JPS6144334A - 温度測定装置 - Google Patents
温度測定装置Info
- Publication number
- JPS6144334A JPS6144334A JP16583084A JP16583084A JPS6144334A JP S6144334 A JPS6144334 A JP S6144334A JP 16583084 A JP16583084 A JP 16583084A JP 16583084 A JP16583084 A JP 16583084A JP S6144334 A JPS6144334 A JP S6144334A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- temperature
- absorption edge
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は温度測定装置に関し、特に光の吸収端が′&
度によって移動する材料を用いた温度測定装置に関する
ものでろる。
度によって移動する材料を用いた温度測定装置に関する
ものでろる。
@1図は4j4Jえば待開唱5’l−’19番17号公
報に示されたこの種従来の装置を示す構武図でるる。
報に示されたこの種従来の装置を示す構武図でるる。
図において(la) 、 (lb)はそれぞれ発光素子
駆動回路、(6”) 、 (6”)はそれぞれ発光素子
、(7)は光結合器、(8a ) 、 (8b)はそれ
ぞれ元ファイバ、tel 、 +41もそれぞれ光ファ
イバ、(9)は握反センプで第2図はその拡大図で、温
度によって元の透過率が変化する材P+131.(例え
ば、GaAs等の半導体結晶あるいは非晶質体〕を光フ
ァイバ(2)と(41との間にはさみ接着剤(9a〕で
取付けたものでるる。叫は受光素子で尤を変換装置(5
)の入力部金収出したものを示したものである。
駆動回路、(6”) 、 (6”)はそれぞれ発光素子
、(7)は光結合器、(8a ) 、 (8b)はそれ
ぞれ元ファイバ、tel 、 +41もそれぞれ光ファ
イバ、(9)は握反センプで第2図はその拡大図で、温
度によって元の透過率が変化する材P+131.(例え
ば、GaAs等の半導体結晶あるいは非晶質体〕を光フ
ァイバ(2)と(41との間にはさみ接着剤(9a〕で
取付けたものでるる。叫は受光素子で尤を変換装置(5
)の入力部金収出したものを示したものである。
C11a)、(Jib)Hそれぞnスイッチ回路%(1
2a)l(12b)lユそれぞれ平滑回路、曝11算詠
(13a)、(13b)はそれぞれパルス発生器である
。
2a)l(12b)lユそれぞれ平滑回路、曝11算詠
(13a)、(13b)はそれぞれパルス発生器である
。
第3図はパルス発生器(13a) 、 (131))の
出力で示す波形図であって、第8図telはパルス発生
器(13a)の出力電圧、第3図(旬はパルス発生器(
13b)の出力電圧を示す。
出力で示す波形図であって、第8図telはパルス発生
器(13a)の出力電圧、第3図(旬はパルス発生器(
13b)の出力電圧を示す。
また第4図はd度七ンサ(9)の波長依存性と温度との
関係の一例を示す特性図である。
関係の一例を示す特性図である。
第4図から明らかなように、波長入電の光は温度T、#
T、の範囲で変化するときに温度センf(幻の透過率が
変化するが、波長λ4の光は温度が変化しても温度セン
f(9)の透過率が変化しない。第1図に示す発光素子
(6a)は波長人3の党を発光し、発光素子(6b)は
波長λ4の光を発光するように遇んである。この明細書
では仮にλ4を第1の波長、λstagの波長という0
また発光素子駆動回路(la)には第3図talに示す
電圧と塀えて発光素子(6a)を発光させ、発光素子駆
動回路(11))’?A光させる0発光素子(6&)か
らの改長λ意の光は元ファイバ(8a)を経て、また発
光素子(6b)からの波民λ40党は元ファイバ(8b
)(C経て元結台器(7)で加え合されて元ファイバ(
2)に入射される。発光素子駆動回路(la)、(lb
)、発光A子(6a) 、 (6b)、元ファイバ(8
” ) 1 (8”入光結合器(7)を総合して光源と
すれば、この光源は第1の波長の元と第8の波長の光と
を時分射的に発生して光7アイパ121に入射するとい
うことができる。この入射された光が元ファイバ(2ζ
m反−t/プ(9)、尤7アイバ141金経て受光米子
−に入射し電圧信号に父挾σれ元電又換装蝋(51で増
幅されスイッチ回路(11す、 (ilb)に入力きれ
る。このスイッチ1回路(xxa〕、 (lit))は
それぞれ第8図(&1及びfblに示すパルスで発光素
子駆動回路(la ) 、 (lb )と同期して制御
されるので、スイッチ回路(lla)からは波長λ重の
光が変換されfC,電圧信号だけが出力し、スイッチ回
路(111))からはe、畏λ4の光が変換された電圧
信号だけが出力する。これらの出力tそれぞれ平滑回路
(12a) 、 (1gb)により平滑化した直i電圧
