JPS6158415A - Conduit bus - Google Patents

Conduit bus

Info

Publication number
JPS6158415A
JPS6158415A JP17919084A JP17919084A JPS6158415A JP S6158415 A JPS6158415 A JP S6158415A JP 17919084 A JP17919084 A JP 17919084A JP 17919084 A JP17919084 A JP 17919084A JP S6158415 A JPS6158415 A JP S6158415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
conduit
busbar
semiconductor resistor
resistivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17919084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
正広 花井
保 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP17919084A priority Critical patent/JPS6158415A/en
Publication of JPS6158415A publication Critical patent/JPS6158415A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Installation Of Bus-Bars (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 し発明の技術分野] 本発明は、特に急しゅん波サージ電圧を減衰させる特性
を備えた管路母線に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a conduit bus bar having a characteristic of attenuating, in particular, sudden wave surge voltage.

[発明の技術的背景とその問題点] 近年S F、ガス絶縁義器を使用した変電所(又は開閉
装置)の発達はめざましく、当初の66kVクラスから
現在では500kvクラスまで実用化されている。S 
Fbガス絶縁変電所は敷地が縮少化できる、安全性が高
い、保守が容易なと多くの利点があるので、今後もます
ます発展を続けると思われる。
[Technical background of the invention and its problems] In recent years, substations (or switchgears) using SF and gas-insulated devices have made remarkable progress, and have been put into practical use from the original 66 kV class to the 500 kV class at present. S
Fb gas insulated substations have many advantages such as being able to reduce the size of the site, being highly safe, and being easy to maintain, so they are expected to continue to develop in the future.

この様なS F6ガス絶縁変電所において、変電所を構
成する主な義器であるS F&ガス絶絶縁開開装置し一
15断器や断路器の開閉の動作がおこなわれて回路が切
り離されたり、つながれたりする時、その電極間に放電
が生じる。この放電によって発生するサージ電圧は、時
には定格の2倍以上になることもあり、かつ第1波の波
高値に至る時間は、100 n3以下の高周波の振動波
になる。しかも管路母線のように中心導体を母線ダクト
で同心的に囲む同軸1i、5造のものでは、周波数特性
がきわめて良く、1GH,までの周波数の電圧をほとん
ど減衰させることなく伝搬させるため、サージは減衰せ
ずにそのままブッシングや変圧器など、ガス絶縁開閉装
置に接続された機器に達するものである。
In such an SF6 gas insulated substation, the SF & gas insulated switchgear, which is the main equipment that makes up the substation, opens and closes the disconnector and disconnector to disconnect the circuit. When the electrodes are connected or connected, a discharge occurs between the electrodes. The surge voltage generated by this discharge is sometimes more than twice the rated value, and the time it takes to reach the peak value of the first wave becomes a high-frequency vibration wave of 100 n3 or less. Moreover, the coaxial 1i, 5-structure type, in which the center conductor is concentrically surrounded by a bus duct like a conduit busbar, has extremely good frequency characteristics and can propagate voltages up to 1GH frequency with almost no attenuation, making it possible to prevent surges. The signal reaches equipment connected to gas-insulated switchgear, such as bushings and transformers, without being attenuated.

