JPS6158884A - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
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- JPS6158884A JPS6158884A JP18243584A JP18243584A JPS6158884A JP S6158884 A JPS6158884 A JP S6158884A JP 18243584 A JP18243584 A JP 18243584A JP 18243584 A JP18243584 A JP 18243584A JP S6158884 A JPS6158884 A JP S6158884A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
この発明は、■−Ｖ族等の化合物半導体、とくにＱａＡ
ｓの単結晶をチョクラルスキー法にて引上げる際に用い
て好適な、単結晶の育成方法に関する。
ｓの単結晶をチョクラルスキー法にて引上げる際に用い
て好適な、単結晶の育成方法に関する。
（従来技術）
ＧａＡｓ単結晶は、同程度の寸法精度で比較した場合、
Ｓｉ単結晶より電子移動度の大きなことから、電子材料
としてその需要が増大している。このＧａＡｓ単結晶を
得る方法としては水平ブリッジマン法が良く知られてい
るが１石英ポートや石英封管からの不純物汚染の問題や
、育成された結晶の断面形状が円形とならない等の問題
があるため、最近ではこれをチョクラルスキー法で育成
することがさかんに試みられている。
Ｓｉ単結晶より電子移動度の大きなことから、電子材料
としてその需要が増大している。このＧａＡｓ単結晶を
得る方法としては水平ブリッジマン法が良く知られてい
るが１石英ポートや石英封管からの不純物汚染の問題や
、育成された結晶の断面形状が円形とならない等の問題
があるため、最近ではこれをチョクラルスキー法で育成
することがさかんに試みられている。
このチョクラルスキー法による場合には、水平ブリッジ
マン法による場合に比して高純度の単結晶を得られるが
、結晶の完全性の点で問題があり、より転位密度の小さ
な結晶を得るべく、種々の研究開発が日夜重ねられてい
るところである。
マン法による場合に比して高純度の単結晶を得られるが
、結晶の完全性の点で問題があり、より転位密度の小さ
な結晶を得るべく、種々の研究開発が日夜重ねられてい
るところである。
この転位があると、この材料を用いた半導体デバイスの
電気的、光学的特性が悪くなったり、異常を示すことが
よく知られている。このような転位は、素子製作のプロ
セスで発生する場合もあるが、基板となるＧａＡｓ単結
晶中に始めから存在しているものが大多数である。この
基板中に存在する転位は、主として単結晶の製造時にお
ける熱歪によって発生するが、この熱歪は結晶内部に、
例えば炉体内を高圧の不活性ガス雰囲気とした場合に生
ずる不活性ガスの対流によって生ずる急激な温度勾配が
原因となる場合もあるが、原料融液中に生ずる熱対流に
よって、固溶界面の温度分布が不均一となることがその
大きな原因であるとされている。そこで、この熱対流を
防止するために、単結晶引上げに際して原料融液の表面
より下方位置に引上単結晶より若干大の直径を有する熱
対流防止板を浮かべる技術が開発された。この技術はと
くに原料融液中に生ずる中央より外側へ向けての熱対流
に対しては、有効性が認められるものの、外側より中央
に向けての熱対流に対しては必ずしも充分な防止効果を
得られないという欠点があった。
電気的、光学的特性が悪くなったり、異常を示すことが
よく知られている。このような転位は、素子製作のプロ
セスで発生する場合もあるが、基板となるＧａＡｓ単結
晶中に始めから存在しているものが大多数である。この
基板中に存在する転位は、主として単結晶の製造時にお
ける熱歪によって発生するが、この熱歪は結晶内部に、
例えば炉体内を高圧の不活性ガス雰囲気とした場合に生
ずる不活性ガスの対流によって生ずる急激な温度勾配が
