JPS6161277B2 - - Google Patents
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- JPS6161277B2 JPS6161277B2 JP54018561A JP1856179A JPS6161277B2 JP S6161277 B2 JPS6161277 B2 JP S6161277B2 JP 54018561 A JP54018561 A JP 54018561A JP 1856179 A JP1856179 A JP 1856179A JP S6161277 B2 JPS6161277 B2 JP S6161277B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
- G01R33/3815—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets with superconducting coils, e.g. power supply therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔説明の要約〕
ダイオードと、そのダイオードに熱的に接触す
る超電導線とによつて持続性切換スイツチが構成
される。順方向にバイアスを掛けられたダイオー
ドを流れる電流によつて発生される熱が超電導体
の温度を遷移温度以上に上昇する。このスイツチ
のダイオード特性のために、比較的少数の信号導
線により選択を行う回路中に複数のこのようなス
イツチを配置することが出来るようになる。
る超電導線とによつて持続性切換スイツチが構成
される。順方向にバイアスを掛けられたダイオー
ドを流れる電流によつて発生される熱が超電導体
の温度を遷移温度以上に上昇する。このスイツチ
のダイオード特性のために、比較的少数の信号導
線により選択を行う回路中に複数のこのようなス
イツチを配置することが出来るようになる。
本発明は超電導装置に関するものであり、詳し
く言えば、超電導回路について持続性モードと非
持続性モードとの間の遷移を行わせるための持続
性切換スイツチに関するものである。
く言えば、超電導回路について持続性モードと非
持続性モードとの間の遷移を行わせるための持続
性切換スイツチに関するものである。
超電導回路について持続性モードと非持続性モ
ード(被駆動モード)との間の遷移は持続性切換
スイツチによつて制御される。このような装置
は、単安定継電器に類似した4端子スイツチ機構
から成るものとして従来普通に知られており、抵
抗性加熱素子を駆動するための2つの(入力)端
子に信号が加えられる。その素子によつて発生さ
れた熱は超電導線の超電導状態を破壊し、その超
電導線はそのスイツチの残りの2つの(出力)端
子を形成している。加熱素子が附勢を解かれる
時、低温槽の内部の液体ヘリウムがその超電導線
を遷移点以下に急速に冷却し、それにより超電導
状態を再び確立する。
ード(被駆動モード)との間の遷移は持続性切換
スイツチによつて制御される。このような装置
は、単安定継電器に類似した4端子スイツチ機構
から成るものとして従来普通に知られており、抵
抗性加熱素子を駆動するための2つの(入力)端
子に信号が加えられる。その素子によつて発生さ
れた熱は超電導線の超電導状態を破壊し、その超
電導線はそのスイツチの残りの2つの(出力)端
子を形成している。加熱素子が附勢を解かれる
時、低温槽の内部の液体ヘリウムがその超電導線
を遷移点以下に急速に冷却し、それにより超電導
状態を再び確立する。
持続性切換スイツチに対する入力信号は低温槽
の内部と外部との間に延長する導体を通して送ら
れ、そのために低温槽の内部に通ずる熱の通路を
形成し、低温槽内の冷却材(液体ヘリウム)の沸
騰蒸発速度に有害な作用を及ぼす。例えこのよう
な導体を取外しても、このような導体が導入され
る導管によつて別の熱損失が発生される。沸騰蒸
発速度に対するこの影響を減少する1つの方法
は、このようなスイツチを相互流通配列をなして
配置することによつて複数のp個の持続性切換ス
イツチを取扱う制御導線の数nを最小にすること
である。その配列中の各持続性切換スイツチは、
スイツチ加熱素子と直列にダイオードを含む。そ
れによりステアリング回路網が実現され、そこで
持続性切換スイツチの任意の所望の1つが低温槽
の外部から導かれる適当な1対の信号導体を励起
することによつて選択される。このような回路は
本特許出願人により本特許出願と同日付にて特許
出願された昭和54年特許願第018560号に係る発明
の要旨を構成するものである。
の内部と外部との間に延長する導体を通して送ら
れ、そのために低温槽の内部に通ずる熱の通路を
形成し、低温槽内の冷却材(液体ヘリウム)の沸
騰蒸発速度に有害な作用を及ぼす。例えこのよう
な導体を取外しても、このような導体が導入され
る導管によつて別の熱損失が発生される。沸騰蒸
発速度に対するこの影響を減少する1つの方法
は、このようなスイツチを相互流通配列をなして
配置することによつて複数のp個の持続性切換ス
