JPS6162201A - 高周波用uリンク伝送路 - Google Patents

高周波用uリンク伝送路

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Publication number
JPS6162201A
JPS6162201A JP18427784A JP18427784A JPS6162201A JP S6162201 A JPS6162201 A JP S6162201A JP 18427784 A JP18427784 A JP 18427784A JP 18427784 A JP18427784 A JP 18427784A JP S6162201 A JPS6162201 A JP S6162201A
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JP
Japan
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transmission line
path length
transmission
conductor
high frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP18427784A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruhiro Takizawa
滝沢 照広
Tsuneo Torii
恒夫 鳥居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Engineering Co Ltd
Priority to JP18427784A priority Critical patent/JPS6162201A/ja
Publication of JPS6162201A publication Critical patent/JPS6162201A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/02Bends; Corners; Twists

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は高周波用U I)ンク伝送路に関する。
〔発明の背景〕
近年、注目されている核融合実験装置は、強力な磁石の
力を利用してドーナツ型のX空容器の中にプラズマを閉
じ込め、臨界プラズマ条件(核融合を起こさせるのに必
要なエネルギーと核融合反応で発生するエネルギーが等
しくなる条件)の達成をめざす装置である。臨界プラズ
マ条件を達成するには、プラズマの温度を約1億度にま
で上げなければならないが、プラズマに電流を通じるだ
けではせいぜい1子方度が限度。そこで、中性粒子入射
装置と7¥周波加熱装盈を用いてプラズマを追加熱する
ようにしている。
この高周波加熱装置の概略(;q成を第3図を用いて説
明する。
上述した如く、高周波加熱装置はプラズマ等の被加熱体
11をイオンサイクロトロン共鳴加熱するためのもので
、被加熱体11を共鳴加熱するだめの高周波を発振する
ための源発振器1と、被加熱体11を加熱する時間、及
びタイミングを決定し、源発振器1より発振された高周
波を加熱時間、及びタイミングにより加工して後述する
高周波増幅器3へ伝達するためのパルスジェネレータ2
と、被加熱体11を充分共鳴加熱するために源発振器1
から出された高周波エネルギーを増酬するための高周波
増幅器3と、該高周波プυ幅器3の出力を有効に、被加
熱体11を共鳴加熱するためのアンテナ7に伝送するた
めの伝送路9へ伝達するインピーダンス整合器4と、活
周波増幅器3の出力を確認するためのダミーロード8と
から概略構成される。問、10は加熱容器で、被加熱体
11を保持するためのものでるる、、そして、加熱容器
10の電位が、高周波増幅器3のアース電位に比べて直
流的に上がった場合に、両者をしf断する直流成分カッ
ト伝送路6が伝送路9に設けられ、加熱容器10から高
周波増幅器3へ直流電流が流れ込むことにより、高周波
増幅器3が破損するのを防止している。
さらに、Uリンク伝送路5は、インピーダンス整合器4
の取合インピーダンスが発振周波数に伴に変化するの’
ribる範囲内のインピーダンスに補正するための可変
路長伝送路となっている・ここで・U IJンク伝送路
5は、インピーダンス整合器4とDCカット伝送路6の
間に用いることによシ1インピーダンス整合器4の整合
帯域を広げるもので、定肚波電圧比(V、S、W、R)
が小さく、可変路長範囲が広く、気密性が良い可変路長
伝送路である。。
一般に、高周波用のUリンク伝送路においては、耐電圧
を向上する目的で、内部を真空にするか、8Fg ガス
を封入することにより、耐電圧特性を得ている。また、
可変路長範囲を広げるため、直管を数種類準備し、適轟
なものを選択しそれを交換することによりある程度の路
長範囲を可変し得るようにしているものでおる。
ここで、従来の高周波用Uリンク伝送路の詳細を第4図
囚により説明する。
同図において、高周波用U’Jフランジ大きく分けて、
可変路長部12と固定路長部13から構成されている。
可変路長部12は、インピーダンス整合量4側の伝送路
と伝送路9側の伝送路に平行に配置された2本からなる
ものでおる。固定路長部13は、前記各可変路長部12
のそれぞれ一端を接続するための伝送路である。固定路
長部13は、エルボ伝送路を2組用いて構成されL型内
導体18とLm外導体17を内包し、各端部に取合7ラ
ンジ19が形成されている。そして、L型内導体18は
り、ffl外導体17の内壁に設けられた絶縁サポート
