JPS6166356A - 放射線検知装置用電離箱 - Google Patents
放射線検知装置用電離箱Info
- Publication number
- JPS6166356A JPS6166356A JP18649584A JP18649584A JPS6166356A JP S6166356 A JPS6166356 A JP S6166356A JP 18649584 A JP18649584 A JP 18649584A JP 18649584 A JP18649584 A JP 18649584A JP S6166356 A JPS6166356 A JP S6166356A
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- JP
- Japan
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- radiation
- ionization chamber
- outer shell
- window
- ion
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/001—Details
- H01J47/002—Vessels or containers
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、小型の低エネルギー放射線検知装置用の電離
箱に関する。
箱に関する。
従来、電離箱を備え、その内に入射するＸ線又はｒ線等
の放射線によってイオンを発生し。
の放射線によってイオンを発生し。
そのイオンの電荷量に基づいて照射線量を検出する小型
でポケッタブルな装置がある。その例としては、特公昭
５９−２６９５５号及び応用物理第６６巻第１１号（１
９６７） Ｃ記載の論文「振動容量発振式微ｌＪ−電流
検出法」田中栄−著の第６図及び第４図に開示のものが
ある。これらのものは、ある程度以上のエネルギーレベ
ル（６０ＫｅＶ〜１．２ ＭｅＶ）のＸ線又はｒ線を検
出下るよう（二でさているが、低エネルギーレベル（
１ ０ 〜５ ０ ＫｅＶ ＠度）の微弱，ｒ，（ Ｘ
線又＆’ｉ ｒ線を検出するものはない。このような微
弱なＸ線又はｒ線は，電離箱の外殻や窓を通過する間に
著しく減衰してしまうからである。
でポケッタブルな装置がある。その例としては、特公昭
５９−２６９５５号及び応用物理第６６巻第１１号（１
９６７） Ｃ記載の論文「振動容量発振式微ｌＪ−電流
検出法」田中栄−著の第６図及び第４図に開示のものが
ある。これらのものは、ある程度以上のエネルギーレベ
ル（６０ＫｅＶ〜１．２ ＭｅＶ）のＸ線又はｒ線を検
出下るよう（二でさているが、低エネルギーレベル（
１ ０ 〜５ ０ ＫｅＶ ＠度）の微弱，ｒ，（ Ｘ
線又＆’ｉ ｒ線を検出するものはない。このような微
弱なＸ線又はｒ線は，電離箱の外殻や窓を通過する間に
著しく減衰してしまうからである。
従来，窓としては金属及びプラスチックが用いられてい
る。金属としては，アルミニウム等が用いられている。
る。金属としては，アルミニウム等が用いられている。
３［］ＫｅＶ のＸｉ又ｉｔ ｒ Ｈを９０％通過させ
るにげ，アルミの厚さは約０５５間以下でなければなら
ず＋ ２ ０ＫｅＶ。
るにげ，アルミの厚さは約０５５間以下でなければなら
ず＋ ２ ０ＫｅＶ。
１０ＫｅＶ では約０．１１＋ｎ＋ｎ，約０．０１５ｍ
ｍ以下の厚さとなる。極めて薄いために窓として使用し
た場合十分な機械的強度が得られない。
ｍ以下の厚さとなる。極めて薄いために窓として使用し
た場合十分な機械的強度が得られない。
次に，プラスチック材料としては，ヘークライト，デル
リン（ポリアセタール）、ポリスチレン等が使用されて
いたが，いずれもＸ線又はｒｆｌＪの透過性がやや悪い
。そのため、０．５ｍｍ前後の薄さにしなければ１０Ｋ
ｅＶ の放射線を十分測定することかでさなくなり，機
械的強度の問題が生じる。
リン（ポリアセタール）、ポリスチレン等が使用されて
いたが，いずれもＸ線又はｒｆｌＪの透過性がやや悪い
。そのため、０．５ｍｍ前後の薄さにしなければ１０Ｋ
ｅＶ の放射線を十分測定することかでさなくなり，機
械的強度の問題が生じる。
一般に使用される材料の中から電離箱の材料として好ま
