JPS6163478A - 光記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は有機材料を利用した光記ｊ２素子に関し、特に
高度に分子配向された有機薄膜を利用した高信頼・高密
度記録の可佳な光記録素子に関するものである。

［従来の技術］ 最近、オフィス・オートメーション（ＯＡ）の中心的配
備（憶）素子として光ディスクが脚光を集めている。そ
の理由は光ディスク一枚で、大量の文書１文献などを記
録（又は記憶）できるからであり、したがって該光ディ
スクを用いる情報記憶装置を導入するとオフィスにおけ
る文書１文献の整理、管理に一大変革をもたらすものと
期待されている。又、該光デイスク用記録材料としては
安価性、製作容易性、高密度記録性等の特徴を有する４
１機材料が注目されている。

この様な有機記録材を用いる従来技術の中で。

特に発色剤と助色剤の接触による発色反応を利用する二
成分系の光記録素子が報告されている（日経産業新聞　
昭和５８年１０ＪＩ　１８［１）。

従・Ｋの該光記録素子の１例を図面に基づいて説明する
と、第２図（ａ）に示す様に発色剤層７と助色剤層５と
が光吸収層Ｂによって隔てられて基板ｌ］二に積層され
た構成からなるものである。

発色剤（ロイコ体）及び助色剤は各々単独で存在すると
きは無色又は淡色である。

該記録素子に記録を行うときは、第２図（ｂ）に示す様
に光吸収層６の所望の位置にレーザ光８を照射すると、
光吸収層のレーザ光を照射された部分はレーザ光を吸収
して溶融し破れて小さな穴があく。

その結果、第２図（Ｃ）に小才様に光吸収層６によって
隔てられていた発色剤と助色剤がこの小さな穴を通じて
混ざり合い発色する。情報はこの発色点９の形で記録な
いし記憶され、読み出しは別の光源で該記録素子上を走
査し発色点による反射率、透過率等の変化を検出するこ
とにより行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記の光記Ｑ素子に於いて、記録の高密度化を図るため
には光吸収層６が極力薄く、４Ｌ坦で、かつ膜厚のむら
のないものが望ましい、しかしながら、従来の光記録素
子において、光吸収層は例えば真空蒸着法又は回転塗布
法などによって基板上に被１！２されているため、厚さ
を２００〜５００八以下に薄くシようとすればピンホー
ルが多発しやすく、このピンホールの箇所で発色剤と助
色剤の２成分が接触して発色するため、信頼性に欠ける
欠点があった。そのト、前記の従来の被膜方法で形成さ
れる各層の膜内の分子分布配向がランダムであるため、
光照射に伴って膜内で光散乱が生じ。

微視的にみた場合、各光照射の度に生ずる化学反応の度
合が異なってくる。さらに、上述の被膜方法では光ディ
スクの基板を大面積化すると、膜厚のむらが生じ、記録
品質のむらが発生する等の欠点があった。

したがって、光記録素子としては、膜内の分子分布・配
向が一様で、ピンホールも膜厚のむらもないことが望ま
しく、またできる限り膜厚が薄いことが、記録の高密度
化、高信頼化のために要望される０本発明はかかる要望
に鑑みてなされたもので、本発明の目的は高信頼・高密
度記録が可能な光記録素子を提供することにある０本発
明の別の目的は製作容易で安価な光記録素子を提供する
ことにある０本発明のさらに別の目的は大面積の光記録
素子を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］即ち、本
発明は通常無色ないし淡色の発色性化合物からなるＡ層
と、前記発色性化合物と接触して発色せしめる助色性化
合物からなるＢ層と、Ａ層とＢ層との間に介在する光吸
収層とからなり、力１つ （イ）前記Ｂｅは助色性化合物の単分子膜又はその累積
膜からなる層、 （ロ）前記光吸収層は光吸収性物質の単分子膜又はその
累積膜からなる層、 から構゛成されることを特徴とする光記録素子である。

