JPS613883A - 化学銅めつき方法 - Google Patents
化学銅めつき方法Info
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- JPS613883A JPS613883A JP12174884A JP12174884A JPS613883A JP S613883 A JPS613883 A JP S613883A JP 12174884 A JP12174884 A JP 12174884A JP 12174884 A JP12174884 A JP 12174884A JP S613883 A JPS613883 A JP S613883A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明ｑ利用分野〕 、
本発明は必要とする部分のみに選択的に金属銅を析出さ
せて、パターンを歩溜りよく製造する化学銅めっき方法
に関するものである。
せて、パターンを歩溜りよく製造する化学銅めっき方法
に関するものである。
溶液中に銅（ＩＩＮ）イオン、銅（］）イオンの錯化剤
、銅（Ｉｌｌイオンの還元剤、アルカリ金属の水酸化物
および若干の添加剤を含む化学銅めっき液から自触的に
金属銅を析出させる方法は当該業者に周知の方法として
広く利用されている。
、銅（Ｉｌｌイオンの還元剤、アルカリ金属の水酸化物
および若干の添加剤を含む化学銅めっき液から自触的に
金属銅を析出させる方法は当該業者に周知の方法として
広く利用されている。
このめっき方法を例えばプリント回路板の製造に利用す
るときＫＨ次のような困難が伴う。すなわち化学銅めっ
きの反応は、完全に６触的でないために、めっき反応の
触媒が存在しなめ場合にもプリント板の必要とする回路
以外の部分にも銅が析出してしまう反応が生じ、回路間
の絶縁不良等の致命的な欠陥となる場合が多いこ・とで
ある。このような問題は特公昭４４−１９４６１゜に示
されるがごとく当該業者に十分認識されて。
るときＫＨ次のような困難が伴う。すなわち化学銅めっ
きの反応は、完全に６触的でないために、めっき反応の
触媒が存在しなめ場合にもプリント板の必要とする回路
以外の部分にも銅が析出してしまう反応が生じ、回路間
の絶縁不良等の致命的な欠陥となる場合が多いこ・とで
ある。このような問題は特公昭４４−１９４６１゜に示
されるがごとく当該業者に十分認識されて。
おり、特定のプリント板の製造方法に対しては。
回路以外の部分に銅が析出しない工夫がなされ。
てきた。その−例は特公昭４４−１９６６１に示される
が如く、１リント板の製造に際し、回路部以６外に設け
る絶縁材料に銅が析出しにくい性質を。
が如く、１リント板の製造に際し、回路部以６外に設け
る絶縁材料に銅が析出しにくい性質を。
付与することである。このような方法はプリン。
ト板の製造方法ごとにその最適な材料０組成、。
条件を求めねにならな埴。さらに、上記の方法が通用で
きないプリント板製造方法または回路形成方法もあるた
め、一般的な方法ではなかっ九〇。
きないプリント板製造方法または回路形成方法もあるた
め、一般的な方法ではなかっ九〇。
縁材料中にインヒビターを添加し、触媒の付着防止をは
かる方法も知られているが、上記同様に一般性がなく、
さらに表面欠陥が関与する異常な析出に対しては十分な
方法ではなかった。
かる方法も知られているが、上記同様に一般性がなく、
さらに表面欠陥が関与する異常な析出に対しては十分な
方法ではなかった。
本発明は、上述した従来方法の限界をなくしために、化
学銅めっきの析出反応を制御することで自勉反応を完全
なものとして、回路以外の不要部分への銅析出を防止す
るものである。
学銅めっきの析出反応を制御することで自勉反応を完全
なものとして、回路以外の不要部分への銅析出を防止す
るものである。
上記の目的を達成するためには、化学銅めっきの析出反
応過程における不要部分への銅析出（以後しばしば異常
析出と表現する）の機構とその制御方法を明らかにする
必要がある。化学銅めっきでは０触作用を有する金属、
