JPS6164720A - 有機導電性材料の製法 - Google Patents
有機導電性材料の製法Info
- Publication number
- JPS6164720A JPS6164720A JP18652684A JP18652684A JPS6164720A JP S6164720 A JPS6164720 A JP S6164720A JP 18652684 A JP18652684 A JP 18652684A JP 18652684 A JP18652684 A JP 18652684A JP S6164720 A JPS6164720 A JP S6164720A
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- Japan
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- lower alkyl
- formula
- halogeno
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- plasma
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、非金属導電性材料の製法に関し、特に有機導
電性材料の製法に関する。
電性材料の製法に関する。
［従来の技術とその問題点］
銅などの金属は、導電性材料として優れており、広範に
使用されているが１本来的に比重が大きく、比較的腐食
し易く、加工に高温を要するなどの性質を有する。そこ
で、使用環境や用途によっては軽量で化学的安定性が高
い非金属導電性材料が求められている。
使用されているが１本来的に比重が大きく、比較的腐食
し易く、加工に高温を要するなどの性質を有する。そこ
で、使用環境や用途によっては軽量で化学的安定性が高
い非金属導電性材料が求められている。
従来、有機導電性材料とし、では、ポリアセチレンが知
られているが、ポリアセチレン自体は、電導度がシス体
で１０−９Ｓ ／ ｃ ｍ、 ）ランス体でＬ Ｏ５
Ｓ ／ ｃ ｍと低く、電導度を高めるためにＩ２ 、
Ｂ ｒ２ 、ＡｓＦ５等のドーパントのドーピングを行
う必要がある。また、このポリアセチレンは空気中にお
ける化学的安定性が低く、空気中に放置すると、電導度
が低下する傾向がある。また、他の有機導電性材料とし
て、ポリパラフェニレンスルフィドが知られているが、
ポリパラフェニレンスルフィド自体も電導度がｌ Ｏ”
Ｓ ／ ｃ ｍ未満と低いので、ドーパントをドーピ
ングして電導度を高める必要がある。さらに最近、ポリ
パラフェニレン−１，３，４−オキサ−ジアゾールを熱
分解する方法により、有機導電性材料が得られることが
報告されている［Ａｂｓｔ、 ｏｆ″Ｉｎｔ、 Ｃｏｎ
ｆ。
られているが、ポリアセチレン自体は、電導度がシス体
で１０−９Ｓ ／ ｃ ｍ、 ）ランス体でＬ Ｏ５
Ｓ ／ ｃ ｍと低く、電導度を高めるためにＩ２ 、
Ｂ ｒ２ 、ＡｓＦ５等のドーパントのドーピングを行
う必要がある。また、このポリアセチレンは空気中にお
ける化学的安定性が低く、空気中に放置すると、電導度
が低下する傾向がある。また、他の有機導電性材料とし
て、ポリパラフェニレンスルフィドが知られているが、
ポリパラフェニレンスルフィド自体も電導度がｌ Ｏ”
Ｓ ／ ｃ ｍ未満と低いので、ドーパントをドーピ
ングして電導度を高める必要がある。さらに最近、ポリ
パラフェニレン−１，３，４−オキサ−ジアゾールを熱
分解する方法により、有機導電性材料が得られることが
報告されている［Ａｂｓｔ、 ｏｆ″Ｉｎｔ、 Ｃｏｎ
ｆ。
ｏｎ ｔｈｓ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈ
ｅ膳１ｓｔｒｙ ｏｒ （：ｏｎｄｕｃｔｉｎｇＰ
ｏ１７ｍｅｒｓ” Ｎｏ、２６１． Ｆｒａｎｃｅ、
＋１８２］’、 Ｌかし、この方法は、まず前記ポリ
マーを製造し、次にそのポリマーを熱分解するという２
段階の操作が必要であるという難点を有する。
ｅ膳１ｓｔｒｙ ｏｒ （：ｏｎｄｕｃｔｉｎｇＰ
ｏ１７ｍｅｒｓ” Ｎｏ、２６１． Ｆｒａｎｃｅ、
＋１８２］’、 Ｌかし、この方法は、まず前記ポリ
マーを製造し、次にそのポリマーを熱分解するという２
段階の操作が必要であるという難点を有する。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、ドーパ
ントをドーピングしなくても高い導電性を有し、しかも
耐熱性を有し、空気中において化学的にも電導度の点で
も非常に安定な有機物からなる導電性材料を、簡単な工
程により製造することができる方法を提供することにあ
る。
ントをドーピングしなくても高い導電性を有し、しかも
耐熱性を有し、空気中において化学的にも電導度の点で
も非常に安定な有機物からなる導電性材料を、簡単な工
程により製造することができる方法を提供することにあ
る。
［問題点解決のための手段］
本発明によると、下記一般式（Ｉ）〜（１７）で表され
る化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物をプラズ
マ重合反応に供することからなる有機導電性材料の製法
が提供される。
る化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物をプラズ
マ重合反応に供することからなる有機導電性材料の製法
が提供される。
一般式（Ｉ）
れ３
［式中、
びＲ９は同一でも異なってもよく、水素原子またはＸで
あり、Ｘは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原
子等のハロゲン原子、 ＋Ｎ” Ｒｈｏ Ｒ＋＋ Ｒａｔ ） Ｙ”および−５
Ｒ，らから八 選ばれ、ｎは１〜３の整数であり、ただしＲ１中のＸの
数は１〜３であり、Ｙはハロゲン原子であり、ＲＩＧ、
Ｒ１＋およびＲＩ２は、同一でも異なってもよく、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキ
ル基から選ばれ、Ｒ１９は低級アルキル基から選ばれる
。
あり、Ｘは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原
子等のハロゲン原子、 ＋Ｎ” Ｒｈｏ Ｒ＋＋ Ｒａｔ ） Ｙ”および−５
Ｒ，らから八 選ばれ、ｎは１〜３の整数であり、ただしＲ１中のＸの
数は１〜３であり、Ｙはハロゲン原子であり、ＲＩＧ、
Ｒ１＋およびＲＩ２は、同一でも異なってもよく、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキ
ル基から選ばれ、Ｒ１９は低級アルキル基から選ばれる
。
また式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒａ 、ＲｓおよびＲ６は、同
一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等
の低級アルコキシ基およびＲ１から選ばれる］、 一般式（ｎ） Ｒａｔ ［式中、Ｒ１斗、Ｒ＋ダ、Ｒ＋６およびＲａｔは、同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基および低級アルコキ
シ基から選ばれ、Ｒ＋９ 、１１１？ 、 Ｒ２Ｏおよ
びＲＺｌは、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級フルキル基および低級アルコキシ基から
選ばれる］。
一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等
の低級アルコキシ基およびＲ１から選ばれる］、 一般式（ｎ） Ｒａｔ ［式中、Ｒ１斗、Ｒ＋ダ、Ｒ＋６およびＲａｔは、同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基および低級アルコキ
シ基から選ばれ、Ｒ＋９ 、１１１？ 、 Ｒ２Ｏおよ
