JPS6130257A - インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法 - Google Patents
インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法Info
- Publication number
- JPS6130257A JPS6130257A JP15178984A JP15178984A JPS6130257A JP S6130257 A JPS6130257 A JP S6130257A JP 15178984 A JP15178984 A JP 15178984A JP 15178984 A JP15178984 A JP 15178984A JP S6130257 A JPS6130257 A JP S6130257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- pattern
- microwave
- demolding
- microwaves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22C—FOUNDRY MOULDING
- B22C9/00—Moulds or cores; Moulding processes
- B22C9/02—Sand moulds or like moulds for shaped castings
- B22C9/04—Use of lost patterns
- B22C9/043—Removing the consumable pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明はインベストメント鋳造法(精密鋳造法)におけ
る鋳型の脱型方法に関し、特にマイクロ波を利用するイ
ンへストメント鋳造法における鋳型の脱型方法に関する
。
る鋳型の脱型方法に関し、特にマイクロ波を利用するイ
ンへストメント鋳造法における鋳型の脱型方法に関する
。
インへストメント鋳造法で鋳型を作製するには、周知の
ように、ろう、パラフィン、尿素樹脂(ユリア樹脂)、
ポリスチレン等の熱や水によって溶出可能な消失性物質
より作られた製品模型を、1個あるいは多数個用意し、
これを同じ材質よりな ゛り鋳型の湯道部となる鋳造方
案部に接合させる。
ように、ろう、パラフィン、尿素樹脂(ユリア樹脂)、
ポリスチレン等の熱や水によって溶出可能な消失性物質
より作られた製品模型を、1個あるいは多数個用意し、
これを同じ材質よりな ゛り鋳型の湯道部となる鋳造方
案部に接合させる。
このように、多数の製品模型を湯道部に付けたものをツ
リーと称している。このツリーの表面tこ、周知の方法
で耐火物泥漿(スラリー)と耐火砂で被覆層を形成させ
て鋳型をつくる。次いで、ツリー表面に形成した被覆層
(鋳型)を十分乾燥させた後、熱や水を用いて消失性模
型を除去し、脱型を行う。この脱型法には多くの種類が
あり、加熱蒸気を用いるオートクレーブ脱型法、高温の
加熱炉で一気に行う熱衝撃法等は広く知られているが、
マイクロ波を用いるのもその一つである。
リーと称している。このツリーの表面tこ、周知の方法
で耐火物泥漿(スラリー)と耐火砂で被覆層を形成させ
て鋳型をつくる。次いで、ツリー表面に形成した被覆層
(鋳型)を十分乾燥させた後、熱や水を用いて消失性模
型を除去し、脱型を行う。この脱型法には多くの種類が
あり、加熱蒸気を用いるオートクレーブ脱型法、高温の
加熱炉で一気に行う熱衝撃法等は広く知られているが、
マイクロ波を用いるのもその一つである。
マイクロ波脱型法の原理は、マイクロ波が通常の方法で
作られた鋳型の内側にある誘電体物質を含む消失性物質
に作用して発熱させ、その熱によって消失性物質を溶か
し出すことにある。この方法は、比較的簡単な装置で、
消失性物質を劣化させずに回収することができ、模型等
が融解する際に発生ずるガスも少なく、また発生したガ
スも常温、常圧下なので集めやすいという利点があるほ
か、設備が簡単で小型化することができ、回収した消失
性物質の劣化が少ないので再生利用も可能である等、コ
スト的なメリットも大きい。
作られた鋳型の内側にある誘電体物質を含む消失性物質
に作用して発熱させ、その熱によって消失性物質を溶か
し出すことにある。この方法は、比較的簡単な装置で、
