JPS6133440B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、聴力の不足を補う補聴器の改良、特
に聴き易さを向上させた補聴器に関する。 本発明の目的は、感音性難聴者の聴感度にあわ
せて適切な増幅度が得られ、かつ出力波形の歪の
ないコンプレツシヨン機能、過大なレベルの音が
入力された時に瞬時に出力をカツトし得るリミツ
タ機能および話頭切れによる明瞭度の低下および
切換ノイズの発生を防止し得るミユーテイング機
能を備えることにより聴き易さを向上させた補聴
器を提供することになる。 従来、補聴器を使用する感音性難聴者の場合、
第１図に示すように、特に微少入力音圧に対して
通常者より感度が落ちるが、一定レベル以上の入
力音圧に対しては通常者とほぼ同じ感度を得られ
るという特性を有している。 したがたつて、入力音圧のレベルに関係せず一
定の増幅度を持たせた補聴器を使用すると、聴き
取りにくい低レベルの入力音圧に対して適正な増
幅度にセツトするため、高レベルの入力音圧に対
しては過大な増幅度になつてしまい、非常にうる
さく感じる他、極端な場合耳に痛みを感じる等、
かえつて不都合な面が大きくなつてしまつた。こ
れらの欠点を解消するため従来から、通称
“AGC”、“ARC”等の名称の各種音圧圧縮回路が
用いられてきている。従来の音圧圧縮回路は細部
は異なるぬにしても基本的な構成は同様であつ
て、出力増幅器出力から、補聴器を構成する各出
力段のいずれかの入力に帰還をかける方式をとつ
ている。なかんずく帰還量を定める部分に印加電
圧に対して非線型の抵抗を示すダイオード等を使
用している場合が多い。 その大表的な例を第２図、第３図に従つて説明
する。その構成の概略は第２図に示すようにマイ
クロホン２１、前置増幅器２２、ボリユウム２
３、主増幅器２４、出力増幅器２５及びイヤホン
２６であり、他に音質調節回路等が含まれること
もある。音圧圧縮回路は通常前記出力増幅器２５
に含まれている。その詳細を第３図に示す。 前記主増幅器２４からの出力は、コンデンサ３
１、ベース抵抗３４を通して、イヤホンを駆動す
るトランジスタ３６のベースに入力される。２ケ
の端子３５はイヤホン端子である。以上の基本的
な構成に加えて、逆並例ダイオード３７、コンデ
ンサ３２、分割トリマー３５によつて前記トラン
ジスタ３６のコレクタ側からベース側へ帰還をか
けて、増幅度をコントロールし、音圧圧縮を行な
つている。従つて、その動作は、出力が大きくな
るに従つて指数関数的に帰還量が大きくなり、第
４図に示す如く、入力波形４１に対して出力波形
４２が大きくひずんでしまうという重大な欠点を
有している。 さらに、第５図に示す如く、フラツトな入出力
特性５１に対して、前記分割トリマー３３を操作
して音圧圧縮してゆくと、その特性は、５２，５
３の如くなり、ある入力音圧レベル以上になると
出力音圧は、一定になつてしまうし、第６図に示
す如く、一定の音圧圧縮量にしておいて、前記ボ
リウム２３を操作して増幅度を変化させた場合、
６１ないし６２といつた入出力特性となり、出力
音圧があるレベルでクリツプするような音圧圧縮
特性を示している。 このような音圧圧縮の特性であると、第１図に
示した難聴カーブの補正にはならない。なぜなら
ば第７図に示す如く、もともとの難聴者の感度特
性７１を上記音圧圧縮機能付補聴器によつて感度
補正し、難聴者にとつて聴き易い音圧ダイナミツ
クレンジ７３に入れようとすると、補聴器によつ
て補正された難聴者の感度特性は７２の如くな
り、そうでなくてさえ狭い難聴者の最適可聴ダイ
ナミツク音圧レンジを、全く有効に使つていない
結果となつている。そのため、実際に従来の補聴
器（音圧圧縮機能付）を使用している難聴着から
は、本来、色々なレベルを持つべき話声、騒音な
