JPS6152012A - Differential amplifier circuit - Google Patents

Differential amplifier circuit

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Publication number
JPS6152012A
JPS6152012A JP59173327A JP17332784A JPS6152012A JP S6152012 A JPS6152012 A JP S6152012A JP 59173327 A JP59173327 A JP 59173327A JP 17332784 A JP17332784 A JP 17332784A JP S6152012 A JPS6152012 A JP S6152012A
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JP
Japan
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circuit
voltage
differential amplifier
amplifier circuit
control
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Pending
Application number
JP59173327A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Nagayama
永山 義治
Hideya Otani
大谷 秀弥
Masayuki Tateoka
建岡 正行
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59173327A priority Critical patent/JPS6152012A/en
Publication of JPS6152012A publication Critical patent/JPS6152012A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/303Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters using a switching device

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain low offset by applying offset cancellation while a negative feedback loop for setting the gain of a differential amplifier circuit is opened. CONSTITUTION:A switch SW1 gives an input IN and a reference voltage Vref slectively to a non-inverting input IN(+) of a differential amplifier Amp. A switch SW2 switches an inverting input IN(-) to an output OUT or the non-inverting input (+). When the switch SW2 is thrown to the position of a contact (a), the offset voltage of the differential amplifier Amp. is amplified largely by the open loop gain and then outputted. The offset voltage output and the reference voltage are compared by a voltage comparator circuit VC to apply offset concellation. Since the offset voltage is amplified very largely, the offset voltage of the circuit VC itself is neglected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、MOSFET(!fa縁ゲート型電界効果
トランジスタ)によって構成された差動増幅回路に関す
るもので、例えば、高周波数の画像信号を2値パタ一ン
信号に変換するために用いられる差動増幅回路に利用し
てを効な技術に関するものである。
Detailed Description of the Invention [Technical Field] The present invention relates to a differential amplifier circuit configured with MOSFETs (!fa edge-gated field effect transistors). This technology is effective for use in differential amplifier circuits used to convert signals into digital signals.

〔背景技術〕[Background technology]

差動増幅回路は、それに含まれるところのペア素子の特
性が製造条件のバラツキ等によって互いに一致しないた
めに、同じ値の入力信号が供給されてもある値の出力電
圧を形成してしまうというオフセットを持っている。こ
のような差動増幅回路におけるオフセットを間接するた
めの回路として、その負荷としての抵抗手段をトリミン
グすること等が考えられるが、回路が複雑になることの
他、素子特性の経時的な変化に対しては対応できない等
の問題を有するものである。
Differential amplifier circuits have an offset in which the characteristics of the paired elements included in the circuit do not match each other due to variations in manufacturing conditions, resulting in an output voltage of a certain value even when input signals of the same value are supplied. have. As a circuit for indirecting the offset in such a differential amplifier circuit, it is possible to trim the resistor means as the load, but in addition to complicating the circuit, it also causes problems due to changes in element characteristics over time. However, there are problems such as not being able to deal with the situation.

なお、MOSFETによって構成された差動増幅回路は
、1977年11月20日に6mエレクトロニクスダイ
ジェストより発行されたrMoS/LSI設計と応用」
のP、259〜P、261に記載されている。
The differential amplifier circuit configured with MOSFETs is described in "rMoS/LSI Design and Application" published by 6m Electronics Digest on November 20, 1977.
P, 259-P, 261.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、簡単な回路構成によって、低オフセ
ツト化を実現した差動増幅回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit that achieves low offset with a simple circuit configuration.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、lの発明は、差動増@MO5FETの負荷回
路としてその一部を構成し、そのゲートに制御電圧が供
給される可変インピーダンス手段としてのMOS F 
ETを用い、上記差動増幅MOSFETに同じ入力電圧
を供給して、上記可変インピーダンス手段としてのMO
SFETのインピータンスをアンバランスとして強制的
に一方向にオフセットを発生させておいて、オフセント
が少なくなる方向に一方のMOSFETのゲートに供給
される制御電圧を変化させ、上記差動増幅回路における
オフセット電圧の極性が反転した時点で上記一方のMO
3F、ETのゲートに供給される制御電圧の変化を停止
させるというオフセントキャンセル動作の時に、上記差
動増幅回路の利得設定のための負帰還ループをオープン
状態にさせるものである。また、他の発明は、上記差動
増幅回路におけるオフセント電圧の極性が反転したこと
を検出する電圧比較回路の出力端子から2値出力信号を
得るようにするものである。
In other words, the invention of 1 is a MOS FET as a variable impedance means which constitutes a part as a load circuit of a differential increase @MO5FET and whose gate is supplied with a control voltage.
ET as the variable impedance means by supplying the same input voltage to the differential amplification MOSFET.
The impedance of the SFET is unbalanced to forcibly generate an offset in one direction, and the control voltage supplied to the gate of one MOSFET is changed in a direction that reduces the offset, thereby generating an offset in the differential amplifier circuit. When the polarity of the voltage is reversed, one of the above MO
During the offset canceling operation of stopping the change in the control voltage supplied to the gate of the 3F, ET, the negative feedback loop for setting the gain of the differential amplifier circuit is opened. In another aspect of the present invention, a binary output signal is obtained from an output terminal of a voltage comparison circuit that detects that the polarity of the offset voltage in the differential amplifier circuit is reversed.

〔実施例1〕 第1図には、この発明の一実施例のブロック図が示され
てい“る、同図の各回路ブロックは、公知の半導体集積
回路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶
シリコンのような半導体基板上において形成される。
[Embodiment 1] FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention. Each circuit block in the figure is not particularly limited by known semiconductor integrated circuit manufacturing technology, but It is formed on a semiconductor substrate such as single crystal silicon.