原因となる場合もあるが、原料融液中に生ずる熱対流に
よって、固溶界面の温度分布が不均一となることがその
大きな原因であるとされている。そこで、この熱対流を
防止するために、単結晶引上げに際して原料融液の表面
より下方位置に引上単結晶より若干大の直径を有する熱
対流防止板を浮かべる技術が開発された。この技術はと
くに原料融液中に生ずる中央より外側へ向けての熱対流
に対しては、有効性が認められるものの、外側より中央
に向けての熱対流に対しては必ずしも充分な防止効果を
得られないという欠点があった。
これに対して、引上単結晶の直径より大きく、ルツボの
内径より若干小の対流防止板を原料融液の表面より下方
位置に浮力によって浮べ、原料融液を対流防止板に設け
た細孔、或いは対流防止板の外周とルツボの内周との間
隙より原料融液を対流防止板の上方へ導く技術があるが
、ｆＸ 、ｔ４融液に粘性がある場合には、細孔及び間
隙から上手く原料融液が浸透せず、引上げに時間を要す
る他、うっかりしていると単結晶引上げ部分に原料融液
の不足をきたすという問題もあった。
内径より若干小の対流防止板を原料融液の表面より下方
位置に浮力によって浮べ、原料融液を対流防止板に設け
た細孔、或いは対流防止板の外周とルツボの内周との間
隙より原料融液を対流防止板の上方へ導く技術があるが
、ｆＸ 、ｔ４融液に粘性がある場合には、細孔及び間
隙から上手く原料融液が浸透せず、引上げに時間を要す
る他、うっかりしていると単結晶引上げ部分に原料融液
の不足をきたすという問題もあった。
（技術的課題）
したがって、この発明においては、原料融液の熱対流が
単結晶引上部分、つまり固溶界面に影響を及ぼすのを完
全に防止できる他、隔板の外周とルツボの内壁との間に
設けた間隙を介して原料融液が過不足なくスムーズに固
溶界面上へ送り込まれるようにすることを技術的課題と
する。
単結晶引上部分、つまり固溶界面に影響を及ぼすのを完
全に防止できる他、隔板の外周とルツボの内壁との間に
設けた間隙を介して原料融液が過不足なくスムーズに固
溶界面上へ送り込まれるようにすることを技術的課題と
する。
（技術的手段）
上記した技術的課題を達成するためにこの発明は、原料
融液から単結晶を引上げるに当り、該原料融液の表面よ
り下方の所定位置にルツボの内径より若干小の外径を有
し、かつ少なくとも外周に単数または複数の液切式を設
けた隔板を上下動自在に浮かべ、単結晶の引上げの間中
前記ルツボ、及び又は隔板を回転させつつ原料融液を前
記隔板の下面より上方へ導き、かつ前記隔板が前記原料
融液の表面から所定間隔を保つようにしたものである。
融液から単結晶を引上げるに当り、該原料融液の表面よ
り下方の所定位置にルツボの内径より若干小の外径を有
し、かつ少なくとも外周に単数または複数の液切式を設
けた隔板を上下動自在に浮かべ、単結晶の引上げの間中
前記ルツボ、及び又は隔板を回転させつつ原料融液を前
記隔板の下面より上方へ導き、かつ前記隔板が前記原料
融液の表面から所定間隔を保つようにしたものである。
また、隔板からの汚染を防止するために、該隔板をＡｌ
１ ０３ 、 Ｓｉ３ Ｎ４ 、 ＢＮ、或いはＰＢ
Ｘ等で構成すると共に、隔板を上下動可能に垂下させた
複数の移動棒で上から押さえ、或いは固着させるように
したものである。さらに、隔板自身の所定位ＩＩｒＬを
維持させるためにルツボを上下動させるものである。
１ ０３ 、 Ｓｉ３ Ｎ４ 、 ＢＮ、或いはＰＢ
Ｘ等で構成すると共に、隔板を上下動可能に垂下させた
複数の移動棒で上から押さえ、或いは固着させるように
したものである。さらに、隔板自身の所定位ＩＩｒＬを
維持させるためにルツボを上下動させるものである。
（作用）
したがって、この発明は上記のごとくに構成することに
よって、原料融液中に発生する熱対流が固溶界面に影響
を及ぼすことがなく、この領域の温度変動及び温度分布
を平坦な均一なものとすることができる他、液体封止剤
を介しての熱輻射をも極力押さえることができることに
より、熱歪が生ずるのを可及的に防止することができる
他、原料融液をスムーズに隔板上面へ導くことができる
