JPS6137601B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6137601B2 JPS6137601B2 JP2904478A JP2904478A JPS6137601B2 JP S6137601 B2 JPS6137601 B2 JP S6137601B2 JP 2904478 A JP2904478 A JP 2904478A JP 2904478 A JP2904478 A JP 2904478A JP S6137601 B2 JPS6137601 B2 JP S6137601B2
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- Japan
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- thin film
- znse
- infrared transmitting
- transmitting window
- interference thin
- Prior art date
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- Expired
Links
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- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光強度の強い赤外線をとおす赤外
線透過窓に関するものである。
線透過窓に関するものである。
第１図は従来の赤外線透過窓例えば干渉フイル
タを示し、１はZnSe基板、２はPbF2干渉薄膜、
３はZnSe薄膜、４は入射光ある。第１図の赤外
線透過窓において、PbF2干渉薄膜２の膜厚をα
１、屈折率をn1；ZnSe薄膜３の膜厚をα２、屈
折率をn2；ZnSe基板１の屈折率をngとし、面に
垂直を入射する光の波長をλ０とする。このと
き、膜厚を n1α１＝n2α２＝λ０／４ に設計すると、λ０の波長の光に対して反射率が
０となり、無反射コーテイングとして使用するこ
が出来る。なお、この膜の反射率の波長依存性に
ついては、すでにマクスウエル方程式から計算さ
れており、波動光学の教科書に示されている。
タを示し、１はZnSe基板、２はPbF2干渉薄膜、
３はZnSe薄膜、４は入射光ある。第１図の赤外
線透過窓において、PbF2干渉薄膜２の膜厚をα
１、屈折率をn1；ZnSe薄膜３の膜厚をα２、屈
折率をn2；ZnSe基板１の屈折率をngとし、面に
垂直を入射する光の波長をλ０とする。このと
き、膜厚を n1α１＝n2α２＝λ０／４ に設計すると、λ０の波長の光に対して反射率が
０となり、無反射コーテイングとして使用するこ
が出来る。なお、この膜の反射率の波長依存性に
ついては、すでにマクスウエル方程式から計算さ
れており、波動光学の教科書に示されている。
このような赤外線透過窓では、ZnSe基板１の
材料とPbF2干渉薄膜２の材料が異質であるた
め、密着性が悪く、赤外線透過窓の温度上昇、光
学窓として用いたあとで密着したパツキングを取
りはずすときの機械的なシヨツク、あるいは強い
レーザ光線を照射したときの光損傷よるZnSe基
板からのPbF2干渉薄膜のはがれなどによつて赤
外線透過窓が破壊すると言う欠点があつた。
材料とPbF2干渉薄膜２の材料が異質であるた
め、密着性が悪く、赤外線透過窓の温度上昇、光
学窓として用いたあとで密着したパツキングを取
りはずすときの機械的なシヨツク、あるいは強い
レーザ光線を照射したときの光損傷よるZnSe基
板からのPbF2干渉薄膜のはがれなどによつて赤
外線透過窓が破壊すると言う欠点があつた。
この発明の目的は、上述したような従来の赤外
線透過窓の欠点を除去するために、干渉薄膜の基
板材料として、ZnSe基板と同じ材料を使用しか
つ干渉薄膜中に金属微粒子を分散させることによ
り、従来のものに比べて破壊しにくい赤外線透過
窓を提供することである。
線透過窓の欠点を除去するために、干渉薄膜の基
板材料として、ZnSe基板と同じ材料を使用しか
つ干渉薄膜中に金属微粒子を分散させることによ
り、従来のものに比べて破壊しにくい赤外線透過
窓を提供することである。
以下、この発明の一実施例を第２図について説
明する。第２図の赤外線透過窓においては、１は
ZnSe基板、５はZnSe基板と同じ材料を基板材料
として使用しかつこの中に金属微粒子例えば金の
微粒子を分散させて成る干渉薄膜、３はZnSe薄
膜、４は入射光である。第２図の赤外線透過窓で
は、10.6μｍの波長の光に対して、反射が０にな
るための理論的な干渉薄膜５の厚さ及び屈折率は
次のようになる（但し、ZnSe基板１の屈折率を
2.4とし、ZnSe薄膜３も同じ屈折率であるとす
る。又、金の微粒子を分散させた干渉薄膜５の屈
折率をn3、厚さをα３；ZnSe薄膜の屈折率を
n2、厚さをα２とする。）。
明する。第２図の赤外線透過窓においては、１は
ZnSe基板、５はZnSe基板と同じ材料を基板材料
として使用しかつこの中に金属微粒子例えば金の
微粒子を分散させて成る干渉薄膜、３はZnSe薄
