JPS6160607B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6160607B2 JPS6160607B2 JP7245477A JP7245477A JPS6160607B2 JP S6160607 B2 JPS6160607 B2 JP S6160607B2 JP 7245477 A JP7245477 A JP 7245477A JP 7245477 A JP7245477 A JP 7245477A JP S6160607 B2 JPS6160607 B2 JP S6160607B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- pin diode
- agc
- collector
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタ増幅装置、特に利得制御
可能な高周波トランジスタ増幅装置に関する。
可能な高周波トランジスタ増幅装置に関する。
従来利得制御可能なトランジスタ増幅装置とし
て、よく知られた増幅回路に、リバースAGC増
幅装置がある。この等価回路を第１図に示す。第
１図において１は高周波増幅用NPNトランジス
タ、２及び３はそれぞれバイアス用抵抗、４はイ
ンピーダンス、５及び６は高周波バイパス用コン
デンサ、７及び８はそれぞれ抵抗２とインピーダ
ンス４を高周接地するための容量、９及び１０は
それぞれAGO電圧ＶAGC、電源電圧Ｖcc端子、１
１は直流電源である。AGC電圧ＶAGCは高周波バ
イパスコンデンサを介して得られる出力信号を整
流し、必要に応じてレベル変換して得られる。第
２図は第１図に使用するトランジスタ１の利得Ｇ
とコレクタバイアス電流ICの関係を示すグラフ
である。第１図及び第２図からわかるように、
AGC端子９に印加する制御電圧ＶAGCを減少させ
ると、トランジスタ１のベース電圧が減少するた
めベース電流が減少し、それに伴いコレクタバイ
アス電流がIcoから減少してトランジスタ回路の
利得ＧはGoから減少する。
て、よく知られた増幅回路に、リバースAGC増
幅装置がある。この等価回路を第１図に示す。第
１図において１は高周波増幅用NPNトランジス
タ、２及び３はそれぞれバイアス用抵抗、４はイ
ンピーダンス、５及び６は高周波バイパス用コン
デンサ、７及び８はそれぞれ抵抗２とインピーダ
ンス４を高周接地するための容量、９及び１０は
それぞれAGO電圧ＶAGC、電源電圧Ｖcc端子、１
１は直流電源である。AGC電圧ＶAGCは高周波バ
イパスコンデンサを介して得られる出力信号を整
流し、必要に応じてレベル変換して得られる。第
２図は第１図に使用するトランジスタ１の利得Ｇ
とコレクタバイアス電流ICの関係を示すグラフ
である。第１図及び第２図からわかるように、
AGC端子９に印加する制御電圧ＶAGCを減少させ
ると、トランジスタ１のベース電圧が減少するた
めベース電流が減少し、それに伴いコレクタバイ
アス電流がIcoから減少してトランジスタ回路の
利得ＧはGoから減少する。
本発明の目的は第１図に示すような従来のリバ
ースAGC増幅装置のAGC感度即ち∂Ｇ／∂ＶＡＧＣよりも 大きな感度を有する改良型のリバースAGCトラ
ンジスタ増幅装置を提供することである。
ースAGC増幅装置のAGC感度即ち∂Ｇ／∂ＶＡＧＣよりも 大きな感度を有する改良型のリバースAGCトラ
ンジスタ増幅装置を提供することである。
本発明により廉価にして高感度のAGC回路を
備えた無線受信機を実現することが可能となる。
備えた無線受信機を実現することが可能となる。
本発明のトランジスタ増幅装置は例えばトラン
ジスタと、一端子が該トランジスタのエミツタま
たはコレクタ端子のいずれか一方に接続された
PINダイオードと、該PINダイオードと接続され
てない前記トランジスタのコレクタまたはエミツ
タ端子と前記PINダイオードの他の端子との間に
適当なインピーダンスを介して電圧を印加する電
源とを含み、前記電源の正電極より供給されるエ
ミツタまたはコレクタバイアス電流により、前記
PINダイオードを順方向に自動的に駆動して利得
制御を行なうものである。
ジスタと、一端子が該トランジスタのエミツタま
たはコレクタ端子のいずれか一方に接続された
PINダイオードと、該PINダイオードと接続され
てない前記トランジスタのコレクタまたはエミツ
タ端子と前記PINダイオードの他の端子との間に
適当なインピーダンスを介して電圧を印加する電
源とを含み、前記電源の正電極より供給されるエ
ミツタまたはコレクタバイアス電流により、前記
PINダイオードを順方向に自動的に駆動して利得
制御を行なうものである。
以下、本発明の詳細を実施例を用いて説明す
る。
る。
第３図は本発明の第１の実施例で、改良型リバ
ースAGC増幅装置等価回路図である。第３図に
おいて第１図と同じ番号のものは第１図と同じも
のであり、１２はPINダイオードである。一般に
PINダイオードは第４図に示すようにその順方向
バイアス電流ＩFを増加させれば高周波抵抗Ｒは
減少することが知られている。ここで、NPNト
ランジスタ１はエミツタ電流がPINダイオード１
２の順方向電流に等しくなるようにPINダイオー
ド１２と接続されているので、AGC端子９に印
加する利得制御電圧ＶAGCを変えることにより、
トランジスタ１のコレクタバイアス電流またはト
ランジスタのエミツタバイアス電流を、従つて同
時にPINダイオード１２の順方向バイアス電流を
変えることができる。もしも、ＶAGCを減らせ
ば、トランジスタ１のエミツタバイアス電流、従
つてPINダイオードの順方向バイアス電流ＩFが