どが、ほとんど全て同じレベルでしかも可聴限界
ギリギリの大きな音で聞えてくる。その上非常に
ひずんでしまつて、音は大きくなるが、明瞭度が
かえつて下がつてしまうように感じる等、大きな
不満となつて出力されて来ている。さらに、この
音圧圧縮回路を衝撃音の除去にも兼用しているた
め、圧縮立上り時等の制約により、大きな効果を
得ることはできなかつた。また、衝撃音除去回路
（リミツター機能）としては、第８図に示す、抵
抗、コンデンサーの直列より成るスパークキラー
を使用したものが大半であつたが、この方式は、
パルス的に入力される信号については除去する能
力があるが入力信号レベルを大きくした時、信号
波形がクランプされ、歪率が悪化する。また、周
波数により、インピーダンスが変化するため、増
幅回路の周波数特性が変化してしまう。第８図に
示すのは、従来、用いられている出力制限増幅回
路であり、制限抵抗８６を可変することにより、
制限コンデンサ８７との合成インピーダンスを変
化させ、制限値を制御している。 また、日本工業会規格（JIS）においては、補
聴器の雑音レベルは、標準カツブラを使用した場
合、雑音出力音圧レベルは、65dB以下と定めら
れているが、このレベルは、非常に大きな値であ
り、補聴器の性能を大きく低下させている。 これを消去するため、一定レベル以下の入力信
号しかない時には補聴器の作動を停止させてしま
うミユーテイング回路が用いられていたが、従来
のミユーテイング回路は、抵抗とコンデンサとか
らなる時定数回路を用いていたため、設定値以上
の入力信号があつた時にミユーテイング回路の作
動を解除しようとする時、動作の遅延による話題
切れが生じ、これを防止しようとして時定数を小
さくすると、無声子音などのように発声時間の短
い音声が入力されても、常に出力のON―OFFが
くり返されることになつて非常に聞きずらくな
り、さらに音声の入力が途絶えてミユーテイング
動作に移行する時に、非常に短い時間でOFFす
るため、イヤホンのリアタンスの影響による切換
えノイズが発生すると共に、急激に出力がなくな
るために聴感上非常にわずらわしく感じられると
いう欠点を有していた。 本発明は、かかる欠点を一挙に解決するもので
あり、コンプレツシヨン回路、リミツター回路、
ミユーテイング回路を、それぞれ独立に装備する
ことにより、それぞれの機能が十分に生かされる
ため、非常に性能の高い補聴器を提供することが
できる。 以下図面を用いて本発明の説明を行なう。 第９図は、本発明になる補聴器のコンプレツシ
ヨン回路の一実施例であり、第１０図はその一部
の具体的な回路例である。マイクロホン９１に入
力された信号は、前置増幅器９２で20dB程度増
幅され、ゲイン制御部９３においてゲインを減衰
された後、ボリユウム９５、主増幅器９６、出力
増幅器９７を通して、イヤホン９８に出力され
る。制御信号発生部９４は、前記前置増幅器９２
の出力を入力として、制御信号を前記ゲイン制御
部９３に出力している。 前記制御信号発生部９４は、詳しくは、増幅部
とレベルシフト部、整流、平滑部から成り、制御
信号の感度を決めるトリマー１０１を帰還抵抗と
するインバータアンプ１０３の出力はＰチヤンネ
ルMOSFET１１０によつてスレシヨルド分だけ
レベルシフトされた後、ダイオード１０４によつ
て整流される。そのアタツクタイムは抵抗１０５
及びコンデンサ１０６のRC時定数、リリースタ
イムは抵抗１０７及び前記コンデンサ１０６の
RC時定数により設定される値を有している。通
常アタツクタイムは10msec、リリースタイムは
0.5〜１秒程度になるようにセツトする。このよ
うにして形成した制御信号は、前記ゲイン制御回
路９３を構成する抵抗１０８及びＮチヤンネル
MOSFET１０９のゲートに入力される。したが
つて、入力信号レベルが大きくなれば、制御信号