特に制限されないが、この実施例の差動増幅回路、A 
m pは、その反転入力(−)と出力端子OUTとが接
続されたボルテージフォロワ回路を構成する。上記差動
増幅回路A Ill pのオフセントをキャンセルさせ
るため、上記反転入力(−)は、切り撓えスイッチ回路
SW2によって、負帰還ループを構成するよう出力端子
OUT又は再入力を短絡するよう非反転入力(+)に選
択的に接続される。上記差動増幅回路Ampの非反転入
力(+)は、スイッチSW1によって入力端子INと基
準電圧V refが選択的に供給される。この基$1!
圧V refと上記差動増幅回路A m pの出力端子
OUTの信号とは、電圧比較回路VCによって電圧比較
される。この電圧比較回路VCは、上記差動増幅回路A
 m pに供給されるオフセットキャンセル用のタイミ
ング信号CKI〜CK3を制御するパルス制御回路PC
の制御信号を形成する。
Although not particularly limited, the differential amplifier circuit of this embodiment, A
mp constitutes a voltage follower circuit whose inverting input (-) and output terminal OUT are connected. In order to cancel the offset of the differential amplifier circuit A Ill p, the inverting input (-) is set to a non-inverting state by the switching switch circuit SW2 so as to short-circuit the output terminal OUT or the re-input to form a negative feedback loop. Selectively connected to input (+). The non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit Amp is selectively supplied with the input terminal IN and the reference voltage V ref by the switch SW1. This base is $1!
The voltage V ref and the signal at the output terminal OUT of the differential amplifier circuit A m p are compared in voltage by a voltage comparison circuit VC. This voltage comparison circuit VC includes the differential amplifier circuit A
A pulse control circuit PC that controls timing signals CKI to CK3 for offset cancellation supplied to mp.
form a control signal.

第2図には、上記スイッチ回路SW2の一実施例の回路
図が示されている。同図の各回路素子は、公知の0MO
3<相補型MO3)集積回路の製造技術によって、1個
の単結晶シリコンのような半導体基板上において形成さ
れる。以下の説明において、特に説明しない場合、MO
S F ETはNチャンネルMOSFETである。なお
、以下の図面において、ソース・ドレイン間に直線が付
加されたMOSFETはPチャンネル型である。
FIG. 2 shows a circuit diagram of an embodiment of the switch circuit SW2. Each circuit element in the figure is a known 0MO
3<complementary MO3) is formed on a single semiconductor substrate, such as single crystal silicon, using integrated circuit manufacturing techniques. In the following description, unless otherwise specified, MO
S FET is an N-channel MOSFET. In the following drawings, a MOSFET with a straight line added between the source and drain is a P-channel type.

特に制限されないが、集積回路は、単結晶P型シリコン
からなる半導体基板に形成される。NチャンネルMOS
 F ETは、かかる半導体基板表面に形成されたソー
ス領域、ドレイン領域及びソース領域とドレイン領域と
の間の半導体基板表面に薄い厚さのゲート絶縁膜を介し
て形成されたポリシリコンからなるようなゲート電極か
ら構成される。PチャンネルMOSFETは、上記半導
体基板表面に形成されたN型ウェル領域に形成される。
Although not particularly limited, the integrated circuit is formed on a semiconductor substrate made of single-crystal P-type silicon. N channel MOS
The FET is made of polysilicon, which has a source region, a drain region formed on the surface of the semiconductor substrate, and a thin gate insulating film formed on the surface of the semiconductor substrate between the source region and the drain region. Consists of a gate electrode. The P-channel MOSFET is formed in an N-type well region formed on the surface of the semiconductor substrate.

これによって、半導体基板は、その上に形成された複数
のNチャンネルMOS F ETの共通の基板ゲートを
構成する。N型ウェル領域は、その上に形成されたPチ
ャンネルMOSFETの基体ケートを構成する。Pチャ
ンネルMOS F ETの基板ゲートすなわちN型ウェ
ル領域は、第1図の電源端子Vccに結合される。
Thereby, the semiconductor substrate constitutes a common substrate gate for a plurality of N-channel MOS FETs formed thereon. The N-type well region constitutes the base cage of the P-channel MOSFET formed thereon. The substrate gate of the P-channel MOS FET, ie, the N-type well region, is coupled to the power supply terminal Vcc of FIG.