以下、本発明を、ｉ″Ｔ、１１Ｈに説明する。

本発明に係わる光記録素子は通常無色ないし淡色の発色
性化合物からなるＡ層と、１）り記発色性化合物と接触
して発色せしめる助色性化合物からなるＢ層との間に、
光吸収層を介在せしめた構成からなるものであり、該Ａ
層及びＢ層には互に接触、混合することにより発色する
物質を組合せて用いることが基本的に要請される。この
様な関係にあるＡ層の通常無色ないし淡色の発色性化合
物及びＢ層の前記発色性化合物と接触して発色せしめる
肋色性化合物の具体例を示すと （イ）　　酸性物質（Ｂ層）と該酸性物質に接触するこ
とによって発色する染料のロイコ体（色素前駆体）（Ａ
層） （ロ）酸化剤（Ｂ層）と該酸化剤に接触することによっ
て発色する染料のロイコ体（Ａ層）（ハ）還元剤（Ｂ層
）と該還元剤に接触することによって発色する染料のロ
イコ体（Ａ層）（ニ）還元剤（Ｂ層）とステアリン酸第
２鉄のように還元されると発色する酸化剤（Ａ層）（ホ
）酸化剤（Ｂ層）と没食子酸のように酸化されると発色
する還元剤（Ａ層） ′、９が榮げられる。

１ｉｊ記（イ）の場合をさらに詳しく例示すれば。

染料のロイコ体と接触して反応し発色せしめるＢ層の酸
性物質としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホ
ン酸化合物、安息香酸等の芳香族カルポン酸類、バルミ
チン／’ｔ１ｊＣＣＩ５８！Ｉ　Ｃ００Ｈ）、ステアリ
ン酎（Ｃ＋７　Ｈｆｆ５　Ｃ０ＱＨ）、アラキシン酸（
Ｃ＋？ＨｇｙＧＯＯＲ）等の高級脂肪酸カルボン醜類、
　ｐ−ｔ−ブチルフェノール、α−ナフトール、β−ナ
フトール、フェノールフタレイン、ビスフェノールＡ、
　４−ヒドロキシジフェノキシド、４−ヒドロキシアセ
トフェノン笠のフェノール性化合物等が挙げられる。

次に、前記酸性物質と接触して反応するＡ層の染料のロ
イコ体としては例えば、トリフェニルメタン系、フルオ
ラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラ
ン系等があり、それ等に含まれる具体的な化合物の詳細
を提示すると第１表の通りである。

未発明においてＢ層は単分子膜又はその累積膜からなる
層から形成されるために、前記の助色性化合物は分子内
の適当な部位に親木基、疎水基又はその両方の基を導入
した誘導体を用いる必要がある。

疎水基及び親木基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数５〜３゜の長鎖アルキル基、
親木基としてはカルボキシル基及びその金属塩（例えば
カドミウム塩）が望ましい。

他方Ａ層は従来の被膜方法により形成される膜であれば
如何なる膜でもよく、それ等の中で例えば蒸着膜、塗布
膜、浸漬膜：ラミネート等の堆積膜からなる層が好まし
い。

なお、Ａ層及びＢ層の膜厚は２００人から１０用の範囲
が望ましく、好適には１．ＯＱＯ八からｌルの範囲であ
る。

次に、本発明における光吸収層の形成に用いられる光吸
収性物質としては赤外線を吸収して溶融１−ろ溶融性光
吸収色素、又は赤外線を吸収して昇華する昇華性光吸収
色素が好適である。

該かる光吸収色素の一例をあげれば、銅フタロンアニン
、バナジウムフタロシアニン等の金属フタロシアニン、
含金属アゾ染料、酸性アゾ染料、フルオレスセイン等の
キサンチン系色素等がある。

該光吸収層は単分子膜又はその累積膜からなる層から形
成されるために、前記の光吸収性物質は分子内の適当な
部位に親木基、疎水基又はその両方の基を導入した誘導
体を用いる必要がある。

疎水基及び親木基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数５〜３゜の［）アルキル基、
親水基としてはカルボキシル基及びその金属塩（例えば
カドミウム塩）が望ましい。