ＩFOから減る。この時トランジスタ１の利得が減
るだけでなく、第４図よりPINダイオードの高周
波抵抗ＲはRoより大きくなるので増幅装置の帰
還量が増え、増幅装置の利得の低下は第１図に示
した従来のリバースAGC増幅装置の利得よりも
その低下は著しくなる。
ースAGC増幅装置等価回路図である。第３図に
おいて第１図と同じ番号のものは第１図と同じも
のであり、１２はPINダイオードである。一般に
PINダイオードは第４図に示すようにその順方向
バイアス電流ＩFを増加させれば高周波抵抗Ｒは
減少することが知られている。ここで、NPNト
ランジスタ１はエミツタ電流がPINダイオード１
２の順方向電流に等しくなるようにPINダイオー
ド１２と接続されているので、AGC端子９に印
加する利得制御電圧ＶAGCを変えることにより、
トランジスタ１のコレクタバイアス電流またはト
ランジスタのエミツタバイアス電流を、従つて同
時にPINダイオード１２の順方向バイアス電流を
変えることができる。もしも、ＶAGCを減らせ
ば、トランジスタ１のエミツタバイアス電流、従
つてPINダイオードの順方向バイアス電流ＩFが
ＩFOから減る。この時トランジスタ１の利得が減
るだけでなく、第４図よりPINダイオードの高周
波抵抗ＲはRoより大きくなるので増幅装置の帰
還量が増え、増幅装置の利得の低下は第１図に示
した従来のリバースAGC増幅装置の利得よりも
その低下は著しくなる。
第５図は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。第１の実施例が第１図のトランジスタ増幅装
置とPINダイオード１２が高周波的にシリーズ接
続されたトランジスタ増幅装置であるのに対して
この第２の実施例は、第１図のトランジスタ増幅
装置とPINダイオード１２が高周波的にカスケー
ド接続されたトランジスタ増幅装置である。しか
しながらこの実施例では、直流バイアス供給回路
では第１の実施例と同様にトランジスタ１のコレ
クターエミツタ間とPINダイオード１２とは電源
１１に対して直列に接続され、かつ電源１１から
供給される電流はPINダイオード１２の順方向電
流およびトランジスタ１のコレクタ電流として流
れるので、もしも、トランジスタ１のコレクタバ
イアス電流を、はじめの設定電流ＩCOから減らす
ようにAGC端子９に印加する制御電圧ＶAGCを小
さくすると、第２図、及び第４図からわかるよう
に高周波トランジスタ１の利得の低下およびPIN
ダイオードの高周波抵抗の増大に伴う高周波伝達
損失の増大によつて第５図に示すトランジスタ増
幅装置全体の利得の減少は著しくなる。従つて第
２の実施例においても一定のAGC制御電圧ＶAGC
の減少に対して換言すれば一定のコレクタ電流の
減少に対して、第１図に示す従来のリバース
AGC増幅装置に比べてPINダイオードによる伝達
損失分だけ利得の減少幅は大きい訳である。
る。第１の実施例が第１図のトランジスタ増幅装
置とPINダイオード１２が高周波的にシリーズ接
続されたトランジスタ増幅装置であるのに対して
この第２の実施例は、第１図のトランジスタ増幅
装置とPINダイオード１２が高周波的にカスケー
ド接続されたトランジスタ増幅装置である。しか
しながらこの実施例では、直流バイアス供給回路
では第１の実施例と同様にトランジスタ１のコレ
クターエミツタ間とPINダイオード１２とは電源
１１に対して直列に接続され、かつ電源１１から
供給される電流はPINダイオード１２の順方向電
流およびトランジスタ１のコレクタ電流として流
れるので、もしも、トランジスタ１のコレクタバ
イアス電流を、はじめの設定電流ＩCOから減らす
ようにAGC端子９に印加する制御電圧ＶAGCを小
さくすると、第２図、及び第４図からわかるよう
に高周波トランジスタ１の利得の低下およびPIN
ダイオードの高周波抵抗の増大に伴う高周波伝達
損失の増大によつて第５図に示すトランジスタ増
幅装置全体の利得の減少は著しくなる。従つて第
２の実施例においても一定のAGC制御電圧ＶAGC
の減少に対して換言すれば一定のコレクタ電流の
減少に対して、第１図に示す従来のリバース
AGC増幅装置に比べてPINダイオードによる伝達
損失分だけ利得の減少幅は大きい訳である。
以上説明したように本発明は高周波増幅用トラ
ンジスタのコレクターエミツタ間とPINダイオー
ドをバイアス電源に対して直列に接続し、PINダ
イオードに順方向電流を流すことによつて高周波
回路としてはPINダイオードの持つ高周波抵抗を
トランジスタの負帰還抵抗として利用したりまた
はトランジスタに対してカスケードに接続された
減衰器として利用して、トランジスタ増幅装置の
利得制御を高感度にしようとするものである。
ンジスタのコレクターエミツタ間とPINダイオー
ドをバイアス電源に対して直列に接続し、PINダ
イオードに順方向電流を流すことによつて高周波
回路としてはPINダイオードの持つ高周波抵抗を
トランジスタの負帰還抵抗として利用したりまた
はトランジスタに対してカスケードに接続された
減衰器として利用して、トランジスタ増幅装置の
利得制御を高感度にしようとするものである。
電界効果トランジスタもまたバイポーラトラン
ジスタと同様にドレインバイアス電流を小さくす
れば伝達コンダクタンスgmが下がる、即ち利得
が低下することが知られているので、これまで説
明してきた本発明のトランジスタ増幅装置で、
NPNトランジスタ１のかわりに電界効果トラン
ジスタを用い、コレクタ端子及びエミツタ端子を
それぞれドレイン端子及びソース端子におきかえ
て接続した増幅装置は、AGC制御電圧ＶAGCの印
加手段は多少異つても、本発明の主旨とするとこ