次にこのような高周波電圧が池の別器におよぼす影響を
変圧器を例にとって説明する。第3図は従来のGIS型
変電所における典型的な例として、ガス絶縁開閉装置に
接続された変圧器の接続状態をあられす一例の組立断面
略図である。変圧器TRは、鉄心1に巻線2を巻いた変
圧器中身を絶縁油とともにタンク3内に収納し、絶縁油
を冷却するクーラ4および油劣化を防止するコンサベー
タ5を附属させて促成されている。その巻線2の高圧リ
ード線6は、油ダクl−7を通してギャップレス避雷器
11に尋かれ、ざらに油/ガスブッシング8からS F
bガス管路母線ダクト9の高圧中心導体10を介して図
示しないS Fbガス開閉装置へ接続されている。
Next, the effect of such high frequency voltage on the separate parts of the pond will be explained using a transformer as an example. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a typical example of a conventional GIS substation, showing the connection state of a transformer connected to a gas-insulated switchgear. The transformer TR is constructed by storing the contents of the transformer, in which a winding 2 is wound around an iron core 1, together with insulating oil in a tank 3, and attaching a cooler 4 for cooling the insulating oil and a conservator 5 for preventing oil deterioration. ing. The high voltage lead wire 6 of its winding 2 is passed through the oil duct l-7 to the gapless arrester 11 and roughly from the oil/gas bushing 8 to the S F
It is connected to an S Fb gas switchgear (not shown) via a high-voltage central conductor 10 of the b gas pipe busbar duct 9.

さて、このような構成において、開閉装置が動作した場
合は、極めて立ち上り峻度の高い高周波サージが発生し
、この高周波サージが管路母線を通って変圧器に印加さ
れる。この様な波頭峻度の高い高周波サージに対する変
圧器の巻線の応答は次の如くである。変圧器巻線として
秀れた耐インパルス電圧特性をもつ第4図に示すハイセ
ルキャップ円板巻線2を使用した場合について説明する
Now, in such a configuration, when the switchgear operates, a high-frequency surge with an extremely high rise is generated, and this high-frequency surge is applied to the transformer through the conduit busbar. The response of the transformer winding to such a high frequency surge with a high wave front steepness is as follows. A case will be described in which the high cell cap disk winding 2 shown in FIG. 4, which has excellent impulse voltage resistance characteristics, is used as a transformer winding.

ハイセルキャップ円板巻線に急峻波の高周波サージ電圧
が印加されると、ハイセルキャップ巻線は直列静電容O
が大きい為、電位分布は良くなりそうであるが、実際に
は異なる。即ち第4図において、直列静電容量は、電圧
が第一段の第一のターンとそれに第二段の合計のターン
N=16の半分N/2=8を加えた次のターンに印加さ
れて始めて形成されるものである。ところが急峻波サー
ジ電圧になると第一のターンに入来した電圧波がN/2
を加えた隣のターンに到達する前に第一のターンで波高
値に達することになる。この様に急峻なサージ電圧に対
しては、ハイセルキャップ円板巻線のねらいである電位
分布の数倍は無意味になる。この無意味になる境界は巻
線の電圧d5よび容量によって異なるが、第−波の負の
波高値に至る時間が0.5μs程度以下と言われている
When a steep high-frequency surge voltage is applied to the Hi-Cell Cap disc winding, the Hi-Cell Cap winding has a series capacitance of O
Since the is large, the potential distribution seems to be better, but in reality it is different. That is, in Figure 4, the series capacitance is such that the voltage is applied to the first turn of the first stage plus half of the total turns N=16 of the second stage plus N/2=8. It is the first thing that is formed. However, when the voltage becomes a steep wave surge, the voltage wave that enters the first turn becomes N/2.
The peak value will be reached in the first turn before reaching the next turn with . For such a steep surge voltage, the several times the potential distribution, which is the aim of the high cell cap disk winding, becomes meaningless. This pointless boundary differs depending on the voltage d5 and capacitance of the winding, but it is said that the time required to reach the negative peak value of the -th wave is about 0.5 μs or less.