びＲＺｌは、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級フルキル基および低級アルコキシ基から
選ばれる］。
一般式（ｍ）
［式中、Ｒ？２およびＲｔｇは同一でも異なってもよく
、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基。
、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基。
ハロゲノ低級アルキル基および低級アルコキシ基から選
ばれ、Ｒ詩、Ｒ巧、Ｒ物、Ｒａ、Ｒ２？ 、Ｒ２Ｏ，Ｒ
ｗおよびＲ’ＪＩは、同一でも異なってもよく、水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキ
シ基から選ばれる〕、一般式（ＩＴ） 〔式中、 Ｒｉ＋ 、 Ｒｑｚ、 Ｉｈｑ、Ｒｓ、Ｒａ
５、Ｒｌｂ、ＲｌＴ、Ｒｌｑ、Ｒｌｑ、Ｒ４０，Ｒ引お
よびＲ指は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子。
ばれ、Ｒ詩、Ｒ巧、Ｒ物、Ｒａ、Ｒ２？ 、Ｒ２Ｏ，Ｒ
ｗおよびＲ’ＪＩは、同一でも異なってもよく、水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキ
シ基から選ばれる〕、一般式（ＩＴ） 〔式中、 Ｒｉ＋ 、 Ｒｑｚ、 Ｉｈｑ、Ｒｓ、Ｒａ
５、Ｒｌｂ、ＲｌＴ、Ｒｌｑ、Ｒｌｑ、Ｒ４０，Ｒ引お
よびＲ指は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子。
低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ばれる〕
。
。
前記一般式（Ｉ）の化合物としては、例えばハロゲノ低
級フルキルベンゼン。
級フルキルベンゼン。
ジハロゲノ低級フルキルベンゼン。
トリハロゲノ低級フルキルベンゼン、
１．２−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン。
１．２．３−１リス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン
。
。
１．２．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン
、 １．２．４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン。
、 １．２．４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン。
１．２．３，４，５．６−へキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン。
ルキル）ベンゼン。
２−ハロゲノ低級アルキルトルエン。
２．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン。
２．４．５−）ＩＪス（ハロゲノ低級アルキル）トルエ
ン、 ２．４，５．６−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
トルエン。
ン、 ２．４，５．６−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
トルエン。
ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２−低級７ルキルベンゼン
、 ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２、４、５−トＩＪ低級ア
ルキルベンゼン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，４−ジ低級アルキル−
５−低級アルコキシベンゼン、 ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２，３，４，５−テトラ低
級アルキルベンゼン。
、 ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２、４、５−トＩＪ低級ア
ルキルベンゼン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，４−ジ低級アルキル−
５−低級アルコキシベンゼン、 ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２，３，４，５−テトラ低
級アルキルベンゼン。
１．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２，５−ジ低
級アルキルベンゼン。
級アルキルベンゼン。
ｌ−ハロゲノ低級アルキル−２，３，４−）り低級アル
キル−５，６−低級アルコキシベンゼン。
キル−５，６−低級アルコキシベンゼン。
２−低級アルキルベンジルトリ低級アルキルアンモニウ
ムハライド、 ２−低級アルキルベンジル低級アルキルスルホキシド。
ムハライド、 ２−低級アルキルベンジル低級アルキルスルホキシド。
２−ハロゲノ低級アルキル−３−／＼ロゲノトルエン。
１．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４−ジ低
級アルキルベンゼン。
級アルキルベンゼン。
１．３．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４
，６−１り低級アルキルベンゼン。
，６−１り低級アルキルベンゼン。
等を挙げることができ、特に
１．２−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン、
１．２，４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン、 １．２，３，４．５．６−ヘキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン、 ２−ハロゲノ低級アルキルトルエン、 ２．４．５−１リス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン
。
ベンゼン、 １．２，３，４．５．６−ヘキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン、 ２−ハロゲノ低級アルキルトルエン、 ２．４．５−１リス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン
。
１−ハロゲン低級アルキル−２−低級アルキルヘンゼン
。
。
１．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２，５−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４−ジ低
級アルキルベンゼン。
級アルキルベンゼン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４−ジ低
級アルキルベンゼン。
１．３．５−）リス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４
，８−）り低級アルキルベンゼン等が好ましい。
，８−）り低級アルキルベンゼン等が好ましい。
これら一般式（Ｉ）の化合物としては、ベンゼン環に結
合するＲ１基の数は１〜３が好ましく。
合するＲ１基の数は１〜３が好ましく。
Ｒ１基におけるｎは１または２が好ましく、特にｌが好
ましい、ざらにＸはＲ１基中の１位炭素原子または２位
炭素原子に結合しているのが好ましく、特に１位に結合
しているのが好ましい、またＸがハロゲン原子の場合の
ハロゲン原子としては、塩素原子または臭素原子が好ま
しく、Ｘが÷ＮｅＲｈｏ Ｒｎ Ｒ＋ｔ ） ｙｅの場
合のＹは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好まし
く、ｆｔ＋。
ましい、ざらにＸはＲ１基中の１位炭素原子または２位