膜、４は入射光である。第２図の赤外線透過窓で
は、10.6μｍの波長の光に対して、反射が０にな
るための理論的な干渉薄膜５の厚さ及び屈折率は
次のようになる（但し、ZnSe基板１の屈折率を
2.4とし、ZnSe薄膜３も同じ屈折率であるとす
る。又、金の微粒子を分散させた干渉薄膜５の屈
折率をn3、厚さをα３；ZnSe薄膜の屈折率を
n2、厚さをα２とする。）。
n3＝3.72 n2＝2.4
α３＝0.71μｍ α２＝1.10μｍ
干渉薄膜５は、Auと、ZnSeを電子ビームで交
互に加熱し、蒸着することによつて作製した。金
を蒸着する場合、蒸着量が多いと、金はフイルム
状に凝集するが、100Å程度の厚さに蒸着すると
小さな島状になるので、この上にZnSeを蒸着
し、これを繰り返すことによつて金を分散させた
干渉薄膜を作製出来る。この干渉薄膜の屈折率は
分散させた金の量によつて異なるが、ZnSeに対
して約30重量％の金を分散させることによつて
3.7の屈折率を得ることが出来た。又上述した操
作を繰り返すことによつてほぼ0.7μｍの厚さに
することが出来た。ZnSe薄膜も同様に電子ビー
ム蒸着によつて得ることが出来る。ZnSe薄膜の
厚さは、基板に10.6μｍの光を通し、最も透過率
が大きくなるように調節した。以上のようにして
作製した無反射コーテイングの反射率は約２％で
ある。
互に加熱し、蒸着することによつて作製した。金
を蒸着する場合、蒸着量が多いと、金はフイルム
状に凝集するが、100Å程度の厚さに蒸着すると
小さな島状になるので、この上にZnSeを蒸着
し、これを繰り返すことによつて金を分散させた
干渉薄膜を作製出来る。この干渉薄膜の屈折率は
分散させた金の量によつて異なるが、ZnSeに対
して約30重量％の金を分散させることによつて
3.7の屈折率を得ることが出来た。又上述した操
作を繰り返すことによつてほぼ0.7μｍの厚さに
することが出来た。ZnSe薄膜も同様に電子ビー
ム蒸着によつて得ることが出来る。ZnSe薄膜の
厚さは、基板に10.6μｍの光を通し、最も透過率
が大きくなるように調節した。以上のようにして
作製した無反射コーテイングの反射率は約２％で
ある。
第３図は、無反射コーテイングしたZnSeの断
面をＸ線マイクロアナライザで分析した結果を示
す。この第３図において、６はZn、７はSe、８
は金の分析値を示す。第３図からわかるように、
ZnSe基板と干渉薄膜の間に切れ目がなく、干渉
薄膜の密着性のよいことが推測出来る。実際に、
膜面にセロテープ（登録商標）を接着させ、膜厚
の密着性を調べたところ、従来のものに比べて密
着性のよいことが明らかになつた。
面をＸ線マイクロアナライザで分析した結果を示
す。この第３図において、６はZn、７はSe、８
は金の分析値を示す。第３図からわかるように、
ZnSe基板と干渉薄膜の間に切れ目がなく、干渉
薄膜の密着性のよいことが推測出来る。実際に、
膜面にセロテープ（登録商標）を接着させ、膜厚
の密着性を調べたところ、従来のものに比べて密
着性のよいことが明らかになつた。
上述した実施例は無反射コーテイングの場合を
示したが、干渉薄膜５とZnSe薄膜３から成る２
重層を幾層も積み重ねて多層膜を作ることによ
り、所望の反射率の赤外線透過窓を作ることが出
来る。又、コロイド状に拡散させる金属として、
金、銀以外に注目する波長において、反射率の大
きい金属を用いることが出来る。
示したが、干渉薄膜５とZnSe薄膜３から成る２
重層を幾層も積み重ねて多層膜を作ることによ
り、所望の反射率の赤外線透過窓を作ることが出
来る。又、コロイド状に拡散させる金属として、
金、銀以外に注目する波長において、反射率の大
きい金属を用いることが出来る。
以上のように、この発明によれば、ZnSe基板
と同じ材料を干渉薄膜基材料として使用しかつこ
の干渉薄膜の中に金属微粒子を分散させたので
ZnSe基板との密着性がよい、膨張係数がZnSe基
板とよく似ているなどの性質を有し、赤外線透過
窓として破壊しにくいと言う効果がある。
と同じ材料を干渉薄膜基材料として使用しかつこ
の干渉薄膜の中に金属微粒子を分散させたので
ZnSe基板との密着性がよい、膨張係数がZnSe基
板とよく似ているなどの性質を有し、赤外線透過
窓として破壊しにくいと言う効果がある。
第１図は従来の赤外線透過窓の断面図、第２図
はこの発明の赤外線透過窓の断面図、第３図はこ
の発明の赤外線透過窓をＸ線マイクロアナライザ
ーで分析した結果を示す図である。 １……ZnSe基板、２……PbF2干渉薄膜、３…
…ZnSe薄膜、４……入射光、５……干渉薄膜、
６……Znの分析値、７……Seの分析値、８……
金の分析値である。
はこの発明の赤外線透過窓の断面図、第３図はこ
の発明の赤外線透過窓をＸ線マイクロアナライザ
ーで分析した結果を示す図である。 １……ZnSe基板、２……PbF2干渉薄膜、３…
…ZnSe薄膜、４……入射光、５……干渉薄膜、
６……Znの分析値、７……Seの分析値、８……
金の分析値である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ZnSe中に金属微粒子を分散させて成る干渉
