JPS6164027A - Conditioning unit of vacuum switch tube - Google Patents
Conditioning unit of vacuum switch tubeInfo
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- JPS6164027A JPS6164027A JP18594384A JP18594384A JPS6164027A JP S6164027 A JPS6164027 A JP S6164027A JP 18594384 A JP18594384 A JP 18594384A JP 18594384 A JP18594384 A JP 18594384A JP S6164027 A JPS6164027 A JP S6164027A
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- shield
- electrode
- switch tube
- vacuum switch
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- Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は真空スイッチ管の耐゛屯圧性能全向上させる
ために行なうコンディショニングに関するものである、
〔従来の仮置〕
従来のこの種の装置としては第2図に示すものがあった
。第2図は従来の装置の構成を示すブロック図であり、
図において(1)は真空スイッチ管、(2) Fi交流
電源、(3) ti低抵抗(4) Iri真空スイッチ
管(1)の電極、(5)は真空スイッチ管(1)のシー
ルドである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to conditioning performed to completely improve the pressure resistance performance of a vacuum switch tube. [Conventional Temporary Installation] A conventional device of this type There was one shown in Figure 2. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a conventional device.
In the figure, (1) is the vacuum switch tube, (2) Fi AC power supply, (3) Ti low resistance (4) Iri vacuum switch tube (1) electrode, and (5) is the shield of the vacuum switch tube (1). .
次に従来の装置の動作について説明する。真空スイッチ
管は第2図(1)に示す如く構成されているが、そのま
ま高電圧用のスイッチとして使用するには電極(4)と
シールド(5)の間の耐電圧性能が十分でない場合があ
る。従ってこれをコンディショニングによって耐電圧性
能を向上させる必要がある。このようなコンディショニ
ングを行なうための従来の装置は、第2図に示す如く、
真空スイッチ管(1)の′成極(4)とシールド(5)
との間に抵抗(3)を介して交流電源(2)により、シ
ールド(5)と電極(4)の間の耐電圧以上の電圧を印
加し、シールド(5)と電極(4)との間に真空中の絶
線破壊全発生式せる。この真空中の絶縁破壊によりシー
ルド(5)と電極(4)の間のltt電圧性能は絶縁破
壊が発生する以前よりも向上する。従ってこの絶縁破壊
金繰り返し発生させることによυシールド(5)と電極
(4)の間の耐電圧性能は破壊回数に対応した耐電圧強
度に到達できる。このようにしてコンディショニングが
完了する。又、抵抗(3)ハ絶縁破壊に際して回路に必
要以上の電流が流れないように電流を制限するものであ
る。又、コンディショニングを行なった後は電極(4)
に対向するシールド(5)の表面には電極(4)の材料
の被膜が形成されている。Next, the operation of the conventional device will be explained. The vacuum switch tube is constructed as shown in Figure 2 (1), but the withstand voltage performance between the electrode (4) and the shield (5) may not be sufficient to use it as a high-voltage switch as is. be. Therefore, it is necessary to improve the withstand voltage performance by conditioning this. A conventional device for performing such conditioning is as shown in FIG.
Polarization (4) and shield (5) of vacuum switch tube (1)
A voltage higher than the withstand voltage between the shield (5) and the electrode (4) is applied by the AC power supply (2) through the resistor (3) between the shield (5) and the electrode (4). In between, the complete occurrence of wire breakage in vacuum is established. Due to this dielectric breakdown in vacuum, the ltt voltage performance between the shield (5) and the electrode (4) is improved compared to before the dielectric breakdown occurs. Therefore, by repeatedly causing this dielectric breakdown, the withstand voltage performance between the υ shield (5) and the electrode (4) can reach a withstand voltage strength corresponding to the number of breakdowns. Conditioning is thus completed. Further, the resistor (3) is used to limit the current so that more current than necessary flows through the circuit in the event of dielectric breakdown. Also, after conditioning, the electrode (4)
A coating of the material of the electrode (4) is formed on the surface of the shield (5) facing the electrode (4).