しいものを選択することを考察下る。
しいものを選択することを考察下る。
先ず，１０〜６０ＫｅＶ 程度のエネルギーレベルの極
めて微弱な放射線を測定する電離箱の窓として使用さ几
る材料は，放射線の透過量が大さくなければならない。
めて微弱な放射線を測定する電離箱の窓として使用さ几
る材料は，放射線の透過量が大さくなければならない。
透過量を大さくするため（−は、質量吸収係数や比重が
小さいことが条件となる。この条件を満足する材料とし
てプラスチックや低原子番号金属が考えられる。低原子
番金属としては，炭素，ボロン、ベリラムが考えらｎる
が，いずれも加工性が悪く成型加工が困難である。プラ
スチックとしてはＡＢＳ 樹脂，ポリスチレンが考え
らｎる。こｌｒＬは成型加工性が良好であるが．放射線
の透過性がやや悪く，吸収性がある。このため、電離箱
１の材料として用いた場合に，内部に湿気を侵入させて
しまい，Ｘ線又はｒ線検出ができなくなる。
小さいことが条件となる。この条件を満足する材料とし
てプラスチックや低原子番号金属が考えられる。低原子
番金属としては，炭素，ボロン、ベリラムが考えらｎる
が，いずれも加工性が悪く成型加工が困難である。プラ
スチックとしてはＡＢＳ 樹脂，ポリスチレンが考え
らｎる。こｌｒＬは成型加工性が良好であるが．放射線
の透過性がやや悪く，吸収性がある。このため、電離箱
１の材料として用いた場合に，内部に湿気を侵入させて
しまい，Ｘ線又はｒ線検出ができなくなる。
本発明は，このような低エネルギーレベルのＸ線又はｒ
線を検出するだめの小型の放射線検知装置用の電離箱を
提供することを目的とする。
線を検出するだめの小型の放射線検知装置用の電離箱を
提供することを目的とする。
そのために、本発明による電離箱は，ポリオレフィン系
プラスチック材料を電離箱の外殻として用いた。
プラスチック材料を電離箱の外殻として用いた。
以下に添附図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図は，本発明の電離箱の一実施例を示す。
電離箱１は外殻２を有し，その内に乾燥空気６を収容す
る。外殻２内に入射Ｔる放射線（二よ１］空気６はイオ
ン化する。外殻２は，肉厚の薄い窓４を有する管状部材
５と，その管状部材５の開口６に挿入されてこれを封止
する封止部７とを含む。窓４は．ポリオレフィン系プラ
スチック材料から成り，本実施例ではその中で特にポリ
メチルペンテンを用いた。その厚さは約１．０＝である
。開口６の内面にはエポキシ樹脂接着剤か流し込まれ，
封止部７を開口６に接着する。
る。外殻２内に入射Ｔる放射線（二よ１］空気６はイオ
ン化する。外殻２は，肉厚の薄い窓４を有する管状部材
５と，その管状部材５の開口６に挿入されてこれを封止
する封止部７とを含む。窓４は．ポリオレフィン系プラ
スチック材料から成り，本実施例ではその中で特にポリ
メチルペンテンを用いた。その厚さは約１．０＝である
。開口６の内面にはエポキシ樹脂接着剤か流し込まれ，
封止部７を開口６に接着する。
この封止部７の接着構造は接着剤の流出等が少なく，密
封が良好であり，加工容易である。又管状部材５をポリ
メチルペンテンにより製造した場合に，特に、エポキシ
樹脂の接着性が良く。
封が良好であり，加工容易である。又管状部材５をポリ
メチルペンテンにより製造した場合に，特に、エポキシ
樹脂の接着性が良く。
製造上好ましい。外殻２の内面にはカーボン膜８が塗布
され，導電性を有し，電極の作用をする。更Ｃ二電離箱
１内には，電極９，及び１０が収容さ几ている。カーボ
ン膜８及び電極１０が陽極として，そして電極９が陰極
として作用する。これらの電極８，９．１０が発生する
電場により，電離箱１内のイオンが移動し，正イオンが
陰極９に集まる。電極９は，この正イオンによる電荷を
スチロールコンデンサ１１に蓄積させる。コンデンサ１
１の充電々圧は，照射線量に比例する照射線量検出出力
を与える。コンデンサ１１の電極９に接続さ几た方の端
子と反対の端子は，アースさ匙ている。リセットスイツ
チＳＷ）＄、所定レベルのリセット電圧が与えら八てい
る可撓性導電部材１２を押し、これと電極９を接触され
る。それＣ二よって部材１２から電極９を介してコンデ
ンサ１１（ニリセ゛ント電圧を与える。振動板１５は、