ものである。
よって、原料融液中に発生する熱対流が固溶界面に影響
を及ぼすことがなく、この領域の温度変動及び温度分布
を平坦な均一なものとすることができる他、液体封止剤
を介しての熱輻射をも極力押さえることができることに
より、熱歪が生ずるのを可及的に防止することができる
他、原料融液をスムーズに隔板上面へ導くことができる
ものである。
（実施例１）
図面に依ればｔＪＳ１図において、１は例えば電気炉体
、２は軸方向に四分割された発熱体２ａ、２ｂ、２ｃ、
２ｄから成る加熱手段である。この加熱手段２の中心部
には１回転及び昇降自在に炉体１内へ機密に挿入された
ルツボ支持ＪＰ！５３上に載置固定されえばグラファイ
ト製の外ルツボ４ａと石英製の内ルツボ４ｂから成り、
その内部に例えばＧａＡｓの原料融液５を収納させてい
る。このＧａＡｓの原料融液の上面には、例えば８２０
３等の液体封止剤６が比重の関係で浮かべられている。
、２は軸方向に四分割された発熱体２ａ、２ｂ、２ｃ、
２ｄから成る加熱手段である。この加熱手段２の中心部
には１回転及び昇降自在に炉体１内へ機密に挿入された
ルツボ支持ＪＰ！５３上に載置固定されえばグラファイ
ト製の外ルツボ４ａと石英製の内ルツボ４ｂから成り、
その内部に例えばＧａＡｓの原料融液５を収納させてい
る。このＧａＡｓの原料融液の上面には、例えば８２０
３等の液体封止剤６が比重の関係で浮かべられている。
ルツボ４上部からは炉体ｌを機密に貫通して回転及び昇
降自在に構成された単結晶引上棒７が垂下されており、
その先端に取りつけられた桂結晶８からは、先端を液体
封止剤６を介して原料融液５中に浸漬させた単結晶が育
成されつつある。
降自在に構成された単結晶引上棒７が垂下されており、
その先端に取りつけられた桂結晶８からは、先端を液体
封止剤６を介して原料融液５中に浸漬させた単結晶が育
成されつつある。
そして、原料融液５の上面より下方の所定位置には、隔
板９が上方より炉体１をａｖ、にπ通して挿入された、
例えば（ＢＮ）製の移動を害世１て押さえつけられるこ
とにより浮かべられている。
板９が上方より炉体１をａｖ、にπ通して挿入された、
例えば（ＢＮ）製の移動を害世１て押さえつけられるこ
とにより浮かべられている。
この隔板９は、例えばＡｆＬ２０３（アルミナ）、５ｉ
ａＮａ（窒化シリコン） 、 ＢＮ （ポロンナイトラ
イド）、或いはＰＢＮ （パイロリティックポロンナ
イトライド）製のもので、内ルツボ４ｂより若干小さめ
の外径を有し、その外周より上方に向けて波形状を呈し
たに複数の凹凸部から成る液切ｙ！９ａを設けてあり、
この液切ＴｊｌＦＪａを設けた外周と内ルツボ４ｂの内
壁との間には、小さな間隙ｌＯが設けられている。
ａＮａ（窒化シリコン） 、 ＢＮ （ポロンナイトラ
イド）、或いはＰＢＮ （パイロリティックポロンナ
イトライド）製のもので、内ルツボ４ｂより若干小さめ
の外径を有し、その外周より上方に向けて波形状を呈し
たに複数の凹凸部から成る液切ｙ！９ａを設けてあり、
この液切ＴｊｌＦＪａを設けた外周と内ルツボ４ｂの内
壁との間には、小さな間隙ｌＯが設けられている。
したがって、単結晶引上げ中に隔板９より下方れ、この
隔板９より上の固溶界面領域へ影響を及ぼすことがない
、第３図はこの隔板９を用いた場を例えば１４００℃と
し、発熱体２ｄの温度を１２００℃とした場合、この隔
板９がある場合には、ない場合に比して温度勾配はルツ
ボ４内底部で約３０℃高く維持でき、一方、原料融液５
の表面では逆に３０°Ｃ低く維持でき、液体封止剤の上
面ではさらに約４０°Ｃ低く維持できた。
隔板９より上の固溶界面領域へ影響を及ぼすことがない
、第３図はこの隔板９を用いた場を例えば１４００℃と
し、発熱体２ｄの温度を１２００℃とした場合、この隔
板９がある場合には、ない場合に比して温度勾配はルツ
ボ４内底部で約３０℃高く維持でき、一方、原料融液５
の表面では逆に３０°Ｃ低く維持でき、液体封止剤の上
面ではさらに約４０°Ｃ低く維持できた。
そして、とくに、固溶界面の単結晶育成領域にほとんど