炭素原子に結合しているのが好ましく、特に１位に結合
しているのが好ましい、またＸがハロゲン原子の場合の
ハロゲン原子としては、塩素原子または臭素原子が好ま
しく、Ｘが÷ＮｅＲｈｏ Ｒｎ Ｒ＋ｔ ） ｙｅの場
合のＹは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好まし
く、ｆｔ＋。
〜Ｒ＋ｚはメチル基またはエチル基が好ましく、ｘ基が
好ましい、さらにＲ２−Ｒ６としては、水素原子、メチ
ル基、ハロゲン原子、メトキシ基またはＲ１が好ましい
。
好ましい、さらにＲ２−Ｒ６としては、水素原子、メチ
ル基、ハロゲン原子、メトキシ基またはＲ１が好ましい
。
一般式（Ｉ）の化合物の具体例としては。
フルオロメチルベンゼン。
ブロモメチルベンゼン、
クロロメチルベンゼン。
ｌ−フルオロエチルベンゼン、
ｌ−クロロエチルベンゼン。
ｌ−ブロモエチルベンゼン、
ｌ−ヨードエチルベンゼン、
２−クロロエチルベンゼン。
２＝ブロモエチルベンゼン。
ｌ−ブロモプロビルベンゼン。
１．２−（フルオロメチル）ベンゼン。
１．２−ビス（クロロメチル）ベンゼン。
１．２−ビス（ブロモメチル）ベンゼン。
１．２−ビス（ヨードメチル）ベンゼン。
１．２−ビス（１−ブロモエチル）ベンゼン。
１．２−ビス（１−クロロプロピル）ベンゼン、１．２
．３−）リス（フルオロメチル）ベンゼン。
．３−）リス（フルオロメチル）ベンゼン。
１．２．３−）リス（クロロメチル）ベンゼン、１．２
．３−トリス（ブロモメチ４し）ベンゼン。
．３−トリス（ブロモメチ４し）ベンゼン。
１．３．５−トリス（ブロモメチル）ベンゼン。
１．２．４．５−テトラキス（クロロメチル）べンセン
、 １，２，４．５−テトラキス（ブロモメチル）ベンゼン
、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（クロロメチル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（ブロモメチル）
ベンゼン、 ２−フルオロメチルトルエン。
、 １，２，４．５−テトラキス（ブロモメチル）ベンゼン
、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（クロロメチル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（ブロモメチル）
ベンゼン、 ２−フルオロメチルトルエン。
２−クロロメチルトルエン、
２−ブロモメチルトルエン。
２−ヨードメチルトルエン、
２−（１−フルオロエチル）トルエン、２−（ｌ−クロ
ロエチル）トルエン。
ロエチル）トルエン。
２−（１−−）’ロモエチル）トルエン、２−（ｌ−ヨ
ードエチル）トルエン、 ２−（１−ブロモプロピル）トルエン。
ードエチル）トルエン、 ２−（１−ブロモプロピル）トルエン。
２−（２−クロロプロピル）トルエン。
２．４−ビス（クロロメチル）トルエン。
２．４−ビス（ブロモメチル）トルエン、２．４．５−
）リス（クロロメチル）トルエン、２．４．５−）リス
（ブロモメチル）トルエン。
）リス（クロロメチル）トルエン、２．４．５−）リス
（ブロモメチル）トルエン。
２．３．４−トリス（クロロメチル）トルエン、２．３
．４−）リス（ブロモエチル）トルエン。
．４−）リス（ブロモエチル）トルエン。
２．４，５．６−テトラキス（クロロメチル）トルエン
、 ２．４，５．６−テトラキス（ブロモメチル）トルエン
、 １− （１−フルオロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（１−クロロエチル）−２−エチルベンゼン。
、 ２．４，５．６−テトラキス（ブロモメチル）トルエン
、 １− （１−フルオロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（１−クロロエチル）−２−エチルベンゼン。
１−（ｌ−ブロモエチル）−２−エチルベンゼン。
１−（１−ヨードエチル）−２−エチルベンゼン、
１−（１−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン。
１−（２−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン、
１−（ｌ−クロロメチル）−２，４，５−トリメチルベ
ンゼン、 ■＝（２−クロロプロピル）−２，４−ジメチル−５−
メトキシベンゼン。
ンゼン、 ■＝（２−クロロプロピル）−２，４−ジメチル−５−
メトキシベンゼン。
１−（２−ブロモプロピル）−２，３，４，５−テトラ
メチルベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２−エチル−３゜４−ジ
メチル−５，６−シメトキシベンゼン、１．４−ビス（
ブロモメチル）−２，５−ジメチルベンゼン、 １．４−ビス（クロロメチル）−２，５−ジエチルベン
ゼン。
メチルベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２−エチル−３゜４−ジ
メチル−５，６−シメトキシベンゼン、１．４−ビス（
ブロモメチル）−２，５−ジメチルベンゼン、 １．４−ビス（クロロメチル）−２，５−ジエチルベン
ゼン。
２−メチルヘンシルトリメチルアンモニウムプロミド、
２−メチルベンジルメチルスルホキシド、２−クロコミ
チル−３−ブロモトルエン。
チル−３−ブロモトルエン。
１．３−ビス（ブロモメチル）−２，４−ジメチルベン
ゼン。
ゼン。
１．３，５．−トリス（りａロメチルＬ−２，４゜６−
トリメチルベンゼン等を挙げることができる。
トリメチルベンゼン等を挙げることができる。
ｉｆｉ記一般式（ＩＩ ）の化合物としては１例えば、
ベンゾ［１，２］シクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロフテン、７．８−
ジハロゲノベンゾ［１、２］シクロフテン。
ベンゾ［１，２］シクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロフテン、７．８−
ジハロゲノベンゾ［１、２］シクロフテン。
４−低級アルキルベンゾ［１、２］シクロブテン。
４−低級アルコキシベンゾ［１、２］シクロブテン、
４−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１゜２］シク
ロブテン。
ロブテン。
４．５−ジ低級アルキルベンゾ［１、２］シクロブテン
。
。
４４ａフルコキシ−７−へロゲノヘンゾ［１゜２］シク
ロブテン、 ４．５−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１，２］
シクロブテン。
ロブテン、 ４．５−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１，２］
シクロブテン。
３−ハロゲノベンゾ［１，，２］シクロブテン、４−ハ
ロゲノベンゾ［１，２］シクＣ１フｆ ７ 。
ロゲノベンゾ［１，２］シクＣ１フｆ ７ 。
４−ハロゲノ低級フルキル−５−低級アルキルベンゾ［
１，２］シクロブテン。
１，２］シクロブテン。
４．５−ビス（ハロゲノ低級フルキル）ベンゾ［１，２
］ シクロブテン、 ３−ハロゲン低級アルキル−４−低級７ルキルベンゾ［
１，２］ シクロブテン等を＄ｌｆること力くでき、特
に ベンゾ［ｌ、２コシクロブテン。
］ シクロブテン、 ３−ハロゲン低級アルキル−４−低級７ルキルベンゾ［
１，２］ シクロブテン等を＄ｌｆること力くでき、特
に ベンゾ［ｌ、２コシクロブテン。
７−ハロゲノベンゾ［１，２１シクロフテン、７．８−
ジｌ＼ロゲノベンゾ［１，２１シクロフテン。
ジｌ＼ロゲノベンゾ［１，２１シクロフテン。
４−ハロゲノ低級アルキル−５−低級アルキＪレベンゾ
い、２］シクロブテン、 ４．５−ビス（）＼ロゲ／低級アルキル）ベンゾ［１、
２］シクロブテン等が好まし０゜これら一般式（ｎ）の
化合物におけるＲ１斗 〜Ｒ＋７としては、水素原子