も大きくなり、前記FET１０９がONして前記抵
抗１０８との分圧比が小さくなるので、音圧圧縮
がなされる。オフセツトを決める前記トリマー１
０２によつて、前記ダイオード１０４の順方向電
圧を補償すると共に、音圧圧縮開始の入力レベル
を決定することが出来るし、又感度を決める前記
トリマー１０１によつて同一入力レベル変化に対
する音圧圧縮量を決定することが出来る。 例えば、上記実施例を用いて、第１１図に示す
ような難聴特性１１１を有する難聴者が本発明に
よる音圧圧縮機能付補聴器を使用する場合を考え
てみたい。この難聴者の場合、通常の会議室の暗
騒音レベルの60dB以上で考えると、60dBで−
20dB感度がダウンしており、それが90dBでほぼ
通常者と同様の感度に回復するような特性を有し
ている。 そこでまず、基本的な補聴器の音響利得を
20dB持たせ、かつ前記トリマー１０１を調節す
ることによつて第１２図のような減衰特性１２１
を前記ゲイン制御部９３に持たせることが出来
る。最終的に飽和する減衰率は、前記抵抗１０８
と前記FET１０９のサイズ、特性、使用電圧等
にも影響されるので、注意を要する。さて補聴器
トータルで考えてみると、第１３図に示すような
入出力特性１３１を有する本発明による音圧圧縮
機能付補聴器を使用した前記の難聴者は、第１４
図のような補正された聴感度１４１を持つことに
なる。１４２はもともとの聴感度である。 したがつて、本発明によれば、もつとも通常者
の聴感に近いような補正か、好みのダイナミツク
レンジで、好みの深さで可能であるので、軽、中
症者、重症者、ともに難聴者の難聴特性にあわせ
た最適可聴レベルで、音の大小とも自然に近い形
で聴取出来るため快適な聴取が可能となつた。ま
た負帰還をかけていず。しかも0.5〜１秒のリリ
ースタイムを持つているので、瞬間的には、減衰
比は入力音声信号のピークレベルの主に小さくな
る方向への変動には無関係となるので、第１５図
に示す如く、入力信号波形１５１は、相似的に出
力信号波形１５２となるため、全んどひずみを生
じないので、明瞭度が低下しない、加えて、前記
ゲイン制御部２７を出来る丈前へ持つて来ている
ため信号がクリツプしてしまつた後減衰されるこ
とが少ないことも、ひずみを広い範囲にわたつて
発生させないためには必要なことである。 一方、各増幅段をCMOSインバータアンプ、レ
ベルシフト段をＰチヤンネルMOSFET、分圧用
にはＮチヤンネルMOSFETを使用し、そのID／
VG特性を利用しているため、全てMOS構造で上
記回路構成が可能である。このことは回路の低消
費電力化等にも波及する効果がある。 第１６図は、本発明になる補聴器のリミツタ回
路の一実施例を示す図であり、増幅回路１６２の
入力端子１６１から入力された音声信号は所定の
利得で増幅され抵抗１０３を介して電力増幅回路
１６４に入力される。出力端子１６５にはコンデ
ンサ等を介して電気音響変換器が接続され音声と
して再生されることになる。今レベルの大きい信
号が入力端子１６１に入つた場合電力増幅回路１
６４の出力に接続された信号発生回路１６６から
任意の時定数をもつた半導体スイツチ回路１６７
をトリガーする信号が出力する。半導体スイツチ
回路１６７が開くと電力増幅回路の入力と回路グ
ランド間に設けられた半導体スイツチ１６８が閉
じ増幅回路１６２からの信号をバイパスするため
電力増幅回路の出力は非常に小さくなつてしま
う。半導体スイツチのON抵抗が小さい場合には
出力は零になつてしまう。 本発明のリミツタ回路の詳細な回路例を第１７
図に示した増幅回路１７２は入力端子１７１を備
え入力信号を所定の利得で増幅する。その出力は
抵抗１７３を経て電力増幅回路１７４に入力され
電力増幅される。その出力はコンデンサ１７６お
よび抵抗１７１０を介してインバータ１７１１に
入力される。この入力信号は＋電源端子１７９と
