JPS6132788B2 - - Google Patents
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- JPS6132788B2 JPS6132788B2 JP2693077A JP2693077A JPS6132788B2 JP S6132788 B2 JPS6132788 B2 JP S6132788B2 JP 2693077 A JP2693077 A JP 2693077A JP 2693077 A JP2693077 A JP 2693077A JP S6132788 B2 JPS6132788 B2 JP S6132788B2
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- JP
- Japan
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- coupling loop
- resonant circuit
- heating
- circuit
- coupling
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- Expired
Links
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- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、帯域溶融装置の特にアース対称の
加熱共振回路から、加熱共振回路へ導かれる電力
に対する基準量でありかつ電力制御のための実際
値として用いられる電気量を取出すための装置に
関する。
加熱共振回路から、加熱共振回路へ導かれる電力
に対する基準量でありかつ電力制御のための実際
値として用いられる電気量を取出すための装置に
関する。
加熱共振回路へ導入される電力を制御する際、
実際値すなわち溶融コイルを流れる電流または溶
融コイルに印加されている電圧は、電力制御ルー
プへ導くために確定されなければならない。
実際値すなわち溶融コイルを流れる電流または溶
融コイルに印加されている電圧は、電力制御ルー
プへ導くために確定されなければならない。
加熱共振回路の同調コンデンサに生じている電
圧を上述の実際値を得るための基準量として用い
ることは公知である。この電圧はかなり高い
（1kV以上）ので、比較的高価な高周波の容量性
または誘導性分圧器を用いねばならない。かかる
装置を第１図に示す。
圧を上述の実際値を得るための基準量として用い
ることは公知である。この電圧はかなり高い
（1kV以上）ので、比較的高価な高周波の容量性
または誘導性分圧器を用いねばならない。かかる
装置を第１図に示す。
かかる装置においては、加熱共振回路は並列の
コンデンサC1ないしC4並びに加熱コイルＬから
成る。この共振回路に、同軸ケーブル１および２
を介して図示されていない高周波電源から高周波
電力が導かれる。アルゴンから成る保護ガス雰囲
気中で帯域溶融過程が行われると、第１図に示さ
れているように装置はアース対称に構成される。
加熱共振回路に導かれた電力に対する基準を表わ
す電圧は、コンデンサC1ないしC4の一端におい
て結合された容量性分圧器C5，C6を介して得ら
れる。その際コンデンサC6は整流ダイオードＤ
に並列である。実際値を表わすコンデンサC6に
おける電圧は同軸ケーブル３を介して制御ループ
４に導かれる。
コンデンサC1ないしC4並びに加熱コイルＬから
成る。この共振回路に、同軸ケーブル１および２
を介して図示されていない高周波電源から高周波
電力が導かれる。アルゴンから成る保護ガス雰囲
気中で帯域溶融過程が行われると、第１図に示さ
れているように装置はアース対称に構成される。
加熱共振回路に導かれた電力に対する基準を表わ
す電圧は、コンデンサC1ないしC4の一端におい
て結合された容量性分圧器C5，C6を介して得ら
れる。その際コンデンサC6は整流ダイオードＤ
に並列である。実際値を表わすコンデンサC6に
おける電圧は同軸ケーブル３を介して制御ループ
４に導かれる。
加熱共振回路はアース対称に構成され、一方実
際値はアース電位を基準とされなければならない
ので、共振回路電圧のほぼ半分が非対称に測定さ
れるに過ぎない。これは制御範囲の一部において
実際値の誤認につながる。
際値はアース電位を基準とされなければならない
ので、共振回路電圧のほぼ半分が非対称に測定さ
れるに過ぎない。これは制御範囲の一部において
実際値の誤認につながる。
さらにこの種の装置においては、容量性分圧器
C5，C6の一端は共振回路内でアースに接続され
ている。しかし、共振回路内のアース基準電位と
制御段のアース基準電位はしばしば異なるので、
著しく異なる高周波電位によりしばしば好ましく
ない高周波電圧が生ずる。すなわち共振回路のア
ース点と制御段４のアース点は、数MHzの高周
波に対しては同一の電位をもたず、両アース点の
間に平衡電流が流れる。これを阻止ないし結合す
るには高価な付加回路が必要である。
C5，C6の一端は共振回路内でアースに接続され
ている。しかし、共振回路内のアース基準電位と
制御段のアース基準電位はしばしば異なるので、
著しく異なる高周波電位によりしばしば好ましく
ない高周波電圧が生ずる。すなわち共振回路のア
ース点と制御段４のアース点は、数MHzの高周
波に対しては同一の電位をもたず、両アース点の
間に平衡電流が流れる。これを阻止ないし結合す
るには高価な付加回路が必要である。
この発明の目的は、上述の欠点をもたない装置
を得ることにある。
を得ることにある。
この目的は本発明によれば、特許請求の範囲第
１項に記載された構成により達成される。
１項に記載された構成により達成される。
本発明によれば、制御量は容量的に取出される
のではなくて、結合ループを介して誘導的に取出
される。その際重要なのは、制御段および結合ル
ープから成る回路が唯一のアース点をもつという
ことである。このアース点は制御段４において存
在する。
のではなくて、結合ループを介して誘導的に取出
される。その際重要なのは、制御段および結合ル
ープから成る回路が唯一のアース点をもつという
ことである。このアース点は制御段４において存
在する。
次に第２図に示されたこの発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図による装置において、加熱コイルＬの電
流導線に結合ループ２０が誘導的に結合されてい
る。この誘導的結合は可変であると有利である。
流導線に結合ループ２０が誘導的に結合されてい
る。この誘導的結合は可変であると有利である。