／Ｘロゲン原子、メチル基、エチル基またはメトキシ基
、Ｉ＼ロゲノメチル基またはハロゲノエチル基が好まし
く、特に好ましくは水素原子であり、Ｒ１ε〜Ｒ２１と
して１士水素原子、メチル基またはハキシ基が好ましく
、特に好ましくは水素原子、塩素原子またｔ土臭素原子
である。
い、２］シクロブテン、 ４．５−ビス（）＼ロゲ／低級アルキル）ベンゾ［１、
２］シクロブテン等が好まし０゜これら一般式（ｎ）の
化合物におけるＲ１斗 〜Ｒ＋７としては、水素原子
／Ｘロゲン原子、メチル基、エチル基またはメトキシ基
、Ｉ＼ロゲノメチル基またはハロゲノエチル基が好まし
く、特に好ましくは水素原子であり、Ｒ１ε〜Ｒ２１と
して１士水素原子、メチル基またはハキシ基が好ましく
、特に好ましくは水素原子、塩素原子またｔ土臭素原子
である。
一般式（■）の化合物の具体例としてｃ±、ベンゾ ［
１，２］ シクロブテン、 ７−プロモーベンゾ［１，２］ シクロフチ７ 。
１，２］ シクロブテン、 ７−プロモーベンゾ［１，２］ シクロフチ７ 。
７−’）ロローベンゾ［１，２］シクロフテン、７−ヨ
ートベンゾ［１，２］シクロブテン。
ートベンゾ［１，２］シクロブテン。
７−メチルベンツ［１、２］シクロブテン。
７．８−ジブロモベンツ［１、２］シクロフテン。
７．８−ジブロモベンツ［１、２］シクロフテン、
４−メトキシベンゾい、２〕シクロブテン、４−メチル
ベンゾ［１，２］シクロブテン。
ベンゾ［１，２］シクロブテン。
４−メチル−７−ブロモベンゾ［１、２］シクロブテン
。
。
４−メトキシ−７−ブロモベンゾ［１，２］シクロブテ
ン、 ４．５−ジメチルベンゾ［１、２］シクロブテン。
ン、 ４．５−ジメチルベンゾ［１、２］シクロブテン。
４．５−ジメチル−７−クロロベンゾ［１、２］シクロ
ブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２１シクロフテン、４−クロロ
ベンツ［１、２］シクロフチ／、４−ブロモメチル−５
−メチルベンゾ［１、２］ンクロブテン、 ４．５−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１、２］シクロ
ブテン。
ブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２１シクロフテン、４−クロロ
ベンツ［１、２］シクロフチ／、４−ブロモメチル−５
−メチルベンゾ［１、２］ンクロブテン、 ４．５−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１、２］シクロ
ブテン。
３−ブロモメチル−４−エチルベンゾ［１、２］シクロ
ブテン等を挙げることができる。
ブテン等を挙げることができる。
前記一般式（ｍ）の化合物としては、例えばベンゾ［１
，２：４，５］ジシクロブテン。
，２：４，５］ジシクロブテン。
７−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
。
。
ベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン、５−ハロゲ
ノベンゾ［１，２：３，４］ジシグロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：３．４］ジシクロブテン
。
ノベンゾ［１，２：３，４］ジシグロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：３．４］ジシクロブテン
。
５−ハロゲノ低級アルキル−６−低級フルキルベンゾ［
１，２：３．４］ジシクロブテン。
１，２：３．４］ジシクロブテン。
５ 、６−１’ス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１
，２：３，４コシシクロブテン。
，２：３，４コシシクロブテン。
３−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
、 ７−バロゲノベンゾＥｌ、２：４．５１ジシクロブテン
、 ５−低級アルフキシベンゾ［１，２：３．４］ ジシク
ロブテン 等を挙げることがでさ、特に ベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン。
、 ７−バロゲノベンゾＥｌ、２：４．５１ジシクロブテン
、 ５−低級アルフキシベンゾ［１，２：３．４］ ジシク
ロブテン 等を挙げることがでさ、特に ベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン。
５−ハロゲノ低級アルキル−６−低級フルキルベンゾ［
１，２：３，４］ジシクロブテン。
１，２：３，４］ジシクロブテン。
Ｓ 、 ５−ｔ−ス（ハロゲノ低級フルキル）ベンゾ［
１，２：３．４１ジシクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［Ｌ、２：４，５］ジシクロブテン
等が好ましい。
１，２：３．４１ジシクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［Ｌ、２：４，５］ジシクロブテン
等が好ましい。
これら一般式（ｍ）の化合物におけるＲ？！およびＲｚ
ｉとしては、水素原子、Ｉ＼ロゲン原子、メチル基、エ
チル基、メトキシ基、ノ＼ロゲノメチル基またはハロゲ
ノエチル基等が好ましく、特に好ましくは水素原子であ
り、 ＲＺ千〜Ｒ，ｌとしては水素原子、ハロゲン原子
、メチル基、エチル基またはメトキシ基が好ましく、特
に好ましくは水素原子、塩素原子または臭素原子である
。
ｉとしては、水素原子、Ｉ＼ロゲン原子、メチル基、エ
チル基、メトキシ基、ノ＼ロゲノメチル基またはハロゲ
ノエチル基等が好ましく、特に好ましくは水素原子であ
り、 ＲＺ千〜Ｒ，ｌとしては水素原子、ハロゲン原子
、メチル基、エチル基またはメトキシ基が好ましく、特
に好ましくは水素原子、塩素原子または臭素原子である
。
Ａｔ１式（ＩＩＩ）の化合物の具体例としては、ベンゾ
［１，２：４．５］ジシクロブテン、７−クロロベンゾ
［１，２：４，５］ジシクロブテン。
［１，２：４．５］ジシクロブテン、７−クロロベンゾ
［１，２：４，５］ジシクロブテン。
７−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン。
ベンゾ［１、２： ３ 、４］ジシクロブテン、５−ク
ロロベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン。
ロロベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン。
７−ブロモベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン。
５−ブロモメチル−６−メチルベンゾ［１，２：３．４
］ジシクロブテン。
］ジシクロブテン。
５．６−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１，２゜３．４
Ｊジシクロブテン、 ３−ブロモベンゾ［１、２： ４ 、５］ジシクロブテ
ン、 ５−メトキシベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン
等を挙げることができる。
Ｊジシクロブテン、 ３−ブロモベンゾ［１、２： ４ 、５］ジシクロブテ
ン、 ５−メトキシベンゾ［１，２：３，４］ジシクロブテン
等を挙げることができる。
前記一般式（ｆｆ）の化合物としては、例えばベンゾ［
１，２：３，４：５，６１ ）リンクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシ
クロブテン、 ７．８−ジハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５．６］
トリシクロブテン。
１，２：３，４：５，６１ ）リンクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシ
クロブテン、 ７．８−ジハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５．６］
トリシクロブテン。
７−低級フルキルベンゾ［１，２・３，４：５゜６］
トリシクロブテン。
トリシクロブテン。
７−低級アルコキシベンゾ［１，２：３，４：５．６１
１）ジシクロブテン等を挙げることができ、特にベンゾ
［１，２：３，４：５，６］ ）ジシクロブテン等が
好ましい。
１）ジシクロブテン等を挙げることができ、特にベンゾ
［１，２：３，４：５，６］ ）ジシクロブテン等が
好ましい。
これら一般式（ｒＶ）の化合物におけるＲｑｌ 〜Ｒ４
２としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基が好ましく、特に好ましくは水素
原子、塩素原子または臭素原子である。
２としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基が好ましく、特に好ましくは水素
原子、塩素原子または臭素原子である。
一般式（ｆｆ）の化合物の具体例としては。
ベンゾ［１，２：３，４：５，６］ ）ジシクロブテン
、 ７−クロロベンゾ［１，１３，４：５，６］ トリシ
クロブテン、 ７．８−ジブロモベンゾ［１，２＝３，４：５゜６コ
トリシクロブテン。
、 ７−クロロベンゾ［１，１３，４：５，６］ トリシ
クロブテン、 ７．８−ジブロモベンゾ［１，２＝３，４：５゜６コ
トリシクロブテン。
７−メチルベンゾ［１，２：３，４：５，６］ トリ
シクロブテン、 ７−メトキシベンゾ［１，２：３，４：５．６］トリシ
クロブテン等を挙げることができる。
シクロブテン、 ７−メトキシベンゾ［１，２：３，４：５．６］トリシ
クロブテン等を挙げることができる。
本発明の製法において、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＴ）の
化合物「以下「原料化合物」という１は１通常、単独で
用いられるが併用することもでき、併用する場合の好ま
しい組合せとしては１例えばｌ−ハロゲノメチルトルエ
ン ２コシクロブテン、ベンゾ［１．２：４，５］ ジシク
ロブテンおよび／または７−ハロゲノベンゾ［１．２］
シクロブテンとの組合せ。
化合物「以下「原料化合物」という１は１通常、単独で
用いられるが併用することもでき、併用する場合の好ま
しい組合せとしては１例えばｌ−ハロゲノメチルトルエ
ン ２コシクロブテン、ベンゾ［１．２：４，５］ ジシク
ロブテンおよび／または７−ハロゲノベンゾ［１．２］
シクロブテンとの組合せ。
１、２−ビス（ハロゲノメチル）ベンゼンとベンゾ［１
．２］シクロブテン、７−ハロゲノベンゾ［１．２］シ
クロブテンおよび／または７，８−ジハロゲノベンゾ［
１ 、 ２］シクロブテンとの組合せ、 ２、４−ｔニス（／〜ａゲノメチル）トルエンとベンゾ
［１．２＝４．５］ジシクロブテンとの組合せ、 ２、４．６−）リス（ハロゲノメチル）−■。
．２］シクロブテン、７−ハロゲノベンゾ［１．２］シ
クロブテンおよび／または７，８−ジハロゲノベンゾ［
１ 、 ２］シクロブテンとの組合せ、 ２、４−ｔニス（／〜ａゲノメチル）トルエンとベンゾ
［１．２＝４．５］ジシクロブテンとの組合せ、 ２、４．６−）リス（ハロゲノメチル）−■。
３、５−）リメチルベンゼンとベンゾ［１ 、 ２ ４
４、５］ジシクロブテンおよび／またはベンゾ［１，２
：３，、４：５，６１ ）ジシクロブテンとの組合せ等
を挙げることができる。
４、５］ジシクロブテンおよび／またはベンゾ［１，２
：３，、４：５，６１ ）ジシクロブテンとの組合せ等
を挙げることができる。
本発明に用いられる原料化合物は、常温、大気圧下では
液体ないし固体であるので，減圧下で必要に応じて加熱
を行うことにより気化させ，気体状態でプラズマ重合反
応に供される．原料化合物ガスのプラズマ重合反応系へ
の供給量は、特に限定されるものではないが，通常、反
応系の容積１００見あたり０．１〜３００ｃｃ （ＳＴ
Ｐ）／ｍｉｎである。
液体ないし固体であるので，減圧下で必要に応じて加熱
を行うことにより気化させ，気体状態でプラズマ重合反
応に供される．原料化合物ガスのプラズマ重合反応系へ
の供給量は、特に限定されるものではないが，通常、反
応系の容積１００見あたり０．１〜３００ｃｃ （ＳＴ
Ｐ）／ｍｉｎである。
本発明におけるプラズマ重合反応では，通常。
反応系の反応帯域でのプラズマの電子温度が５、０００
〜８０，ＯＯＯＫ．特にａ，ｏｏｏ〜５０．０ＯＯＫで
あることが好ましい、電子温度が５，０ＯＯＫ未満では
１反応速度が遅く、また８０．０ＯＯＫを超えると得ら
れる導電性材料の導電率が低くなる場合がある。プラズ
マ重合反応中のプラズマの電子温度は１例えば特開間５
４−１３５５７４号広報に記載のプラズマ特性値測定用
探針を用いることにより測定することができる。またプ
ラズマの電子温度は１反応系への原料化合物ガスの供給
量１反応系の真空度、プラズマ励起電力等を調節するこ
とによって所要値に制御することができる。
〜８０，ＯＯＯＫ．特にａ，ｏｏｏ〜５０．０ＯＯＫで
あることが好ましい、電子温度が５，０ＯＯＫ未満では
１反応速度が遅く、また８０．０ＯＯＫを超えると得ら
れる導電性材料の導電率が低くなる場合がある。プラズ
マ重合反応中のプラズマの電子温度は１例えば特開間５
４−１３５５７４号広報に記載のプラズマ特性値測定用
探針を用いることにより測定することができる。またプ
ラズマの電子温度は１反応系への原料化合物ガスの供給
量１反応系の真空度、プラズマ励起電力等を調節するこ
とによって所要値に制御することができる。
気体状態の原料化合物を反応装置に供給する際には、原
料化合物のガスのみでもよいし、ヘリウム、アルゴンな
どの不活性ガスをキャリヤガスあるいは希釈ガスとして
混合して供給することもできる。なお、プラズマ重合反
応中の反応系の真空度は、一般にｌＸｌ０’ 〜１００
Ｔｏ ｒｒの範囲が望ましい。
料化合物のガスのみでもよいし、ヘリウム、アルゴンな
どの不活性ガスをキャリヤガスあるいは希釈ガスとして
混合して供給することもできる。なお、プラズマ重合反
応中の反応系の真空度は、一般にｌＸｌ０’ 〜１００
Ｔｏ ｒｒの範囲が望ましい。
プラズマの発生に用いる放電方式には特に制限はなく、
例えば直流放電、低周波放電、高周波放心、マイクロ波
放電等のいずれでもよい、したがって、プラズマ重合反
応に用いる反応装置も特に制限されず、内部電極方式、
無電極方式のいずれでもよく、電極やコイルの形状、マ
イクロ波放電の場合のキャビティやアンテナの構造にも
制約はなく、一般に用いられるプラズマ重合反応装置を
利用することができる。
例えば直流放電、低周波放電、高周波放心、マイクロ波
放電等のいずれでもよい、したがって、プラズマ重合反
応に用いる反応装置も特に制限されず、内部電極方式、
無電極方式のいずれでもよく、電極やコイルの形状、マ
イクロ波放電の場合のキャビティやアンテナの構造にも
制約はなく、一般に用いられるプラズマ重合反応装置を
利用することができる。
本発明の製法を実施するには、例えば、プラズマ重合反
応系の反応帯域に適当な基材を置いて原料化合物ガスの
プラズマと接触させることにより、基材表面に薄膜の状
態で目的とする有機導電性材料を得ることができる。有
機導電性材料をその表面に形成させる基材の材質および
形状は、特に限定するものではないが、材質としてはガ
ラス、石英、金属、セラミックス等を、形状としては板
状、筒状、球状等を例示することができる。
応系の反応帯域に適当な基材を置いて原料化合物ガスの
プラズマと接触させることにより、基材表面に薄膜の状
態で目的とする有機導電性材料を得ることができる。有
機導電性材料をその表面に形成させる基材の材質および
形状は、特に限定するものではないが、材質としてはガ
ラス、石英、金属、セラミックス等を、形状としては板
状、筒状、球状等を例示することができる。
これらの基材は、冷却または加熱されていてもよく、冷
却または加熱温度としては、例えばＯ〜５００℃程度を
挙げることができる。