消失性物質を劣化させずに回収することができ、模型等
が融解する際に発生ずるガスも少なく、また発生したガ
スも常温、常圧下なので集めやすいという利点があるほ
か、設備が簡単で小型化することができ、回収した消失
性物質の劣化が少ないので再生利用も可能である等、コ
スト的なメリットも大きい。
しかしながら、このマイクロ波脱型法は、オートクレー
ブ脱型法、熱衝撃法に比べ脱型時に鋳型が割れやずいと
いう欠点をもっており、特にツリーのような形状の脱型
には不適当である。その原因の一つとして、熱出力が小
さい場合が多く、常温、常圧下では消失性物質が徐々に
昇温しでいく過程で膨張により外側の鋳型を割ってしま
うことが挙げられる。他の原因としては、消失性物質よ
り発生する蒸気やガスが、鋳型内部から速やかに抜は出
ることができず、これら蒸気やガスの圧力で鋳型が割れ
るものと考えられる。
ブ脱型法、熱衝撃法に比べ脱型時に鋳型が割れやずいと
いう欠点をもっており、特にツリーのような形状の脱型
には不適当である。その原因の一つとして、熱出力が小
さい場合が多く、常温、常圧下では消失性物質が徐々に
昇温しでいく過程で膨張により外側の鋳型を割ってしま
うことが挙げられる。他の原因としては、消失性物質よ
り発生する蒸気やガスが、鋳型内部から速やかに抜は出
ることができず、これら蒸気やガスの圧力で鋳型が割れ
るものと考えられる。
上記のような原因により生じる鋳型の割れを防ぐには、
鋳造方案の設計に当たって、インベストメント鋳造法で
いう押湯口をまず最初に、次いで湯道部、項部、そして
製品模型の順に溶かし出すように、形状、肉厚に工夫を
こらす必要があった。
鋳造方案の設計に当たって、インベストメント鋳造法で
いう押湯口をまず最初に、次いで湯道部、項部、そして
製品模型の順に溶かし出すように、形状、肉厚に工夫を
こらす必要があった。
しかしながら、多くの場合、湯道部や製品模型の形状で
溶出の仕方が異なる場合が多く、全てのものを健全な状
態で脱型させるには多くの試験と試行錯誤が必要である
。このため、マイクロ波を利用した脱型には高度の熟練
技術を要し、しかもその手間と労力は多大であり、その
利用は限られていた。
溶出の仕方が異なる場合が多く、全てのものを健全な状
態で脱型させるには多くの試験と試行錯誤が必要である
。このため、マイクロ波を利用した脱型には高度の熟練
技術を要し、しかもその手間と労力は多大であり、その
利用は限られていた。
そこで、本件出願人は、先にマイクロ波を利用した脱型
法において生じる鋳型割れの問題を鋳造方案の設計に頼
ることなく、鋳型内の消失性物質のマイクロ波照射個所
を時間と共に変えてツリーの溶出を速やかに行わせるこ
とにより解決ずべく、脱型すべき消失性物質を内臓する
鋳型をテーブル上に載置し、この鋳型をマイクロ波遮蔽
物で覆い、遮蔽物またはテーブルのいずれか一方もしく
は両方を移動させてマイクロ波を照射する方法を提案し
た(特公昭59−5382号、特公昭59−5383号
)。
法において生じる鋳型割れの問題を鋳造方案の設計に頼
ることなく、鋳型内の消失性物質のマイクロ波照射個所
を時間と共に変えてツリーの溶出を速やかに行わせるこ
とにより解決ずべく、脱型すべき消失性物質を内臓する
鋳型をテーブル上に載置し、この鋳型をマイクロ波遮蔽
物で覆い、遮蔽物またはテーブルのいずれか一方もしく
は両方を移動させてマイクロ波を照射する方法を提案し
た(特公昭59−5382号、特公昭59−5383号
)。
上記特公昭59−5382号および特公昭59−538
3号によれば、従来のオートクレーブ脱型法または熱衝
撃法に比べ、当該明細書に記載した如く種々の利点を有
している。
3号によれば、従来のオートクレーブ脱型法または熱衝
撃法に比べ、当該明細書に記載した如く種々の利点を有
している。
しかしながら、この方法は、マイクロ波の照射効率が良
くなく、またマイクロ波照射装置内の電界密度が不均一
なことにより、鋳型各部位の消失性模型の脱型速度が一
部不均一になる場合があった。
くなく、またマイクロ波照射装置内の電界密度が不均一
なことにより、鋳型各部位の消失性模型の脱型速度が一
部不均一になる場合があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するためになされた
もので、本発明の技術的課題は、マイクロ波の電界密度
の大きい部分を有効利用することにより、照射効率を向
上させることにある。