例えば銅表面で次の２つの反応が同時に進行することで
経続的に鋼が析出する。
応過程における不要部分への銅析出（以後しばしば異常
析出と表現する）の機構とその制御方法を明らかにする
必要がある。化学銅めっきでは０触作用を有する金属、
例えば銅表面で次の２つの反応が同時に進行することで
経続的に鋼が析出する。
ｃＩ？ｌ−ｂ ＋２ｅ−４Ｃｕ ＋ Ｌ
１１１ＨＣＨＯ＋２０Ｔ −４ＨＣＯＯ−＋ ＩＩ
ｚ Ｏ＋將Ｈｓ ＋ ｅ −１２１（ＩＩ）式は鋼（鳳
）イオンの還元反応でアシ、ここにＬは銅（Ｍ）イオン
をアリカリ性水溶液中で安貴化する錯化剤を示し、一般
にはＩＣＤ’ＴＡ等が用−られる。（２）式はホルムア
ルデヒドの酸化反応であう、銅もしくは触媒作用を有す
る適当な金属上でこの反応が生じることが鋼（ＩＩりイ
オン還元のＩ！ｃ＃ｈ力となる。
１１１ＨＣＨＯ＋２０Ｔ −４ＨＣＯＯ−＋ ＩＩ
ｚ Ｏ＋將Ｈｓ ＋ ｅ −１２１（ＩＩ）式は鋼（鳳
）イオンの還元反応でアシ、ここにＬは銅（Ｍ）イオン
をアリカリ性水溶液中で安貴化する錯化剤を示し、一般
にはＩＣＤ’ＴＡ等が用−られる。（２）式はホルムア
ルデヒドの酸化反応であう、銅もしくは触媒作用を有す
る適当な金属上でこの反応が生じることが鋼（ＩＩりイ
オン還元のＩ！ｃ＃ｈ力となる。
・実際の化学銅めっきでは、（ＩＩ）式の反応が生じる
際、中間体となる鋼（ＩＩ）イオンが析出反応面からめ
つき液中へ拡散して系外へ移行する副反応が生じる。こ
のような中間体の挙動が、絶縁材料上への異常析出の原
因となると推定されて−る。すなわち、上記＋１） 、
（２）式の反応が生じる銅表面近傍のめつき液中では
、上記中間体の濃度が大となシ、容易にｃｕもしく ｒ
ｉＣｕｓＯの微粒子を生じ、これがめっきの核となり、
異常析出に至る。屯し、回路部以外の絶縁−表面が粗面
であったり、微細な牟ズ等があると、めっき植機粒子が
容易に付着して銅が析出すると推定される。
際、中間体となる鋼（ＩＩ）イオンが析出反応面からめ
つき液中へ拡散して系外へ移行する副反応が生じる。こ
のような中間体の挙動が、絶縁材料上への異常析出の原
因となると推定されて−る。すなわち、上記＋１） 、
（２）式の反応が生じる銅表面近傍のめつき液中では
、上記中間体の濃度が大となシ、容易にｃｕもしく ｒ
ｉＣｕｓＯの微粒子を生じ、これがめっきの核となり、
異常析出に至る。屯し、回路部以外の絶縁−表面が粗面
であったり、微細な牟ズ等があると、めっき植機粒子が
容易に付着して銅が析出すると推定される。
以上の如き異常析出反応の機構から、異常析出を防止す
るにはめりき植機粒子を不活性化してしまうのが最も好
ましい。すなわち、めりき核上でホルムアルデヒドの反
応（２）を停止させれ・ばよ−。
るにはめりき植機粒子を不活性化してしまうのが最も好
ましい。すなわち、めりき核上でホルムアルデヒドの反
応（２）を停止させれ・ばよ−。
このような観点から、化学銅めつきＫｉ加するのみで、
上述した作用効果を有する添加剤を・広汎に探索した結
果、鋼（鳳）イオン、銅（ｉ）・イオンの錯化寿り、銅
（ＩＩ，）イオンの還元剤、アル。
上述した作用効果を有する添加剤を・広汎に探索した結
果、鋼（鳳）イオン、銅（ｉ）・イオンの錯化寿り、銅
（ＩＩ，）イオンの還元剤、アル。
カリ金桟の水酸化物、銅１１１イオンの錯化剤、ボ。
リオキシエチレン系界面活性剤を基本成分として含む化
学銅めっき液に４Ｂ族元素化合物を添。
学銅めっき液に４Ｂ族元素化合物を添。
加するか、これに加えて陽イオン性界面活性剤。
を添加した化学銅めっき液を用いて０鯖形成を。
することで、異常析出の全くないめっき方法を。
得ることができた。
ここで、２価鋼イオンは硫酸鋼、ギ酸銅、塩化銅などで
代表される水溶性銅塩より供給されるもので、主として
経済的理由によって硫酸鋼が用いられる。２価鋼イオン
の錯化剤はアルカリ水溶液中で、２価鋼イオンの沈澱を
防止するために用いられるもので、エチレンジアミン囚
酢酸（ＢＤＴＡ）、ヒドロ千ジエチルエチレンシアξン
三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸。