上記のような従来の真空スイッチ管コンディショニング
装置ではシールド表面上に電極の材料被膜が形成される
からシールドと電極間の耐電圧性能は電極の材料によっ
て決定されてしまい耐電圧性能を十分に向上することが
できないという問題点があった。In the conventional vacuum switch tube conditioning device as described above, a film of the electrode material is formed on the shield surface, so the withstand voltage performance between the shield and the electrode is determined by the electrode material, and the withstand voltage performance is sufficiently improved. The problem was that it could not be done.
この発明はかかる問題点全解決する九めになされたもの
で、シールドと電極間で耐電圧性能の高い真空スイッチ
管t−得ることができるコンディショニング装置を提供
することを目的としている。This invention has been made to solve all of these problems, and its object is to provide a conditioning device that can provide a vacuum switch tube with high withstand voltage performance between the shield and the electrode.
この発明に係る真空スイッチ管コンディショニング装置
は、電源に単一極性の電源を使用し、かつ、シールドの
電位が相対的に電極の電位より高くなるような極性の電
圧を印加して絶縁破壊によるコンディショニングを用い
電極の面にシールド材料による被膜が形成されるように
する。The vacuum switch tube conditioning device according to the present invention uses a single-polar power source and applies a polar voltage such that the potential of the shield is relatively higher than the potential of the electrode, thereby performing conditioning due to dielectric breakdown. to form a coating of shielding material on the surface of the electrode.
この発明においてはコンディショニングの終った後で電
極の面にシールド材料による被膜が形成されているので
シールドと電極間の耐電圧性能はシールドの材料により
決定されることになり真空スイッチ管の耐電圧性能を向
上させることができる。In this invention, a film of shield material is formed on the surface of the electrode after conditioning, so the withstand voltage performance between the shield and the electrode is determined by the material of the shield, so the withstand voltage performance of the vacuum switch tube can be improved.
以下、この発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例金示すブロック図であり、
第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、(22)
は正極性の電圧を発生する単一極性電源である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
The same symbols as in Figure 2 indicate the same or equivalent parts, (22)
is a single polarity power supply that generates a positive voltage.
次に、この発明の動作について説明する。第1図のよう
に接続された単一極性電源(22)から抵抗(3)を介
しシールド(5)と電極(4)の間に、シールド(5)
と電極(4)の間の耐電圧性能以上の正極性の電圧が印
加されると、シールド(5)と電極(4)との間で真空
中での絶縁破壊が発生する。この真空中での絶縁破壊に
よりシールド(5)と電極(4)の間の耐電圧性能は向
上する。従ってこの絶縁破壊を繰り返すことによってシ
ールド(5)と電極(4)との間の耐電圧性能は破壊回
数に対応した耐電圧強度に到達することになり、従来の
装置と同様、真空スイッチ管のコンディショニングを行
なうことができる。又、抵抗(3)はこの回路に不必要
な電流を流さないように制限するものである。Next, the operation of this invention will be explained. The shield (5) is connected between the shield (5) and the electrode (4) via the resistor (3) from the unipolar power supply (22) connected as shown in Figure 1.
When a positive voltage exceeding the withstand voltage performance is applied between the shield (5) and the electrode (4), dielectric breakdown occurs in vacuum between the shield (5) and the electrode (4). This dielectric breakdown in vacuum improves the withstand voltage performance between the shield (5) and the electrode (4). Therefore, by repeating this dielectric breakdown, the withstand voltage performance between the shield (5) and the electrode (4) will reach the withstand voltage strength corresponding to the number of breakdowns, and as with conventional devices, the Conditioning can be done. Further, the resistor (3) is used to restrict unnecessary current from flowing through this circuit.