によって支持されている。また、エルボ伝送路の取合7
ランジ19は、製造時のフランジ位相ずれを吸収するた
め回転7ランジによって構成されている。可変路長部1
2は、内導体16、外導体15、インナー;ネクタ21
、絶縁スペーサ20及び取合7ランジ14で構成され、
一般に伝送路で使用されている直管と同一構造でおる。
また、可変路長部12の取合7ランジは、これと嵌合す
る相手側7ランジが回転7ランジを用いているため、固
定7ランジによって構成きれている。
ここで、取合7ランジ部の詳細な構成を第4図の)を用
いて説明する。
可変路長部12の外導体15に固定取合7ランジ25が
銀ろう付されている。相手側は、回転7ランジとなって
いるため、ボルトの位相ずれは吸収できる。回転7ラン
ジは、外導体17に銀ろう付された固定7ランジ部23
とこの外周に配置された回転7ランジ部24で構成され
ている。この両7ランジは伝送管内部の気密を保つため
シールリン/−26を間に介し固定ボルト27により締
付けられ固定されている。
而して、この高周波用U リンク伝送路は、第4図(ト
)に示す様に、その可変路長部の寸法変更は、可変路長
に取付ける直管寸法を変更することにより、可変路長伝
送路としての役割りを果している。
しかしながら、このような構成は、伝送路長の寸法変更
は、準備される直管の員数により定まるため、インピー
ダンス整合部取合点でのインピーダンスを任意に変化さ
せる所定の値に定めることはできないという欠点を有し
ていた。
さらに、左右一対の可変路長部の直管寸法を精度良く作
られることを要し、これがなされない場合、伝送路への
組立が困難になるという欠点がめった。その上、可変路
長部の直管を交換する場合、IW’B!圧特性を向上さ
せるため別人しているSFaガスを一度N、置換し、再
度封入しなければならないという欠点があった。(この
ことは真空により耐電圧特性を得る場合も同様である。
)、そして、さらに可変路長部を毎回分解組立するため
、・組立後毎に気密テストを行ない気密度を確認しなけ
ればならないという欠点がろりた。1だ、可変路長部1
2間立を繰返すことにより取合部のインナコネクタが接
触不良をおこし、この結果アーク放電を生じて破損する
という欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、伝送路長の可変を容易てでき、かつ組
立が容易でその後の調整さも簡単にできる高周波用U 
IJンク伝送路を提供するものである。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために、本発明は、伝送路の
一部にその伝送路とほぼ垂直方向に突出゛しU字形状を
なす高周波用Uリンク伝送路において、互いに平行とな
る一対の伝送路部がそれぞれにおいて分離され、一方の
他端部が他方の他端部に挿入されかつ摺動できるように
構成でれているとともに、前記摺動部を被ってベローズ
が伝送路部に配置されているようにしたものでろる。
〔発明の実施例〕
第1図は本発明による高周波用U リンク伝送路の一実
施例を示す構成図である。第4図と同符号のものは同材
料を示している。
同図において、取合7ランジ14および19の間の可変
路長部12において、その中央部は後述するように伸縮
可能部となっている。取合7ランジ14および19の間
の可変路長部12の周辺部にはこの可変路長部12を被
ってベローズ28が取付けられている。ベローズ28の
各両端はそれぞれ前記取合7ランジ14および19にお
いて気密性を保つように固定されている。
そして、前記可変路長部12における前記取合7ランジ
14および19の中間部は、第2図にその詳細を示すよ
うに、上側の可変路長部と下側の可変路長部とが互いに
挿入されスライドが可能になっている。すなわち、上側
の可変路長部の外導体外管導体31と内導体外管導体3
3のそれぞれの内壁に、下側の可変路長部9外部体内管
導体30と内導体内管導体32の外壁が車装され、かり
この当接面は摺動面となっている。
外記外導体内管導体30の先端部および内導体。
内管導体32の先端部(図面ではその先端部は別物体で
構成されているが一体であってもよい)は綱状のスリッ
トが複数形成され、該先端部を外導体内管導体30およ
び内導体内管導体33の外壁に押圧させるためのスナッ
プリング36が該先端部の内壁に配置されている。これ
により可変路長部12の中央部は伸縮可能部となsもの
である。
さらに、前記外導体内管導体30の外導体外管導体31
に対する尚接面、および内導体外管導体33の内導体内
管導体32に対する当接面にはこの面での気密を保つた
めのコンタクトフィンガ35が形成されている。
そして、第1図元に示すように、各可変路長部12間の
7ランジ14.19間には、該可変路長部12の長さを
特定するための通しボルト29が配置されている。
このように構成された高周波Uリンク伝送路は、外導体
と内導体との間にたとえばSF′g ガスが流入するよ
うになっており、外4体外雷導体31と外導体内管導体
32との慴動部を介して外方に漏れが生じてもベローズ
28によって遮蔽され、外部空間に流入されるのが妨げ
られる。このため、SF6ガスの外部漏れを憂うことな
く、可変路長部12の伸縮が自在とし、任意の長さに設
定することができるようになる。
このような構成にすることによって、可動伸縮管及びガ
スシール用溶接ベローズを組合せた構造を可変路長伝送
部に使用することになり、したがって所定の伝送路長が
容易に得られる。また、伝送路を分解することなく伝送
路長を変化させることが可能なため、気密性能の信頼性
の向上を計ることができるようになる。そして伝送路の
分解組立の回数を軽減できるため、取合部での接融不良
によるアーク放電からの伝送路の破損の確率が減り、シ