全それぞれvAt、vA4 とすれば演算器a4はV
−■ ’、3/Vλ、に比例す6電圧を出力する・この明細書
では仮にvA 2第1の電圧信号、vAs t”第2の
電圧信号というφ先に説明したよりに、波長λ、の光は
温度セン? +91 を通過しても湿度によって強度の
変化は無く、波長λ嘗の光は温度センf’ 191 o
温度にぶって預1!!、が変化する。また温度センサt
910光7アイバ(2) 、 +41と材料(31との
結合効率が変化すると、JjL長人Sの元も波長λ鴫の
光もその強度が同じように変化するため、演算器IでV
・−%、、の演算tして信+”jVo’ic出力すれば
、信号V・は温度センサの結合効率の変化による出力の
責助が除去される。
T、の範囲で変化するときに温度センf(幻の透過率が
変化するが、波長λ4の光は温度が変化しても温度セン
f(9)の透過率が変化しない。第1図に示す発光素子
(6a)は波長人3の党を発光し、発光素子(6b)は
波長λ4の光を発光するように遇んである。この明細書
では仮にλ4を第1の波長、λstagの波長という0
また発光素子駆動回路(la)には第3図talに示す
電圧と塀えて発光素子(6a)を発光させ、発光素子駆
動回路(11))’?A光させる0発光素子(6&)か
らの改長λ意の光は元ファイバ(8a)を経て、また発
光素子(6b)からの波民λ40党は元ファイバ(8b
)(C経て元結台器(7)で加え合されて元ファイバ(
2)に入射される。発光素子駆動回路(la)、(lb
)、発光A子(6a) 、 (6b)、元ファイバ(8
” ) 1 (8”入光結合器(7)を総合して光源と
すれば、この光源は第1の波長の元と第8の波長の光と
を時分射的に発生して光7アイパ121に入射するとい
うことができる。この入射された光が元ファイバ(2ζ
m反−t/プ(9)、尤7アイバ141金経て受光米子
−に入射し電圧信号に父挾σれ元電又換装蝋(51で増
幅されスイッチ回路(11す、 (ilb)に入力きれ
る。このスイッチ1回路(xxa〕、 (lit))は
それぞれ第8図(&1及びfblに示すパルスで発光素
子駆動回路(la ) 、 (lb )と同期して制御
されるので、スイッチ回路(lla)からは波長λ重の
光が変換されfC,電圧信号だけが出力し、スイッチ回
路(111))からはe、畏λ4の光が変換された電圧
信号だけが出力する。これらの出力tそれぞれ平滑回路
(12a) 、 (1gb)により平滑化した直i電圧
全それぞれvAt、vA4 とすれば演算器a4はV
−■ ’、3/Vλ、に比例す6電圧を出力する・この明細書
では仮にvA 2第1の電圧信号、vAs t”第2の
電圧信号というφ先に説明したよりに、波長λ、の光は
温度セン? +91 を通過しても湿度によって強度の
変化は無く、波長λ嘗の光は温度センf’ 191 o
温度にぶって預1!!、が変化する。また温度センサt
910光7アイバ(2) 、 +41と材料(31との
結合効率が変化すると、JjL長人Sの元も波長λ鴫の
光もその強度が同じように変化するため、演算器IでV
・−%、、の演算tして信+”jVo’ic出力すれば
、信号V・は温度センサの結合効率の変化による出力の
責助が除去される。
従来の温If:測尼装置は以上のように構成されて−る
ので、2つの波長の光源を必要とし、しかもそれらが互
いに一足の鎖反IA係ンζなるようにルリ御する必要が
あり、高価で69.筐た、光源の経時波長変化が誤庄と
なる欠点があった。
ので、2つの波長の光源を必要とし、しかもそれらが互
いに一足の鎖反IA係ンζなるようにルリ御する必要が
あり、高価で69.筐た、光源の経時波長変化が誤庄と
なる欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点金除去する
ためになされたもので、光源で1つとし、材料の温度に
より移動する元の吸収端の波長を検出しこの波長から温
度′fc演算することによフ、光源、光伝送路での光の
変化の影#金受けずに正確な測定上可能とする温度測定
装置1c提供するものでおる。
ためになされたもので、光源で1つとし、材料の温度に
より移動する元の吸収端の波長を検出しこの波長から温
度′fc演算することによフ、光源、光伝送路での光の
変化の影#金受けずに正確な測定上可能とする温度測定
装置1c提供するものでおる。
以下図面についてこの発明の詳細な説明する。第5図は
この発明の一実施例における温度測定装置を示す構氏図
で、第1図と同一符号は同−又は相当部分を示す0すな
わち+IJは発光素子駆動回路、(6)は発光素子、1
21 、143は光ファイバ、(9jは1m滉セ/プで
第2図に示したものと同じようなものでるる。
この発明の一実施例における温度測定装置を示す構氏図
で、第1図と同一符号は同−又は相当部分を示す0すな
わち+IJは発光素子駆動回路、(6)は発光素子、1
21 、143は光ファイバ、(9jは1m滉セ/プで
第2図に示したものと同じようなものでるる。
96)は回折格子、プリズム、寸ルチスリット等の分光
器、α119は7オトダイオードアレイ、C0D(Ch