スイッチ回路SW2は、差動増幅回路Ampの反転入力
(−)と非反転入力(+)との間に並列形態に設けられ
たNチャンネルM OS F E T Q 11とPチ
ャンネルMOSFETQI 2及び差動増幅回路の反転
入力(−)と出力端子OUTとの間に並列形態に設けら
れたNチャンネルM OS F ETQ13とPチャ7
ネルMO5FETQ14とにより構成される。上記2 
!llのMO5FETQI 1゜Ql2とQl3.Ql
4を切り換え信号GOによって選択的にオフ状態にさせ
るため、上記切り換え信号GCは、N+ヤ’/ネルMO
SFETQ11とPチャンネルM’05FETQ14の
ゲートに供給される。上記切り換え信号GCは、インバ
ータ回路IVに供給される。このインバータ回路IVに
よって反転させられた上記切り換え信号GCは、Nチャ
ンネルMOSFETQI 3とPチャンネルMO5FE
TQ12のゲートに供給される。これにより、上記切り
換え信号GCがハイレベルなら、″NチャンネルMOS
FETQI 1はオン状態に、PチャンネルMOSFE
TQ14はオフ状態にされる。上記信号GCの反転信号
のロウレベルによりPチャンネルMO5FETQI 2
はオン状態にNチャンネルMOSFETQI 3はオフ
状態にされる。したがって、上記オン状態にされたMO
SFETQI 1.Ql 2により反転入力(−)と非
反転入力(+)とが結合され、再入力(−、+)に同じ
電圧が供給される。また、上記切り換え信号GCがロウ
レベルなら、上記の場合とは逆に、MOSFETQI 
1.Ql 2はオフ状態に、MO’5FETQI 3.
Ql 4はオン状態にされる。したがって、反転入力(
−)と出力端子OUTとが結合されることによって、こ
の差動増幅回路Ampはボルテージフォロワ形態にされ
る。
The switch circuit SW2 includes an N-channel MOSFET Q11, a P-channel MOSFET QI2, and a differential N-channel MOS FET Q13 and P channel 7 are connected in parallel between the inverting input (-) of the amplifier circuit and the output terminal OUT.
MO5FETQ14. Above 2
! ll MO5FETQI 1°Ql2 and Ql3. Ql
4 is selectively turned off by the switching signal GO, the switching signal GC is set to N+Y'/channel MO
It is supplied to the gates of SFETQ11 and P-channel M'05FETQ14. The switching signal GC is supplied to the inverter circuit IV. The switching signal GC inverted by this inverter circuit IV is applied to the N-channel MOSFET QI3 and the P-channel MOSFET QI3.
Supplied to the gate of TQ12. As a result, if the switching signal GC is at a high level, "N-channel MOS
FETQI 1 is in on state, P channel MOSFE
TQ14 is turned off. Due to the low level of the inverted signal of the signal GC, the P-channel MO5FETQI 2
is turned on and N-channel MOSFET QI3 is turned off. Therefore, the MO turned on is
SFETQI 1. The inverting input (-) and the non-inverting input (+) are coupled by Ql 2, and the same voltage is supplied to the re-inputs (-, +). Moreover, if the switching signal GC is at low level, contrary to the above case, MOSFETQI
1. Ql 2 in off state, MO'5FETQI 3.
Ql 4 is turned on. Therefore, the inverted input (
-) and the output terminal OUT, the differential amplifier circuit Amp is configured as a voltage follower.

なお、他のスイッチ回路SWIも上記類似のMOSFE
Tにより構成されるものである。
Note that the other switch circuit SWI is also a MOSFE similar to the above.
It is composed of T.

第3図には、上記差動増幅回路Ampの−実施例の具体
的回路図が示されている。特に制限されないが、この実
施例の差動増幅回路A m pは、上述のようなPナヤ
ンネルMOSFETとNチャンネルM OS F E 
’I’とからなるCMO3回路により構成される。
FIG. 3 shows a specific circuit diagram of an embodiment of the differential amplifier circuit Amp. Although not particularly limited, the differential amplifier circuit A m p of this embodiment includes the above-mentioned P channel MOSFET and N channel MOSFET.
It is composed of three CMO circuits consisting of 'I'.

差動増幅MOS F E T Q 2とQ3とは、Pチ
ャンネルMOSFETにより構成され、その共通ソース
と正の電源電圧Vccとの間には、そのゲー[・に一定
のバイアス電圧VBIが供給されることによって、定電
流動作を行うPチャンネルMOSFE ’I” Q 1
が設けられる。上記差動増幅MOSFETQ2とQ3の
ドレインには、9荷回路を構成するNチャンネルMOS
FETQ4とQ6とが設けられる。これらのM OS 
F E T Q 4 、  Q 6は、電流ミラー形態
にされることによって、アクティブ負荷回路を構成する
。また、上記M OS F E T Q。
Differential amplification MOS FET Q2 and Q3 are composed of P-channel MOSFETs, and a constant bias voltage VBI is supplied to the gate between their common source and the positive power supply voltage Vcc. P-channel MOSFE 'I' Q 1 which performs constant current operation by
is provided. The drains of the differential amplification MOSFETs Q2 and Q3 are connected to N-channel MOS transistors constituting a 9-load circuit.
FETs Q4 and Q6 are provided. These MOS
FET Q4, Q6 constitute an active load circuit by being placed in a current mirror configuration. Also, the above MOS FET Q.

4、Q6には、オフセットキャンセルを行うための可変
インピーダンス手段としてのNチャンネルMOSFET
Q5とQ7がそれぞれ並列形態に設けられる。これらの
MOSFETQ5.Q7のゲートには、後述する制御電
圧を保持するためのキャパシタCI、C2が設けられる
。上記MOSFETQ、5.Q7のゲートには、それぞ
れタイミング信号CK1.GK2を受けて動作する伝送
ゲートMOSFETQ9.QIOを介して制御電圧■B
2とVB3が供給される。なお、上記MO5FETQ5
とQ6のコンダクタンス特性を等しくした場合には、上
記一方の制御電圧VB3は、VB2よりも絶対値的に大
きく設定される。さらに、上記キャパシタC2には、タ
イミング信号CK3を受けて動作するリセット用のMO
SFETQ8が設けられている。
4. Q6 is an N-channel MOSFET as variable impedance means for offset cancellation.
Q5 and Q7 are each provided in parallel form. These MOSFETQ5. The gate of Q7 is provided with capacitors CI and C2 for holding a control voltage, which will be described later. The above MOSFETQ,5. The gates of Q7 each receive a timing signal CK1. Transmission gate MOSFET Q9 that operates in response to GK2. Control voltage ■B via QIO
2 and VB3 are supplied. In addition, the above MO5FETQ5
When the conductance characteristics of Q6 and Q6 are made equal, the one control voltage VB3 is set to be larger in absolute value than VB2. Furthermore, the capacitor C2 is connected to a reset MO which operates in response to the timing signal CK3.
SFETQ8 is provided.

この実施例の差動増幅回路におけるオフセントキャンセ
ル動作を第4図に示したタイミング図に従って説明する
The off-cent canceling operation in the differential amplifier circuit of this embodiment will be explained with reference to the timing chart shown in FIG.

差動増幅回路が増幅動作を行う前に先立って、次のよう
なオフセントキャンセル動作が行われる。
Before the differential amplifier circuit performs an amplification operation, the following offset cancellation operation is performed.

