JPS6143423A - マスクアライナ - Google Patents
マスクアライナInfo
- Publication number
- JPS6143423A JPS6143423A JP59164942A JP16494284A JPS6143423A JP S6143423 A JPS6143423 A JP S6143423A JP 59164942 A JP59164942 A JP 59164942A JP 16494284 A JP16494284 A JP 16494284A JP S6143423 A JPS6143423 A JP S6143423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- stage
- substrate
- wafer
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
２本発明は半導体等の製造に用いられるマスクアライナ
に係り、特に大面積のウェハ又は基板に好適なマスクア
ライナに関する。
に係り、特に大面積のウェハ又は基板に好適なマスクア
ライナに関する。
従来のマスクアライナにおけるステージはウェハや基板
をマスクに密着させるために金属等の剛性の高い材料を
用いて造られている。ウェハや基板が小さい場合はマス
クと硬いステージの間にウェハや基板をはさんで押し付
けることにヨリ、マスクとレジストとの密着を計ってい
た◎しかしながら、ウェハや基板の大型化に伴い、第４
ｖｌ（ａ）に示す如く、ステージ端部の押し上げ忙よる
マスク中央部の浮き上がりが起こり、この部分では第１
図の）忙示す如く光の回り込みｋよって密着露光ができ
なくなる傾向にある０〔発明の目的〕 本発明の目的は、ウェハや基板の大型化に対処し、ウェ
ハや基板全面にわたって均一な密着露光ができるマスク
アライナを提供することｋある。
をマスクに密着させるために金属等の剛性の高い材料を
用いて造られている。ウェハや基板が小さい場合はマス
クと硬いステージの間にウェハや基板をはさんで押し付
けることにヨリ、マスクとレジストとの密着を計ってい
た◎しかしながら、ウェハや基板の大型化に伴い、第４
ｖｌ（ａ）に示す如く、ステージ端部の押し上げ忙よる
マスク中央部の浮き上がりが起こり、この部分では第１
図の）忙示す如く光の回り込みｋよって密着露光ができ
なくなる傾向にある０〔発明の目的〕 本発明の目的は、ウェハや基板の大型化に対処し、ウェ
ハや基板全面にわたって均一な密着露光ができるマスク
アライナを提供することｋある。
本発明はフォトレジストを露光するための光源とマスク
を保持するマスクホルダーと基板を保持し位置合わせな
行うステージより成るマスクアライナにおいて、ステー
ジの表面を変形容易な弾性物質で形成したことを特徴と
するものである。即ち、マスク中央部での浮き上がりを
防止するためには・ステージ端部でのマスクの押し付は
力を弱めることが必要である◎そこで、ステージ表面が
自由に変形できるような材料で形成して押し付は力を弱
め、マスク中央部の浮き上がりを小さくする。また、理
想的にはマスクに模ってウェハや基板を保持し、均等な
力で押し付けることが望ましいので、ステージ表面に流
体を封入した柔軟な層を形成すれば、ウェハや基板はマ
スクの変形に追従した形でマスクに押し付けられ、マス
クと７ｔ）レジスト間に隙間が生じるのを防ぐことがで
きる。この場合、封入した流体の圧力を調整することで
より均質な密着をさせることができる。
を保持するマスクホルダーと基板を保持し位置合わせな
行うステージより成るマスクアライナにおいて、ステー
ジの表面を変形容易な弾性物質で形成したことを特徴と
するものである。即ち、マスク中央部での浮き上がりを
防止するためには・ステージ端部でのマスクの押し付は
力を弱めることが必要である◎そこで、ステージ表面が
自由に変形できるような材料で形成して押し付は力を弱
め、マスク中央部の浮き上がりを小さくする。また、理
想的にはマスクに模ってウェハや基板を保持し、均等な
力で押し付けることが望ましいので、ステージ表面に流
体を封入した柔軟な層を形成すれば、ウェハや基板はマ
スクの変形に追従した形でマスクに押し付けられ、マス
クと７ｔ）レジスト間に隙間が生じるのを防ぐことがで
きる。この場合、封入した流体の圧力を調整することで
より均質な密着をさせることができる。
以下、本発明の実施例を図忙より説明する・〔実施例１
〕 第１図に示す如く、ステージ表面を柔軟な弾性物質で構
成する・−この場合、表面の材料の厚さはウェハや基板
をマスクに押し付けた後も十分に弾性域にあるような厚
さが必要である。列えは、マスクの浮き上がりの最大値
が１００μｍ程度の場合、ステージ表面の端部は中央部
より１００μｍ下がらなければならず、圧縮の弾性限界
が１０％の物質を用いた場合は１朋以上の厚さが必要で
ある。このよ５Ｖｃ、厚みはマスクの浮き上がり量とス
テージ表面を構成する物質の機械的性質によって決まる
・ 〔実施例２〕 第２図に示す如く、ステージ表面を柔軟な弾性物質で構
成し、この下に流体を封入する０本実施例では、封入さ
れた流体が変形をすることにより、ステージ表面がマス
クの変形に追従することになる・さらに、流体の性質に
よりウェハ又は基板の全面にわたり均一な力でマスクへ
の押付力が生じるため、より良好な密着性が得られる・
流体層の厚さはマスクの浮き上がり量と同等以上とし、
封入すべき流体はシリコンオイル等の液体又は加圧した
気体が良好である。
〕 第１図に示す如く、ステージ表面を柔軟な弾性物質で構
成する・−この場合、表面の材料の厚さはウェハや基板
をマスクに押し付けた後も十分に弾性域にあるような厚