薄膜と、この干渉薄膜上のZnSe薄膜との２重層
を、少なくとも１層、ZnSe基板上に形成したこ
とを特徴とする赤外線透過窓。 ２ 金属微粒子が金であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の赤外線透過窓。 ３ 金属微粒子が銀であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の赤外線透過窓。 ４ 金属微粒子は、入射光の波長に対する反射率
が大きい金属の粒子であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の赤外線透過窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2904478A JPS54121754A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Infrared ray transmission window |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2904478A JPS54121754A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Infrared ray transmission window |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54121754A JPS54121754A (en) | 1979-09-21 |
| JPS6137601B2 true JPS6137601B2 (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12265383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2904478A Granted JPS54121754A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Infrared ray transmission window |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54121754A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4794053A (en) * | 1985-07-01 | 1988-12-27 | Raytheon Company | Optical elements having buried layers |
| US4770479A (en) * | 1985-07-01 | 1988-09-13 | Raytheon Company | Optical elements having buried layers and method of manufacture |
| US4772080A (en) * | 1985-07-01 | 1988-09-20 | Raytheon Company | Optical elements having buried layers and method of manufacture |
| US6927899B2 (en) * | 2002-08-14 | 2005-08-09 | Optical Alchemy, Inc. | Optical element for use in connection with radiation in the infrared portion of the electromagnetic spectrum and method of making same |
| CN109346924A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-02-15 | 南京邮电大学 | 内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| CN109346925A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-02-15 | 南京邮电大学 | 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| CN109244830A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-18 | 南京邮电大学 | 内含硒化银量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
-
1978
- 1978-03-14 JP JP2904478A patent/JPS54121754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54121754A (en) | 1979-09-21 |
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