ない平坦な安定した温度分布を示した。
ない平坦な安定した温度分布を示した。
他方、隔板９の外周上方に設けた液切翼９ａはルツボ４
の回転につれて隔板９下方の原料融液を外周に生じた間
隙ｌＯより該隔板９上面へ導き、さらに若干温度の高い
原料融液を周辺より中央部の単結晶育成領域へ導く作用
を果たすので、特別な操作上の工夫を凝らさなくとも常
に過不足なく原料融液が単結晶育成領域へ補充されると
共に、原料融液が中央部へ導かれる間に若干の温度低下
をきたし、単結晶育成領域の温度分布を乱すことを極力
押さえることができることが解った。
の回転につれて隔板９下方の原料融液を外周に生じた間
隙ｌＯより該隔板９上面へ導き、さらに若干温度の高い
原料融液を周辺より中央部の単結晶育成領域へ導く作用
を果たすので、特別な操作上の工夫を凝らさなくとも常
に過不足なく原料融液が単結晶育成領域へ補充されると
共に、原料融液が中央部へ導かれる間に若干の温度低下
をきたし、単結晶育成領域の温度分布を乱すことを極力
押さえることができることが解った。
この発明は、原料融液を収納したルツボ４の内ルツボ４
ｂの内壁との間に若干の間隙ｌＯを設けて浮かべた隔板
９によって、該隔板９より下方の領域に発生する熱対流
が結晶育成中の固溶界面領域に影響を及ぼすことを皆無
とすることができるので、この固溶界面領域での温度の
変動を極めて小さく押さえることができる他、ルツボ４
上部に向けての温度勾配も従来のものに比べて大きくな
っており、これは液体封止剤６を通しての輻射熱が減少
することを意味し、この面から転位が生ずるのを可及的
に防止できるものである。
ｂの内壁との間に若干の間隙ｌＯを設けて浮かべた隔板
９によって、該隔板９より下方の領域に発生する熱対流
が結晶育成中の固溶界面領域に影響を及ぼすことを皆無
とすることができるので、この固溶界面領域での温度の
変動を極めて小さく押さえることができる他、ルツボ４
上部に向けての温度勾配も従来のものに比べて大きくな
っており、これは液体封止剤６を通しての輻射熱が減少
することを意味し、この面から転位が生ずるのを可及的
に防止できるものである。
さらに、この発明は、隔板９の外周とルツボ４内壁との
間隙１０を小さくしても、隔板９或いはルツボ４の回転
と該隔板９の外周に波状に設けた凹凸状の液切ｉ９ａに
よって隔板９下方の原料融液を上面へスムーズに導くこ
とができるので、隔板９に設けた細孔、或いは隔板とル
ツボ内壁との間に設けた単なる間隙より原料融液を浸透
させるものよりは、引上げに時間を要することがなく、
かつ隔板９の上面に原料融液の不足をきたす心配もない
。
間隙１０を小さくしても、隔板９或いはルツボ４の回転
と該隔板９の外周に波状に設けた凹凸状の液切ｉ９ａに
よって隔板９下方の原料融液を上面へスムーズに導くこ
とができるので、隔板９に設けた細孔、或いは隔板とル
ツボ内壁との間に設けた単なる間隙より原料融液を浸透
させるものよりは、引上げに時間を要することがなく、
かつ隔板９の上面に原料融液の不足をきたす心配もない
。
この液切式９ａは、凹部の代わりに透孔を設けても良く
、隔板の外局上面方向以外にも外周の半径方向に設けら
れても良い、また、凹凸部或いは透孔のヘリに刃を設け
るとより液切効果は増大すると共に、液切式の形状、構
造によっては、単結晶の育成を促進する原料融液の攪拌
効果が出てくるものである。
、隔板の外局上面方向以外にも外周の半径方向に設けら
れても良い、また、凹凸部或いは透孔のヘリに刃を設け
るとより液切効果は増大すると共に、液切式の形状、構
造によっては、単結晶の育成を促進する原料融液の攪拌
効果が出てくるものである。
（実施例２）
第１図乃至第２図に示した装置を用いて、ＧａＡｓ単結
晶を引上げた。
晶を引上げた。
まず、内径が８０ａ＋／ｍ深さ１００ｍ／ｒａを有する
ルツボ４内へＧａＡｓ多結晶を １．７００ｇ、その上
に ８２０３を３００ｇ入れ、さらにその上面に隔板９
を置いた。隔板９はＢＮ製のものを用いた。
ルツボ４内へＧａＡｓ多結晶を １．７００ｇ、その上
に ８２０３を３００ｇ入れ、さらにその上面に隔板９