代表される水溶性銅塩より供給されるもので、主として
経済的理由によって硫酸鋼が用いられる。２価鋼イオン
の錯化剤はアルカリ水溶液中で、２価鋼イオンの沈澱を
防止するために用いられるもので、エチレンジアミン囚
酢酸（ＢＤＴＡ）、ヒドロ千ジエチルエチレンシアξン
三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸。
イミノニ酢酸、イミノニ酢酸ニトリロ三酢酸などで代表
されるポリアミンカルボン酸もしくは゛それらのアルカ
リ金属塩が用−られるが、主と′して経済的理由によっ
てｌ＋ＤＴＡのナトリウム塩・が用いられるり還元剤は
錯化した２価銅イオン・を金属鋼に還元するもので、ホ
ルムアルデヒド・もしくはホルムアルデヒド水溶液であ
るホルマリン、パラホルムアルデヒドで代表、されるホ
ルムアルデヒド重合物、ホウ素化水素化合物、ヒドラジ
ンなどが用−らｎるが、これも経済的理由によってホル
マリンが用−られる。ｐＨ調節剤は液のｐＨを適蟲な値
に保つためのもので、アルカリ金属の水酸化物ならばよ
く普通、安価な水酸化ナトリウムが用−られる。１価銅
イオンの錯化剤はめつき中の副生成物である酸化第１鋼
を溶解するもので、シアン化合物、ａ、ａ’−ジピリジ
ル、Ｏ−フェナントロリン、り７ａイン、バックプロイ
ンなどで代表され、１価銅イオンを選択的に錯化する錯
化剤が用（４４れる。
されるポリアミンカルボン酸もしくは゛それらのアルカ
リ金属塩が用−られるが、主と′して経済的理由によっ
てｌ＋ＤＴＡのナトリウム塩・が用いられるり還元剤は
錯化した２価銅イオン・を金属鋼に還元するもので、ホ
ルムアルデヒド・もしくはホルムアルデヒド水溶液であ
るホルマリン、パラホルムアルデヒドで代表、されるホ
ルムアルデヒド重合物、ホウ素化水素化合物、ヒドラジ
ンなどが用−らｎるが、これも経済的理由によってホル
マリンが用−られる。ｐＨ調節剤は液のｐＨを適蟲な値
に保つためのもので、アルカリ金属の水酸化物ならばよ
く普通、安価な水酸化ナトリウムが用−られる。１価銅
イオンの錯化剤はめつき中の副生成物である酸化第１鋼
を溶解するもので、シアン化合物、ａ、ａ’−ジピリジ
ル、Ｏ−フェナントロリン、り７ａイン、バックプロイ
ンなどで代表され、１価銅イオンを選択的に錯化する錯
化剤が用（４４れる。
ポリオキシエチレン系非イオン界面活性剤祉めつき液の
安定剤でポリエチレンオキシサイド。
安定剤でポリエチレンオキシサイド。
ポリオキシエチレン・ポリオ中シグロピレンのブロック
ポリマで代表さ些るポリオキシエチレン基を含む次のよ
うな化合物が用−られる。
ポリマで代表さ些るポリオキシエチレン基を含む次のよ
うな化合物が用−られる。
（ＩＩ）ポリオキシエチレン
ＨＯ４ＣＨｚ ＣＨｔＯセ１
（２）アルキルエステル系ポリオキジエチレン界面活性
剤 Ｒ−Ｃ００−（−ＣＨｔ ＣＢｓ Ｏ＋ユＨ（５）アル
牛ルエーテル系ポリオキシエチレン界面活性剤 Ｒ−０÷ＣＨｔ Ｃａｍ Ｏ＋、ＬＨ （４）アル中ルアリルエーテル系ポリオ牟ジエチレン界
面活性剤 Ｒ−Ｑ−０＋ ＣシＣＨコ０＋− （５）アル中ルアミン系ポリオ牟ジエチレン界面活性剤 Ｒ−ＮシＣシＣＨｚＯ＋Ｌ！！ Ｒ′ Ｒニアに’ｆｋ基、Ｒ′：÷ＣＨＩＣ１ｈＯ＋％Ｈ又は
■（６）アセチレン含有ポリオキジエチレン界面活性（
７）ポリオキシエチレン、ポリオ命シ１クピレン界面活
性剤 ？■・ Ｒ１〜Ｒ６：アノＩ−？ル基、Ｈ １９）エチレンシアばン誘導体 （ＩＩ０）りン酸エステル系ポリオ中ジエチレン界Ｗ活
性剤 ＯＸ ＫＯ−Ｐ−ＯＸ Ｘ：４０ＣＨｚＣＨｔ−）−
ＯＲ’Ｒ：”：ｆＡｌｔ４゜ 上記の界面活性剤に含まれるポリオキ７エチレイ基は、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリ
オ−基のものでも良い。
剤 Ｒ−Ｃ００−（−ＣＨｔ ＣＢｓ Ｏ＋ユＨ（５）アル
牛ルエーテル系ポリオキシエチレン界面活性剤 Ｒ−０÷ＣＨｔ Ｃａｍ Ｏ＋、ＬＨ （４）アル中ルアリルエーテル系ポリオ牟ジエチレン界