イツチを取扱う制御導線の数nを最小にすること
である。その配列中の各持続性切換スイツチは、
スイツチ加熱素子と直列にダイオードを含む。そ
れによりステアリング回路網が実現され、そこで
持続性切換スイツチの任意の所望の1つが低温槽
の外部から導かれる適当な1対の信号導体を励起
することによつて選択される。このような回路は
本特許出願人により本特許出願と同日付にて特許
出願された昭和54年特許願第018560号に係る発明
の要旨を構成するものである。
本発明においては、ダイオードによつて発生さ
れる熱が、それと熱的に接触する超電導線の超電
導状態を破壊するために使用される。そして別の
加熱装置は何も使用されない。
れる熱が、それと熱的に接触する超電導線の超電
導状態を破壊するために使用される。そして別の
加熱装置は何も使用されない。
本発明の目的は、同一のこのようなスイツチの
配置と共に使用するための、新規な持続性切換ス
イツチである。
配置と共に使用するための、新規な持続性切換ス
イツチである。
本発明の一特色は、ダイオードの特性を有し、
それによつて複数のp個のこのようなスイツチで
形成される回路網が、nをpより小さい数とし
て、n個の作動信号導体に適合せしめられるよう
な、持続性切換スイツチである。
それによつて複数のp個のこのようなスイツチで
形成される回路網が、nをpより小さい数とし
て、n個の作動信号導体に適合せしめられるよう
な、持続性切換スイツチである。
本発明の他の一特色は、順方向にバイアスを掛
けられたダイオードによつて発生される熱を、そ
れと熱的に触する超電導体の超電導状態の遷移を
行わせるために利用することである。
けられたダイオードによつて発生される熱を、そ
れと熱的に触する超電導体の超電導状態の遷移を
行わせるために利用することである。
本発明のその他の特色及び利点は、添附図面に
関連して記された以下の詳細な説明を熟読するこ
とにより一層明らかとなるであろう。
関連して記された以下の詳細な説明を熟読するこ
とにより一層明らかとなるであろう。
ここで第1図を参照すると、本発明の持続性切
換スイツチの一実施例が斜面図で示されている。
絶縁性のスリーブ10がハウジングを形成し、そ
の内部にダイオード12が取付けられる。図面を
見易くするために、ここでスリーブ10が取外さ
れた状態で図示されている。そのダイオードの取
付けは、ハウジング10全体をエポキシ樹脂14
(第1図には示されていない)で充填することに
よつて行われるか、又は別の方法として、ハウジ
ング10の端部分をエポキシ樹脂で充填してダイ
オード12の端部を取巻くようにし、それにより
ダイオード12を固着する。
換スイツチの一実施例が斜面図で示されている。
絶縁性のスリーブ10がハウジングを形成し、そ
の内部にダイオード12が取付けられる。図面を
見易くするために、ここでスリーブ10が取外さ
れた状態で図示されている。そのダイオードの取
付けは、ハウジング10全体をエポキシ樹脂14
(第1図には示されていない)で充填することに
よつて行われるか、又は別の方法として、ハウジ
ング10の端部分をエポキシ樹脂で充填してダイ
オード12の端部を取巻くようにし、それにより
ダイオード12を固着する。
超電導線16のループが、数ターンのマンガニ
ン線によつてダイオード12と熱的接触を行うよ
うに保持される。マンガニン線は、ダイオード1
2の銅の導線に比して低い熱伝導度を持つために
好都合である。その他の同じ程度に熱伝導度の低
い線も同様に具合よく働く。好都合な一実施例で
は、超電導線16をダイオード12に固着するマ
ンガニン線18は又、ダイオード12の一方の端
子からの導線としても使用される。他の1つのマ
ンガニン線18′はダイオード12からの残りの
導線を形成するために使用される。ダイオード1
2に接続されたマンガニン線18及び18′は、
ダイオード12からダイオード導線に沿つて周囲
のヘリウム浴へ失われる熱損失を減少するのに役
立つことが解つた。
ン線によつてダイオード12と熱的接触を行うよ
うに保持される。マンガニン線は、ダイオード1
2の銅の導線に比して低い熱伝導度を持つために
好都合である。その他の同じ程度に熱伝導度の低
い線も同様に具合よく働く。好都合な一実施例で
は、超電導線16をダイオード12に固着するマ
ンガニン線18は又、ダイオード12の一方の端
子からの導線としても使用される。他の1つのマ
ンガニン線18′はダイオード12からの残りの
導線を形成するために使用される。ダイオード1
2に接続されたマンガニン線18及び18′は、
ダイオード12からダイオード導線に沿つて周囲
のヘリウム浴へ失われる熱損失を減少するのに役
立つことが解つた。
第1図の装置は第2図に断面図で示されてい
る。
る。
IN5817型シヨツトキー・ダイオードが、好都
合な一実施例について加熱素子として用いられた
が、尤も別のものとしては小型のシリコン・ダイ
オードやゲルマニウム・ダイオードをシヨツトキ
ー・ダイオードの代りに使用してもよい。然しな
がら、このような代替品のシリコン・ダイオード
やゲルマニウム・ダイオードは、液体ヘリウム温
度(4.2°K)において遥かに高いターン・オン