さが必要である。列えは、マスクの浮き上がりの最大値
が１００μｍ程度の場合、ステージ表面の端部は中央部
より１００μｍ下がらなければならず、圧縮の弾性限界
が１０％の物質を用いた場合は１朋以上の厚さが必要で
ある。このよ５Ｖｃ、厚みはマスクの浮き上がり量とス
テージ表面を構成する物質の機械的性質によって決まる
・ 〔実施例２〕 第２図に示す如く、ステージ表面を柔軟な弾性物質で構
成し、この下に流体を封入する０本実施例では、封入さ
れた流体が変形をすることにより、ステージ表面がマス
クの変形に追従することになる・さらに、流体の性質に
よりウェハ又は基板の全面にわたり均一な力でマスクへ
の押付力が生じるため、より良好な密着性が得られる・
流体層の厚さはマスクの浮き上がり量と同等以上とし、
封入すべき流体はシリコンオイル等の液体又は加圧した
気体が良好である。
すなわち、容易に圧縮される流体の場合は流体層が押し
つぶされ、目的とする効果が得られない場合があるから
である。
つぶされ、目的とする効果が得られない場合があるから
である。
〔実施例３〕
第３図に示す如く、ステージ表面を柔軟な弾性物質で構
成し、この下に流体を封入する＠さらに流体を外部から
加減圧できるように圧力調整機能を設ける。本実施鍵の
場合、ウェハ又は基板の大きさによって流体の圧力を調
整し、常に最適な押付力でウェハ又は基板をマスクに密
着させることができるため、汎用性が高い・〔発明の効
果〕 本発明によれば、ウェハ又は基板の大型化に伴うマスク
の洋き上がりを抑制し、さらにウェハ又は基板全面をマ
スクに密層させることができるため、微細なパターンを
精度よくフォトレジストに転写できる１これによってＬ
ＳＩやサーマルヘッド等の製品を容易にかつ安価に製造
できる効果がある＠
成し、この下に流体を封入する＠さらに流体を外部から
加減圧できるように圧力調整機能を設ける。本実施鍵の
場合、ウェハ又は基板の大きさによって流体の圧力を調
整し、常に最適な押付力でウェハ又は基板をマスクに密
着させることができるため、汎用性が高い・〔発明の効
果〕 本発明によれば、ウェハ又は基板の大型化に伴うマスク
の洋き上がりを抑制し、さらにウェハ又は基板全面をマ
スクに密層させることができるため、微細なパターンを
精度よくフォトレジストに転写できる１これによってＬ
ＳＩやサーマルヘッド等の製品を容易にかつ安価に製造
できる効果がある＠
第１図は本発明実施側１によるマスクアライナでの露光
を示す説明図、第２図は本発明実施例２によるマスクア
ライナでの露光を示す説明図、第３図は本発明実施例３
によるマスクアライナでの露光を示す説明図、第４図（
ａ）は従来のマスクアライナによる露光時のマスクの浮
雲上がりを示す説明図、（すは浮き上がり忙よる光の回
り込みを示す説明図である＠ １・・・マスク、 ２・・・ウェハ又は基板
、３・・・マスクホルダ、 ４・・・ステージ、５
・・・球面座、 ６・・・ステージ昇降用シ
フ・・・照射光、 リング、８・・・マ
スク上のパターン、 ９・・・変形容易な弾性物質、 １０・・・流体、 １１・・・流体圧力伝
達管、１２・・・流体圧力ｉｉｍ機。
を示す説明図、第２図は本発明実施例２によるマスクア
ライナでの露光を示す説明図、第３図は本発明実施例３
によるマスクアライナでの露光を示す説明図、第４図（
ａ）は従来のマスクアライナによる露光時のマスクの浮
雲上がりを示す説明図、（すは浮き上がり忙よる光の回
り込みを示す説明図である＠ １・・・マスク、 ２・・・ウェハ又は基板
、３・・・マスクホルダ、 ４・・・ステージ、５
・・・球面座、 ６・・・ステージ昇降用シ
フ・・・照射光、 リング、８・・・マ
スク上のパターン、 ９・・・変形容易な弾性物質、 １０・・・流体、 １１・・・流体圧力伝
達管、１２・・・流体圧力ｉｉｍ機。
Claims (1)
- （１）フォトレジストを露光するための光源とマスクを
保持するマスクホルダーと基板を保持し位置合わせを行
うステージより成るマスクアライナにおいて、ステージ
の表面を変形容易な弾性物質で形成したことを特徴とす
るマスクアライナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164942A JPS6143423A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | マスクアライナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164942A JPS6143423A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | マスクアライナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143423A true JPS6143423A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15802775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164942A Pending JPS6143423A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | マスクアライナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59164942A patent/JPS6143423A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
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