面活性剤 Ｒ−Ｑ−０＋ ＣシＣＨコ０＋− （５）アル中ルアミン系ポリオ牟ジエチレン界面活性剤 Ｒ−ＮシＣシＣＨｚＯ＋Ｌ！！ Ｒ′ Ｒニアに’ｆｋ基、Ｒ′：÷ＣＨＩＣ１ｈＯ＋％Ｈ又は
■（６）アセチレン含有ポリオキジエチレン界面活性（
７）ポリオキシエチレン、ポリオ命シ１クピレン界面活
性剤 ？■・ Ｒ１〜Ｒ６：アノＩ−？ル基、Ｈ １９）エチレンシアばン誘導体 （ＩＩ０）りン酸エステル系ポリオ中ジエチレン界Ｗ活
性剤 ＯＸ ＫＯ−Ｐ−ＯＸ Ｘ：４０ＣＨｚＣＨｔ−）−
ＯＲ’Ｒ：”：ｆＡｌｔ４゜ 上記の界面活性剤に含まれるポリオキ７エチレイ基は、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリ
オ−基のものでも良い。
４Ｂ族元素の化合物は、４Ｂ族から選ばれた金属元素を
含む化合物、単体でＩルカリ性の化学銅めっきｆｉｒ（
可溶性のものが好ましく、ケイ素の化合物としては、め
りき液中でケイ酸イオンを生成するオルトクイ酸、メタ
クイ酸のアルカリ金属塩や、ケイ素単体、酸化ケイ素、
水素化ケイ素、ケイ酸塩鉱物、無定形ケイ酸塩化合物を
代表に挙げることができる。ゲルマニウム。
含む化合物、単体でＩルカリ性の化学銅めっきｆｉｒ（
可溶性のものが好ましく、ケイ素の化合物としては、め
りき液中でケイ酸イオンを生成するオルトクイ酸、メタ
クイ酸のアルカリ金属塩や、ケイ素単体、酸化ケイ素、
水素化ケイ素、ケイ酸塩鉱物、無定形ケイ酸塩化合物を
代表に挙げることができる。ゲルマニウム。
を含む化合物としてはゲルマニウム単体、酸化ゲルマニ
ウム、水素化ゲルマニウム、クルマニ。
ウム、水素化ゲルマニウム、クルマニ。
ラム酸塩などが６る。スズを含む化合物として。
ム、ス′ズ単体、スズ酸のアルカリ金属塩、酸化スズ、
硫酸スズなどがある。鉛を含む化合物と。
硫酸スズなどがある。鉛を含む化合物と。
しては塩基性炭酸鉛、ハロゲン化鉛、硫酸鉛などがある
。陽イオン界面活性剤ｒｉ第１級、第２級、第３級アル
キルアミン塩もしくは第４、級アンモニウム塩、エステ
ルもしくはエーテルもしくはアεド結合アｄン、ピリジ
ニウム塩などを用いることができる。望普しくは、アル
カリ水溶液中で分解することなく安定な第４級のアルキ
ルアミン塩の使用が好適である。また、分子内にポリオ
キシエチレン基を含む陽イオン界面活性剤は前述したポ
リオキシエチレン基を含む界面活性剤と共通して用いる
ことができるため経済的にさらに好ましい。
。陽イオン界面活性剤ｒｉ第１級、第２級、第３級アル
キルアミン塩もしくは第４、級アンモニウム塩、エステ
ルもしくはエーテルもしくはアεド結合アｄン、ピリジ
ニウム塩などを用いることができる。望普しくは、アル
カリ水溶液中で分解することなく安定な第４級のアルキ
ルアミン塩の使用が好適である。また、分子内にポリオ
キシエチレン基を含む陽イオン界面活性剤は前述したポ
リオキシエチレン基を含む界面活性剤と共通して用いる
ことができるため経済的にさらに好ましい。
本発明における４Ｂ族元素化合物、陽イオン界面活性剤
の作用効果は必ずしも明らかではないが、いずれも強い
吸着作用に基づくものと推定される。特ＫＡＢ族元素は
アルカリ性のめつき液中で酸素酸イオンの会合体を生じ
、絶縁材料上でその強い吸着作用により還元剤の作用効
果を失なわせるものと推定される。また陽イオン界面活
性剤は、めっき植機粒子に吸着することによ！ｌｌ微粒
子を不活性化し、微粒子が絶縁材に付着するのを防止す
るものと推定される。
の作用効果は必ずしも明らかではないが、いずれも強い
吸着作用に基づくものと推定される。特ＫＡＢ族元素は
アルカリ性のめつき液中で酸素酸イオンの会合体を生じ
、絶縁材料上でその強い吸着作用により還元剤の作用効
果を失なわせるものと推定される。また陽イオン界面活
性剤は、めっき植機粒子に吸着することによ！ｌｌ微粒
子を不活性化し、微粒子が絶縁材に付着するのを防止す
るものと推定される。
以下１で不発明を実施例を用いて詳細に説明する。
実施例１
第１図に従って両面スル、ホール＄板を製造した。ガン
スエボキシ基材１（ＩＩ，６ｎ厚）の両側に６５μＴｎ