電圧を示す。
合な一実施例について加熱素子として用いられた
が、尤も別のものとしては小型のシリコン・ダイ
オードやゲルマニウム・ダイオードをシヨツトキ
ー・ダイオードの代りに使用してもよい。然しな
がら、このような代替品のシリコン・ダイオード
やゲルマニウム・ダイオードは、液体ヘリウム温
度(4.2°K)において遥かに高いターン・オン
電圧を示す。
使用されたエポキシ充填材は、エマーソン・ア
ンド・カミング社(Emerson and Cumming)
製のStycast 1090―Catalyst9である。間違いな
く、その他のこのような材料もこの目的に適合し
ているであろう。
ンド・カミング社(Emerson and Cumming)
製のStycast 1090―Catalyst9である。間違いな
く、その他のこのような材料もこの目的に適合し
ているであろう。
本発明の持続性切換スイツチに対する駆動信号
源は、約10オームの電流制限用抵抗と直列に接続
された約1.4ボルトの定電圧源である。然しなが
ら、定電流源を使用してもよい。0.8Vという電
圧降下は上記のシヨツトキー・ダイオードを特徴
づけるものであり、このようにしてこのダイオー
ドが順方向にバイアスを掛けられる時には、
60mAという電流が流れる。
源は、約10オームの電流制限用抵抗と直列に接続
された約1.4ボルトの定電圧源である。然しなが
ら、定電流源を使用してもよい。0.8Vという電
圧降下は上記のシヨツトキー・ダイオードを特徴
づけるものであり、このようにしてこのダイオー
ドが順方向にバイアスを掛けられる時には、
60mAという電流が流れる。
上記の構成は多くの変更を加え得るから、一見
甚だ得るように見える本発明の多数の実施例がそ
の発明の範囲から外れることなく実施できる。上
記の説明に含まれ添附図面に示された総ての事項
は例示的なものであつて限定的な意味を持たない
ものと解釈すべきである。
甚だ得るように見える本発明の多数の実施例がそ
の発明の範囲から外れることなく実施できる。上
記の説明に含まれ添附図面に示された総ての事項
は例示的なものであつて限定的な意味を持たない
ものと解釈すべきである。
第1図は本発明の持続性切換スイツチの斜面
図、そして第2図は第1図のスイツチの断面側面
図である。 10……ハウジウング、12……シヨツトキ
ー・ダイオード、14……エポキシ樹脂、16…
…超電導線、18,18′……マンガニン線。
図、そして第2図は第1図のスイツチの断面側面
図である。 10……ハウジウング、12……シヨツトキ
ー・ダイオード、14……エポキシ樹脂、16…
…超電導線、18,18′……マンガニン線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 超電導回路において持続性モードと非持続性
モードとの間の遷移を行うための持続性切換スイ
ツチであつて、 導線を有するダイオード、 前記ダイオードと熱的接触を行うように配置さ
れそれ自体が前記スイツチの2つの超電導導線を
形成する超電導材料、並びに 前記ダイオードのそれぞれの導線に接続された
2つの他の導線であつて、前記ダイオードの導線
よりも低い熱伝導度を示す材料で形成されている
導線、 を具備するところの持続性切換スイツチ。 2 前記他の導線を形成する材料がマンガニンで
ある処の、特許請求の範囲第1項記載の持続性切
換スイツチ。 3 前記他の導線の少くとも1つは前記超電導材
料を前記ダイオードと熱的接触状態に固着する処
の、特許請求の範囲第1項記載の持続性切換スイ
ツチ。 4 前記スイツチが絶縁性スリーブの内部に収容
され前記スリーブが封止されている処の、特許請
求の範囲第1項記載の持続性切換スイツチ。 5 前記絶縁性スリーブから成る前記収容体の内
部がエポキシ樹脂を充填されている処の、特許請
求の範囲第4項記載の持続性切換スイツチ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/879,294 US4164777A (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Superconducting switch incorporating a steering diode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54125994A JPS54125994A (en) | 1979-09-29 |
JPS6161277B2 true JPS6161277B2 (ja) | 1986-12-24 |
Family
ID=25373840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1856179A Granted JPS54125994A (en) | 1978-02-21 | 1979-02-21 | Superconductive switch containing steering diode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4164777A (ja) |