すなわち、第1図においてスイッチ回路SW1はa側に
閉じられることにより差動増幅回路A m pの非反転
入力(+)には、基t$電圧V refが供給される。
That is, in FIG. 1, the switch circuit SW1 is closed to the a side, so that the base t$ voltage V ref is supplied to the non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit A m p.

また、スイッチ回路S ’wv 2はa側に閉じられる
ことによって、再入力(+、 −)に上記同じ基準電圧
Vrr=fが供給されるとともに、jr:’t Mルー
プが開放される。したがって、差動増幅回路Ampの出
力OUTには、その入力オフ七ソl−電圧Vofが上記
着WF>増幅回路におけるオープンループ利得(例えば
80dB=10ooo倍)により増幅されて出力される
Further, by closing the switch circuit S'wv2 to the a side, the same reference voltage Vrr=f is supplied to the re-inputs (+, -), and the jr:'tM loop is opened. Therefore, the input OFF voltage Vof is amplified by the above-mentioned WF>open loop gain in the amplifier circuit (for example, 80 dB=10 ooo times) and outputted to the output OUT of the differential amplifier circuit Amp.

この状態に、おいて、タイミング信号CKIのノ・。In this state, the timing signal CKI.

イレベルによりMOS F ETQ 9をオン状態にξ
7てキャパシタC1に制御電圧VB2を供給する8また
、タイミング信号CK2のハイレベルによりM OS 
F E T Q i Oをオフ状態にして制御電圧■B
3から遮断するとともに、タイミング〈言号CK3のハ
イレベルによりMOS F E T Q 8をオフ状態
にして、キ・−バシタC2をリセット状態にさせる。
MOS FETQ 9 is turned on by level
7 and supplies the control voltage VB2 to the capacitor C1.8 Also, due to the high level of the timing signal CK2, the MOS
F E T Q i Turn off the control voltage ■B
3, and at the same time, the timing (high level of the word CK3) turns off the MOS FET Q8 and resets the keypad C2.

次に、上記タイミング信号CK 1−CKaをロウレベ
ルにすると、M OS F E T Q 9と0.8と
がオフ状態になり、M OS F E T Q 10が
オン状態になる。これにより、一方のキャパシタC1に
は、上記制御電圧VB2が保持され、他方キャパシタC
2には、MOSFETQI Oを通して制御電圧VB3
により充電が開始される。したがって、この時にはMO
SFETQ5のインピーダンス特性がMOSFETQ7
に比べて小さくなついるので、例えば、出力OUTには
基準電圧V refに対して負のオフセット電圧Vof
を持つようにされ、このオフセット電圧Vofは同図に
点線で示すように上記キャパシタC2への充電動作とと
もに徐々に小さくなる。この場合、出力端子OUTの出
力電圧Voutは、上記オフセラ+−m圧Vofがオー
プンループ利得によって増幅されたものにされるので、
実線で示すように回路の接地電位のようなロウレベルの
ままである。そして、両者かは一゛一致してわずかでも
逆転が生じると上記オープンループ利得によって増幅さ
れた出力電圧Voutは、電源電圧側レベル側に反転す
る。電圧比較回路VCは、このレベル反転を検出して、
上記タイミング信号CK2をロウレベルからハイレベル
に変化させる。
Next, when the timing signals CK1-CKa are set to low level, MOS FET Q 9 and 0.8 are turned off, and MOS FET Q 10 is turned on. As a result, the control voltage VB2 is held in one capacitor C1, and the other capacitor C1 is held at the control voltage VB2.
2, the control voltage VB3 is applied through MOSFET QIO.
Charging starts. Therefore, at this time MO
The impedance characteristics of SFETQ5 are those of MOSFETQ7
For example, the output OUT has a negative offset voltage Vof with respect to the reference voltage Vref.
This offset voltage Vof gradually decreases as the capacitor C2 is charged, as shown by the dotted line in the figure. In this case, the output voltage Vout of the output terminal OUT is the offset voltage +-m voltage Vof amplified by the open loop gain, so
As shown by the solid line, it remains at a low level like the ground potential of the circuit. If the two match, and even a slight reversal occurs, the output voltage Vout amplified by the open loop gain is inverted to the power supply voltage level. The voltage comparator circuit VC detects this level reversal and
The timing signal CK2 is changed from low level to high level.

これにより、FAOS F ETQ 10がオフ状態に
なるので、その時の制御電圧、言い換えるならば、オフ
セラ]・が生じZ、にいような制御電圧がキャパシタC
2に保持される。このようなオフセントキャンセル動作
にあっては、電圧比較回路VCに人力される差動増幅回
路A m pのオフセント電圧がそのオープンループ利
得倍されているため、電圧比較回路VCに存するオフセ
ント電圧を無視することができる。これにより、例えば
電圧比較回路VCとしては、CMOSインパーク回路の
ような論理ゲート回路を利用することができるものとな
る。
As a result, the FAOS FETQ 10 is turned off, so the control voltage at that time, in other words, the control voltage that is
2. In such an off-cent cancellation operation, the off-cent voltage of the differential amplifier circuit A m p inputted to the voltage comparator circuit VC is multiplied by its open loop gain, so that the off-cent voltage existing in the voltage comparator circuit VC is Can be ignored. Thereby, for example, a logic gate circuit such as a CMOS impark circuit can be used as the voltage comparison circuit VC.