を置いた。隔板９はＢＮ製のものを用いた。
次いで、ルツボ４を加熱手段２内に置き、炉体１内部を
真空排気させた後、炉体ｌをアルゴン等の不活性ガスで
百気圧まで加圧し、発熱体２ａ、２ｂ、 ２Ｃ１４００
℃にまで昇温させ、発熱体２ｄを１２００°Ｃにまで昇
温させてＧａＡｓを溶融させた。すると、まず、Ｂ２Ｏ
２が溶け、次いでＧａＡｓ多結晶が溶けて隔板９は比重
の関係で約１１ｍ／ｍの厚さとなったＢ２Ｏ３の下で、
かつ原料融液５上へ浮かんだ状態となった。この状態を
図示してない覗き眼鏡で見ていて溶融を確認し、次いで
、上方より移動棒を垂下させて隔板９を原料融液５中へ
埋没させ、その表面より下方の隔板９の上面と８２０３
の下面との間が約１７ｍ／ｍとなる位置にまで沈めた。
真空排気させた後、炉体ｌをアルゴン等の不活性ガスで
百気圧まで加圧し、発熱体２ａ、２ｂ、 ２Ｃ１４００
℃にまで昇温させ、発熱体２ｄを１２００°Ｃにまで昇
温させてＧａＡｓを溶融させた。すると、まず、Ｂ２Ｏ
２が溶け、次いでＧａＡｓ多結晶が溶けて隔板９は比重
の関係で約１１ｍ／ｍの厚さとなったＢ２Ｏ３の下で、
かつ原料融液５上へ浮かんだ状態となった。この状態を
図示してない覗き眼鏡で見ていて溶融を確認し、次いで
、上方より移動棒を垂下させて隔板９を原料融液５中へ
埋没させ、その表面より下方の隔板９の上面と８２０３
の下面との間が約１７ｍ／ｍとなる位置にまで沈めた。
次いで、単結晶引上棒７を降下させてその先端に取りつ
けた妊結晶８をＢ２Ｏ３を通して原料融液５中へ浸漬さ
せ、これを約８ｒｐｍで回転させてなじませると共に、
ルツボを逆方向へ同じくａｒｐｌｌｌで回転させ、約１
５ｎ＋ｍ／Ｈｒの速度で（１１１）方向へ引き上げた。
けた妊結晶８をＢ２Ｏ３を通して原料融液５中へ浸漬さ
せ、これを約８ｒｐｍで回転させてなじませると共に、
ルツボを逆方向へ同じくａｒｐｌｌｌで回転させ、約１
５ｎ＋ｍ／Ｈｒの速度で（１１１）方向へ引き上げた。
この引上げのＩＭｌを通じて隔板９は移動棒ｌ【。
１１．１１によって下方へ移動させられ、原料融液表面
との間が常に一定間隔を保つよう維持された。
との間が常に一定間隔を保つよう維持された。
得られたＧａＡｓ単結晶は直径５０＋ｍ／長さ２５ｈ／
ｍで、エッチビット密度も外周から１０！Ｉ／Ｉ１１の
部分で１．２Ｘ１０４ｉｃｊ、外周から１５ｍ／ｌ テ
４．２ Ｘ １０３８、さらには外周から２０ｍ／ｍで
６．７ Ｘ１０４ＥＺであった。これは、水平ブリッジ
マン法で育成したものに較べても、転位等の欠陥の極め
て少ないもので、この発明方法による単結晶育成方法は
極めて優れていることが解った。
ｍで、エッチビット密度も外周から１０！Ｉ／Ｉ１１の
部分で１．２Ｘ１０４ｉｃｊ、外周から１５ｍ／ｌ テ
４．２ Ｘ １０３８、さらには外周から２０ｍ／ｍで
６．７ Ｘ１０４ＥＺであった。これは、水平ブリッジ
マン法で育成したものに較べても、転位等の欠陥の極め
て少ないもので、この発明方法による単結晶育成方法は
極めて優れていることが解った。
尚、上述した実施例ではＧａＡｓ単結晶引上げの場合に
つき説明したが、この発明方法は、他の化合物半導体、
例えばＳ！、 Ｇｅ、 ＧａＰ 、 ＩａＰ等の単結晶
引上げにも同様に実施し得ることは勿論である。
つき説明したが、この発明方法は、他の化合物半導体、
例えばＳ！、 Ｇｅ、 ＧａＰ 、 ＩａＰ等の単結晶
引上げにも同様に実施し得ることは勿論である。
また、隔板は上方より移動棒で押さえるものと、移動棒
と隔板とを一体に固定させてしまうものとがあるが、前
者は隔板は予じめルツボ内へ収納されていることから覗
き眼鏡の取付位置によってもこれの視界の邪魔とならな
いという利点があるが、隔板がルツボ内に残って残留原
料融液と共に固まってしまうので、−製造工程毎に無駄
となるという欠点があり、後者は溶融前にはルツボ外へ
隔板を引上げておくことを要することから、覗き眼鏡の
取付位置によってはその視界が妨げられるという欠点が
あるが、引上げが終了したらこれをルツボ外へ引上げて
おくことができるので隔板を何回も使用できるという利
点がある。