なお光吸収層の膜厚は３０Ａから１，０００　Ａの範囲
がｔ（７ましく、好適には５０Ａから２００　Ａの範囲
である。

また、本発明において基板に使用される材料としては、
シリコン等の半導体材料、アルミ等の金属材料、好適に
は強化ガラス、更に好適にはアクリル（ＰＭＭＡ）　、
ポリカーボネート（ｐｃ）　、ポリプロピレン、ポリ塩
化ヒニール（ｐｖｃ　）　、ポリスチレン等のプラスチ
ック材料、セラミンク材料が好ましい。

本発明に係わる光記録素子は、Ｂ層は助色性化合物の単
分子膜又はその累積膜からなる層及び光吸収層は光吸収
性物質の単分子膜又はその累積膜からなる層から構成さ
れることを１つの特徴とするものである。

かかる分子の高秩序性及び高配向性を有する単分子膜又
はその累積膜を作成する方法としては。

例えば１．Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア
・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ラングミュア・
プロジェフト法は、例えば分子内に親木基と疎水基を有
する構造の分子において、両者のバランス（両親媒性の
バランス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で
親木基を下に向けて単分子の層になることを利用して単
分子膜または単分子の累積膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は一次元系の特徴をもつ０分子がまばら
に散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧■と
の間に二次元理想気体の式。

ｎＡ＝　ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる、ここに、ｋはポルツプ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の°“凝１ｉｉＩＩり
（または固体膜）”になる、凝縮膜はプラスチック基板
、ガラス基板などの種々の材質や形状を有する１０体の
表面へ一層ずつ移すことができる。

次に本発明に使用する。肋色性化合物又は光吸収性物質
である親木蒸、疎水基全併有する有機分子の中分子膜又
はその累積膜を形成する方法についでさらに詳述する。

まず該有機分子をベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶
剤に溶解し、シリンダ等でこれを第３図に概略した単分
子累積膜形成装置の水槽ｌｏ内の水、ｉｌ　１１．１−
に展開させる。

該有機分子は、溶剤の揮発に伴って、親木基１２を水相
に向け、疎水基１３を気相に向けた状態で水相１１上に
展開する。

次にこの析出物（有機分子）が水、？（１１１１上を自
由に拡散して広がりすぎないように仕切板（または浮子
）１４を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を
制御し、その集合状態に比例した表面圧■を得る。この
仕切板１４を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態をｒｖ制御し１表（ｎｉ圧を徐々に一ヒ昇させ、累
積膜の製造に適する表面圧■・を設定することができる
。この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板１４を昨
直に一ヒ下させることにより単分子膜１Ｂが基板上に移
しとられる。単分子膜１Ｂは以上で製造されるが、単分
子層累積ｓ１７は前記の操作を繰り返すことにより所望
の累積数の単分子層累積膜が形成される。

例えば表面が親木性である基板１５を水面を横切る方向
に水中から引き上げると該有機分子の親木基が基板１５
側に向いた単分子層１・６が基板１５上に形成される。

前述のように基板１５を上下させると、昌に稈ごとに１
枚ずつ単分子層Ｉ８が積み重なっていく。１表膜分子の
向きが引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、この方
法によると各層間は有機分子−の親木基と親木基、有機
分子の疎水基と疎水基が向かい合ういわゆるＹ型膜が形
成される（第４図（１））。

Ｙ型膜は有機分子−の親水基同志、疎水基同志が向い合
っているので強固である。

それに対し、基板１５を水中に引き下げるときにのみ、
基板面に該有機分子を移し取る方法もある。

この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、疎水基が基板１５側に向いたＸ型
膜が形成される（第４図（ｂ）　）　、反対に全ての層
において親木基が基板１５側に向いた累積膜はＸ型膜と
呼ばれる（第４図（Ｃ）　）　。

Ｘ型膜は基板１５を水中から引上げるときにのみ、ノ、
（板面に有機分子を移し取ることによって得られる。

叙［−の方法によって基板上に形成される単分子膜及び
単分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性・配向性
を有しており、これらの膜で記録層を構成することによ
って、光熱的記録の可能な高密度で高解像度の記録機能
を有する記録素子を得ることができる。また、これら成
膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡単な方法で
あり、上記のような優れた記録機能を有する記録素子を
低コストで提供することができる。