却または加熱温度としては、例えばＯ〜５００℃程度を
挙げることができる。
基材表面上の薄膜の膜厚は、原料化合物ガスの供給量、
プラズマ重合反応時間等によって調整することができ、
例えばＩＯＡ〜３ＩＬｍの範囲で均一で安定した膜を得
ることができる。このようにして形成された基材表面上
の宥機導電佳材料は、アセトン、トルエン等の有機溶剤
に浸漬することにより剥離させることができる。
プラズマ重合反応時間等によって調整することができ、
例えばＩＯＡ〜３ＩＬｍの範囲で均一で安定した膜を得
ることができる。このようにして形成された基材表面上
の宥機導電佳材料は、アセトン、トルエン等の有機溶剤
に浸漬することにより剥離させることができる。
本発明の製法により得られる有機導電性材料は、それ自
体高い電導間を有するので、ドーパントをドーピングし
なくても導電性材料として十分に使用することができる
が、必要に応じてドーパントをドーピングすることによ
って電導間をさらに高めることも可能である。この際に
用いられるドーパントとしては１例えば硫醸、ヨウ素、
臭素、ナトリウム、カリウム、リチウム、五フッ化ヒ素
等を挙げることができる。このときのドーピング方法は
特に限定するものではなく、例えば常圧または減圧下で
ドーパントを含有する気体と接触させる方法、液状また
は溶液状のドニパントに浸漬する方法等を挙げることが
できる。
体高い電導間を有するので、ドーパントをドーピングし
なくても導電性材料として十分に使用することができる
が、必要に応じてドーパントをドーピングすることによ
って電導間をさらに高めることも可能である。この際に
用いられるドーパントとしては１例えば硫醸、ヨウ素、
臭素、ナトリウム、カリウム、リチウム、五フッ化ヒ素
等を挙げることができる。このときのドーピング方法は
特に限定するものではなく、例えば常圧または減圧下で
ドーパントを含有する気体と接触させる方法、液状また
は溶液状のドニパントに浸漬する方法等を挙げることが
できる。
［発明の効果］
本発明の製法により得られる有機導電性材料は次のよう
に種々の点において優れた非金属導電性材料である。す
なわち、形成される薄膜は、ち密で金属光沢のある鏡面
状の薄膜で、表面が滑らかで凹凸がなく、厚さは比較的
均一である。その電導間はドーピングをしなくても高い
ものであり。
に種々の点において優れた非金属導電性材料である。す
なわち、形成される薄膜は、ち密で金属光沢のある鏡面
状の薄膜で、表面が滑らかで凹凸がなく、厚さは比較的
均一である。その電導間はドーピングをしなくても高い
ものであり。
非金属導電性材料として非常に優れたものであり、しか
も適当なドーパントをドーピングすることにより電導間
をさらに高めることもできる。さらに化学的安定性の点
も優れており、酸、アルカリおよび有機溶媒に対する耐
性が高く、空気中で安定であり、したがって導電性の経
時安定性も高いものである。また、耐熱性にも優れてい
るため高温にさらされる用途に好適に用いることができ
る。
も適当なドーパントをドーピングすることにより電導間
をさらに高めることもできる。さらに化学的安定性の点
も優れており、酸、アルカリおよび有機溶媒に対する耐
性が高く、空気中で安定であり、したがって導電性の経
時安定性も高いものである。また、耐熱性にも優れてい
るため高温にさらされる用途に好適に用いることができ
る。
また、本発明は製法としても種々の利点を有するもので
ある。すなわち、基材を原料化合物ガスのプラズマに接
触させあるいはプラズマ中を通過させるだけで原料化合
物から有機導電性材料を直接的に製造することができ、
製法として極めて簡単である。この点では、Ｍ着法によ
る指向性を持つ膜形成法等に比較して、より大面積の導
電性膜を製造し易く、量産性も期待できる製法である。
ある。すなわち、基材を原料化合物ガスのプラズマに接
触させあるいはプラズマ中を通過させるだけで原料化合
物から有機導電性材料を直接的に製造することができ、
製法として極めて簡単である。この点では、Ｍ着法によ
る指向性を持つ膜形成法等に比較して、より大面積の導
電性膜を製造し易く、量産性も期待できる製法である。
これらの利点により１本発明の製法は１例えば−次電池
、二次電池、太陽電池の電極、接合素子、スイッチング
１分子メモリー等の電子デバイス、あるいは導体回路の
材料の製法として広範囲に利用することができる。
、二次電池、太陽電池の電極、接合素子、スイッチング
１分子メモリー等の電子デバイス、あるいは導体回路の
材料の製法として広範囲に利用することができる。
［実施例］
以下１本発明を実施例により具体的に説明するが１本発
明はこれら実施例により何ら制限されるものではない。
明はこれら実施例により何ら制限されるものではない。
実施例１
第１図に示すプラズマ重合反応装置を使用した。第１図
において、ベルジャ型反応器（容積１００ｕ）ｌ内にプ
ラズマ発生用電極２，２′が対向して配置され、これら
はプラズマ励起用交流電源（１０ｋＨｚ）３に接続され
ている０反応器ｌの一偶に圧力計４が設けられ、また反
応器１の底部には、原料タンク５からカス流量調節バル
ブ６を介して導びかれた原料供給管７が開口している０
反応器ｌの底部には排気手段（図示時）に接続される排
気口８が開口している。なお、電極２の近傍にはプラズ
マの電子温度を測定するための探針９が配置されている
。
において、ベルジャ型反応器（容積１００ｕ）ｌ内にプ
ラズマ発生用電極２，２′が対向して配置され、これら
はプラズマ励起用交流電源（１０ｋＨｚ）３に接続され
ている０反応器ｌの一偶に圧力計４が設けられ、また反
応器１の底部には、原料タンク５からカス流量調節バル
ブ６を介して導びかれた原料供給管７が開口している０
反応器ｌの底部には排気手段（図示時）に接続される排
気口８が開口している。なお、電極２の近傍にはプラズ
マの電子温度を測定するための探針９が配置されている
。
反応器１の電極２．２′の間に、基材１０として寸法１
１０Ｘ２０Ｘ１／ｍの石英板を配置した後排気して反応
器１内をＩＸＩ□’Ｔｏｒｒとした０次に２−クロロメ
チルトルエンが入っている原料タンク５を弱く加熱して
２−クロロメチルトルエンを気化させ、そのガスを７０
ｃｃ（ＳＴｐ）／ｍｉｎの流量で反応器１内に供給しな
がら真空度が３ＸＩＯ’Ｔｏｒｒとなるように排気を継
続した０次いで交流電源３から７０Ｗの電力を電極２．
２′に供給してプラズマを発生させた。
１０Ｘ２０Ｘ１／ｍの石英板を配置した後排気して反応
器１内をＩＸＩ□’Ｔｏｒｒとした０次に２−クロロメ
チルトルエンが入っている原料タンク５を弱く加熱して
２−クロロメチルトルエンを気化させ、そのガスを７０
ｃｃ（ＳＴｐ）／ｍｉｎの流量で反応器１内に供給しな
がら真空度が３ＸＩＯ’Ｔｏｒｒとなるように排気を継
続した０次いで交流電源３から７０Ｗの電力を電極２．
２′に供給してプラズマを発生させた。
このとき、プラズマの電子温度は、３．５Ｘ１０４にで
あった。この条件でプラズマ重合反応を６０分間行った
後、石英板を回収したところ石英板の表面は、黒色で金
属光沢のある厚さ２．８４ｍの薄膜で均一に被覆されて
いた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定し
たところ、６．７５Ｘ１０２Ｓ／ａｍの高い電導度を示
した。この薄膜で被覆した石英板を空気中で１ケ月間放
置した後に電導度を再測定したが経時変化はほとんどな
かった。また形成した薄膜の表面を走査型電子ｍ微鏡（
ＳＥＭ）で観察したところ、倍率１００００倍でも薄膜
表面は滑らかで凹凸がなく、ｎ！２厚も均一であった。
あった。この条件でプラズマ重合反応を６０分間行った
後、石英板を回収したところ石英板の表面は、黒色で金
属光沢のある厚さ２．８４ｍの薄膜で均一に被覆されて
いた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定し
たところ、６．７５Ｘ１０２Ｓ／ａｍの高い電導度を示
した。この薄膜で被覆した石英板を空気中で１ケ月間放
置した後に電導度を再測定したが経時変化はほとんどな
かった。また形成した薄膜の表面を走査型電子ｍ微鏡（
ＳＥＭ）で観察したところ、倍率１００００倍でも薄膜