回路グランドに挿入された抵抗１７７と１７８で
レベル調整される。すなわち、このインバータ１
７１１、インバータ１７１２、抵抗１７１０、抵
抗１７１３で構成される回路はシユミツト回路で
ありゆるやかな入力に対しても急峻な立上り、立
下りをもつた波形が得られる。抵抗１７１０、抵
抗１７１３の比を調整し適当なヒステリシスを持
たせて使用する。本回路への入力レベルは抵抗１
７７と抵抗１７８で決められるが今入力レベルが
高くなりシユミツト回路のトリガーレベルを越え
るとインバータ１７１１からは負極性のパルスが
出力されることになる。すなわちインバータ１７
１１の出力は、回路のグランド電位となるため、
ＰチヤンネルMOS電界効果形トランジスタ（以
下FETと略す）１７１４はONする。このMOSト
ランジスタ１７１４のドレインとソースの間に
は、コンデンサ１７１６が接続され、さらにソー
スは抵抗を介して回路グランドに接続されてい
る。抵抗１７１５とコンデンサ１７１６の役割は
MOSFET１７１４のON動作時は早く、OFF動
作時は所定の時間遅延されるためのものである。
ＰチヤンネルMOSFET１７１４のソース出力は
ＮチヤンネルMOSFET１７１７に入力されてい
るのでＰチヤンネルMOSFET１７１４がONして
いるときは、ＮチヤンネルMOSFET１７１７が
ONし電力増幅回路１７４への入力信号レベルは
ほぼ回路グランドレベルに固定されるため、出力
はほぼ零となる。すなわち、所定のレベル以上の
衝撃音が入力された場合には、出力音はマスクさ
れ聴力補助装置使用者に不快感を与えないことに
なる。尚、ＰチヤンネルMOSFET１７１４の一
端は、＋電源端子１７９に接続されている。 またＮチヤンネルMOSFET１７１７のドレイ
ン側、若しくはソース側に直列に抵抗を挿入すれ
ば出力音を完全にカツトすることなく、適切な大
きさの音にすることができる。 第１８図は、本発明になる補聴器のミユーテイ
ング回路の一実施例を示す図であり、マイクロホ
ン１８１、前置増幅器１８２、ボリユウム１８
４、主増幅器１８３、出力増幅器１８５、イヤホ
ン１８６、センスアツプ１８７、電圧基準源１８
１１、比較器１８８、時定数発生回路１８９、遅
延発生回路１８１０、前記遅延回路１８１０出力
を前記出力増幅器１８５より出力レベル時分離す
るダイオード１８１２より構成されている。 さらに詳しくは第１９図に示す如く比較器１９
１に接続する時定数発生回路１９２はNOR１９
５、抵抗１９７、コンデンサ１９６、インバータ
１９８、インバータ１９１６、ダイオード１９１
７よりなる変形単安定発振回路で構成され、遅延
発生回路１９３は立上がり時定数をダイオード１
９９の順方向抵抗値とコンデンサ１９１０とで、
立下がり時定数を抵抗１９１１、前記コンデンサ
１９１０とで発生させている。ダイオード１９１
２は前記遅延発生回路出力がＨレベルの時、その
出力を出力段１９４を構成するトランジスタから
切りはなすためのものである。前記出力段はベー
ス抵抗１９１３、前記トランジスタ１９１４、イ
ヤホン１９１５で構成されている。 次に動作を説明する。前置増幅器出力は前記セ
ンスアツプ１８７によつて電源電圧ギリギリまで
増幅され、予め入力音圧換算30〜80dBにセツト
された前記電圧基準源１８１１と前記比較器１８
８によつて比較される。もし入力レベルが小さい
とすると前記比較器１８８の出力はＬレベルであ
り、前記時定数回路１８９は動作せずその出力は
Ｌレベル、したがつて前記遅延回路１８１０の出
力はＬレベルであるため前記出力増幅器１８５を
構成する前記トランジスタ１９１４のベースがＬ
レベルに引つぱられて、前記出力増幅器１８５は
動作していない。ところでここで入力レベルが大
きくなり設定レベルを越えたとすると、前記比較
器１９１の出力は即座にＨレベルに反転し、前記