以上述べた、本発明における単分子膜または単分子累積
膜を形成する基板は特に限定されないが、基板表面に界
面活性物質が付着していると。

単分子層を水面から移しとる時に、単分子膜が乱れ良好
な単分子膜または単分子層累積膜ができないので基板表
面が清浄なものを使用する必要がある。

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、付着力を強化する目的で基板と単分子膜
または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもでき
る。さらに単分子層形成条件例えば水相の水素イオン濃
度、イオン種、水温、担体上げ下げ速度あるいは表面圧
の選ＩＪＩ！等によって付着力を強化することもできる
。

次に、Ａ層の堆積膜の形成方法は前記発色性化合物にバ
インダーと水を添加した水混和物を、ボールミル等を用
いて粉砕混合した後、基板等の−にに従来の通常の方法
で塗着して行う。

本発明に用いられる前記バインダーとしてはゼラチン、
でんぷんのごとき天然高分子物、硝酸繊Ｍ　、Ｋ、カル
ボキシメチルセルローズのごとき繊維、に誘導体、塩化
ゴム、環化ゴムのごとき天然ゴムｉ＋ｆｆｆｊ物などの
半合成高分子物、ポリイソブチレン、ポリスチロール、
テルペン樹脂、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステ
ル、ポリメタアクリル酎エステル、ポリアクリルニトリ
ル、ポリアクリルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル
アルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアセタール樹
脂、ポリ１！１化ビニル、ポリビニルピリジン、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリブタジェン、ポリスチレン−ブ
タジェン、ブチルゴム、ポリオキシメチレン、ポリエチ
レンイミン、ポリエチレンイミンハイドロクロライド、
ポリ（２−アクリルオキシエチルジメチルスルホニウム
クロライド）などのごとき重合型合成高分子、フェノー
ル樹脂、アミノ樹脂、トルエン樹脂、アルキッド樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリアマイド樹脂、ポリエーテル樹脂、珪素樹脂、
フラン樹脂、チオコールゴムなどのごとき縮合重合型合
成高分子、ポリウレタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂など
のごとき付加重合型樹脂が挙げられる。

以上に説明した方法で製造される本発明に係わる光記録
素子の構成の１例を示すと、第１図に示す通り１発色性
化合物からなるＡ層２．前色性化合物からなるＢ５４及
びＡ層と８５の間に介在する光吸収性物質からなる光吸
収層３からなり、８層４及び光吸収層３は単分子膜又は
その累積膜、Ａ層２は堆ａ膜からなる積層体で、８層４
を基板１上に支持し、基板／Ｂ層／光吸収層／Ａ層の順
に積層してなるものである。

さらに、他の例として前記積層体のＡ層を基板」、に支
持し、基板／Ａ層／光吸収層／Ｂ層の順にＪｊｉ層して
もよく、又前記積層体を２段以上積重ねて最下層のＡ層
又はＢ層を基板上に支持してもよい。

本発明に係わる光記録素子はＡ層とＢ層とを光吸収層に
よって隔離して構成されているので、赤外線照射によっ
て光吸収層を溶融ないし昇華せしめて所望の位置に孔を
あけることにより、Ａ層の発色性化合物とＢ層の前色性
化合物が接触して発色反応が進行し、該位置に発色点を
形成し情報を記録することができる。

したがって本発明に係る光記録素子は主として光ディス
クとして使用することができる。該光ディスクから、情
報を書き込んだり或いは読取ったりするための光ピツク
アップの光学系を有する情報記憶装置の１例を第５図に
示す。

該情報記憶装置は、制御回路２７と光ピツクアップ光学
系からなる書き込み手段と、本発明に係わる光記録素子
と、出力回路２８と光ピツクアップ光学系かうなる読取
り手段とによって構成される。

書き込みは次のようにして行う、制御回路２７はｒ・導
体レーザ２６の発振を制御する。従って、入力情報は制
御回路２７及び半導体レーザ２６によって光信号に変換
される。光信号２９は第５図に示す光ピツクアップ光学
系を通って同期回転している光ディスク１８の記録層上
に結像され、上述の発色メカニズムにより発色記録され
る。