表面は滑らかで凹凸がなく、ｎ！２厚も均一であった。
さらにこの薄膜を窒素気流中において８００℃で加熱し
たときの重量減少率は５％であり、トルエン、アセトン
、ｎ−ヘキサン、ジメチルホルムアミド等に室温で１週
間浸漬しても形状および電導度に変化がみられなかった
・ 実施例２ 実施例１で述べた装置を用い、反応器ｌの電極２．２′
の間に基材１０として寸法１（ＩＸ２０Ｘ１ｍ／ｍの石
英板を配置した後排気して反応器ｌ内をＩＸＩ□’Ｔｏ
ｒｒとした０次に７−ブロモベンゾ［１，２］シクロブ
テンが入っている原料タンク５を弱く加熱して７−ブロ
モベンゾ〔１゜２］シクロブテンを気化させ、１００ｃ
ｃ （ＳＴＰ）／ｍｉｎの流量で反応器１内に供給しな
がら真空度が３ Ｘ ｌ Ｏ−”Ｔｏｒｒとなるように
した。
たときの重量減少率は５％であり、トルエン、アセトン
、ｎ−ヘキサン、ジメチルホルムアミド等に室温で１週
間浸漬しても形状および電導度に変化がみられなかった
・ 実施例２ 実施例１で述べた装置を用い、反応器ｌの電極２．２′
の間に基材１０として寸法１（ＩＸ２０Ｘ１ｍ／ｍの石
英板を配置した後排気して反応器ｌ内をＩＸＩ□’Ｔｏ
ｒｒとした０次に７−ブロモベンゾ［１，２］シクロブ
テンが入っている原料タンク５を弱く加熱して７−ブロ
モベンゾ〔１゜２］シクロブテンを気化させ、１００ｃ
ｃ （ＳＴＰ）／ｍｉｎの流量で反応器１内に供給しな
がら真空度が３ Ｘ ｌ Ｏ−”Ｔｏｒｒとなるように
した。
次いで高周波電源（１３＋ ５６ＭＨｚ）３から８０Ｗ
の電力を電極２．２′に供給してプラズマを発生させた
。このとき、プラズマの電子温度は、２−ＯＸＩＯ”Ｋ
であった。この条件でプラズマ重合反応を８０分間行っ
た後１石英板を回収したところ石英板の表面は、＠色で
金属光沢のある厚さ１．９ｇｍの薄膜で均一に被覆され
ていた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定
したところ、５．７３ＸＩＯ２Ｓ／ｃｍの電導度を示し
た。
の電力を電極２．２′に供給してプラズマを発生させた
。このとき、プラズマの電子温度は、２−ＯＸＩＯ”Ｋ
であった。この条件でプラズマ重合反応を８０分間行っ
た後１石英板を回収したところ石英板の表面は、＠色で
金属光沢のある厚さ１．９ｇｍの薄膜で均一に被覆され
ていた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定
したところ、５．７３ＸＩＯ２Ｓ／ｃｍの電導度を示し
た。
実施例３
実施例１で述べた装置を用い１反応塁ｌの電極２．２′
の間に基材１０として寸法１１０Ｘ２０Ｘ１／ｍの石英
板を配置した後排気して反応器１内をｌＸｌ０−Ｔｏｒ
ｒとした０次に７−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジ
シクロブテンが入っている原料タンク５を弱く加熱して
原料を気化させ、そのカスを１５０ｃｃ （ＳＴＰ）／
ｍｉ ｎの流量で反応器ｌ内に供給しながら真空度が２
×１０−′ｚＴｏｒｒとなるようにした１次いで高周波
電源（１３，５６ＭＨｚ）３から６５Ｗの電力を電極２
．２′に供給してプラズマを発生させた。
の間に基材１０として寸法１１０Ｘ２０Ｘ１／ｍの石英
板を配置した後排気して反応器１内をｌＸｌ０−Ｔｏｒ
ｒとした０次に７−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジ
シクロブテンが入っている原料タンク５を弱く加熱して
原料を気化させ、そのカスを１５０ｃｃ （ＳＴＰ）／
ｍｉ ｎの流量で反応器ｌ内に供給しながら真空度が２
×１０−′ｚＴｏｒｒとなるようにした１次いで高周波
電源（１３，５６ＭＨｚ）３から６５Ｗの電力を電極２
．２′に供給してプラズマを発生させた。
このとき、プラズマの電子温度は、２．５×１０４にで
あった。この条件でプラズマ重合反応を７０分間行った
後１石英板を回収したところ石英板の表面は、千老≠金
属光沢のある厚さ２．１ｇｍの薄膜で均一に被覆されて
いた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定し
たところ、３．４５Ｘ１０２Ｓ／ｃｍであった。
あった。この条件でプラズマ重合反応を７０分間行った
後１石英板を回収したところ石英板の表面は、千老≠金
属光沢のある厚さ２．１ｇｍの薄膜で均一に被覆されて
いた。この薄膜の電導度を四端子法により室温で測定し
たところ、３．４５Ｘ１０２Ｓ／ｃｍであった。
実施例４
実施例１で述べた装置を用い、反応器１の電極２．２′
の間に基材ｌＯとして直径２インチのシリコンウェハー
を配置した後排気して反応器ｌ内をｌＸｌ０−Ｔｏｒｒ
とした６次に７，８−ジブロモベンゾ［１，２：３，４
：５，６］ トリシクロブテンが入っている原料タンク
５を弱く加熱して原料を気化させ、そのガスを１２０ｃ
ｃ（ＳＴＰ）／ｍｉｎの流量で反応器ｌ内に供給しなが
ら真空度が３．５ＸＩＯ−２Ｔｏｒｒとなるようにした
６次いで交流電源３から９０Ｗの電力を電極２．２′に
供給してプラズマを発生させた。このとき、プラズマの
電子温度は、３．２Ｘ１０４にであった。この条件でプ
ラズマ重合反応を１００分間行った後、基板であるシリ
コンウェハーを回収したところシリコンウェハーの表面
は、卓台ｆ金属光沢のある厚さ２．６終ｍの薄膜で均一
に被覆されていた。この薄膜の電導度を四端子法により
室温で測定したところ、４．２７Ｘ１０２ Ｓ／ｃｍで
あった１次にこの導電性膜を濃硫酸中に２日間浸漬する
ことによりドーピングを行ない、乾燥後再び四端子法で
電導度を測定したところ。
の間に基材ｌＯとして直径２インチのシリコンウェハー
を配置した後排気して反応器ｌ内をｌＸｌ０−Ｔｏｒｒ
とした６次に７，８−ジブロモベンゾ［１，２：３，４
：５，６］ トリシクロブテンが入っている原料タンク
５を弱く加熱して原料を気化させ、そのガスを１２０ｃ
ｃ（ＳＴＰ）／ｍｉｎの流量で反応器ｌ内に供給しなが
ら真空度が３．５ＸＩＯ−２Ｔｏｒｒとなるようにした
６次いで交流電源３から９０Ｗの電力を電極２．２′に
供給してプラズマを発生させた。このとき、プラズマの
電子温度は、３．２Ｘ１０４にであった。この条件でプ
ラズマ重合反応を１００分間行った後、基板であるシリ
コンウェハーを回収したところシリコンウェハーの表面
は、卓台ｆ金属光沢のある厚さ２．６終ｍの薄膜で均一
に被覆されていた。この薄膜の電導度を四端子法により
室温で測定したところ、４．２７Ｘ１０２ Ｓ／ｃｍで
あった１次にこの導電性膜を濃硫酸中に２日間浸漬する
ことによりドーピングを行ない、乾燥後再び四端子法で
電導度を測定したところ。
９．３１ＸＩＯ２Ｓ／ａｍに電導度が上昇しドーピング
の効果が認められた。
の効果が認められた。
実施例５
実施例１で述べた装置を用い、反応器１の電極２．２′
の間に基材１０として寸法５ｏｘｓｏｘＩｎ／ｍの石英
板を配置した後排気して反応器ｌ内をｌＸｌ０′Ｔｏｒ
ｒとした０次に１．２−ビス（ブロモメチル）ベンゼン
が入っている原料タンク５を弱く加熱して原料を気化さ
せ、そのガスを１６０ｃｃ（ＳＴＰ）／ｗｉｎの流量で
反応器１内に供給しながら真空度が３ＸｌＯ−２Ｔｏｒ
ｒとなるようにした０次いで交流電ＩＫ３から１００Ｗ
の電力を電極２．２′に供給してプラズマを発生させた
。このとき、プラズマの電子温度は。
の間に基材１０として寸法５ｏｘｓｏｘＩｎ／ｍの石英
板を配置した後排気して反応器ｌ内をｌＸｌ０′Ｔｏｒ
ｒとした０次に１．２−ビス（ブロモメチル）ベンゼン
が入っている原料タンク５を弱く加熱して原料を気化さ
せ、そのガスを１６０ｃｃ（ＳＴＰ）／ｗｉｎの流量で
反応器１内に供給しながら真空度が３ＸｌＯ−２Ｔｏｒ
ｒとなるようにした０次いで交流電ＩＫ３から１００Ｗ
の電力を電極２．２′に供給してプラズマを発生させた
。このとき、プラズマの電子温度は。
２．５Ｘ１０４にであった。この条件でプラズマ重合反
応を１時間行った後、石英板を回収したところ石英板の
表面は、４七で金属光沢のある厚さ２．３ＡＬｍの薄膜
で均一に被覆されていた。この薄膜の電導度を四端子法