ar!!ed Coupled Device)等のラ
イン状に光電又遺ができる受光器、9ηは受光器Qηの
各素子にそれぞれ接続されたコンパレータ、端は処理回
路である。そして、す1巾し−により受光部111を構
成する。第6図は発光素子(6)の彼民スペクトルと温
度センナ(9)の透過光の波長スペクトルを示した図で
おる。
器、α119は7オトダイオードアレイ、C0D(Ch
ar!!ed Coupled Device)等のラ
イン状に光電又遺ができる受光器、9ηは受光器Qηの
各素子にそれぞれ接続されたコンパレータ、端は処理回
路である。そして、す1巾し−により受光部111を構
成する。第6図は発光素子(6)の彼民スペクトルと温
度センナ(9)の透過光の波長スペクトルを示した図で
おる。
以下動作の説明をする。第5図において、発光素子(6
)μ発光素子駆動回路Illで連続駆動されており、例
えばLEDを使うと第6図に示すような正規分布の波長
スペクトルとなる。そこで半導体結晶ろるいは非晶体の
よりな材料で構成きれるIli&センf +91のd1
過光はその吸収端特性が急峻な彫金とり、第8図の斜線
を施した波長分布となる。
)μ発光素子駆動回路Illで連続駆動されており、例
えばLEDを使うと第6図に示すような正規分布の波長
スペクトルとなる。そこで半導体結晶ろるいは非晶体の
よりな材料で構成きれるIli&センf +91のd1
過光はその吸収端特性が急峻な彫金とり、第8図の斜線
を施した波長分布となる。
この場合、発光素子(6)の光強度又は波長スペクトル
が少々変化しても筐た、光伝送路でのロス犬化が少々生
じても温度センf(9)の透過光の吸収端即ち短波長波
側のエツジの波長は変化しない。そこでこのエツジの波
長を検出してやレバ上記のよりな変化に影響されず、正
確に温度が測れることになる・ この定め、光ファイ/< +41の出射端に回折格子等
の分光器す・を設は波長分光し、その後に7オトグイオ
ードアレイ等の受光器(+19ヲ収付け、受光器四谷々
の出力に一定レベル以上で出力力;出るよウナコンパレ
ータ1117)k谷々設け、こ1らコンパレータqηの
出力から前述のエツジ部、t’l’ち温度センナ(9)
の透過光の最低波長の位m’を処理回路四で検出して温
度を演算するOこのようにすることで、単一の光源でよ
く、かつ光源、光伝送路の変化に影響されず、正確に1
0五測れる。
が少々変化しても筐た、光伝送路でのロス犬化が少々生
じても温度センf(9)の透過光の吸収端即ち短波長波
側のエツジの波長は変化しない。そこでこのエツジの波
長を検出してやレバ上記のよりな変化に影響されず、正
確に温度が測れることになる・ この定め、光ファイ/< +41の出射端に回折格子等
の分光器す・を設は波長分光し、その後に7オトグイオ
ードアレイ等の受光器(+19ヲ収付け、受光器四谷々
の出力に一定レベル以上で出力力;出るよウナコンパレ
ータ1117)k谷々設け、こ1らコンパレータqηの
出力から前述のエツジ部、t’l’ち温度センナ(9)
の透過光の最低波長の位m’を処理回路四で検出して温
度を演算するOこのようにすることで、単一の光源でよ
く、かつ光源、光伝送路の変化に影響されず、正確に1
0五測れる。
以上のように仁の発明によれば単一の光源力為らの元を
材料に透過させ、その透過光の吸収端の波長を検出して
この波長からi反を氷める構成としたので、光源の制御
が簡単でしかも、光源の経時波長変化の杉#を受けず、
正確に温度を米めることができるという効果75;わる
。
材料に透過させ、その透過光の吸収端の波長を検出して
この波長からi反を氷める構成としたので、光源の制御
が簡単でしかも、光源の経時波長変化の杉#を受けず、
正確に温度を米めることができるという効果75;わる
。
第1図は従来の温度測定装置の一例を示す構成図、第2
図は第1図の温度センナの拡大図、第8図に第1図のパ
ルス発生器の出力を示す波形図、第4図は第1図の温度
センナの波長依存性と温度との関係を示す特性図、第6
図は本発明の一実施例における温度測定装置を示す構成
図、WB2図は第5図の発光素子の波長スペクトルと温
度センナの透過光との波長と透過率の関係を示した図で
6る。図において、(1)及び(6)は光源を構成する
発光素子駆動回路及び発光素子、t21t41ハt77
(z<、tat d 材R1t+imh受tSである・ なお、図中同一符号は同−又は4目当部分を示すO
図は第1図の温度センナの拡大図、第8図に第1図のパ
ルス発生器の出力を示す波形図、第4図は第1図の温度
センナの波長依存性と温度との関係を示す特性図、第6
図は本発明の一実施例における温度測定装置を示す構成
図、WB2図は第5図の発光素子の波長スペクトルと温
度センナの透過光との波長と透過率の関係を示した図で
6る。図において、(1)及び(6)は光源を構成する
発光素子駆動回路及び発光素子、t21t41ハt77
(z<、tat d 材R1t+imh受tSである・ なお、図中同一符号は同−又は4目当部分を示すO
Claims (2)