Ｏ銅Ｗ３２を積層した両面銅張積層板の２．５４ｆｉピ
ツチの所定位置にドリルで直径１頚のＮ通孔６を設けた
ｔＢｌ。
スエボキシ基材１（ＩＩ，６ｎ厚）の両側に６５μＴｎ
Ｏ銅Ｗ３２を積層した両面銅張積層板の２．５４ｆｉピ
ツチの所定位置にドリルで直径１頚のＮ通孔６を設けた
ｔＢｌ。
次で基板全体を当該業者に周知の方法で錫−パラジウム
系触媒処理を行ない、孔内全活性化した。次で所定位置
にドライフイシム型エツチングレジスト層４を設け（Ｃ
）、露出した銅箔をエツチングにより除去しに後、エツ
チングレジストを剥離して回路５を形成１〜たｆＤ）。
系触媒処理を行ない、孔内全活性化した。次で所定位置
にドライフイシム型エツチングレジスト層４を設け（Ｃ
）、露出した銅箔をエツチングにより除去しに後、エツ
チングレジストを剥離して回路５を形成１〜たｆＤ）。
工・ンチング麦の基材１の露出面６を電子顕微鏡でＲ察
した。
した。
ところ、約１Ｃム・ｎ大の凹凸を無数して有する徂化面
であることがわかった。この基板を以下に示
□す化学銅めっき液Ｖｃ１’５時間７０゛０で浸漬して
、約３０ａｍの化学銅１め？き層７を回路５上および孔
内に設けたｔｇ＋。化学銅めっき中、反応による・銅ｉ
ｌｌイオン、ホルムアルデヒド、水酸イオンの・消費に
よる濃度低下分防ぐため、これらの成分・濃度を自動検
出し、不足分を自動補給して濃度を一定に保った。また
、めっき液は反応中宮に空気で檀拌し、ポンプ、フィル
ターを介して循・壌するようにした。
であることがわかった。この基板を以下に示
□す化学銅めっき液Ｖｃ１’５時間７０゛０で浸漬して
、約３０ａｍの化学銅１め？き層７を回路５上および孔
内に設けたｔｇ＋。化学銅めっき中、反応による・銅ｉ
ｌｌイオン、ホルムアルデヒド、水酸イオンの・消費に
よる濃度低下分防ぐため、これらの成分・濃度を自動検
出し、不足分を自動補給して濃度を一定に保った。また
、めっき液は反応中宮に空気で檀拌し、ポンプ、フィル
ターを介して循・壌するようにした。
化学銅めっき液組成
Ｃｕ５Ｏ＋ −５ＨｔＯ１５Ｎ
ＥＤＴＡ −２ＮｅＬ４５１！ ′ＮαＯＨ′ｐ
）ｉを１２．３とする量 ３７％ホルマリン ’ ４ｍｌ’ａ、α−
ジピリジル ５０ｍ１ｌ゛ ポリエチレ
ングリコール スカアリルｖｓン（’？Ｌ＝＝１４５）１ｏｏｍｆＩ）
ｆａ２’５ｉｏｉ９Ｈｚｏ’ ” ３
′ミリモル水 ＩＩ！とす
る量上記一連の処理を行なって製造したレジスト。
）ｉを１２．３とする量 ３７％ホルマリン ’ ４ｍｌ’ａ、α−
ジピリジル ５０ｍ１ｌ゛ ポリエチレ
ングリコール スカアリルｖｓン（’？Ｌ＝＝１４５）１ｏｏｍｆＩ）
ｆａ２’５ｉｏｉ９Ｈｚｏ’ ” ３
′ミリモル水 ＩＩ！とす
る量上記一連の処理を行なって製造したレジスト。
基板は回路部に異常析出が全くなく、すなわち′基材粗
面６ＶＣ銅の析出はなく、回路間の絶縁不良、短絡のな
い優れた回路板であることがわがった。
面６ＶＣ銅の析出はなく、回路間の絶縁不良、短絡のな
い優れた回路板であることがわがった。
実施例２
第２図に従ってスルホール基板を製造した。
実施例１と同様に両面銅張・積層板に穴アク、触媒処理
、回路形成゛、を行ない（０）、次でシン１°部を除く
回路上の所足位置にめっきレジスト８を印・刷塗布した
。このレジストは、エポキシ撫脂、硬化剤、無機光てん
剤、揺笈剤、毛様溶剤等を混練し、印刷インク用Ｖこ粘
度ル４整したもので、塗布後１６０℃３０分間加熱硬１
じした（Ｄ）。次で、実施例１と同じ化学銅めっき敢、
めっき条件でラント′部、孔内にめっきを施した（勾。
、回路形成゛、を行ない（０）、次でシン１°部を除く
回路上の所足位置にめっきレジスト８を印・刷塗布した
。このレジストは、エポキシ撫脂、硬化剤、無機光てん
剤、揺笈剤、毛様溶剤等を混練し、印刷インク用Ｖこ粘
度ル４整したもので、塗布後１６０℃３０分間加熱硬１
じした（Ｄ）。次で、実施例１と同じ化学銅めっき敢、
めっき条件でラント′部、孔内にめっきを施した（勾。
めっき終了後に、めっきレジスト８上ｅこ銅の異常析出
は全くなく、本発明のめっき方法１ｃより優れたグリン
