．夕１環剖２
３は全て同一平面高さであることから各部に同一のスパ
ッタ作用力を及ぼし、スパッタ作用の均一化、安定化が
図られる。更に、＜バッタの進行に伴なって、ＭＯより
もスパッタされ易いＳｉの中央部２１．夕１壌部２３に
第４図に示すようなエロージョン３０が次第に形成され
テモ、エロージョン３０の内底面と内環部２２表面との
段差Ｄ１＋−言従来よりも小さく、これによりプラズマ
Ｐ、の偏りを抑制しがっＳｉスパックの変動を抑止する
。したがって、多数枚のウェーハ処理に対しても、第８
図に符号Ａで示した従来に比較し゛Ｃ１同図に符号Ｂで
示すように合金（Ｍｏｖｉｅ）中におけるＳｉの含有量
の変動を抑えて安定化を図ることができる。これにより
、ターゲット２゜の寿命を長いものにでき低コスト化も
実現でざる。
ているのでカソード電極１２が露呈されることはなく、
スパッタ成膜中への不純物（Ｃｕ）の混入は防止される
。また、このとき中央部２１゜内環部２２．夕１環剖２
３は全て同一平面高さであることから各部に同一のスパ
ッタ作用力を及ぼし、スパッタ作用の均一化、安定化が
図られる。更に、＜バッタの進行に伴なって、ＭＯより
もスパッタされ易いＳｉの中央部２１．夕１壌部２３に
第４図に示すようなエロージョン３０が次第に形成され
テモ、エロージョン３０の内底面と内環部２２表面との
段差Ｄ１＋−言従来よりも小さく、これによりプラズマ
Ｐ、の偏りを抑制しがっＳｉスパックの変動を抑止する
。したがって、多数枚のウェーハ処理に対しても、第８
図に符号Ａで示した従来に比較し゛Ｃ１同図に符号Ｂで
示すように合金（Ｍｏｖｉｅ）中におけるＳｉの含有量
の変動を抑えて安定化を図ることができる。これにより
、ターゲット２゜の寿命を長いものにでき低コスト化も
実現でざる。
ここで、第５図のように内環部２２に対向する中央部２
１と外環部２３０段部２６ａ 、２７ａの上縁を円弧状
に形成すると共に端面をテーパ状に形成してオ６けば、
エロージョンに伴なう段部２６ａ２７ａの尖鋭形状化が
防止でき、割れ、欠けを未然に防止して異物の発生を防
ぎ、膜の品質、信頼性の低下を防止する。
１と外環部２３０段部２６ａ 、２７ａの上縁を円弧状
に形成すると共に端面をテーパ状に形成してオ６けば、
エロージョンに伴なう段部２６ａ２７ａの尖鋭形状化が
防止でき、割れ、欠けを未然に防止して異物の発生を防
ぎ、膜の品質、信頼性の低下を防止する。
＋１．Ｉ ターゲットを構成する中央部、内４Ｓｉ部
、タ１項都の表面を同一平面に位置しているので、プラ
ズマによるスパッタ作用を各部に均一に及ぼすことがで
き、エロージョンを抑制しかつ比較的に均一度の良いス
パッタ成膜を行なうことができる。
、タ１項都の表面を同一平面に位置しているので、プラ
ズマによるスパッタ作用を各部に均一に及ぼすことがで
き、エロージョンを抑制しかつ比較的に均一度の良いス
パッタ成膜を行なうことができる。
（２） スパックされ易い材料部分、前例では中央部
と外環部にエロージョンが生じても、各部の初期平面を
同一に形成しているので、エロージョンによって生じる
段差を小さく抑制でき、これによりプラズマの偏りを抑
制してスパッタ組成の変動を抑制できる。
と外環部にエロージョンが生じても、各部の初期平面を
同一に形成しているので、エロージョンによって生じる
段差を小さく抑制でき、これによりプラズマの偏りを抑
制してスパッタ組成の変動を抑制できる。
（３） エロージヨンを抑制しかつスパッタ組成の変
動を抑制できるので、ターゲットの寿命を向上し、低コ
スト化が達成でざる。
動を抑制できるので、ターゲットの寿命を向上し、低コ
スト化が達成でざる。
＋４１ ターゲットの段部な曲面状がっテーパ状とす
ることにより、エロージョンによってもターゲットの割
れ、欠けを防止し、異物の発生による成膜の信頼性低下
を防止できる。
ることにより、エロージョンによってもターゲットの割
れ、欠けを防止し、異物の発生による成膜の信頼性低下
を防止できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、前例ではＭ
ｏ５ｔ、の成膜について説明したが他の組成の成膜につ
いても同じである。また、組成によっては、４重項或い
はそれ以上のターゲット構成としてもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、前例ではＭ
ｏ５ｔ、の成膜について説明したが他の組成の成膜につ
いても同じである。また、組成によっては、４重項或い
はそれ以上のターゲット構成としてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体製品製造用の
スパッタ用ターゲットに適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、スパッタ装置のタ
ーゲットであれば同様に適用することができる。
をその背景となった利用分野である半導体製品製造用の
スパッタ用ターゲットに適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、スパッタ装置のタ