と隔板とを一体に固定させてしまうものとがあるが、前
者は隔板は予じめルツボ内へ収納されていることから覗
き眼鏡の取付位置によってもこれの視界の邪魔とならな
いという利点があるが、隔板がルツボ内に残って残留原
料融液と共に固まってしまうので、−製造工程毎に無駄
となるという欠点があり、後者は溶融前にはルツボ外へ
隔板を引上げておくことを要することから、覗き眼鏡の
取付位置によってはその視界が妨げられるという欠点が
あるが、引上げが終了したらこれをルツボ外へ引上げて
おくことができるので隔板を何回も使用できるという利
点がある。
また、移防棒はこれが一本であると、隔板が不安定とな
るので、複数本であることが望ましいことが解った。
るので、複数本であることが望ましいことが解った。
（効果）
この発明は単結晶引上中の熱歪の発生を極力防止できる
ので、これが原因となる転位を押さえ、より格子欠陥の
少ない単結晶を得ることができる他、ルツボ内径にほぼ
達する隔板を用いても原料融液をスムーズに隔板上面へ
導くことができ、さらに原料融液の攪拌効果も生ずるこ
とから、単結晶引上げに余分な時間を要しないという効
果を奏する。
ので、これが原因となる転位を押さえ、より格子欠陥の
少ない単結晶を得ることができる他、ルツボ内径にほぼ
達する隔板を用いても原料融液をスムーズに隔板上面へ
導くことができ、さらに原料融液の攪拌効果も生ずるこ
とから、単結晶引上げに余分な時間を要しないという効
果を奏する。
ｇ４１図はこの発明を概略的に示す説明図であり、第２
図は隔板の斜視図、第３図は隔板を使用した場合と使用
しない場合の温度変動を説明するための模式図である。 １・・・電気炉体 ２・・・加熱手段３・九・ル
ツボ支持棒 ４φ・・ルツボ５・・Φ原料融液
６・・・液体封止剤７・・・単結晶引上棒 ８・・
・種結晶９・・・隔板 ９ａ・・・液切翼第
１ 図゛ 第 ２ 肉
図は隔板の斜視図、第３図は隔板を使用した場合と使用
しない場合の温度変動を説明するための模式図である。 １・・・電気炉体 ２・・・加熱手段３・九・ル
ツボ支持棒 ４φ・・ルツボ５・・Φ原料融液
６・・・液体封止剤７・・・単結晶引上棒 ８・・
・種結晶９・・・隔板 ９ａ・・・液切翼第
１ 図゛ 第 ２ 肉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）原料融液から単結晶を引上げるに当り、該原料融
液の表面より下方の所定位置にルツボの内径よリ若干小
の外径を有し、かつ少なくとも外周に単数または複数の
液切翼を設けた隔板を上下動自在に浮かべ、単結晶の引
上げの間中前記ルツボ、及び又は隔板を回転させつつこ
の隔板が前記原料融液の表面から所定間隔を保つよう維
持させることを特徴とする、単結晶の育成方法。 （２）液切翼が隔板の外周の少なくとも上方へ波状に設
けた凹凸であることを特徴とする、特許請求の範囲第１
項記載の単結晶の育成方法。 （３）液切翼が隔板の外周上方に設けた周壁とこの周壁
に設けられた透孔であることを特徴とする、特許請求の
範囲第１項記載の単結晶の育成方法。 （４）液切翼が隔板の円周方向に設けた凹凸であること
を特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の単結晶の育
成方法。 （５）液切翼が隔板の少なくとも外周部分に設けられた
透孔であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記
載の単結晶の育成方法。 （８）液切翼が凹凸または透孔部のへりに刃をつけたも
のであることを特徴とする、特許請求の範囲第２項乃至
第５項記載の単結晶の育成方法。 （７）隔板がＡｌ＿２Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＢＮ、
或いはＰＢＮ製であることを特徴とする、特許請求の範
囲第１項記載の単結晶の育成方法。 （８）隔板がルツボ上部より上下動可能に垂下された複
数の移動棒によって押圧されつつ移動制御されることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の単結晶の育成