それを支持する部材１４上にスパッタ被着さ几た導電性
被覆１４′との間の間隙に静電容量Ｃｖを形成する。こ
の間隙は振動板１６の振動によって、大きさが変化し、
容量Ｃｖが変化する。この容量Ｃｖ＋＝、は。
され，導電性を有し，電極の作用をする。更Ｃ二電離箱
１内には，電極９，及び１０が収容さ几ている。カーボ
ン膜８及び電極１０が陽極として，そして電極９が陰極
として作用する。これらの電極８，９．１０が発生する
電場により，電離箱１内のイオンが移動し，正イオンが
陰極９に集まる。電極９は，この正イオンによる電荷を
スチロールコンデンサ１１に蓄積させる。コンデンサ１
１の充電々圧は，照射線量に比例する照射線量検出出力
を与える。コンデンサ１１の電極９に接続さ几た方の端
子と反対の端子は，アースさ匙ている。リセットスイツ
チＳＷ）＄、所定レベルのリセット電圧が与えら八てい
る可撓性導電部材１２を押し、これと電極９を接触され
る。それＣ二よって部材１２から電極９を介してコンデ
ンサ１１（ニリセ゛ント電圧を与える。振動板１５は、
それを支持する部材１４上にスパッタ被着さ几た導電性
被覆１４′との間の間隙に静電容量Ｃｖを形成する。こ
の間隙は振動板１６の振動によって、大きさが変化し、
容量Ｃｖが変化する。この容量Ｃｖ＋＝、は。
コンデンサ１１からポルト１５及び振動板１３を介して
電圧が与えられている。コンデンサ１１の容量は、容量
Ｃｖに比べて大さく、電極９のイオンによる電荷は、は
とんどコンデンサ１１Ｃ蓄積される。容量ＣｖＣ加わっ
た電圧は。
電圧が与えられている。コンデンサ１１の容量は、容量
Ｃｖに比べて大さく、電極９のイオンによる電荷は、は
とんどコンデンサ１１Ｃ蓄積される。容量ＣｖＣ加わっ
た電圧は。
導電性被覆１４′から複数のコネクタピン１６のいず几
か１つを介して外部に取り出され、増幅されて、別のピ
ンを介してコイル１７（＝与えられる。コイル１７の磁
力Ｃ二よって振動板１３が移動し、容量Ｃｖが変化する
。シリカゲル１８は電離箱１内の空気５から湿気を除さ
、これを常に乾燥した状態に維持する。
か１つを介して外部に取り出され、増幅されて、別のピ
ンを介してコイル１７（＝与えられる。コイル１７の磁
力Ｃ二よって振動板１３が移動し、容量Ｃｖが変化する
。シリカゲル１８は電離箱１内の空気５から湿気を除さ
、これを常に乾燥した状態に維持する。
第２図は、第１図系の電離箱１を使用した放射線検知装
置の回路を示す。第１図示の部分と同一の部分には、同
一の符号を付した。抵抗ｒ１〜ｒ４及びオペアンプ２０
は、小利得増幅器２１を構成する。この増幅器２１は、
いず几かのピン１６を介してコンデンサＣｖの電圧を入
力して、照射線量検出出力として端子Ａ−Ｅ間に非飽和
出力を発生する。コンデンサＣ１，抵抗ｒ５．ｒ６
及びオペアンプ２２は大利得増幅器２３を構成する。こ
の増幅器２３は、増幅器２１の出力を入力してこれを増
幅し、飽和した出力をいずれかのピン１６を介してコイ
ル１７（二与える。このため、振動板１３が振動して。
置の回路を示す。第１図示の部分と同一の部分には、同
一の符号を付した。抵抗ｒ１〜ｒ４及びオペアンプ２０
は、小利得増幅器２１を構成する。この増幅器２１は、
いず几かのピン１６を介してコンデンサＣｖの電圧を入
力して、照射線量検出出力として端子Ａ−Ｅ間に非飽和
出力を発生する。コンデンサＣ１，抵抗ｒ５．ｒ６
及びオペアンプ２２は大利得増幅器２３を構成する。こ
の増幅器２３は、増幅器２１の出力を入力してこれを増
幅し、飽和した出力をいずれかのピン１６を介してコイ
ル１７（二与える。このため、振動板１３が振動して。
容量Ｃｖが変動する。
次（：動作について説明する。
先ず、スイッチＳＷを押圧し導電部材１２を電極９に接
触させる。従って部材１２から電極９を介してコンデン
サ１１に所定レベルのリセット電圧が与えられ、そのレ
ベルにコンデンサ１１が充電される。この電圧は、容量
Ｃｖ −二も与えられ、ピン１６のいずれかを介して第
２図示の増幅器２１及び２３に与えら几て、コイル１７
に与えられる。ここで外部から何らかの微かな振動動が
伝わると、振動板１５か振れ、容量Ｃｖが変動する。従
って容量Ｃｖの電圧が変化し、それが増幅器２１．２３
によって増幅さｎる。そして増幅された電圧がコイル１
７に与えられる。コイル１７は、最初振れた方向と反対