により室温で測定したところ、５．３１Ｘ１０２Ｓ／ｃ
ｍであった。
応を１時間行った後、石英板を回収したところ石英板の
表面は、４七で金属光沢のある厚さ２．３ＡＬｍの薄膜
で均一に被覆されていた。この薄膜の電導度を四端子法
により室温で測定したところ、５．３１Ｘ１０２Ｓ／ｃ
ｍであった。
第１図は本発明の実施例で用いたプラズマ重合薯２の概
念的縦断面図である。 ｌ・・・反応器 ２・・・プラズマ発生用電極 ３・・・プラズマ励起用電源 ４・・・圧力計 ５・・・原料タンク ６・・・ガス流量調節バルブ ７・・・原料供給管 ８・・・排気口 ９・・・プラズマ特性測定用探針 １０・・・基材
念的縦断面図である。 ｌ・・・反応器 ２・・・プラズマ発生用電極 ３・・・プラズマ励起用電源 ４・・・圧力計 ５・・・原料タンク ６・・・ガス流量調節バルブ ７・・・原料供給管 ８・・・排気口 ９・・・プラズマ特性測定用探針 １０・・・基材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（ I ）〜（IV）で表わされる化合物から選
ばれる少なくとも１種の化合物をプラズマ重合反応に供
することからなる有機導電性材料の製法： 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、 Ｒ＿１は、▲数式、化学式、表等があります▼を表し、
Ｒ＿７、Ｒ＿８およびＲ＿９は同一でも異なってもよく
、水素原子またはＸであり、Ｘはハロゲン原子、 −（Ｎ＾■Ｒ＿１＿０Ｒ＿１＿１Ｒ＿１＿２）Ｙ＾■お
よび−ＳＲ＿１＿３から選ばれ、ｎは１〜３の整数であ
り、ただしＲ＿１中のＸの数は１〜３であり、Ｙはハロ
ゲン原子であり、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１およびＲ＿１
＿２は、同一でも異なってもよく、低級アルキル基から
選ばれ、Ｒ＿１＿３は低級アルキル基から選ばれる。 また式中、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５およびＲ＿
６は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基およびＲ＿１か
ら選ばれる］。 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） ［式中、Ｒ＿１＿４、Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６およびＲ
＿１＿７は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基お
よび低級アルコキシ基から選ばれ、Ｒ＿１＿８、Ｒ＿１
＿９、Ｒ＿２＿０およびＲ＿２＿１は、同一でも異なっ
てもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基お
よび低級アルコキシ基から選ばれる］、 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） ［式中、Ｒ＿２＿２およびＲ＿２＿３は同一でも異なっ
てもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
ハロゲノ低級アルキル基および低級アルコキシ基から選
ばれ、Ｒ＿２＿４、Ｒ＿２＿５、Ｒ＿２＿６、Ｒ＿２＿
７、Ｒ＿２＿８、Ｒ＿２＿９、Ｒ＿３＿０およびＲ＿３
＿１は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ば
れる］、 一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） ［式中、Ｒ＿３＿１、Ｒ＿３＿２、Ｒ＿３＿３、Ｒ＿３
＿４、Ｒ＿３＿５、Ｒ＿３＿６、Ｒ＿３＿７、Ｒ＿３＿
８、Ｒ＿３＿９、Ｒ＿４＿０、Ｒ＿４＿１およびＲ＿４
＿２は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ばれ
る］。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652684A JPS6164720A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 有機導電性材料の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652684A JPS6164720A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 有機導電性材料の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164720A true JPS6164720A (ja) | 1986-04-03 |
| JPH052692B2 JPH052692B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=16190033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18652684A Granted JPS6164720A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 有機導電性材料の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61501576A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-07-31 | ザ ダウ ケミカル カンパニ− | ポリ（ベンゾシクロブテン）から誘導されるポリマー組成物の製造方法 |
| JP2014518311A (ja) * | 2011-07-04 | 2014-07-28 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー、モノマーおよび、ポリマーを形成する方法 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18652684A patent/JPS6164720A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61501576A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-07-31 | ザ ダウ ケミカル カンパニ− | ポリ（ベンゾシクロブテン）から誘導されるポリマー組成物の製造方法 |
| JPH0321563B2 (ja) * | 1984-09-14 | 1991-03-25 | Dow Chemical Co | |
| JP2014518311A (ja) * | 2011-07-04 | 2014-07-28 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー、モノマーおよび、ポリマーを形成する方法 |
| US9562136B2 (en) | 2011-07-04 | 2017-02-07 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Polymers, monomers and methods of forming polymers |
| US10270037B2 (en) | 2011-07-04 | 2019-04-23 | Cambridge Display Technology Limited | Polymers, monomers and methods of forming polymers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052692B2 (ja) | 1993-01-13 |
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