なぜなら、、上述のようにオープンループ利得が80d
Bの場合、電源電圧VccがS Vで動作するCMOS
インパーク回路のロジックスレッショルド電圧を2,5
■とすると、それは上2゜5vのオフセント電圧を持つ
電圧比t21[71路とみなすことができる。しかし、
このCMOSインバータ回路の入力に供給される差動増
幅回路A m pのオフセント電圧は10000倍され
ているから、L% filli的には上記CMO3・イ
ンバータ回路の持つオフセント電圧は±0.25 m 
Vとみなすことができる。このことより、第1図の実施
例のように電圧比較回路VCを差動増幅回路によって構
成した場合には、上述のように実質的にそのオフセント
電圧を無視することができる。
Because, as mentioned above, the open loop gain is 80d.
In the case of B, the CMOS operates at the power supply voltage Vcc of SV.
The logic threshold voltage of the impark circuit is set to 2,5
2, it can be regarded as a voltage ratio t21 [71 path with an offset voltage of 2°5V above. but,
Since the off-cent voltage of the differential amplifier circuit A m p supplied to the input of this CMOS inverter circuit is multiplied by 10,000, in L% filli terms, the off-cent voltage of the above CMO3 inverter circuit is ±0.25 m
It can be considered as V. Therefore, when the voltage comparator circuit VC is constituted by a differential amplifier circuit as in the embodiment shown in FIG. 1, the offset voltage can be substantially ignored as described above.

なお、このような論理回路により電圧比較回路VCを構
成した場合には、上記第1図の回路において、スイッチ
回路SW1と基準電圧V refは不要になるものであ
る。
Incidentally, when the voltage comparison circuit VC is constituted by such a logic circuit, the switch circuit SW1 and the reference voltage V ref in the circuit shown in FIG. 1 become unnecessary.

なお、上記のようなオフセットキャンセル動作の後、ス
イッチ回路SWIの切り換えにより差動増幅回路A m
 pの非反転入力(+)には、入力端子IN側に接続さ
れる。また、スイッチ回路SW2の切り換えにより差動
増幅回路Ampはボルテージフォロワ形態にされ、上記
増幅すべき入力信号の増幅動作(この例ではインピーダ
ンス変換動作)を行う。
Note that after the offset canceling operation as described above, the differential amplifier circuit A m is switched by switching the switch circuit SWI.
The non-inverting input (+) of p is connected to the input terminal IN side. Furthermore, by switching the switch circuit SW2, the differential amplifier circuit Amp is put into a voltage follower configuration, and performs an amplification operation (in this example, an impedance conversion operation) of the input signal to be amplified.

上記キャパシタCI、C2の保持された制御電圧は、そ
のリーク電流によって変化するので、一定の周期により
上記同様なオフセ・/トキャンセル動作が行われる。特
に制限されないが、この実施例の差動増幅回路を高速フ
ァクシミリにおける画像信号を2値化する回路に使用し
た場合には、ラインフィード後の信号を伝送しない時間
領域を利用して上記オフセットキャンセル動作がその時
間領域毎に行われる。
Since the control voltages held by the capacitors CI and C2 vary depending on their leakage currents, offset/to cancel operations similar to those described above are performed at regular intervals. Although not particularly limited, when the differential amplifier circuit of this embodiment is used in a circuit that binarizes an image signal in a high-speed facsimile, the above-mentioned offset canceling operation can be performed using the time domain in which no signal is transmitted after the line feed. is performed for each time domain.

〔実施例2〕 第5図には、上記2値化回路にこの発明を適用した場合
の他の一実施例のブロック図が示されている。
[Embodiment 2] FIG. 5 shows a block diagram of another embodiment in which the present invention is applied to the binarization circuit described above.

この実施例の差動増幅回路A m pは、前記第1図に
示した実施例と同様にその反転入力(−)と出力端子O
UTとが接続されたボルテージフォロワ回路を構成する
。この実施例ではこの差動増幅回路A m pのオフセ
ットをキャンセルさせるため、その非反転入力(+)は
、スイッチSWによって入力端子INと基準電圧V r
efが選択的に供給される。この基準電圧Vrefと上
記差動増幅回路Ampの出力信号とは、電圧比較回路V
Cによって電圧比較される。この電圧比較回路VCは、
一方において上記差動増幅回路A m pに供給される
オフセントキャンセル用のタイミング信号CKI〜CK
3を制御するパルス制御回路pcの制御信号を形成する
。上記電圧比較回路VCは、他方において、上記基準電
圧V refに対して入力端子INから供給される入力
信号がハ・fレベルかロウレベルかの2値化信号を形成
して出力する。上記差動増幅回路Ampの具体的回路は
、上記第3図の実施例と同様である。
The differential amplifier circuit A m p of this embodiment has its inverting input (-) and output terminal O as in the embodiment shown in FIG.
Configures a voltage follower circuit connected to the UT. In this embodiment, in order to cancel the offset of the differential amplifier circuit A m p, its non-inverting input (+) is connected to the input terminal IN and the reference voltage V r by a switch SW.
ef is selectively supplied. This reference voltage Vref and the output signal of the differential amplifier circuit Amp are the voltage comparator circuit V
The voltages are compared by C. This voltage comparison circuit VC is
On the other hand, timing signals CKI to CK for offset cancellation supplied to the differential amplifier circuit A m p
A control signal for the pulse control circuit pc that controls the pulse control circuit 3 is formed. On the other hand, the voltage comparison circuit VC forms and outputs a binary signal indicating whether the input signal supplied from the input terminal IN with respect to the reference voltage V ref is at the H/f level or the low level. The specific circuit of the differential amplifier circuit Amp is the same as the embodiment shown in FIG. 3 above.

この実施例におけるオフセットキャンセル動作を第6図
に示したタイミング図に従って説明する。
The offset canceling operation in this embodiment will be explained with reference to the timing chart shown in FIG.

