JPS6138937A - Photoelectric converter formed on substrate - Google Patents

Photoelectric converter formed on substrate

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JPS6138937A
JPS6138937A JP16110884A JP16110884A JPS6138937A JP S6138937 A JPS6138937 A JP S6138937A JP 16110884 A JP16110884 A JP 16110884A JP 16110884 A JP16110884 A JP 16110884A JP S6138937 A JPS6138937 A JP S6138937A
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JP
Japan
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optical
optical waveguide
substrate
photovoltaic element
waveguide
Prior art date
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Application number
JP16110884A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naohisa Inoue
直久 井上
Junichi Takagi
高木 潤一
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To attain highly efficient photoelectric conversion by forming a photovoltaic element on a surface obliquely crossed in the depth direction of an optical waveguide. CONSTITUTION:The surface obliquely crossed in the depth direction is formed on the optical waveguide 11 of a substrate 10 and the photovoltaic element 15 is formed so as to cover said surface. In said constitution, light transmitted through the waveguide 11 is made incident on the element 15 directly from an oblique part, so that highly efficient photoelectric conversion can be attained.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は、基板に形成された光電変換装置に関し、特
に基板に集積化された光論理回路のために有用であり、
光11号から起電力を発生させるための装置に関ザる。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a photoelectric conversion device formed on a substrate, and is particularly useful for optical logic circuits integrated on a substrate.
It is concerned with a device for generating electromotive force from Hikari No. 11.

近年、オプトエレクトロニクス技術の進展はめざましく
、光ICの実現も開発課題の1つにあげられている。事
実、光ICの基本となる論理回路、たとえば光論理用(
OR>回路や光排他的論理和回路が提案されている。出
願人も電気光学効果をも−)M板上に集積化された種々
の光論理回路を提案している(たとえば特願昭59−1
17552〜117554号など)。これらの光論理回
路では、光信号を電気量に変換し、基板のもつ電気光学
効果を利用してこの電気量により種々の光の制御が達成
されている。
In recent years, optoelectronic technology has made remarkable progress, and the realization of optical ICs has been raised as one of the development issues. In fact, the basic logic circuits of optical ICs, such as optical logic (
OR> circuits and optical exclusive OR circuits have been proposed. The applicant has also proposed various optical logic circuits integrated on M boards (for example, Japanese Patent Application No. 59-1)
17552-117554 etc.). In these optical logic circuits, an optical signal is converted into an electrical quantity, and various types of light control are achieved using this electrical quantity by utilizing the electro-optic effect of the substrate.

所望の光の制御を達成するためには充分な電気量、たと
えば充分に高い電圧が必要である。
A sufficient amount of electricity, such as a sufficiently high voltage, is required to achieve the desired light control.

発明の概要 この発明は、基板に形成された光導波路を伝播する光を
効率的に利用して、光論理回路等の動作のために必要か
つ充分な電気量が得られるような光電変換装置を提供す
るものである。
Summary of the Invention The present invention provides a photoelectric conversion device that efficiently utilizes light propagating through an optical waveguide formed on a substrate to obtain a sufficient amount of electricity necessary for operating an optical logic circuit or the like. This is what we provide.

この発明による光電変換装置は、基板に形成された光導
波路をそめ深さ方向に斜めに横切る而が形、成され、少
なくともこの傾斜面を覆うように光起電力素子が形成さ
れていることを特・徴とする。光導波路を伝播する光の
ある部分はこの傾斜面から直接に光起電力素子に入力し
、起電力発生のために利用されるので、効率の高い充電
変換が達成される。
The photoelectric conversion device according to the present invention is formed so that the optical waveguide formed on the substrate is diagonally crossed in the depth direction, and the photovoltaic element is formed so as to cover at least this inclined surface. Characteristics/characteristics. A certain portion of the light propagating through the optical waveguide directly enters the photovoltaic element from this inclined surface and is used to generate electromotive force, achieving highly efficient charging conversion.

実施例の説明 この発明による光電変換装置を、光論理回路の基本要素
である光NOT回路に適用した実施例について以下に詳
述する。  ゛ まず、光NOT論理について説明しておく。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment in which a photoelectric conversion device according to the present invention is applied to an optical NOT circuit, which is a basic element of an optical logic circuit, will be described in detail below. ``First, let me explain the optical NOT logic.