- (1)一定の波長スペクトルを有する光を発生する単一
の光源、上記波長スペクトルの範囲内で光の吸収端が温
度の関数として移動する材料、上記光源からの光を上記
材料に通過させる径路を構成する光ファイバ、上記材料
を通過した光を受光し上記吸収端の波長を検出しこの波
長から温度を演算する受光部を備えたことを特徴とする
温度測定装置。 - (2)受光部は受光した光を波長分光するプリズム、回
折格子、マルチスリット等の分光器と、分光した各波長
の光を各電気信号に変換するフォトダイオードアレイ、
CCD等の受光器と、上記各電気信号が一定出力を越え
たとき出力を発生するコンパレータと、このコンパレー
タの出力から光の吸収端の波長を検出し温度を演算する
処理回路とからなることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の温度測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16583084A JPS6144334A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16583084A JPS6144334A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 温度測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6144334A true JPS6144334A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15819809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16583084A Pending JPS6144334A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 温度測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6144334A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0248111A2 (en) * | 1986-04-08 | 1987-12-09 | CV Technology, Incorporated | Spectroscopic method and apparatus for optically measuring temperature |
JPS63234125A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Chino Corp | 光学式温度測定装置 |
JPS63236936A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Chino Corp | 光学式温度測定装置 |
CN111323143A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-06-23 | 西安和其光电科技股份有限公司 | 一种用于半导体吸收式光谱测温的信号处理方法及系统 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16583084A patent/JPS6144334A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0248111A2 (en) * | 1986-04-08 | 1987-12-09 | CV Technology, Incorporated | Spectroscopic method and apparatus for optically measuring temperature |
EP0248111A3 (en) * | 1986-04-08 | 1989-06-14 | CV Technology, Incorporated | Spectroscopic method and apparatus for optically measuring temperature |
JPS63234125A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Chino Corp | 光学式温度測定装置 |
JPS63236936A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Chino Corp | 光学式温度測定装置 |
CN111323143A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-06-23 | 西安和其光电科技股份有限公司 | 一种用于半导体吸收式光谱测温的信号处理方法及系统 |
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