時定数発生回路１９２出力もＨレベルに反転す
る。 したがつて前記遅延発生回路１９３出力は、前
記ダイオード１９９の順方向抵抗分が小さいため
数ｍ秒以下でＨレベルに移行し、前記ダイオード
１９１２によつて分離されるので前記出力段１９
４は正常な動作に復帰する。前記時定数回路１９
２を構成する単安定発振回路はその出力がＨレベ
ルのとき、再び前記比較器１９１の出力がＨレベ
ルに反転するとその時点から再びリフレツシユさ
れ、所定の時定数のパルスをその時点から発生す
る。 したがつてパルス発生時に再びトリガが入ると
連続してＨレベルを続け、最後に入つたトリガよ
り所定の時定数の後Ｌレベルに反転する。これを
受けて前記遅延発生回路１９３は前記ダイオード
１９９によつて前記時定数発生回路１９２出力と
分離され、前記コンデンサ１９１０、前記抵抗１
９１１で定められる時定数で放電する。したがつ
て前記トランジスタ１９１４のベースが徐々にＬ
レベルに引ぱられていき、なめらかにトランジス
タがオフしていくので音量もなめらかに減衰しつ
いにはOFFする。 さらには入力レベルを前記前置アンプ１８２か
ら直接前記センスアツプ１８７を通してヒツクア
ツプしているため、前記ボリウム１８４に関係な
く安定したミユーテイング動作を実現出来た。 第２０図は、本発明になる補聴器の電力増幅段
の一実施例であり、CMOSインバータ２０１で増
幅された信号は、ドライバ段を構成するＰ及びＮ
チヤンネルMOSFET２０２に印加される。ドラ
イバ段を構成するＰ及びＮチヤンネルMOSFET
２０２のドレイン間にはバイアス抵抗２０７が接
続されており、上記Ｐ及びＮチヤンネル
MOSFET２０２のドレイン〜ソース間電圧と上
記バイアス抵抗２０７によつて、PNPトランジス
タ２０３及びNPNトランジスタ２０４で構成さ
れる電力増幅段のバイアス電圧を発生させてい
る。また、増幅回路のゲインは、帰還抵抗２０
５，２０６により決定され、その利得Avは、 Av＝帰還抵抗２０６／帰還抵抗２０５ の式により与えられる。 今、交流信号がCMOSインバータ２０１に印加
された後、ドライバ段を構成するＰ及びＮチヤン
ネルMOSFET２０２のゲートに印加された場合
を考えると、正の半サイクルでは、Ｐチヤンネル
MOSFETがOFFする方向の電圧であるため、ド
レイン〜ソース間の電圧降下は大きくなる。この
ため、PNPトランジスタ２０３は、順方向のバイ
アスとなり、コレクタ〜エミツタ間電圧は電源電
圧に近づく、この状態では、Ｎチヤンネル
MOSFETはONする方向に動作し、そのドレイン
〜ソース間電圧は低下するため、NPNトランジ
スタ２０４は逆方向のバイアスとなり、カツトオ
フ状態に近づく。 上記の如く、Ｐ及びＮチヤンネルMOSFETの
ドレイン〜ソース間電圧が、FETの相互コンダ
クタンスgmが等しければ同じだけシフトするた
め、バイアス抵抗２０７の両端の電圧は変化せず
に、電力増幅段のみに交流信号分のバイアス変化
を与えることができ、その方向が逆であるため、
電力増幅段はSEPP動作を行なう。また交流信号
の負の半サイクルについては、上記説明と逆の動
作となる。第２１図は、上記の状態を説明するた
めの図であり、ドライバ段を構成するＰ及びＮチ
ヤンネルMOSFET２０２のドレイン〜ソース間
電圧及び、バイアス抵抗２０７の両端の電圧を示
している。ＰチヤンネルMOSFETドレイン〜ソ
ース間電圧２１４、ＮチヤンネルMOSFETドレ
イン〜ソース間電圧２１５を示す。また、バイア
ス抵抗２０７の抵抗値を変化させることにより、
Ｐ及びＮチヤンネルMOSFET２０２のドレイン
〜ソース間電圧を変化させることが可能であるた
め、PNPトランジスタ２０３及び、NPNトラン
ジスタ２０４のバイアス点を変化させて動作を、
Ｂ級〜Ａ級と自由に変更できる。さらに、電力増