読取りは次のようにして行う、半導体レーザ２Ｂから発
する低出力の連続発振光を読取り光として使う、低出力
であるから、読取り中に発色記録が行われることはない
からである。または他の可視光用光源を読取り用光源と
して用いてもよい。

該読取り用光線は光ディスク１８の基板表面に結像し反
射されるが、反射率は発色点とそうでない箇所とで異な
るから、この反射光を光ピツクアップ光学系を通してフ
ォトダイオード２５の受光面にあてることにより電気信
号に変換し、　１１ｆ生読み出しを行う。

該かる再生信号のコントラストを上げ、画質等の向トを
図るためには、光記録素子の基板上にアルミ等の金属反
射層を付設することが好ましい。

金属反射層の膜厚は１，０００　Ａ〜２．０００　Ａが
好適である。その他必要に応じて誘電体ミラーでもよい
。

更に、Ａ層、Ｂ層、光吸収層等を保護するために最外層
の表面に保Ｗｉ層を設けてもよい、そのような保護層用
材料としてはＳ＋Ｏｚ等の誘電体、プラスチック樹脂、
他の重合性り８膜等が好適である。

［実施例］ 以ド、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。尚、下記において特に記述のない限り「部」は「重量
部」を、「％」は「重量％」を表わすものとする。

合成例１（光吸収性物質の合成例） バナジウムフタロシアニン５−　の合 尿素１０部と１０〜１５％りん酸水溶液１部を混合溶解
した後、さらに無水フタル酸２部、ｖＯＣ見。

（へナジル塩）　１０部及び 式（【） で表わされる無水フタル酸の誘導体８部を加え、１００
℃にて５時間加熱した。冷却した後、２％希ＮａＯＨ水
溶液１００部を加え、加水分解した後、クロマトグラフ
ィにより分離し、 式（Ｉｔ） Ｌ式１【中、Ｒは ０Ｈ（ＯＨ２）、　ＯＨ３ 奪 を表わす］で示される目的物質（バナジウムフタロシア
ニン誘導体）０．１部を得た。

実施例１ （１）　Ｂ層の形成方法 厚さ１０鳳■、直径１８０謬−の円板上のガラス（ディ
スク）基板を充分に清浄にした０次に前述の重分　　　
　７ｒ累植装置を用いて期化性化合物であるアラキシン
酸の単分子膜ｍＩｌ！Ｊを形成した。

該アラキシン酸の単分子累積膜の形成方法は、下記のよ
うに行った。

基板が水面と垂直になるようにして、基板を水中に沈め
た後、アラキシン酸を、濃度２×ｌＯ°３ｍａｔ／４の
クロロホルム溶液にして水面−Ｈに滴下し単分子膜を水
面上に展開する０表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｓに設定し
、速度２ｃ■／ｗｉｎで基板を上下して２７層に累積し
た単分子累積膜（Ｙ型膜）を作成した。

同様の方法により、１層、５０層、２００　ｒ、４００
層の単分子累積膜を各々作成した各試料を得た。

（２）光吸収層の形成方法 次に、前記（りで得た各試料のガラス基板上に形成した
Ｂ層の上に、前述の巾分子累植装置を用いて光吸収性物
質であるバナジウムフタロシアニン誘導体の単分子累積
膜を形成した。

バナジウムフタロシアニン誘導体の単分子累積膜の形成
方法は、下記のように行った。

Ｂ層を形成した基板が水面と垂直になるようにして、基
板を水中に沈めた後、バナジウムフタロシアニン誘導体
を濃度２　Ｘ　ｔＯ−１ｓｏｌ／ＪＬのクロロホルム溶
液にして水面上に滴下し単分子膜を水面上に展開する０
表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｓ＋に設定し、速度２　ｃ＋
＊／ｓｉｎで基板を上下して第２表に示す各層に累積し
た単分子膜ａ１１９　（Ｙｊ！！膜）を各試料に作成し
た。