ステムとしての信頼の向上を計ることができる。官らに
インピーダンス整合器の取合点のインピーダンスを任意
に選べるため、整合器と組合せた時の広帯域化が計れ、
システムとしての汎用性の向上を期することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したことから明らかなように、本発明による高
周波用Uす/り伝送路によれば、伝送路長の可変を容易
にでき、かつ組立が容易でその後の調整をも簡単にでき
るようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図■の)は本発明による高周波用Uリンクの一実施
例を示す構成図、第2図は前記高周波用Uリンクの部分
詳細を示す構成図、第3図は、高周波加熱装置の一例を
示す概要図、第4図(A)■は従来の高周波用Uリンク
の一例を示す構成図でろる。 1・・・原発mF、2・・・パルスジェネレータ、3・
・・高周波増幅部、4・・・インピーダンス整合器、5
・・・Uリンク伝送路、6・・・DCカット伝送路、7
・・・アンテナ、8・・・夕゛ミロード、9・・・伝送
路、10・・・710熱容器、11・・・被加熱体、1
2・・・インピーダンス整合器側取合フランジ、13・
・・伝送路側取合フランジ、14・・・可変路長部伝送
踏部、15・・・外導体、16・・・内導体、17・・
・L型外導体、18・・・L型内導体、19・・・取合
フランジ、20・・・絶縁スペーサ、21.22・・・
インナーコネクタ、23・・・固定フランジ部、24・
・・回転7ランジ部、25・・・固定取合フランジ、2
6・・・シールリング、27・・・固定ボルト、28・
・・ベローズ、29・・・通しボルト、30・・・外導
体内ee心導体31・・・外導体外管導体、32・・・
内導体内管導体、33.34・・・内導体外管導体、3
5・・・コンタクトフィンガー、3G・・・スナップリ
ング、37・・・インナー:ネクタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、伝送路の一部にその伝送部とほぼ垂直方向に突出し
    U字形状をなすとともに、その相平行となる一対の伝送
    路部を可変路長部、それ以外の伝送路部を固定路長部と
    し、それらが内、外導体から構成されている高周波用U
    リンク伝送路において、前記可変路長部を構成する一対
    の伝送路部がそれぞれ分離され、一方の他端部が他方の
    他端部に挿入されかつ摺動できるようになつているとと
    もに、前記摺動部を被つてベローズが配置されこのベロ
    ーズの両端は伝送路部の外導体に締結されていることを
    特徴とする高周波用Uリンク伝送路。 2、前記固定路長部と可変路長部との連結はそれぞれに
    取付けたフランジにおいてボルト締めされ、一方のフラ
    ンジは回転フランジとなつている特許請求の範囲第1項
    記載の高周波用Uリンク伝送路。
JP18427784A 1984-09-03 1984-09-03 高周波用uリンク伝送路 Pending JPS6162201A (ja)

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JP18427784A JPS6162201A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高周波用uリンク伝送路

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JP18427784A JPS6162201A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高周波用uリンク伝送路

Publications (1)

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JPS6162201A true JPS6162201A (ja) 1986-03-31

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ID=16150499

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JP18427784A Pending JPS6162201A (ja) 1984-09-03 1984-09-03 高周波用uリンク伝送路

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JP (1) JPS6162201A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6417399A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Tel Sagami Ltd Plasma processing equipment
JPH02222301A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd マイクロ波応答装置内蔵型真空装置のマイクロ波導入部

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6417399A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Tel Sagami Ltd Plasma processing equipment
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