光NOT論理は、電気信号のNOT論理と同じである。Optical NOT logic is the same as electrical signal NOT logic.

第1図において、入力光信号が11nで表わされている
。この入力光信号ノ〕ト光NOT論理演算された結果出
力される出力光信号が1outで示されている。光行が
論理値のrlJを表わC゛、光熱が論理値のrOJを表
わしている。
In FIG. 1, the input optical signal is represented by 11n. The output optical signal output as a result of the optical NOT logical operation on this input optical signal is indicated by 1out. The light line represents the logical value rlJ, and the light heat represents the logical value rOJ.

入力光信号finがrOJの場合に出力光信号■011
tは「1」となり、入力が「1」の場合に出力は「0」
となる。
When the input optical signal fin is rOJ, the output optical signal ■011
t is "1", and if the input is "1", the output is "0"
becomes.

第2図において、基−板(10)としてli Nbo3
結晶が用いられ、この基板(10)上に3つの光導波路
(11)  (12)および(13)が形成されている
。これらの光導波路の作成は、たとえば基板(10)表
面全面にTiを蒸着またはスパッタし、このTi膜を利
用してTIによる導波路パターンをリフトオフ法により
形成し、ざらにこのTiを酸素雰囲気中において970
℃で5時間、基板(10)内に熱拡散させることにより
行なわれる。
In FIG. 2, the substrate (10) is liNbo3.
A crystal is used, and three optical waveguides (11), (12) and (13) are formed on this substrate (10). These optical waveguides are created by, for example, depositing or sputtering Ti on the entire surface of the substrate (10), using this Ti film to form a waveguide pattern of Ti by a lift-off method, and then roughly exposing the Ti in an oxygen atmosphere. 970 in
This is done by thermal diffusion into the substrate (10) for 5 hours at .degree.

第1の光導波路(11)は、基板(10)の一端から基
板(10)の中央付近までまたは基板(10〉の他端ま
で形成されており、光導波路(11)の終端部または途
中には光起電力素子(15)が作製されている。光起電
力素子(15)としてはたとえばCd Teがよい。光
起電力索子(15)は、第3図(A>に拡大しで示され
ているように、光導波路(11)上に形成された窪みの
内表面に形成されている。たとえば、Tiの熱拡散によ
り光導波路を形成したのら、基板(10)表面にホ1〜
レジス1−をスピン−1−トし、ボl−マスクを用いた
露光とレジス1〜の現像ににす、光導波路(11)上お
よび必要ならばその周囲にレジス1〜の窓を形成する。
The first optical waveguide (11) is formed from one end of the substrate (10) to near the center of the substrate (10) or to the other end of the substrate (10>), and is located at the terminal end or halfway of the optical waveguide (11). A photovoltaic device (15) is fabricated.The photovoltaic device (15) is preferably made of CdTe, for example.The photovoltaic cord (15) is shown enlarged in FIG. As shown in FIG.
Spin the resist 1-, expose it to light using a vol-mask, and develop the resist 1-, forming a window of the resist 1- on the optical waveguide (11) and, if necessary, around it. .

そして、(HF + l−l N Oa )を加熱した
液中でエツチングを行なう。このエツチングにより光導
波路(11)上に窪みが形成される。この窪みにCdT
eを蒸着しかつ適当な箇所(たとえばCd Teの上面
両側)に端子を形成することにより光起電力素子ができ
る。
Then, etching is performed in a heated solution of (HF + 1-1N Oa). This etching forms a depression on the optical waveguide (11). CdT in this depression
A photovoltaic device is produced by depositing CdTe and forming terminals at appropriate locations (for example, on both sides of the top surface of CdTe).

第3図(B)は、光導波路(11)内を伝播する光のう
ち光起電力素子(15)に入射する光パワーを、光の進
行方向の距離を横軸にして示している。光起電力素子(
15)の手前の位置において光導波路(11)を伝播す
る光のパワーを1としている。このグラフからも分るよ
うに、窪みの傾斜面において多くの光が光起電力素子(
15)に入射し、さらに窪みの底の部分に位置する光導
波路(11)の深さが小さくなっている部分においても
伝播光の一部が光起電力素子(15)に入射している。
FIG. 3(B) shows the optical power incident on the photovoltaic element (15) out of the light propagating within the optical waveguide (11), with distance in the traveling direction of the light being plotted on the horizontal axis. Photovoltaic element (
The power of the light propagating through the optical waveguide (11) at the position before the optical waveguide (15) is assumed to be 1. As can be seen from this graph, much light is transmitted to the photovoltaic element (
15), and a portion of the propagating light also enters the photovoltaic element (15) in the portion where the depth of the optical waveguide (11) located at the bottom of the recess is reduced.