の方向に振動板１３を振几させるように作用２する。以
下同様のことが繰り返されて振動板１６が振動を続ける
。
触させる。従って部材１２から電極９を介してコンデン
サ１１に所定レベルのリセット電圧が与えられ、そのレ
ベルにコンデンサ１１が充電される。この電圧は、容量
Ｃｖ −二も与えられ、ピン１６のいずれかを介して第
２図示の増幅器２１及び２３に与えら几て、コイル１７
に与えられる。ここで外部から何らかの微かな振動動が
伝わると、振動板１５か振れ、容量Ｃｖが変動する。従
って容量Ｃｖの電圧が変化し、それが増幅器２１．２３
によって増幅さｎる。そして増幅された電圧がコイル１
７に与えられる。コイル１７は、最初振れた方向と反対
の方向に振動板１３を振几させるように作用２する。以
下同様のことが繰り返されて振動板１６が振動を続ける
。
次に、外部から放射線が窓４を介して電離箱１内に入射
すると、電離箱１内の空気かイオン化して正イオン電極
９に集まる。この正イオンによる電荷かコンデンサ１１
に蓄積され容量Ｃｖに加わる電圧が上昇する。
すると、電離箱１内の空気かイオン化して正イオン電極
９に集まる。この正イオンによる電荷かコンデンサ１１
に蓄積され容量Ｃｖに加わる電圧が上昇する。
振動板１３の振動振幅はコイル１７に入る信号が一定に
なっているため、コンデンサ１１の電圧にかかわらず一
定となることから増幅器２０の出力として端子Ａ−Ｅか
ら取り出さ几る電気信号の振幅もコンデンサ１１の電圧
上昇しただけ大さくなる。このことからＸ線又はｒ線の
線量が測定さ几る。
なっているため、コンデンサ１１の電圧にかかわらず一
定となることから増幅器２０の出力として端子Ａ−Ｅか
ら取り出さ几る電気信号の振幅もコンデンサ１１の電圧
上昇しただけ大さくなる。このことからＸ線又はｒ線の
線量が測定さ几る。
本実施例では、窓４の材料としてポリメチルペンテンを
使用したがこれは、Ｘ線又はｒ線を減衰せずに透過させ
るので、エネルギーレベル１０〜５０Ｋｅｖ 程度の
微弱なＸ線又はｒ線の線量を測定するのに適している。
使用したがこれは、Ｘ線又はｒ線を減衰せずに透過させ
るので、エネルギーレベル１０〜５０Ｋｅｖ 程度の
微弱なＸ線又はｒ線の線量を測定するのに適している。
例えば厚さ１、２〜１．３ｔｍのポリメチルペンテンは
１０ＫｅｖのＸ線やｒ線を８０チ透過させる。他の材料
として同じポリオレフィン系プラスチックのポリエチレ
ンやポリプロピレンでは、厚さ１．１〜１．２＋Ｉ＋＋
＋に７几ば上記の厚さのポリメチルペンテンと同様の効
果が得ら几る。ポリメチルペンテン、ポリエチレン及び
ポリプロピレンは、いずれも加工性１機械的強度、共に
秀れ、電離箱１の窓４の材料として使用するのに適して
いる。
１０ＫｅｖのＸ線やｒ線を８０チ透過させる。他の材料
として同じポリオレフィン系プラスチックのポリエチレ
ンやポリプロピレンでは、厚さ１．１〜１．２＋Ｉ＋＋
＋に７几ば上記の厚さのポリメチルペンテンと同様の効
果が得ら几る。ポリメチルペンテン、ポリエチレン及び
ポリプロピレンは、いずれも加工性１機械的強度、共に
秀れ、電離箱１の窓４の材料として使用するのに適して
いる。
その中でもポリメチルペンテンは、接着剤としてエポキ
シ樹脂を用いた場合に接着性、及び密耐性が良好なので
、最も好ましい材料である。
シ樹脂を用いた場合に接着性、及び密耐性が良好なので
、最も好ましい材料である。
以上説明した如く１本発明の電離箱によると低エネルギ
ーレベルの微弱な放射線をも検出することかでさるので
Ｘ線、ｒＨ検知器の性能を著しく向上させることかでさ
る。
ーレベルの微弱な放射線をも検出することかでさるので
Ｘ線、ｒＨ検知器の性能を著しく向上させることかでさ
る。
第１図は９本発明の一実施例による電離箱の構造を示す
図であり。 第２図は、第１図示の電離箱を使用した放射線検知装置
の回路を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕
図であり。 第２図は、第１図示の電離箱を使用した放射線検知装置
の回路を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、カーボン電極、及び該電極を収容しポリオレフィン