このように、急峻立ち上がりの高周波サージに対しては
、変圧器は雷インパルス特性の良いバイヤル巻線を使用
しても無防備である。では、避雷”器11が動作して変
圧器を保護できるかどうかを考える。今、開閉器の動作
で高周波サージが管路母線9に入ったとする。その時の
各部の急峻波電圧の波形図を第5図に示ず。まずEなる
電圧波高値をもつ@峻波電圧が油/ガスブッシング8の
対地キャパシタンスCoを充電し、避雷器11の端子へ
達する。この時ブッシング8の対地キャパシタンスCO
により急峻波電圧の波高値は若干小さいE′となり波頭
峻度も若干小さくなる。避雷器11においてはそのv−
i特性に応じて電流が流れるため、電圧は避雷器11の
制限電圧以下に抑制され、その波高値はE ″となる。
In this way, the transformer is defenseless against high-frequency surges with a steep rise even if a vial winding with good lightning impulse characteristics is used. Now, let's consider whether the lightning arrester 11 can operate and protect the transformer. Now, suppose that a high-frequency surge enters the conduit bus 9 due to the operation of the switch. The waveform diagram of the steep wave voltage at each part at that time is shown below. Not shown in Fig. 5. First, @sharp voltage with voltage peak value E charges the ground capacitance Co of the oil/gas bushing 8 and reaches the terminal of the lightning arrester 11. At this time, the ground capacitance CO of the bushing 8
Therefore, the peak value of the steep wave voltage becomes slightly smaller E', and the wave front steepness also becomes slightly smaller. In the lightning arrester 11, the v-
Since the current flows according to the i characteristic, the voltage is suppressed below the limit voltage of the lightning arrester 11, and its peak value becomes E''.

しかし避雷器では波高値を下げるだけで波頭峻度は何等
変らないため前記の問題点即ち急峻波サージ電圧の変圧
器巻線2における巻線分布改芒はできない。
However, since the surge arrester only lowers the peak value without changing the wave front steepness, it is not possible to solve the above problem, that is, change the winding distribution in the transformer winding 2 of the steep wave surge voltage.

[発明の目的] 本発明の目的は、S F&&ガス縁変電所において、S
 F、ガス絶縁開閉装置の動作によって発生する高周波
サージにより変圧器などの機器が絶縁破壊を起さないよ
うにした管路母線を提供するにある。
[Object of the invention] The object of the present invention is to
F. To provide a conduit bus bar that prevents dielectric breakdown in equipment such as transformers due to high frequency surges generated by the operation of gas insulated switchgear.

[発明の概要] 本発明による管路母線は、中心導体の周りにその中心導
体に使われる金属の抵抗率よりも高い抵抗率を持つ全屈
ヤ半容体をとりつけたことを特徴とするものである。
[Summary of the invention] The conduit busbar according to the present invention is characterized in that a fully bent half-conductor having a resistivity higher than the resistivity of the metal used for the center conductor is attached around the center conductor. be.

[発明の実施例] 以下本発明を第1図に示す実施例について説明する。第
1図aおよびbにおいて、本発明による管路母線20は
、中心導体10を管路母線ダクト9で囲み、その内部に
S Fb絶縁ガスを封入して格成されている。本発明に
おいては、その中心導体10の外表面およびダクト9の
内側面に、その中心導体10の抵抗よりも高い抵抗率の
金属又は半導体の抵抗体12を蒸着又はメッキにして取
りつけている。
[Embodiments of the Invention] The present invention will be described below with reference to an embodiment shown in FIG. In FIGS. 1a and 1b, a conduit busbar 20 according to the present invention is constructed by surrounding a central conductor 10 with a conduit busbar duct 9 and filling the interior with S Fb insulating gas. In the present invention, a metal or semiconductor resistor 12 having a higher resistivity than the resistance of the center conductor 10 is attached to the outer surface of the center conductor 10 and the inner surface of the duct 9 by vapor deposition or plating.

この金属又は半導体の抵抗体12としては、タングステ
ン、ニクロム、モリブデンなどの材料から選び、その皮
覆の厚さは、その物質のIMH,における表皮深さくタ
ングステンでは180μm)程度とする。
The metal or semiconductor resistor 12 is selected from materials such as tungsten, nichrome, and molybdenum, and the thickness of the coating is approximately 180 μm (for tungsten, the skin depth at the IMH of the material).