方法。 （９）隔板がルツボ上部より上下動可能に垂下された移
動棒に固着されていることを特徴とする、特許請求の範
囲第１項記載の単結晶の育成方法。 （１０）単結晶を引上げる間中隔板のルツボ内における
所定位置を維持させるためにルツボを移動させることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の単結晶の育成
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18243584A JPS6158884A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 単結晶の育成方法 |
| DE8484111305T DE3480721D1 (de) | 1984-08-31 | 1984-09-21 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen. |
| EP84111305A EP0173764B1 (en) | 1984-08-31 | 1984-09-21 | Single crystal growing method and apparatus |
| US06/675,409 US4874458A (en) | 1984-08-31 | 1984-11-27 | Single crystal growing method having improved melt control |
| US07/102,373 US4832922A (en) | 1984-08-31 | 1987-09-29 | Single crystal growing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18243584A JPS6158884A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158884A true JPS6158884A (ja) | 1986-03-26 |
| JPH0223519B2 JPH0223519B2 (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=16118216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18243584A Granted JPS6158884A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158884A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182436A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-10-17 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | ホトサ−モグラフイツク要素 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18243584A patent/JPS6158884A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182436A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-10-17 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | ホトサ−モグラフイツク要素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223519B2 (ja) | 1990-05-24 |
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