結合ループ２０の回路中に整流ダイオードＤが
接続される。この回路はコンデンサC21によつて
閉結される。整流された出力電圧は同軸ケーブル
３を介して制御段４に導入される。
接続される。この回路はコンデンサC21によつて
閉結される。整流された出力電圧は同軸ケーブル
３を介して制御段４に導入される。
結合ループの結合は幾何学的観点を考慮する
際、結合ループにおいて誘導される電圧がコイル
電流に比例するように行なわれる。この結合に関
してさらに、例えばケーブル中の無効電流の結合
を避けるように注意しなければならない。このこ
とは、ケーブル３の普通の周波数依存性の負荷の
際特に重要である。
際、結合ループにおいて誘導される電圧がコイル
電流に比例するように行なわれる。この結合に関
してさらに、例えばケーブル中の無効電流の結合
を避けるように注意しなければならない。このこ
とは、ケーブル３の普通の周波数依存性の負荷の
際特に重要である。
この発明による装置においては、アース点は制
御段において存在するに過ぎず、したがつてアー
スループは生じない。ループ２０の機械的な歪曲
によつて、取り出される電圧は簡単に調整され得
る。
御段において存在するに過ぎず、したがつてアー
スループは生じない。ループ２０の機械的な歪曲
によつて、取り出される電圧は簡単に調整され得
る。
本発明の利点は、制御結果を誤らせる制御段と
結合ループの間の平衡電流が流れないという点に
ある。この利点はアース対称の加熱共振回路のみ
に限定されるのではなく、非対称の回路に対して
も得られる。
結合ループの間の平衡電流が流れないという点に
ある。この利点はアース対称の加熱共振回路のみ
に限定されるのではなく、非対称の回路に対して
も得られる。
第１図は公知の装置、第２図は本発明による装
置の回路図を示す。 C1〜C6，C21……コンデンサ、Ｌ……加熱コイ
ル、Ｄ……ダイオード、４……制御段、２０……
結合ループ。
置の回路図を示す。 C1〜C6，C21……コンデンサ、Ｌ……加熱コイ
ル、Ｄ……ダイオード、４……制御段、２０……
結合ループ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 帯域溶融装置の特にアース対称の加熱共振回
路から、加熱共振回路へ導かれる電力に対する基
準量でありかつ電力制御のための実際値として用
いられる電気量を取出すための装置において、加
熱共振回路C1〜C4，Ｌ内の加熱コイルＬの電流
導線に誘導的に結合された結合ループ２０が備え
られ、この結合ループ２０は出力側において電力
制御段４と結合され、結合ループ２０および電力
制御段４から成る回路のアース点は電力制御段４
において存在することを特徴とする帯域溶融装置
の加熱共振回路から電気量を取出すための装置。 ２ 加熱コイルの電流導線および結合ループ間の
誘導的結合は可変であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の装置。 ３ 結合ループ２０の回路内に整流器Ｄが接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の装置。 ４ 結合ループ２０はコンデンサC21によつて閉
結されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762610252 DE2610252A1 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Anordnung zur auskopplung einer elektrischen groesse aus einem heizresonanzkreis einer zonenschmelzanlage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52112134A JPS52112134A (en) | 1977-09-20 |
| JPS6132788B2 true JPS6132788B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=5972191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2693077A Granted JPS52112134A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-11 | Device for tripping electric amount from heater resonant circuit of band fusing unit |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52112134A (ja) |
| DE (1) | DE2610252A1 (ja) |
| IT (1) | IT1077653B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6832395B2 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-24 | 島田理化工業株式会社 | インバータユニットにおけるアース線への漏れ電流抑止回路およびインバータユニットにおけるアース線への漏れ電流抑止方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617392A (en) * | 1968-10-29 | 1971-11-02 | Semimetals Inc | Power control for crystal growing |
-
1976
- 1976-03-11 DE DE19762610252 patent/DE2610252A1/de active Granted
-
1977
- 1977-03-04 IT IT2091677A patent/IT1077653B/it active
- 1977-03-11 JP JP2693077A patent/JPS52112134A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2610252C2 (ja) | 1989-06-01 |
| JPS52112134A (en) | 1977-09-20 |
| IT1077653B (it) | 1985-05-04 |
| DE2610252A1 (de) | 1977-09-15 |
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