幅段は、低電源系での使用も考え、エミツター接
地形のSEPPとして、ベース〜エミツタ間電圧降
下の影響を無視している。 実施例の場合、電波電圧1.5V時に８Ω負荷に
対して、30mWをひずみなく供給出来、しかも、
無信号時のアイドリング電流は0.1〜0.2mA程度
にすることが出来た。したがつて、イヤホンイン
ピーダンスを低くして、大信号時にもクリツプし
ないようにし、かつ無信号時のアイドリング電流
を従来の数10分の１に減少させることが可能とな
つた。補聴器の消費電流のほとんどが、出力段で
消費されるため、補聴器全体の低消費電力化に大
きな効果がある。本実施例は、IC化が容易であ
り、バイアスセツト用の抵抗２０７を、IC中の
拡散抵抗列の組み合わせで、IC製造時にセツト
してしまう方式をとれば、外部トリマーが不用に
なつて、スペース、コスト等に好い影響が得られ
る。 また、本発明になる補聴器の電力増幅段におい
ては、最大出力音圧まで無歪で信号を増幅するた
めに、低インピーダンスのイヤホンを使用するこ
とにより出力電力の増大をはかつている。これの
場合、消費電流の増加が考えられるが、それは過
渡的な電流であり、アイドリング電流が少ないた
め、平均電流は極めて少なくなり、全体の消費電
流を少なくすることができた。 第２２図は、本発明になる補聴器の集積化の一
実施例を示す図であり、マイクロホン２２１より
の信号は、前置増幅段２２２で増幅され、コンプ
レツシヨン制御部２２３、コンプレツシヨン検出
段２２７により構成されるコンプレツシヨン段２
２１０により圧縮が行なわれる。この信号は、中
間増幅段２２４により増幅されたのち、レベルコ
ントロール２２１１によりレベル設定され、出力
増幅段２２５で電力増幅され、イヤホン２２６に
より電気―音響変換され出力される。中間増幅段
２２４の出力信号の一部は、ミユーテイング制御
部２２８に加えられ無信号入力時には出力増幅段
２２５をカツトオフすることにより無信号状態に
すると共に消費電流の低減をはかつている。ま
た、出力増幅段２２５の出力の一部は、リミツタ
制御段２２９に加えられ、設定レベルより大きな
衝撃音が加わつたとき、出力増幅段２２５をカツ
トオフして過大出力の発生を防止し、耳の保護等
を行なう。 本発明は、上記の如く、コンプレツシヨン、ミ
ユーテイング、リミツタの各機能を全て理想的な
状態で動作できるため、従来の補聴器に比べ難聴
者の要望に合つた補聴器を提供できた。また、本
項の主目的である聴き易い補聴器としての性能を
十分に満足できた。本回路の実現は、Ｃ―MOS
構造で３×2.5mm角チツプに全回路を構成でき、
無信号時200μAat1.5V、最大出力音圧138dBを得
ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、感音性難聴者の聴感度特性を示す
図。第２図は、従来の補聴器の構成例を示す図。
第３図は、第２図中、特に音圧圧縮回路を含む出
力増幅器の回路例を示す図。第４図は、従来の音
圧圧縮回路の入出力波形を示す図。第５図は、従
来の音圧圧縮回路付補聴器のゲイン特性を示す
図、第６図は、第５図において圧縮度一定、ボリ
ユウムを変化させた場合の特性を示す図。第７図
は、従来の音圧圧縮回路付補聴器を使用して得ら
れた難聴者の補正聴感度特性を示す図。第８図
は、従来、用いられていたリミツタ回路例を示す
図。第９図は、本発明になる補聴器のコンプレツ
シヨン回路の一実施例を示す図。第１０図は、本
発明になる補聴器のコンプレツシヨン回路の具体
的な回路例を示す図。第１１図は、難聴特性の一
例を示す図。第１２図は、本発明になる補聴器の
コンプレツシヨン回路の実施例によつて得られた
減衰特性を示す図。第１３図は、本発明になる補
聴器のコンプレツシヨン回路の実施例の音響利得
の入出力特性を示す図。第１４図は、本発明にな