ト基板を製造できることがわかった。
は全くなく、本発明のめっき方法１ｃより優れたグリン
ト基板を製造できることがわかった。
実施例３
第６図に従い、所謂フルアゾ・「オ・ｆプ法によッテス
ルホール基板を製造し７ζ。１．６ｍ厚のガラスエボキ
７基材１０両面に、エボキン樹脂、エボキン樹脂の硬化
剤、ニトリル−ブタジェン合成ゴム、合成ゴムの加硫剤
、有機溶剤からなる接着剤層９を塗布し１２０’Ｏで１
時間硬化したｆＡ）後、所定位置に穴アヶし、三酸化ク
ロム／硫酸系のさｌｉ該粟者に周知の籾化液ＶＣｌ５分
間浸漬して接着剤層９ｆ粗面化した。次で実施例１と同
じ方法で基板全体を触媒処理したｆＢ’ｌ。次で所定の
回？、）以外にめっきレジスト１ｏを印刷塗布しノ゛コ
。このめっきレジスト１ｏけエポキ７樹脂、硬化剤、無
機光てん剤、揺変剤、消泡剤、有機溶剤からなるもので
、塗布後ｆ ３０−Ｃで３０分間硬化した＋Ｃ）。次で
基板に実施例１と同じ方法で化学清めつき７を施し、回
路およびスルホールを形成しｆＣｆＤ＋。このようにし
て製造したプリント板において本、めっきレジス）１０
上に化学銅めっきの異常析出は全くなく１４本発明のめ
っき方法が極めて優れたものであるとと′がゎがった。
ルホール基板を製造し７ζ。１．６ｍ厚のガラスエボキ
７基材１０両面に、エボキン樹脂、エボキン樹脂の硬化
剤、ニトリル−ブタジェン合成ゴム、合成ゴムの加硫剤
、有機溶剤からなる接着剤層９を塗布し１２０’Ｏで１
時間硬化したｆＡ）後、所定位置に穴アヶし、三酸化ク
ロム／硫酸系のさｌｉ該粟者に周知の籾化液ＶＣｌ５分
間浸漬して接着剤層９ｆ粗面化した。次で実施例１と同
じ方法で基板全体を触媒処理したｆＢ’ｌ。次で所定の
回？、）以外にめっきレジスト１ｏを印刷塗布しノ゛コ
。このめっきレジスト１ｏけエポキ７樹脂、硬化剤、無
機光てん剤、揺変剤、消泡剤、有機溶剤からなるもので
、塗布後ｆ ３０−Ｃで３０分間硬化した＋Ｃ）。次で
基板に実施例１と同じ方法で化学清めつき７を施し、回
路およびスルホールを形成しｆＣｆＤ＋。このようにし
て製造したプリント板において本、めっきレジス）１０
上に化学銅めっきの異常析出は全くなく１４本発明のめ
っき方法が極めて優れたものであるとと′がゎがった。
・
実施例４
第４図に従ってアルξす基板を製造した。２−厚のアル
ミナ焼結基板１１ ｆＡ）を５００ ’０に加熱して０
．１μｍの銅／１１’２を蒸着Ｖこよシ形放しＸ。
ミナ焼結基板１１ ｆＡ）を５００ ’０に加熱して０
．１μｍの銅／１１’２を蒸着Ｖこよシ形放しＸ。
次で鋼上に当該業者に周知の方法で溶液状フォトレジス
トを塗布＋Ｂ） Ｌ 、エツチングレジスト１３を所定
′位置に形成したｆｃｉ。次で露出した銅をエツチング
により除去して回路を形成（Ｄ）シた後、実施例１と同
じ方法で１０μＩｎ厚の化学銅めつき１４を施し、アル
ξす基板を製造した（Ｂり。この場合にも、回路間隔０
．１ｕ・と極めて微細であるにもかかわらず、露出した
アルばす基材面４１５には銅め一つきの異常析出が童く
なく、不発明の方法により高稍度基板を極め−〔効率良
〈製造できることがわかった。
トを塗布＋Ｂ） Ｌ 、エツチングレジスト１３を所定
′位置に形成したｆｃｉ。次で露出した銅をエツチング
により除去して回路を形成（Ｄ）シた後、実施例１と同
じ方法で１０μＩｎ厚の化学銅めつき１４を施し、アル
ξす基板を製造した（Ｂり。この場合にも、回路間隔０
．１ｕ・と極めて微細であるにもかかわらず、露出した
アルばす基材面４１５には銅め一つきの異常析出が童く
なく、不発明の方法により高稍度基板を極め−〔効率良
〈製造できることがわかった。
実施例５
第１表に示す化学銅めっき液を用い、実施例１と同じ方
法工回路板を製造した。第１表の化。
法工回路板を製造した。第１表の化。
学銅めつき液にけ本発明にかかわる４Ｂ族元素化合物、
陽イオン界面活性剤を含んでいる。これらの化学銅めっ
き液を用いて製造した回路板には、回路間の絶縁基材上
に銅の異常析出が全゛くなかった。この結果より４Ｂ族
元素化合物は６′〜６Ｕεリモル／ ｚ ％陽イオン界