ーゲットであれば同様に適用することができる。
第１図は本発明を適用したスパッタ成膜装置の全体構造
を示す概略構成図、 第２図はターゲットの一部破断斜視図、第３図は型部の
拡大ｔ４Ｊｉ面図、 第４図はエロージョンが発生した状態の断面図、第５図
は変形例を示す第３図と同様の図、第６図は提案前のタ
ーゲットの断面図、第７図はその不具合を説明するため
の彎剖拡太断面図、 第８図はＳｒ含有率の変動を示すグラフである。 １０・・・チャンバ、１１・・・ウェーハホルダ、１２
・・・カソード電極、１３・・・プラズマ制御部、１６
゜１７・・・コイル、１８．１９・・・電流源、２０・
・・ターゲット、２１・・・中心部、２２・・内環部、
２３・・・外環部、２４．２５・・・隙間、２６．２７
・・・段部、、・・・アノード電極、３２・・・直流電
源、Ｐ、・・ブバ的鴨← ミ 戸
を示す概略構成図、 第２図はターゲットの一部破断斜視図、第３図は型部の
拡大ｔ４Ｊｉ面図、 第４図はエロージョンが発生した状態の断面図、第５図
は変形例を示す第３図と同様の図、第６図は提案前のタ
ーゲットの断面図、第７図はその不具合を説明するため
の彎剖拡太断面図、 第８図はＳｒ含有率の変動を示すグラフである。 １０・・・チャンバ、１１・・・ウェーハホルダ、１２
・・・カソード電極、１３・・・プラズマ制御部、１６
゜１７・・・コイル、１８．１９・・・電流源、２０・
・・ターゲット、２１・・・中心部、２２・・内環部、
２３・・・外環部、２４．２５・・・隙間、２６．２７
・・・段部、、・・・アノード電極、３２・・・直流電
源、Ｐ、・・ブバ的鴨← ミ 戸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッタ法により成膜を行なうターゲットであって
、成膜の混合組成の各成分に相当するターゲット材料を
平面配置してなり、各ターゲット材料間の隙間を一のタ
ーゲット材料の張出部で被うように構成すると共に、他
のターゲット材料の上面を前記一のターゲット材料の上
面と同一高さ平面となるように構成したことを特徴とす
るスパッタターゲット。 ２、複数のターゲット材料を多重環状に配列形成し、そ
の一つの環状部を断面Ｔ字状に形成して隣接する環状部
等との間の隙間を被う一方、隣接する環状部等の前記一
の環状部との対向辺には段部を形成して各環状部の上面
を同一高さ平面としてなる特許請求の範囲第１項記載の
スパッタターゲット。 ３、３重環状に形成したターゲットの中央部と外環状部
をシリコンで形成し、内環状部をモリブデンで形成して
なる特許請求の範囲第２項記載のスパッタターゲット。 ４、段部の上縁および端面を曲面およびテーパ状に形成
してなる特許請求の範囲第２項又は第３項記載のスパッ
タターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18960184A JPS6167768A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | スパツタタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18960184A JPS6167768A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | スパツタタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167768A true JPS6167768A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16244039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18960184A Pending JPS6167768A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | スパツタタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167768A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307265A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| JPS63307264A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| JPH01301857A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合ターゲット |
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-
1984
- 1984-09-12 JP JP18960184A patent/JPS6167768A/ja active Pending
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