る補聴器のコンプレツシヨン回路の実施例によつ
て補正された難聴者の聴感度特性を示す図。第１
５図は、本発明になる補聴器のコンプレツシヨン
回路の実施例における入出力特性を示す図。第１
６図は、本発明になる補聴器のリミツタ回路の一
実施例を示す。第１７図は、本発明になる補聴器
のリミツタ回路の具体的な回路列を示す図。第１
８図は、本発明になる補聴器のミユーテイング回
路の一実施例を示す図。第１９図は、本発明にな
る補聴器のミユーテイング回路の具体的な回路例
を示す図。第２０図は、本発明になる補聴器の電
力増幅段の一実施例を示す。第２１図は、本発明
になる補聴器の電力増幅段のバイアス電圧及び入
力信号を示す図。第２２図は、本発明になる補聴
器の集積化の一実施例を示す図。 ２１…マイクロホン、２２…前置増幅器、２３
…ボリユウム、２４…主増幅器、２５…出力増幅
器、２６…イヤホン、３１…コンデンサ、３２…
帰還コンデンサ、３３…分割トリマ、３４…ベー
ス抵抗、３５…端子、３６…トランジスタ、３７
…逆並列ダイオード、４１…入力波形、４２…出
力波形、５１…入出力特性、５２…圧縮特性、５
３…圧縮特性、６１…圧縮特性、６２…圧縮特
性、７１…感度特性、７２…感度特性、７３…音
圧ダイナミツクレンジ、８１…結合コンデンサ、
８２…バイアス抵抗、８３…コレクタ負荷抵抗、
８４…トランジスタ、８５…結合コンデンサ、８
６…制限抵抗、８７…制限コンデンサ、９１…マ
イクロホン、９２…前置増幅器、９３…ゲイン制
御部、９４…制御信号発生部、９５…ボリユウ
ム、９６…主増幅器、９７…出力増幅器、９８…
イヤホン、１０１…トリマ、１０２…トリマ、１
０３…インバータアンプ、１０４…ダイオード、
１０５…抵抗、１０６…コンデンサ、１０７…抵
抗、１０８…抵抗、１０９…Ｎチヤンネル
MOSFET、１１０…ＰチヤンネルMOSFET、１
１１…難聴特性、１２１…減衰特性、１３１…入
出力特性、１４１…補正された聴感度、１４２…
もともとの聴感度、１５１…入力信号波形、１５
２…出力信号波形、１６１…入力端子、１６２…
増幅回路、１６３…抵抗、１６４…電力増幅回
路、１６５…出力端子、１６６…信号発生回路、
１６７…半導体スイツチ回路、１６８…半導体ス
イツチ、１７１…入力端子、１７２…増幅回路、
１７３…抵抗、１７４…電力増幅回路、１７５…
出力端子、１７６…コンデンサ、１７７…抵抗、
１７８…低抗、１７９…＋電源端子、１７１０…
抵抗、１７１１…インバータ、１７１２…インバ
ータ、１７１３…抵抗、１７１４…Ｐチヤンネル
MOSFET、１７１５…抵抗、１７１６…コンデ
ンサ、１７１７…ＮチヤンネルMOSFET、１８
１…マイクロホン、１８２…前置増幅器、１８３
…主増幅器、１８４…ボリウム、１８５…出力増
幅器、１８６…イヤホン、１８７…センスアツ
プ、１８８…比較器、１８９…時定数発生回路、
１８１０…遅延発生回路、１８１１…電圧基準
源、１８１２…ダイオード、１９１…比較器、１
９２…時定数発生回路、１９３…遅延発生回路、
１９４…出力段、１９５…NOR、１９６…コン
デンサ、１９７…抵抗、１９８…インバータ、１
９９…ダイオード、１９１０…コンデンサ、１９
１１…抵抗、１９１２…ダイオード、１９１３…
ベース抵抗、１９１４…トランジスタ、１９１５
…イヤホン、１９１６…インバータ、１９１７…
ダイオード、２０１…CMOSインバータ、２０２
…Ｐ及びＮチヤンネルMOSFET、２０３…PNP
トランジスタ、２０４…NPNトランジスタ、２
０５…帰還抵抗、２０６…帰還抵抗、２０７…バ
イアス抵抗、２０８…出力コンデンサ、２１１…
電源電圧、２１２…無入力時のＰチヤンネル
MOSFETのドレイン電圧、２１３…無入力時の
ＮチヤンネルMOSFETのドレイン電圧、２１４
…ＰチヤンネルMOSFETのドレイン〜ソース間