JP (1) | JPS54125994A (ja) |
CA (1) | CA1112305A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3135177A1 (de) * | 1981-09-05 | 1983-03-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Supraleitender schalter |
US4535291A (en) * | 1982-08-09 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Method for superconducting magnet shimming |
US4586017A (en) * | 1983-09-12 | 1986-04-29 | General Electric Company | Persistent current switch for high energy superconductive solenoids |
US4878226A (en) * | 1987-02-09 | 1989-10-31 | Combustion Engineering, Inc. | Multiple point remote temperature sensing |
DE3739412A1 (de) * | 1987-11-20 | 1989-06-29 | Heidelberg Motor Gmbh | Hochstromschalter |
US4803456A (en) * | 1987-12-22 | 1989-02-07 | General Electric Company | Superconductive switch |
US4904970A (en) * | 1988-02-17 | 1990-02-27 | General Electric Company | Superconductive switch |
US4943792A (en) * | 1988-02-25 | 1990-07-24 | General Electric Company | Superconducting switch pack |
US4906861A (en) * | 1988-09-30 | 1990-03-06 | Cryomagnetics, Inc. | Superconducting current reversing switch |
US8138880B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Persistent current switch |
CN102362035B (zh) | 2009-03-26 | 2015-02-25 | 株式会社小松制作所 | 作业车辆的控制方法及控制装置 |
CN108591818B (zh) * | 2018-05-03 | 2019-05-14 | 浙江大学 | 一种采用热二极管支撑结构的杜瓦瓶 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3054978A (en) * | 1960-07-13 | 1962-09-18 | Thompson Ramo Wooldridge Inc | Heat responsive superconductive switching devices |
US3202836A (en) * | 1962-01-22 | 1965-08-24 | Bunker Ramo | Heat-responsive superconductive devices |
US3646363A (en) * | 1968-08-06 | 1972-02-29 | Wright Robert C | Superconductive apparatus |
FR2329077A1 (fr) * | 1975-10-22 | 1977-05-20 | Anvar | Perfectionnements aux hacheurs a supraconduction |
-
1978
- 1978-02-21 US US05/879,294 patent/US4164777A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-02-20 CA CA321,938A patent/CA1112305A/en not_active Expired
- 1979-02-21 JP JP1856179A patent/JPS54125994A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54125994A (en) | 1979-09-29 |
US4164777A (en) | 1979-08-14 |
CA1112305A (en) | 1981-11-10 |
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