ろといささかも変らない。
ジスタと同様にドレインバイアス電流を小さくす
れば伝達コンダクタンスgmが下がる、即ち利得
が低下することが知られているので、これまで説
明してきた本発明のトランジスタ増幅装置で、
NPNトランジスタ１のかわりに電界効果トラン
ジスタを用い、コレクタ端子及びエミツタ端子を
それぞれドレイン端子及びソース端子におきかえ
て接続した増幅装置は、AGC制御電圧ＶAGCの印
加手段は多少異つても、本発明の主旨とするとこ
ろといささかも変らない。
更に、トランジスタがNPN型、PNP型、Ｎチ
ヤンネル及びＰチヤンネルにかかわらずまた、ト
ランジスタの接地方式にかかわらず、本発明の主
旨に沿つたトランジスタおよびPINダイオードの
バイアス電流の駆動と高周波増幅回路動作を可能
にし得ることは言うまでもない。
ヤンネル及びＰチヤンネルにかかわらずまた、ト
ランジスタの接地方式にかかわらず、本発明の主
旨に沿つたトランジスタおよびPINダイオードの
バイアス電流の駆動と高周波増幅回路動作を可能
にし得ることは言うまでもない。
本発明は、従来のリバースAGCトランジスタ
増幅装置にPINダイオードを少くとも一本追加し
ただけで、しかもPINダイオードに特別のバイア
ス駆動回路を要せず、高周波増幅用トランジスタ
のバイアス電流をそのままPINダイオードの駆動
電流として利用する、言わばPINダイオードにと
つてはオートバイアス回路となつているので、
AGC制御回路を簡単にして、PINダイオードを用
いない従来のリバースAGCトランジスタ増幅装
置に比べて高感度のリバースAGC増幅装置を提
供することができる。本発明のリバースAGC増
幅装置をテレビ、ラジオ、移動無線機等のRF
段、IF段に使用すれば廉価にして高感度のAGC
回路を有するセツトを作ることができる。
増幅装置にPINダイオードを少くとも一本追加し
ただけで、しかもPINダイオードに特別のバイア
ス駆動回路を要せず、高周波増幅用トランジスタ
のバイアス電流をそのままPINダイオードの駆動
電流として利用する、言わばPINダイオードにと
つてはオートバイアス回路となつているので、
AGC制御回路を簡単にして、PINダイオードを用
いない従来のリバースAGCトランジスタ増幅装
置に比べて高感度のリバースAGC増幅装置を提
供することができる。本発明のリバースAGC増
幅装置をテレビ、ラジオ、移動無線機等のRF
段、IF段に使用すれば廉価にして高感度のAGC
回路を有するセツトを作ることができる。
第１図は従来のリバースAGCトランジスタ増
幅装置の一例を示す等価回路図、第２図はトラン
ジスタの利得とコレクタバイアス電流の関係を示
すグラフ、第３図及び第５図はそれぞれ本発明の
改良型リバースAGCトランジスタ増幅装置の第
１及び第２の実施例を説明する等価回路図であ
り、第４図はPINダイオードの高周波抵抗と順方
向バイアス電流の関係を示すグラフである。 １……NPNトランジスタ、２，３……抵抗、
４……インピーダンス、５，６……高周波バイパ
ス用容量、７，８……抵抗５及び６の高周波接地
用容量、９，１０……利得制御端子、電源端子、
１１……電源、１２……PINダイオード（高周波
抵抗Ｒを有する。）
幅装置の一例を示す等価回路図、第２図はトラン
ジスタの利得とコレクタバイアス電流の関係を示
すグラフ、第３図及び第５図はそれぞれ本発明の
改良型リバースAGCトランジスタ増幅装置の第
１及び第２の実施例を説明する等価回路図であ
り、第４図はPINダイオードの高周波抵抗と順方
向バイアス電流の関係を示すグラフである。 １……NPNトランジスタ、２，３……抵抗、
４……インピーダンス、５，６……高周波バイパ
ス用容量、７，８……抵抗５及び６の高周波接地
用容量、９，１０……利得制御端子、電源端子、
１１……電源、１２……PINダイオード（高周波
抵抗Ｒを有する。）
Claims (1)
- １ ベース（もしくはゲート）に入力信号が供給
される増幅用トランジスタと、このトランジスタ
のコレクタ（もしくはドレイン）又はエミツタ
（もしくはソース）側に直列接続されて前記トラ
ンジスタのバイアス電流で順方向バイアスが与え
られるPINダイオードと、前記PINダイオードが
エミツタ（もしくはソース）側に接続された前記
トランジスタのコレクタ（もしくはドレイン）側
又は前記トランジスタのコレクタ（もしくはドレ
イン）側に接続された前記PINダイオードの前記
トランジスタとは反対の側から出力を得る手段
と、前記出力に応じて利得制御電圧を得る手段
と、前記トランジスタのベース（もしくはゲー
ト）に前記入力信号とともに前記利得制御電圧を
与える手段とを有することを特徴とするトランジ
スタ増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7245477A JPS546750A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Transistor amplifying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7245477A JPS546750A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Transistor amplifying device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS546750A JPS546750A (en) | 1979-01-19 |