このように梧成した本発明の管路母線において、高周波
サージが発生して伝搬する際、線路の自己インダクタン
スのため、線路に流れた高周波電流は、導体10の外表
面に押し出される。この押し出しの目やずとして電流の
表皮深さが用いられる。
In the conduit busbar of the present invention constructed in this manner, when a high frequency surge occurs and propagates, the high frequency current flowing through the line is pushed out to the outer surface of the conductor 10 due to the line's self-inductance. The skin depth of the current is used as the basis for this extrusion.

ここで言う表皮深さとは、金属表面の電流密度が1/e
となる深さであり、次式によって支えられる。    
       ・7・ ここでδ二表皮深さ、ρ:物質の抵抗率、[:周波数で
ある。たとえば金属がタングステンの場合は、I M 
Hzでδ=、180μmどなり、1MHz以上の電流は
、はとんど表面より 180μmの所を流れると考えて
よい。
The skin depth referred to here means that the current density on the metal surface is 1/e.
The depth is , and is supported by the following equation.
・7. Here, δ is the skin depth, ρ is the resistivity of the material, and [: is the frequency. For example, if the metal is tungsten, I M
In Hz, δ = 180 μm, and it can be considered that currents of 1 MHz or higher mostly flow at a distance of 180 μm from the surface.

したがって、中心導体10の外表面と管路ダクト9の内
側面との少なくともいずれか一方に高抵抗の金属又は半
導物質の抵抗体12をIMhhの表皮深さ程度にして設
けることにより、高周波の電流成分はその抵抗体12に
よって熱損失となり高周波の電気エネルギーを減少させ
ることができる。したがって高周波電圧による他の機器
の破壊を防止することができる。
Therefore, by providing a high-resistance metal or semiconductor resistor 12 on at least one of the outer surface of the center conductor 10 and the inner surface of the conduit duct 9 to a skin depth of about IMhh, high-frequency waves can be suppressed. The current component causes heat loss through the resistor 12, and high frequency electrical energy can be reduced. Therefore, destruction of other equipment due to high frequency voltage can be prevented.

しかも本発明の管路母線20では、商用周波数の電流、
表皮効果が起らず、均一に流れて高抵抗体12の表面に
は、余り流れないため、商用周波数の電力は非常に小さ
く、管路母線の熱的考慮は、従来と同じで良いばかりか
、中心導体に取りつける抵抗体12の金属はメッキで安
価に形成することができる。また高抵抗体12の金属又
は半導体どして飽和蒸気圧が低く、融点の高いという性
質を兼ねそなえたタングステン、ニクロム、モリブデン
などの金属を用いることにより、高周波のエネルギーを
熱にした場合その熱のために表面が高湿となり、変形、
破損の恐れがなく、ざらに信頼性のある管路母線がIJ
られる。
Moreover, in the conduit bus 20 of the present invention, the commercial frequency current,
Since the skin effect does not occur and the flow is uniform and not much reaches the surface of the high-resistance element 12, the power at the commercial frequency is very small, and the thermal considerations for the conduit busbar can be kept the same as in the past. The metal of the resistor 12 attached to the center conductor can be formed inexpensively by plating. In addition, by using metals or semiconductors for the high-resistance element 12, such as tungsten, nichrome, or molybdenum, which have a low saturated vapor pressure and a high melting point, when high-frequency energy is converted into heat, the Due to this, the surface becomes highly humid and deformed,
IJ is a highly reliable pipeline busbar with no risk of damage.
It will be done.

次に第2図aおよびbに示す本発明の他の実施例では、
高抵抗率の金属又は半導体よりなる高抵抗体12を円筒
状に形成し、これを中心8休10の周りにこれと同心円
状に多重に並べたものである。
In another embodiment of the invention shown next in FIGS. 2a and b,
High-resistance elements 12 made of high-resistivity metal or semiconductor are formed into a cylindrical shape, and are arranged in multiple layers concentrically around a center 8 and 10.