（３）Ａ層の形成方法 次に、前記（２）で各試料のガラス基板上に形成した光
吸収層の上に、発色性化合物であるクリスタルパ・Ｃオ
レットラクトンの塩ｍ膜を形成した。

形成方法はクリスタルバイオレットラクトン７部、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコール１部、水１００部を
混合し、さらにボールミルを用いて数時間、粉砕混合し
、基板の光吸収層上に回転９　、／Ｉｔ　してバインダ
ー中に分散したクリスタルバイオレフトラクトンの堆積
膜（膜厚１終）を得た。

（４）性能試験 上述の方法により製作された本発明に係る光記録素子と
比較例として従来の同様の構成（全てが単分子膜又はそ
の累積膜を使用しないで構成）に係る光ディスクを第５
図に示す情報記憶装置を用いて以下の記録条件下で記録
した後、読取り再生を行うことにより両者の性能比較を
行った。

〈記録条件〉 半導体レーザ波長　８３０ｎ履 レーザ出力　　６〜９ｍＷ 記録周波数　　５　ＭＨｚ 光ディスクの回転ａ１，８００ｒｐｍ 以上の条件下で読み出しをレーザ出力１ｍＷで行い、信
号／雑音比を求めた結果を第２表に示す。

第２表 、ＩＦ・・・本は比較例を示し、各層の形成は回転塗布
法により行った。

第２表の結果よりＮｏ、ｌ（Ｂ層及び光吸収層が単分子
膜からなる場合）とＮ００６とを比較すると。

Ｎｏ、１の方が信号／雑音比において顕著に優れること
が認められる。　Ｎｏ、１とＮｏ、８は各膜厚がほぼ同
じであるにもかかわらず、性能に差異が生じたのはＮｏ
、１の方がピンホール等の欠陥が少ないためと思われる
。

同様に、Ｎ００２〜Ｎｏ、５（Ｂ層及び光吸収層が単分
子の累積膜からなる場合）とＮ００７との比較では、Ｎ
００２〜Ｎｏ、５の方が信号／！Ｉ音比において優れて
いることが認められる。

［尭明の効果］ 以上説明し、た様に本発明に係わる光記録素子はＢ層及
び光吸収層が単分子膜又はその累積膜からなる層、Ａ層
は堆積膜からなる層で構成されているので、以下に示す
ような優れた効果がある。

（１）従来の単分子膜又はその累積膜を使用していない
光記録素子と比較して信号／雑音比が高く、記録の信頼
性を向１−させることができる。

（２）光記録素子のピンホール等の物理的欠陥を大幅に
誠少させることができる。

（３）従来の光記録素子と比べて、より高密度記録がＩ
ｒｆ能である。

（４）光記録素子の大面積化が可能である。

（５）発色効率が良く発色剤等としてすぐれているが、
ｒ１１分子膜又はその累積層を形成しにくい材料、又は
単分子１１り又はその累積層を形成しやすい誘導体に化
学変化（合成）することが経費上困難な材料を堆積膜に
用いることができる利点がある。

ＣＢ）ａ屠体の一部に堆積膜を用いているので、感１バ
が向１〕シ、製作の際に材料の選択の巾が広く製造が容
鳩であり、又読み取りの際コントラストと非コントラス
トの差がつきやすい等の光学物性上の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる光記録素子の１例を示す概略構
成断面図、第２図（ａ）〜第２図（ｃ）は従来の光記録
素子の記録プロセスを示す説明図、第３図は単分子累積
膜形成装置の概略構成断面図、第４図（ａ）〜第４図（
ｃ）は単分子累積膜の作製丁程図及び第５図は情報記憶
装置のブロフク図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）通常無色ないし淡色の発色性化合物からなるＡ層
   と、前記発色性化合物と接触して発色せしめる助色性化
   合物からなるＢ層と、Ａ層とＢ層との間に介在する光吸
   収層とからなり、かつ （イ）前記Ｂ層は助色性化合物の単分子膜又はその累積
   膜からなる層、 （ロ）前記光吸収層は光吸収性物質の単分子膜又はその
   累積膜からなる層 から構成されることを特徴とする光記録素子。