面活性剤は２０ｍ’Ｆ／ｌ −ｍ解限度の範囲で使用す
るのが好ましいこともわかった。また、４Ｂ族元素化合
物を含まｌ【い場合には異常析出の発生が観察され、本
発明の有効性を実証した。
陽イオン界面活性剤を含んでいる。これらの化学銅めっ
き液を用いて製造した回路板には、回路間の絶縁基材上
に銅の異常析出が全゛くなかった。この結果より４Ｂ族
元素化合物は６′〜６Ｕεリモル／ ｚ ％陽イオン界
面活性剤は２０ｍ’Ｆ／ｌ −ｍ解限度の範囲で使用す
るのが好ましいこともわかった。また、４Ｂ族元素化合
物を含まｌ【い場合には異常析出の発生が観察され、本
発明の有効性を実証した。
実施例６
第２表に示す化学銅めっき液を用いて、本発明の効果１
をさらに明らかにした。すなわち、４Ｂ族元素の床の添
加、４Ｂ族元素化合物と陽イオン界面油性剤の両者の添
加を比軟した。基板製造力抜は実施例１と同様にし、化
学銅めっき時の負荷を１ｄｍ’／ｌ！として５０ａｍの
めっきｔ１回とじて７回の繰り返しを行なった。その結
果は第２表に示すように、４Ｂ族元紫の添加、これに加
えて陽イオン界面活性剤の添加が、回路間の異常析出防
止に顕著な作用効果を有することが明らかとなった。
をさらに明らかにした。すなわち、４Ｂ族元素の床の添
加、４Ｂ族元素化合物と陽イオン界面油性剤の両者の添
加を比軟した。基板製造力抜は実施例１と同様にし、化
学銅めっき時の負荷を１ｄｍ’／ｌ！として５０ａｍの
めっきｔ１回とじて７回の繰り返しを行なった。その結
果は第２表に示すように、４Ｂ族元紫の添加、これに加
えて陽イオン界面活性剤の添加が、回路間の異常析出防
止に顕著な作用効果を有することが明らかとなった。
ｌた、本実施例では、触媒活性後鋼箔をエツチングして
回路バタンを形成するため、回路間に４．を触媒の残留
は生じない。にもかかわらず、Ｎｏ１のような従来の化
学銅めつき＃、を用いた場合には、異常析出が著しく発
生する。このことから、異常析出には絶縁基材面上の凹
凸が関与していることもわかった。
回路バタンを形成するため、回路間に４．を触媒の残留
は生じない。にもかかわらず、Ｎｏ１のような従来の化
学銅めつき＃、を用いた場合には、異常析出が著しく発
生する。このことから、異常析出には絶縁基材面上の凹
凸が関与していることもわかった。
本発明Ｖこよｎば、プリント板やその・也の回路板の製
造方法にかかわりなく、化学銅めっきを用いて回路形成
を行う際に、回路間の絶縁材料上の銅異常析出を全くな
くすことか−・′：きるので歩溜シよく安価に回路板を
製造できる七の経済的な効果には測り知れないものかあ
乙。
造方法にかかわりなく、化学銅めっきを用いて回路形成
を行う際に、回路間の絶縁材料上の銅異常析出を全くな
くすことか−・′：きるので歩溜シよく安価に回路板を
製造できる七の経済的な効果には測り知れないものかあ
乙。
４ 図面のＩＹＢ中、な説明
第１図、第２図、第６図、第４図は基板の製造工程を示
す図である。
す図である。
１・・・カラスエボキン基材 ２・・−銅箔ろ・−ス
ルーホール ４・・・エツチングレジスト ５・・・１１Ｊ路別涌
６・・・基材露出面 第１表 ◆電界ｆｆ１ＩｒＩＩ性剤の構造社本文に示す亀のと同
一７・・・化学銅めっき ａ・・耐めっきレジスト ９・・・接着剤 １０・・・エツチングレジスト 第 １図 第２階 第 ３ 図 隼４１ Ａ 口二二二二二二ド／１
ルーホール ４・・・エツチングレジスト ５・・・１１Ｊ路別涌
６・・・基材露出面 第１表 ◆電界ｆｆ１ＩｒＩＩ性剤の構造社本文に示す亀のと同
一７・・・化学銅めっき ａ・・耐めっきレジスト ９・・・接着剤 １０・・・エツチングレジスト 第 １図 第２階 第 ３ 図 隼４１ Ａ 口二二二二二二ド／１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被めっき回路間に絶縁材を有する回路板の回路部分
のみに化学銅めっきを施す方法において、銅（II）イオ
ン、銅（II）イオンの錯化剤、銅（II）イオンの還元剤
、アルカリ金属の水酸化物、銅（ I ）イオンの錯化剤
、ポリオキシエチレン界面活性剤からなる化学銅めっき