この414成においては、S F、絶縁ガスの存在する
空間中で高周波が伝′W1する領域が分割され、高周波
に接する表面が増加し、抵抗損がそれにともなって増加
するものである。しかし、商用周波はその高抵抗体12
のために殆んど流れることができず、その損失は殆んど
なく、高周波のみを効率よく減衰させることができる。
In this 414 configuration, the region where high frequency waves propagate W1 in the space where SF and insulating gas exist is divided, the surface area in contact with high frequency waves increases, and the resistance loss increases accordingly. However, at commercial frequencies, the high resistance element 12
Because of this, almost no flow can occur, so there is almost no loss, and only high frequencies can be efficiently attenuated.

[発明の効果] 以上のように本発明によれば、中心導体の外表面および
管路ダクトの内側面に金属又は半う9体の高抵抗体を取
りつ【プだことにより、管路母線中を伝搬する高周波サ
ージをその高周波のエネルギーを高抵抗体で熱に変化さ
せることで充分に減少させ、変圧器を高周波ザージより
保護することができ、安価で信頼性の高い管路母線を得
ることかできる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, metal or half-metal high resistance elements are attached to the outer surface of the center conductor and the inner surface of the pipe duct, so that the pipe busbar By converting the high frequency energy into heat using a high resistance material, the high frequency surge propagating inside can be sufficiently reduced, the transformer can be protected from the high frequency surge, and an inexpensive and highly reliable conduit bus bar can be obtained. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図aおよびbは本発明による管路母線の一実施例を
示す横断面図および縦断面図、第2図aおよびbは本発
明の実施例を示す横断面図および縦断面図、第3図は一
般に使用されているガス絶縁形変電所を示す概略構成図
、第4図は変圧器のハイセルキャップ巻線を示す構成図
、第5図は従来の開閉装置で発生したサージ電圧の伝搬
にともなう減衰状態を示ず特性図である。 TR・・・変圧器、     1・・・変圧器鉄心2・
・・変圧器巻線、   3・・・変圧器タンク6・・・
高圧リード線 7・・・リード線ダクト 8・・・油/ガスブッシング 9・・・ガス管路O1線ダクト 10・・・中心容体、11・・・避雷器12・・・高抵
抗体、20・・・管路母線(8733)代理人 弁理士
 猪 股 祥 晃(Gよか1名) 第  1  図 ((1)    d、、) 第  2  図
1a and b are a cross-sectional view and a vertical cross-sectional view showing an embodiment of the pipe busbar according to the present invention, FIGS. 2 a and b are a cross-sectional view and a longitudinal cross-sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG. Figure 3 is a schematic configuration diagram showing a commonly used gas-insulated substation, Figure 4 is a configuration diagram showing the high cell cap winding of a transformer, and Figure 5 is a diagram showing the surge voltage generated in a conventional switchgear. It is a characteristic diagram which does not show the attenuation state accompanying propagation. TR...Transformer, 1...Transformer core 2.
...Transformer winding, 3...Transformer tank 6...
High voltage lead wire 7...Lead wire duct 8...Oil/gas bushing 9...Gas pipe O1 line duct 10...Center container, 11...Surge arrester 12...High resistance element, 20... ...Pipeline Bus Line (8733) Agent Patent Attorney Yoshiaki Inomata (1 person from G) Figure 1 ((1) d,...) Figure 2