電圧、２１５…ＮチヤンネルMOSFETドレイン
〜ソース間電圧、２２１…マイクロホン、２２２
…前置増幅段、２２３…コンプレツシヨン制御
段、２２４…中間増幅段、２２５…出力増幅段、
２２６…イヤホン、２２７…コンプレツシヨン検
出段、２２８…ミユーテイング制御段、２２９…
リミツタ制御段、２２１０…コンプレツシヨン
段、２２１１…レベルコントロール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ マイクロホン、前置増幅器、中間増幅器、レ
   ベルコントロール、出力増幅器およびイヤホンを
   有する補聴器において、入力信号レベルに応じて
   前記前置増幅器の出力ゲインを制御するコンプレ
   ツシヨン回路、過大な入力信号を除去するリミツ
   タ回路および入力信号が設定レベル以下の時出力
   を停止させるミユーテイング回路を備え、 前記コンプレツシヨン回路は、前記前置増幅器
   と中間増幅器との間に接続された前記前置増幅器
   の出力を減衰させるゲイン制御部および前記ゲイ
   ン制御部の減衰特性を入力信号レベルに応じて制
   御する制御信号発生部からなり、 前記ゲイン制御部は、一方の端子が前記前置増
   幅器の出力端子に接続され、他方の端子が前記中
   間増幅器の入力端子に接続されている抵抗および
   ドレインが前記抵抗の他方の端子に接続され、ゲ
   ートが前記制御信号発生部の出力端子に接続され
   ているＮチヤンネルMOSFETからなり、 前記制御信号発生部は、制御信号の感度を調節
   するトリマーとオフセツトを調節するトリマーと
   を備えた前記前置増幅器の出力信号を増幅する増
   幅器、前記増幅器の出力を整流するダイオードお
   よび前記前置増幅器の出力信号に応じて出力する
   制御信号のアタツク時間およびリリース時間を設
   定する平滑回路からなり、 前記リミツタ回路は、前記出力増幅器の出力を
   入力信号とし、設定値以上になると負極性のパル
   スを出力する第１のインバータと前記第１のイバ
   ータの出力を入力信号とする第２のインバータと
   前記第２のインバータの出力を前記第１のインバ
   ータの入力端子に帰還させる抵抗とからなるシユ
   ミツト回路、ゲートが前記第１のインバータの出
   力端子に接続され、OFF動作を所定時間遅延さ
   せるための抵抗およびコンデンサを備え、前記第
   １のインバータからの負極性の出力パルスにより
   ON動作するＰチヤンネルMOSFETおよび前記出
   力増幅器と回路グランドとの間に接続され、かつ
   ゲートが前記ＰチヤンネルMOSFETのソースを
   接続されていて前記ＰチヤンネルMOSFETのON
   動作時に同じくON動作して前記出力増幅器への
   入力信号を回路グランドレベルに固定するＮチヤ
   ンネルMOSFETからなり、 前記ミユーテイング回路は、前記中間増幅器の
   出力信号を増幅するセンスアンプ、前記センスア
   ンプの出力と電圧基準源の出力とを比較する比較
   器、単安定発振回路からなり、前記比較器の出力
   によつてトリガされて立ち上り、所定の時定数遅
   延して立ち下がるパルス信号を出力する時定数発
   生回路、ダイオード、コンデンサおよび抵抗から
   なり、前記時定数発生回路のパルス信号によつて
   前記ダイオードの順方向抵抗値とコンデンサとに
   より設定された時定数遅延して立ち上り、前記パ
   ルス信号が立ち下がつた後前記抵抗とコンデンサ
   とにより設定された時定数遅延して立ち下がる信
   号を出力する遅延発生回路および前記遅延発生回
   路の出力により前記出力増幅器の動作を制御する
   ダイオードからなることを特徴とする補聴器。