に、４Ｂ族元素の無機化合物もしくは該無機化合物と陽
イオン界面活性剤を添加してなる化学銅めっき液を用い
て、回路部分のみに化学銅めっきを施すことを特徴とす
る化学銅めっき方法。 ２、該無機化合物がケイ素、ゲルマニウムから選ばれた
元素の化合物であることを特徴とする第１項の化学銅め
っき方法。 ３、該無機化合物濃度が３〜３０ミリモル／ｌであるこ
とを特徴とする第１〜２項の化学銅めっき方法。 ４、該陽イオン界面活性剤が第１級、第２級第３級アル
キルアミン塩、第４級アンモニウム塩、エステルもしく
はエーテルもしくはアミド結合アミン、ピリジニウム塩
から選ばれたものであることを特徴とする第１〜第３項
の化学銅めっき方法。 ５、該陽イオン界面活性剤濃度が２０ｍｇ／ｌ〜溶解限
の範囲にあることを特徴とする第１〜第４項の化学銅め
っき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12174884A JPS613883A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 化学銅めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12174884A JPS613883A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 化学銅めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613883A true JPS613883A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14818903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12174884A Pending JPS613883A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 化学銅めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613883A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63309635A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Murata Mach Ltd | 紡績糸の糸継装置 |
| JPH09232721A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Hitachi Aic Inc | 印刷配線板の製造方法 |
| KR20040031473A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-13 | 씨알씨테크놀러지(주) | 주철제품의 표면처리방법 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12174884A patent/JPS613883A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63309635A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Murata Mach Ltd | 紡績糸の糸継装置 |
| JPH09232721A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Hitachi Aic Inc | 印刷配線板の製造方法 |
| KR20040031473A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-13 | 씨알씨테크놀러지(주) | 주철제품의 표면처리방법 |
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