| JPS6160607B2 true JPS6160607B2 (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=13489754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7245477A Granted JPS546750A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Transistor amplifying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS546750A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4275362A (en) | 1979-03-16 | 1981-06-23 | Rca Corporation | Gain controlled amplifier using a pin diode |
| JPS5734614U (ja) * | 1980-07-30 | 1982-02-23 | ||
| JPS60145218A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ダウンコイラ用サイド・ガイドの制御方法 |
-
1977
- 1977-06-17 JP JP7245477A patent/JPS546750A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS546750A (en) | 1979-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6864751B1 (en) | Transimpedance amplifier with adjustable output amplitude and wide input dynamic-range | |
| US4704738A (en) | Transistor amplifier and mixer input stage for a radio receiver | |
| JP2005512376A (ja) | 電流ミラー回路を使用するバイアス補償を有する増幅器 | |
| EP0448951B1 (en) | Low-noise amplifier with high input impedance, particularly for microphones | |
| US4901031A (en) | Common-base, source-driven differential amplifier | |
| JPH05259765A (ja) | 高周波高出力増幅装置 | |
| US6239659B1 (en) | Low power gain controlled amplifier with high dynamic range | |
| US4366450A (en) | Automatic gain control circuit | |
| US4041409A (en) | Automatic gain control circuit | |
| US4063185A (en) | Direct coupling type power amplifier circuit | |
| US4255716A (en) | Automatic gain control circuit | |
| US5694069A (en) | Variable resistor and gain control circuit and integrated circuit having the variable resistor | |
| US4088963A (en) | Gain control circuit | |
| US4243947A (en) | Radio frequency amplifier with gain control | |
| US6710657B2 (en) | Gain control circuit with well-defined gain states | |
| JP3116884B2 (ja) | 光受信器用トランスインピーダンスアンプ | |
| JPS6160607B2 (ja) | ||
| US20020180521A1 (en) | Method and apparatus for improved power control of radio frequency power amplifiers | |
| US3764931A (en) | Gain control circuit | |
| US4112387A (en) | Bias circuit | |
| JP2570878B2 (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| US3873932A (en) | Gain control circuit having variable impedance to determine circuit gain and to control minimum gain | |
| US6859105B2 (en) | Variable gain control circuit and integrated circuit device having the same | |
| JP2004512724A (ja) | 積重ねられた電流駆動電流ドライバを有する増幅器 | |
| JPH0548348A (ja) | 電力増幅回路 |