入力端子INから供給される入力アナログ信号の2値化
動作を行う前に先立って、次のようなオフセットキャン
セル動作が行われる。すなわち、第5図においてスイッ
チ回路SWは差動増幅回路A m pの非反転入力(+
)に基準電圧Vrefを供給するようスイッチ制御され
る。この状態において、前記オフセットキャンセル動作
と同様にタイミング信号CKIのハイレベルによりMO
5FETQ9をオン状態にしてキャパシタC1に制御電
圧VB2を供給する。また、タイミング信号CK2のハ
イレベルによりMOSFETQI Oをオフ状態にして
制御電圧VB3がら遮断するとともに、タイミング信号
CK3のハイレベルによりMOSFETQ8をオン状態
にして、キャパシタc2をリセット状態にさせる。
Prior to performing the binarization operation of the input analog signal supplied from the input terminal IN, the following offset canceling operation is performed. That is, in FIG. 5, the switch circuit SW connects the non-inverting input (+
) is switch-controlled to supply the reference voltage Vref. In this state, similar to the offset cancel operation, the high level of the timing signal CKI causes the MO
The 5FET Q9 is turned on and the control voltage VB2 is supplied to the capacitor C1. Further, the high level of the timing signal CK2 turns off the MOSFET QIO to cut off the control voltage VB3, and the high level of the timing signal CK3 turns on the MOSFET Q8, thereby putting the capacitor c2 in the reset state.

次に、タイミング信号CKI〜CK3をロウレベルにす
ると、MO5FETQ9とQ8とがオフ状態になり、M
OSFETQI Oがオン状態になる。これにより、一
方のキャパシタc1には、上記制御電圧VB2が保持さ
れ、他方キャパシタC2には、MOSFETQIOを通
して制御電圧■B3により充電が開始される。したがっ
て、この時にはMO5FETQ5のインピーダンス特性
がMOSFETQ7に比べて小さくなついるので、例え
ば、差動増幅回路A m pの出力電圧VouLは基準
電圧Vrefに対して負のオフセフ)電圧を持つように
され、このオフセット電圧は同図に一点鎖線で示すよう
に上記キャパシタc2への充電動作とともに徐々に小さ
くなる。そして、両者のレベル関係が反転すると電圧比
較回路VCは、このレベル反転を検出して、上記タイミ
ング信号CK2をロウレベルからハイレベルに変化させ
る。これにより、MOSFETQI Oがオフ状態にな
るので、その時の制御電圧、言い換えるならば、オフセ
ットが生じないような制御電圧がキャパシタC2に保持
される。
Next, when the timing signals CKI to CK3 are set to low level, MO5FETQ9 and Q8 are turned off, and M
OSFETQIO turns on. As a result, the control voltage VB2 is held in one capacitor c1, and charging of the other capacitor C2 is started with the control voltage B3 through the MOSFET QIO. Therefore, at this time, the impedance characteristic of MO5FETQ5 becomes smaller than that of MOSFETQ7, so for example, the output voltage VouL of the differential amplifier circuit Amp is made to have a negative offset voltage with respect to the reference voltage Vref, and this The offset voltage gradually decreases as the capacitor c2 is charged, as shown by the dashed line in the figure. When the level relationship between them is reversed, the voltage comparison circuit VC detects this level reversal and changes the timing signal CK2 from low level to high level. As a result, the MOSFET QIO is turned off, so that the control voltage at that time, in other words, the control voltage that does not cause offset is held in the capacitor C2.

この場合、上記電圧比較回路VCにおいてもオフセント
電圧が存在するものであるが、その出力が反転するタイ
ミングでは、それ自身が持つオフセット電圧を含めて上
記のように基準電圧Vrefと差動増幅回路A m p
の出力電圧VoutとかばN′一致したこと検出するも
のである。したがって、上記のようなオフセットキャン
セル動作の後、スイッチ回路SWを切り換えて入力端子
INから供。
In this case, although an offset voltage exists in the voltage comparator circuit VC, at the timing when its output is inverted, the difference between the reference voltage Vref and the differential amplifier circuit A, including its own offset voltage, is m p
This is to detect that the output voltage Vout and N' match. Therefore, after the offset canceling operation as described above, the switch circuit SW is switched to supply the signal from the input terminal IN.

給されるアナログ信号を差動増幅回路Ampの非反転入
力(+)に供給し、それに従った出力電圧Voutを形
成し、電圧比較回路VCにより基準電圧Vrefに対し
てハイレベルかロウレベルかの2値判定を行う電圧比較
動作にあっては、差動増幅回路A m pと電圧比較回
路VCとの両オフセット電圧が存在しないとみなすこと
ができる。
The supplied analog signal is supplied to the non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit Amp, and an output voltage Vout is formed accordingly, and the voltage comparator circuit VC determines whether it is a high level or a low level with respect to the reference voltage Vref. In the voltage comparison operation that performs value determination, it can be assumed that the offset voltages of both the differential amplifier circuit A m p and the voltage comparison circuit VC do not exist.

〔効 果〕〔effect〕

(1)可変インピーダンス手段により差動増幅回路の負
荷をアンバランス状態にしておいて、それを修正する方
向に一方の可変インピーダンス手段を制御して、オフセ
ントがキャンセルされた時点でその可変インピーダンス
手段の制御電圧のキャパシタに保持させるというオフセ
ントキャンセル動作にあたり、上記差動増幅回路をオー
ブンループ状態で動作させることにより、そのオフセッ
ト電圧を増幅させて出力させる。これにより、上記オフ
セットがキャンセルされたか否かを識別する電圧比較回
路の持つオフセント電圧を無視することができるから差
動増幅回路の低オフセツト化を実現することができると
いう効果が得られる。
(1) The load of the differential amplifier circuit is brought into an unbalanced state by the variable impedance means, one of the variable impedance means is controlled in a direction to correct the imbalance, and when the offset is canceled, the load of the differential amplifier circuit is unbalanced. In an offset canceling operation in which a control voltage is held in a capacitor, the differential amplifier circuit is operated in an oven loop state to amplify and output the offset voltage. This makes it possible to ignore the offset voltage of the voltage comparator circuit for determining whether or not the offset has been canceled, thereby achieving the effect that the differential amplifier circuit can have a low offset.