光起電力素子(15)に入則しなかった光は光導波路(
11〉をさらに伝播していって他の用途に用いられるか
、または他の用途が無い場合には光起電力素子(15)
の位置が光導波路(11)の終端とされる。この場合に
は、光導波路(11)の端部で反射した光の一部もまた
光起電力素子(15)に入射するであろう。
The light that does not enter the photovoltaic element (15) passes through the optical waveguide (
11> is further propagated and used for other purposes, or if there is no other use, it becomes a photovoltaic element (15)
The position is defined as the termination of the optical waveguide (11). In this case, a portion of the light reflected at the end of the optical waveguide (11) will also enter the photovoltaic element (15).

第2図において、第2の光導波路(12)は基板(10
)の−喘から他端まで形成されている。
In FIG. 2, the second optical waveguide (12) is connected to the substrate (10
) is formed from the -gasm to the other end.

第3の光導波路(13)はその一端部が第2の光導波路
(12)の一部に近接し、かつ伯の部分においては第2
の光導波路(12)から離れている。
One end of the third optical waveguide (13) is close to a part of the second optical waveguide (12), and
is away from the optical waveguide (12).

第2の光導波路(12)と第3の光導波路〈13)との
互いに近接した部分は方向性結合器を構成している。こ
の方向性結合器を構成する光導波路部分上には1対の電
極(14)が設(プられている。この電極(14)には
配線パターン(16)によって光起電力素子(15)の
両端子が接続され、素子(15)の起電力が電極(14
)に印加されるようになっている。電極(14)、配線
パターン(16)および光起電力素子(15)の端子は
AIを所定のパターンにリフl−′Aノすることにより
作製される。
Portions of the second optical waveguide (12) and the third optical waveguide (13) that are close to each other constitute a directional coupler. A pair of electrodes (14) are provided on the optical waveguide portion constituting this directional coupler.A photovoltaic element (15) is connected to this electrode (14) by a wiring pattern (16). Both terminals are connected, and the electromotive force of the element (15) is applied to the electrode (14).
) is applied. The electrode (14), the wiring pattern (16), and the terminal of the photovoltaic element (15) are fabricated by refining AI into a predetermined pattern.

方向性結合器は近接した2本の平行光導波路間で光のパ
ワーのやりとりを生じさせるものである。光導波路(1
2)と(13)との互いに近接した部分によって構成さ
れる方向性結合器は、一方の光導波路(12)を伝播す
る光の100%のパワーが他方の光導波路(13)に移
行するようにその相互作用長、結合係数、位相定数等が
設定されている。
A directional coupler causes optical power to be exchanged between two parallel optical waveguides that are close to each other. Optical waveguide (1
A directional coupler constituted by parts 2) and (13) that are close to each other is configured such that 100% of the power of the light propagating through one optical waveguide (12) is transferred to the other optical waveguide (13). The interaction length, coupling coefficient, phase constant, etc. are set in .

LiNbO3は電気光学効果をもつ結晶であるから、こ
の結晶に電界を印加するとその屈折率が変化する。光起
電力素子り15)から発生した電圧が電極(14)に印
加されると、光導波路(12>  (13)の電極直下
にお(プる屈折率が変化し光導波路(12)  (13
)のこれらの部分における位相定数が変化する(Zカッ
トLiNbO3の場合)、または光導波路(12)  
(13)におけるこれらの光導波路部分間の屈折率が変
化することによりi、−合の強さが変化する(Yカット
[−!NEIO3の場合)。このような結合の強さ、位
相整合の変化によって、光導波路(12)  (13>
の近接部分から構成される方向性結合器においては光パ
ワーの移行が生じなくなる。
Since LiNbO3 is a crystal with an electro-optic effect, when an electric field is applied to this crystal, its refractive index changes. When a voltage generated from the photovoltaic element (15) is applied to the electrode (14), the refractive index of the optical waveguide (12) (13) changes, causing the optical waveguide (12) (13) to
) changes the phase constant in these parts of the optical waveguide (12) (in the case of Z-cut LiNbO3)
By changing the refractive index between these optical waveguide parts in (13), the strength of the i, - combination changes (in the case of Y cut [-!NEIO3). Due to changes in coupling strength and phase matching, optical waveguides (12) (13>
In a directional coupler composed of adjacent portions, no optical power shift occurs.