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ガス絶縁開閉装置と接続するガス絶縁の管路母線
において、その中心導体の周りおよび外側の管路ダクト
の内側の少なくともどちらか一方に中心導体に使われた
金属の抵抗率よりも高い抵抗率を持つ金属や半導体の抵
抗体を取りつけたことを特徴とする管路母線。
(1) In a gas-insulated conduit busbar connected to a gas-insulated switchgear, the resistivity is higher than that of the metal used for the center conductor at least either around the center conductor or inside the outer conduit duct. A conduit busbar characterized by having a metal or semiconductor resistor with resistivity attached.
(2)抵抗率が高い金属や半導体の抵抗体として、特に
蒸気圧が低いものを用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の管路母線。
(2) The pipe busbar according to claim 1, wherein a metal or semiconductor resistor having a high resistivity and a particularly low vapor pressure is used.
(3)抵抗率が高い金属や半導体の抵抗体として、特に
融点が高いものを用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の管路母線。
(3) The pipe busbar according to claim 1, characterized in that the metal or semiconductor resistor having high resistivity is a resistor having a particularly high melting point.
(4)抵抗率が高い金属や半導体の抵抗体として、その
厚さを特に表皮効果による電流の1MHzでの表皮深さ
程度としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の管路母線。
(4) A conduit according to claim 1, characterized in that the conduit is a metal or semiconductor resistor having high resistivity, and its thickness is approximately the skin depth at a current of 1 MHz due to the skin effect. Bus line.
(5)抵抗率が高い金属や半導体の抵抗体として、その
箔を円筒状に形成し、これを中心導体に同心的に多重円
筒状に並べたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の管路母線。
(5) As a metal or semiconductor resistor with high resistivity, the foil is formed into a cylindrical shape, and the foils are arranged concentrically in a multi-cylindrical shape around a central conductor, as claimed in claim 1. The listed pipe busbar.
(6)抵抗率が高い金属や半導体の抵抗体として、特に
ニクロム、タングステン、マンガン、亜鉛、鉛、ゲルマ
ニウム、シリコンから選んだことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の管路母線。
(6) The pipe bus bar according to claim 1, wherein the metal or semiconductor resistor having high resistivity is selected from among nichrome, tungsten, manganese, zinc, lead, germanium, and silicon.
JP17919084A 1984-08-30 1984-08-30 Conduit bus Pending JPS6158415A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17919084A JPS6158415A (en) 1984-08-30 1984-08-30 Conduit bus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17919084A JPS6158415A (en) 1984-08-30 1984-08-30 Conduit bus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6158415A true JPS6158415A (en) 1986-03-25

Family

ID=16061508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17919084A Pending JPS6158415A (en) 1984-08-30 1984-08-30 Conduit bus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6158415A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147720A (en) * 1984-12-19 1986-07-05 三菱電機株式会社 Electric apparatus
JPH0336280A (en) * 1989-06-30 1991-02-15 Taiyo Yuden Co Ltd Device for forming thin film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147720A (en) * 1984-12-19 1986-07-05 三菱電機株式会社 Electric apparatus
JPH0336280A (en) * 1989-06-30 1991-02-15 Taiyo Yuden Co Ltd Device for forming thin film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8929048B2 (en) Very fast transient suppressing device
KR20040093138A (en) Protecting Medium Voltage Inductive Coupled Device from Electrical Transients
JP5117987B2 (en) Gas insulated switchgear
US20130021709A1 (en) Conductor arrangement for reducing impact of very fast transients
JPS6158415A (en) Conduit bus
US1300127A (en) Protective device.
Boggs et al. Attenuating voltage surges in power cable by modifying the semiconductive shields
KR101011004B1 (en) Current Lead for High Voltage Superconducting Machine
RU2700566C1 (en) Reactor plant
US20090323245A1 (en) Device for Reduction of Voltage Derivative
JPS61147719A (en) Pipeline bus
JPS6154808A (en) Conduit bus
JPS61190910A (en) Gas insulated transformer
JPH06505125A (en) Current transformer
JP2002135920A (en) Voltage transformer
JP2615686B2 (en) Surge arrester
JPS6260407A (en) Gas insulated switching device
JPH01308114A (en) Gas insulated electric apparatus
JPS62142Y2 (en)
JPH04190612A (en) Gas insulated electrical machinery and apparatus
JPS59209011A (en) Device for grounding gas insulated switching unit
Belt Coupling capacitors for carrier current applications
JPS6260408A (en) Gas insulated switching device
JPH0232705A (en) Gas insulated bushing
JPS61227325A (en) Gas insulated circuit breaker