(2)上記差動増幅回路の持つオフセット電圧をそのオ
ーブンループ利得により増幅させて出力させることによ
り、その極性反転を識別する電圧比較回路として論理ゲ
ート回路等実質的に大きなオフセット電圧を持つ電圧比
較回路を使用できる。これにより、回路の簡素化を実現
することができるという効果が得られる。
(2) By amplifying the offset voltage of the above-mentioned differential amplifier circuit by its oven loop gain and outputting it, a voltage comparison circuit that identifies the polarity reversal can be used as a voltage comparison circuit that has a substantially large offset voltage, such as a logic gate circuit. You can use the circuit. This provides the effect that the circuit can be simplified.

(3)可変インピーダンス手段により差動増幅回路の負
荷をアンバランス状態にしておいて、それを修正する方
向に一方の可変インピーダンス手段を制御して、オフセ
ットがキャンセルされたことを検出する電圧比較回路か
らアナログ入力電圧の2値化出力信号を得ることにより
、差動増幅回路及び電圧比較回路の両オフセット電圧を
キャンセルさせた2値化出力信号を得ることができると
いう効果が得られる。
(3) A voltage comparator circuit that puts the load of the differential amplifier circuit in an unbalanced state using variable impedance means, controls one variable impedance means in a direction to correct the imbalance, and detects that the offset has been canceled. By obtaining a binarized output signal of the analog input voltage from , it is possible to obtain a binarized output signal in which both the offset voltages of the differential amplifier circuit and the voltage comparator circuit are canceled.

(4)上記電圧比較回路から2値化出力信号を得ること
により、電圧比較回路をオフセットキャンセル動作と2
値化動作の双方に利用できるため、回路の簡素化を実現
することができるという効果が得られる。
(4) By obtaining a binary output signal from the voltage comparator circuit, the voltage comparator circuit can perform offset canceling operation and
Since it can be used for both value conversion operations, it is possible to achieve the effect of simplifying the circuit.

(5)一定周期毎に可変インピーダンス手段を用いて、
オフセットキャンセル動作を行わせることにより、差動
増幅回路(又は差動増幅回路と電圧比較回路)における
経時的な特性のバラツキにより生じるオフセントをもキ
ャンセルさせることができるという効果が得られる。
(5) Using variable impedance means at regular intervals,
By performing the offset canceling operation, it is possible to cancel offsets caused by variations in characteristics over time in the differential amplifier circuit (or the differential amplifier circuit and the voltage comparison circuit).

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、第1図の実施
例回路において、差動増幅回路Ampは、利得設定のた
めの負帰還回路を設けるものであってもよい。第3図に
示した差動増幅回路を構成するMOSFETの導電型は
全て逆にするものであってもよい。また、Nチャンネ/
I/MO5FET又はPチャンネルMOsFETのみに
よって構成するものであってもよい、さらに、差動増幅
素子は、上記MOSFETの化バイポーラトランジスタ
を用いるものであってもよい、差動増幅回路における負
荷回路は、上記電流ミラー回路を利用したアクティブ負
荷の他、固定抵抗又は抵抗手段としてのMOS F E
T等を用いるものであってもよい、そして、可変インピ
ーダンス手段としての上記MOSFETQ5.Q7は、
予め異なるコンダクタンス特性としておいて、同じ制御
電圧を供給するようにするものであってもよい。また、
予め固定インピーダンスによる上記負荷回路にオフセッ
トを持たせておいて、一方に上記可変インピーダンス手
段を設けるものであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the embodiment circuit of FIG. 1, the differential amplifier circuit Amp may be provided with a negative feedback circuit for gain setting. All of the conductivity types of the MOSFETs constituting the differential amplifier circuit shown in FIG. 3 may be reversed. Also, N channel/
The load circuit in the differential amplifier circuit may be configured only with an I/MO5FET or a P-channel MOsFET.Furthermore, the differential amplifier element may be a bipolar transistor based on the MOSFET described above. In addition to active loads using the above-mentioned current mirror circuit, MOS F E as a fixed resistance or resistance means
The above MOSFETQ5.T may be used as the variable impedance means. Q7 is
The same control voltage may be supplied with different conductance characteristics in advance. Also,
The load circuit having a fixed impedance may be provided with an offset in advance, and the variable impedance means may be provided on one side.

〔利用分野〕[Application field]