さて、第2図に示された光NOT回路の動作を統一的に
説明する。入力光信号■Inは第1の光導波路(11)
に導入される。第2の光導波路(12)には、基準光1
 inRが常時入力している。
Now, the operation of the optical NOT circuit shown in FIG. 2 will be explained in a unified manner. The input optical signal ■In is the first optical waveguide (11)
will be introduced in The second optical waveguide (12) includes a reference light 1
inR is always input.

出力光信号)Outは第3の光導波路(13)から得ら
れる。
The output optical signal (Out) is obtained from the third optical waveguide (13).

入力光信号1inが「○」の場合には、光起電力素子(
15)から起電力は発生しないので、電極(14)には
電圧は印加されない。したがって、光導波路(12)を
伝播する光は方向性結合器から先導波□路(13)にそ
の100%が移行し、出力光信号(outは「1」とな
る。
When the input optical signal 1 inch is "○", the photovoltaic element (
Since no electromotive force is generated from 15), no voltage is applied to the electrode (14). Therefore, 100% of the light propagating through the optical waveguide (12) is transferred from the directional coupler to the leading waveguide (13), and the output optical signal (out becomes "1").

入力光信号(inが「1」の場合には、光導波路(11
)を伝播する光によって光起電力素子(15)に電圧が
発生し、これが電極(14)に印加される。したがって
、光導波路(12)を伝播11−る光は、方向性結合器
から光導波路(13)に移行せずに、光導波路(12)
を伝播していく。
When the input optical signal (in is “1”, the optical waveguide (11
) generates a voltage in the photovoltaic element (15), which is applied to the electrode (14). Therefore, the light propagating through the optical waveguide (12) does not transfer from the directional coupler to the optical waveguide (13).
We will continue to spread the word.

このため、出力光信号1outは「O」となる。Therefore, the output optical signal 1out becomes "O".

上述の説明においては方向性結合器における光パワーの
移行量を理想的に100%としているが、もちろん10
0%である必要はない。なぜなら、光導波路(13)か
ら出ノ〕される光信号■01ltのパワーをレベル弁別
して論理値「1j、「O」を判別すればよいからCある
In the above explanation, the amount of optical power transfer in the directional coupler is ideally 100%, but of course it is 100%.
It does not need to be 0%. This is because it is sufficient to level-discriminate the power of the optical signal 01lt output from the optical waveguide (13) to determine the logical values ``1j'' and ``O''.

第4図は変形例を示している。ここでは、光導波路(1
1)の途上または終端部上に研磨によって半球面状の窪
みが形成され、この窪みの内表面上にCdTeが蒸着さ
れている。この場合にも光導波路(11)の深ざ方向に
斜めになっている窪みの曲面の部分から多くの光が光起
電力素子(15〉に入射する。
FIG. 4 shows a modification. Here, the optical waveguide (1
A hemispherical depression is formed by polishing in the middle or on the end of step 1), and CdTe is deposited on the inner surface of this depression. In this case as well, much light enters the photovoltaic element (15) from the curved surface of the recess that is oblique in the depth direction of the optical waveguide (11).

第5図はさらに伯の例を示しCいる1、ここでは、光導
波路〈11)の深さ全体にわたる大きな窪みが形成され
ているので、光導波路(11)はその深さ方向全体にわ
たって傾斜面によってカットされた状態となっている。
FIG. 5 further shows an example of the problem. Here, a large depression is formed over the entire depth of the optical waveguide (11), so that the optical waveguide (11) has an inclined surface over the entire depth direction. It has been cut by.

この終端傾斜面にCd Teが蒸着されて光起電力素子
(15)が形成されいる。この例では、光導波路(11
)を伝播してきた光のほとんどすへてか光起電力素子(
15)に入射し、利用されている。
CdTe is deposited on this end inclined surface to form a photovoltaic element (15). In this example, the optical waveguide (11
), almost all of the light that has propagated through the photovoltaic element (
15) and is used.