以上、これらの動作は従来の装置と同様であるが、この
発明においてはコンディショニングのための電源に単一
極性電源(22)を使用し、かつ、シールド側が正極性
になるような′電圧を印加しているので、シールド(5
)の表面には電極(4)の材料の被膜は形成せず反対に
電極(4)の表面にシールド(5)の材料の被膜が形成
されることとなる。従ってシールド(5)と電極(4)
の間のコンディショニング後の耐電圧性能はシールド(
5)の材料により決定されることとなり、シールド(5
)は通常高い耐電圧能力の材料で構成されているので耐
電圧強度の高い真空スイッチ管を得ることができる。As described above, these operations are similar to those of the conventional device, but in this invention, a single polarity power supply (22) is used as a power supply for conditioning, and a voltage is applied such that the shield side becomes positive polarity. Since it is, shield (5
) A film of the material of the electrode (4) is not formed on the surface of the electrode (4), but on the contrary, a film of the material of the shield (5) is formed on the surface of the electrode (4). Therefore the shield (5) and the electrode (4)
The withstand voltage performance after conditioning during the shielding (
It will be determined by the material of the shield (5).
) is usually made of a material with high withstand voltage capability, so it is possible to obtain a vacuum switch tube with high withstand voltage strength.
なお、上記実施例では電極(4)全接地し、シールド(
5)に正極性の電圧を印加する場合の構成において説明
しているが、これに限らずシールバ(5)を接地し電極
(4)に負極性の電圧を印加することによっても実現で
きる。In addition, in the above embodiment, the electrode (4) is all grounded, and the shield (
Although the configuration has been described in which a positive voltage is applied to 5), the present invention is not limited to this, and can also be realized by grounding the seal bar (5) and applying a negative voltage to the electrode (4).
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり真空中の絶縁破壊による
コンディショニングにおいて、電極側にシールド材料の
被膜が形成されるように構成されているので耐電圧強度
の高い真空スイッチ管金得るX2スイツチ管コンデイシ
ヨニング装置が侍らられるという効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, this invention is configured so that a film of shielding material is formed on the electrode side during conditioning due to dielectric breakdown in vacuum, so that a vacuum switch tube with high withstand voltage strength can be obtained. This has the effect that a switch tube conditioning device can be used.
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は従来の真空スイッチ管コンディショニング装置の構成
を示すブロック図である。
図において(22)は正極性の電圧を発生する単一極性
の電源である。
なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a conventional vacuum switch tube conditioning device. In the figure, (22) is a single-polarity power supply that generates a positive voltage. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
生させてコンディショニングを行なう真空スイッチ管の
コンディショニング装置において、電圧を印加する電源
として単一極性電源を用いこの単一極性電源の正極側を
上記シールド側に負極側を上記電極側に接続し、上記シ
ールド側の電位が上記電極側よりも高電位下において上
記シールドと上記電極間で絶縁破壊を発生させることを
特徴とする真空スイッチ管のコンディショニング装置。In a vacuum switch tube conditioning device that performs conditioning by causing dielectric breakdown between the shield and electrode of the vacuum switch tube, a single-polarity power source is used as the power source for applying voltage, and the positive terminal of this single-polarity power source is connected to the Conditioning of a vacuum switch tube, characterized in that a negative electrode side is connected to the electrode side on the shield side, and dielectric breakdown occurs between the shield and the electrode when the potential on the shield side is higher than that on the electrode side. Device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18594384A JPS6164027A (en) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | Conditioning unit of vacuum switch tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18594384A JPS6164027A (en) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | Conditioning unit of vacuum switch tube |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6164027A true JPS6164027A (en) | 1986-04-02 |
JPH0142569B2 JPH0142569B2 (en) | 1989-09-13 |
Family
ID=16179594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18594384A Granted JPS6164027A (en) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | Conditioning unit of vacuum switch tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6164027A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102426954A (en) * | 2011-11-17 | 2012-04-25 | 西安交通大学 | Nanosecond continuous pulse ageing device and method of vacuum interrupter |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18594384A patent/JPS6164027A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102426954A (en) * | 2011-11-17 | 2012-04-25 | 西安交通大学 | Nanosecond continuous pulse ageing device and method of vacuum interrupter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0142569B2 (en) | 1989-09-13 |
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