この発明は、差動増幅回路として広く利用でき、特に低
オフセント電圧が要求されるA/D、D/A変換回路、
又はファクシミリ装置における画像信号の2値化回路等
に利用して有効な効果を奏するものである。
The present invention can be widely used as a differential amplifier circuit, and is particularly applicable to A/D and D/A conversion circuits that require a low offset voltage.
Alternatively, the present invention can be effectively used in a binarization circuit for image signals in a facsimile machine.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一実施例を示すブロック図・ 第2図は、そのスイッチ回路の一実施例を示す回路図、 第3図は、上記第1図における差動増幅回路の一実施例
を示す回路図、 第4図は、そのオフセントキャンセル動作+作の一例を
示すタイミング図、 第5図は、この発明の他の一実施例を示すブロック図、 第6図は、そのオフセントキャンセル動作の一例を示す
タイミング図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the switch circuit. FIG. 3 is an implementation of the differential amplifier circuit shown in FIG. FIG. 4 is a timing diagram showing an example of the off-cent cancel operation + operation; FIG. 5 is a block diagram showing another embodiment of the present invention; FIG. FIG. 3 is a timing chart showing an example of a cent cancel operation.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、差動増幅素子と、これらの差動増幅素子にそれぞれ
設けられた負荷回路の一部を構成し、そのゲートに制御
電圧が供給される可変インピーダンス手段としてのMO
SFETとを含み、第1のスイッチ回路により利得設定
のための負帰還回路が接続される差動増幅回路と、上記
差動増幅素子に選択的に同じ入力電圧を供給する第2の
スイッチ回路と、上記差動増幅回路の出力電圧と上記入
力電圧とを受ける比較回路と、上記スイッチ回路の制御
信号と上記可変インピーダンス手段としてのMOSFE
Tのインピーダンスをアンバランスとした状態から出力
電圧の差が少なくなる方向に一方のMOSFETのゲー
トに供給される制御電圧を形成する制御回路とを含み、
上記差動増幅回路の差動増幅動作に先立って上記制御回
路により第1のスイッチ回路をオフ状態に、第2のスイ
ッチ回路をオン状態にして上記制御電圧を変化させ、上
記電圧比較回路の出力が反転した時点で上記一方のMO
SFETのゲートに供給される制御電圧の変化を停止さ
せるものとしたことを特徴とする差動増幅回路。 2、上記可変インピーダンス手段としての一対のMOS
FETのゲートには、それぞれ上記制御信号を保持する
キャパシタが設けられるものであり、そのインピーダン
スをアンバラスンにする手段は、一方のキャパシタの電
荷を放電させるMOSFETにより行うものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の差動増幅回路
。 3、上記スイッチ回路は、並列形態にされた一対のNチ
ャンネルMOSFETとPチャンネルMOSFETとに
より構成されたCMOSスイッチ回路であることを特徴
とする特許請求の範囲第1又は第2項記載の差動増幅回
路。 4、差動増幅素子と、これらの差動増幅素子にそれぞれ
設けられた負荷回路の一部を構成し、そのゲートに制御
電圧が供給される可変インピーダンス手段としてのMO
SFETとを含む差動増幅回路と、上記差動増幅回路の
入力端子に基準電圧を供給するスイッチ回路と、上記差
動増幅回路の出力電圧と上記基準電圧とを受ける電圧比
較回路と、上記スイッチ回路の制御信号と上記可変イン
ピーダンス手段としてのMOSFETのインピーダンス
をアンバランスとした状態から出力電圧の差が少なくな
る方向に一方のMOSFETのゲートに供給される制御
電圧を形成する制御回路とを含み、上記差動増幅回路の
差動増幅動作に先立って上記制御回路によりスイッチ回
路をオン状態にして上記制御電圧を変化させ、上記電圧
比較回路の出力が反転した時点で上記一方のMOSFE
Tのゲートに供給される制御電圧の変化を停止させると
ともに、上記スイッチ回路をオフ状態にして電圧比較回
路の出力端子から2値信号を送出するものとしたことを
特徴とする差動増幅回路。 5、上記可変インピーダンス手段としての一対のMOS
FETのゲートには、それぞれ上記制御信号を保持する
キャパシタが設けられるものであり、そのインピーダン
スをアンバラスンにする手段は、一方のキャパシタの電
荷を放電させるMOSFETにより行うものであること
を特徴とする特許請求の範囲第4項記載の差動増幅回路
[Claims] 1. A differential amplification element and an MO as a variable impedance means that constitutes a part of a load circuit provided to each of these differential amplification elements and whose gate is supplied with a control voltage.
SFET, a differential amplifier circuit to which a negative feedback circuit for gain setting is connected by a first switch circuit, and a second switch circuit that selectively supplies the same input voltage to the differential amplifier element. , a comparison circuit receiving the output voltage of the differential amplifier circuit and the input voltage, a control signal for the switch circuit, and a MOSFE as the variable impedance means.
a control circuit that forms a control voltage that is supplied to the gate of one MOSFET in a direction that reduces the difference in output voltage from a state where the impedance of T is unbalanced;
Prior to the differential amplification operation of the differential amplifier circuit, the control circuit turns the first switch circuit off and the second switch circuit on to change the control voltage, and outputs the voltage comparison circuit. When the MO of one of the above is reversed,
A differential amplifier circuit characterized in that a change in a control voltage supplied to a gate of an SFET is stopped. 2. A pair of MOS as the variable impedance means
A patent characterized in that the gates of the FETs are each provided with a capacitor that holds the control signal, and the means for unbalancing the impedance is performed by a MOSFET that discharges the charge of one of the capacitors. A differential amplifier circuit according to claim 1. 3. The differential differential according to claim 1 or 2, wherein the switch circuit is a CMOS switch circuit constituted by a pair of N-channel MOSFET and P-channel MOSFET arranged in parallel. Amplification circuit. 4. A differential amplification element and an MO as a variable impedance means that constitutes a part of a load circuit provided for each of these differential amplification elements and whose gate is supplied with a control voltage.
a differential amplifier circuit including an SFET, a switch circuit that supplies a reference voltage to an input terminal of the differential amplifier circuit, a voltage comparison circuit that receives the output voltage of the differential amplifier circuit and the reference voltage, and the switch. a control circuit that forms a control voltage that is supplied to the gate of one MOSFET in a direction that reduces the difference in output voltage from a state in which the control signal of the circuit and the impedance of the MOSFET as the variable impedance means are unbalanced; Prior to the differential amplification operation of the differential amplifier circuit, the control circuit turns on the switch circuit to change the control voltage, and when the output of the voltage comparison circuit is inverted, one of the MOSFEs
A differential amplifier circuit characterized in that a change in a control voltage supplied to a gate of a voltage comparator circuit is stopped, the switch circuit is turned off, and a binary signal is sent from an output terminal of a voltage comparator circuit. 5. A pair of MOS as the variable impedance means
A patent characterized in that the gates of the FETs are each provided with a capacitor that holds the control signal, and the means for unbalancing the impedance is performed by a MOSFET that discharges the charge of one of the capacitors. A differential amplifier circuit according to claim 4.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129848A (en) * 1991-11-01 1993-05-25 Nippondenso Co Ltd Offset voltage compensating circuit for differential amplifier
EP0786899A3 (en) * 1996-01-25 1998-10-14 Hewlett-Packard Company Image signal read-out circuitry with offset correction
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WO2003103141A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-11 ソニー株式会社 Differential amplifier, two-stage amplifier having that differential amplifier, and analog/digital converter having that two-stage amplifier

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