いずれにしても、光起電力素子(15〉は光導波路〈1
1)をその深さ方向に横切る傾斜面に形成されているの
で、光導波路(11)を伝播してきた光の多くが光起電
力素子に入力して利用される。したがって、効率が高く
、かつ大きな起電ノコが得られ、上述のような電気光学
効果を利用した光信号の制御用に適用することかできる
In any case, the photovoltaic element (15) is an optical waveguide (15).
1) is formed on an inclined surface that crosses the optical waveguide (11) in its depth direction, so much of the light propagated through the optical waveguide (11) is input to the photovoltaic element and used. Therefore, a highly efficient and large electromotive saw can be obtained, and can be applied to control of optical signals using the electro-optic effect as described above.

この発明が応用される光論理回路は上述の光NOT回路
に限られないのはいうまでもないし、この発明は光論理
回路以外の基板上に形成された素子等に応用可能である
。光起電力素子は、CdTeに限らず、プラズマCVD
法により作製されるa−8iなど種々のもので実坦でき
る。
It goes without saying that the optical logic circuit to which this invention is applied is not limited to the above-mentioned optical NOT circuit, and the invention can be applied to elements formed on a substrate other than optical logic circuits. Photovoltaic elements are not limited to CdTe, but also plasma CVD
Various materials such as a-8i produced by the method can be used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は光NOT論理演算を示す波形図、第2図はこの
発明を光NOT回路に適用した実施例を示す斜視図、第
3図(A)は第2図の■゛−■線にそう拡大断面図、第
3図(B)は光起電力素子に入射する光パワーを示寸グ
ラフ、第4図および第5図は変形例を示すものであって
、それぞれ(A)は第2図の■−■線にそう拡大断面に
相当する断面図、(B)は光起電力素子に入射する光パ
ワーを示すグラフである。 (10)・・・基板、(11)  (12>  (13
)・・・光導波路、(15)・・・光起電力素子。 以上 特許出願人  n6電機 株式会社 第1図 図面の浄書(内容に変更なし) 第3図 (A) CB) 図面の浄8(内容に変更ない @4図 [71面の浄魯(内容に変更なし) 第5N (A) 手続補正書C方式) 昭和59年12月1?日 特許庁長官 志 賀   学  殿 3、補正をする音 事件との関係    特1.′「出願人任  所京都市
右京区花園土堂町10番地氏名・名称 (294)立石
電機株式会社4、代 理 Å 以上
Fig. 1 is a waveform diagram showing an optical NOT logical operation, Fig. 2 is a perspective view showing an embodiment in which the present invention is applied to an optical NOT circuit, and Fig. 3 (A) is a waveform diagram showing an optical NOT logic operation. 3(B) is a graph showing the optical power incident on the photovoltaic element, FIG. 4 and FIG. 5 are modified examples, and (A) is the second A cross-sectional view corresponding to an enlarged cross-section taken along the line ■-■ in the figure, and (B) a graph showing the optical power incident on the photovoltaic element. (10)...Substrate, (11) (12> (13)
)... Optical waveguide, (15)... Photovoltaic element. Applicant for the above patents: n6 Denki Co., Ltd. Engraving of the drawing in Figure 1 (no change in content) Figure 3 (A) CB) Inscription of drawing 8 (no change in content @Figure 4 [Jiro on page 71 (change in content) None) Article 5N (A) Procedural Amendment Form C) December 1, 1982? Mr. Manabu Shiga, Commissioner of the Japan Patent Office, 3. Relationship with the Oton Case to be amended Special 1. 'Applicant: 10 Hanazono Tsuchido-cho, Ukyo-ku, Kyoto City Name (294) Tateishi Electric Co., Ltd. 4, Agent Å

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基板に形成された光導波路をその深さ方向に斜めに横切
る面が形成され、少なくともこの傾斜面を覆うように光
起電力素子が形成されている、基板に形成された光電変
換装置。
A photoelectric conversion device formed on a substrate, in which a surface is formed that diagonally crosses an optical waveguide formed on the substrate in the depth direction thereof, and a photovoltaic element is formed so as to cover at least this inclined surface.
JP16110884A 1984-07-30 1984-07-30 Photoelectric converter formed on substrate Pending JPS6138937A (en)

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