系プラスチック材料から成る窓を有する外殻を備え、 外部から前記窓を介して外殻内に入射する Ｘ線又はγ線によつてイオンを発生し、そのイオンを前
記電極の作用によつて集めて検出出力を得る小型低エネ
ルギー放射線検知装置用電離箱。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の電離箱において、 前記ポリオレフィン系プラスチック材料が ポリメチルペンテンであることを特徴とする放射線検知
装置用電離箱。 ３、特許請求の範囲第１項に記載の電離箱において、 前記ポリオレフィン系プラスチック材料が ポリプロピレンであることを特徴とする放射線検知装置
用電離箱。 ４、特許請求の範囲第１項に記載の電離箱において、 前記ポリオレフィン系プラスチック材料が ポリエチレンであることを特徴とする放射線検知装置用
電離箱。 ５、特許請求の範囲第２項に記載の電離箱において、 前記外殻が、管状部と、該管状部の開口し た端部内にエポキシ樹脂接着剤を塗布して挿入された封
止部とから成ることを特徴とする放射線検知装置用電離
箱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18649584A JPS6166356A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 放射線検知装置用電離箱 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18649584A JPS6166356A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 放射線検知装置用電離箱 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166356A true JPS6166356A (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=16189485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18649584A Pending JPS6166356A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 放射線検知装置用電離箱 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166356A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363075A (en) * | 1976-09-27 | 1978-06-06 | Gen Electric | Radiation detector and production method thereof |
| JPS55149892A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | Gas flow counter |
| JPS56668A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | Gas flow counter |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18649584A patent/JPS6166356A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363075A (en) * | 1976-09-27 | 1978-06-06 | Gen Electric | Radiation detector and production method thereof |
| JPS55149892A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | Gas flow counter |
| JPS56668A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | Gas flow counter |
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