もので、本発明の技術的課題は、マイクロ波の電界密度
の大きい部分を有効利用することにより、照射効率を向
上させることにある。
かかる技術的課題は、次のインベストメント鋳造法にお
ける鋳型の脱型方法によって達成される。
ける鋳型の脱型方法によって達成される。
即ち、本発明のインベストメント鋳造法における鋳型の
脱型方法は、脱型すべき消失性模型を内臓する鋳型をテ
ーブル上に載置し、この鋳型をマイクロ波遮蔽部材で覆
い、前記テーブルまたはマイクロ波遮蔽部材のうちの少
なくとも一方を相対的に互いに離れる方向に移動させな
がらマイクロ波照射口からマイクロ波を照射するインへ
ストメント鋳造法における鋳型の脱型方法であって、前
記マイクロ波照射口は、少なくとも照射初期にあっては
前記鋳型の湯口部に向けられていることを特徴としてい
る。
脱型方法は、脱型すべき消失性模型を内臓する鋳型をテ
ーブル上に載置し、この鋳型をマイクロ波遮蔽部材で覆
い、前記テーブルまたはマイクロ波遮蔽部材のうちの少
なくとも一方を相対的に互いに離れる方向に移動させな
がらマイクロ波照射口からマイクロ波を照射するインへ
ストメント鋳造法における鋳型の脱型方法であって、前
記マイクロ波照射口は、少なくとも照射初期にあっては
前記鋳型の湯口部に向けられていることを特徴としてい
る。
〔作用〕
本発明のインへストメント鋳造法における鋳型の脱型方
法によれば、電界密度が最も高いマイクロ波照射口の直
前に、鋳型の押湯口を位置させたため、従来の方法より
照射効率が大幅に向上する。
法によれば、電界密度が最も高いマイクロ波照射口の直
前に、鋳型の押湯口を位置させたため、従来の方法より
照射効率が大幅に向上する。
また、マイクロ波照射口の近傍に鋳型が載置されている
ため、鋳型に作用する電界密度は部位による大きな乱れ
はなく、はぼ均一となる。従って、鋳型内の消失性模型
は押湯口部から湯道部、項部、製品部と順次はぼ最大効
率で溶融、除去される。
ため、鋳型に作用する電界密度は部位による大きな乱れ
はなく、はぼ均一となる。従って、鋳型内の消失性模型
は押湯口部から湯道部、項部、製品部と順次はぼ最大効
率で溶融、除去される。
以上より、本発明のインベストメント鋳造法における鋳
型の脱型方法によれば、以下の効果を奏する。
型の脱型方法によれば、以下の効果を奏する。
(イ)マイクロ波照射口を鋳型の押湯口近傍に、押湯口
に向けて設置したため、電界密度の大きいところで押湯
口部を溶融することになり、照射効率が大幅に向上する
。また、従来と同等の照射効率でよい場合には、溶融速
度を大幅に速くすることができる。
に向けて設置したため、電界密度の大きいところで押湯
口部を溶融することになり、照射効率が大幅に向上する
。また、従来と同等の照射効率でよい場合には、溶融速
度を大幅に速くすることができる。
(ロ)鋳型に作用する電界密度の部分的不均一が生じな
いため、消失性模型は押湯口部、湯道部、項部、製品部
と順次はぼ同一の速度でスムーズに鋳型外に溶は出る。
いため、消失性模型は押湯口部、湯道部、項部、製品部
と順次はぼ同一の速度でスムーズに鋳型外に溶は出る。
従って、鋳型に無理な力が加わらず、クラック等が発生
しない。また、消失性模型の劣化も少なく、再利用しや
すい状態となる。
しない。また、消失性模型の劣化も少なく、再利用しや
すい状態となる。
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明する。
(第1実施例)
本発明の第1実施例を第1図に基づいて説明する。
ここで、第1図は本発明の第1実施例に係るインへスト
メント鋳造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断
面図である。
メント鋳造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断
面図である。
図中、1はマイクロ波を吸収して発熱する誘電体物質で
形成されたツリー(消失性模型)であり、多数の製品模
型2を項部3を介して湯道部4に取付け、湯道部4の一
端には押湯口部5が取り付けられている。この消失性模
型1の周囲にはマイクロ波透過性の耐火物質からなる鋳
型6が形成されている。
形成されたツリー(消失性模型)であり、多数の製品模
型2を項部3を介して湯道部4に取付け、湯道部4の一
端には押湯口部5が取り付けられている。この消失性模
型1の周囲にはマイクロ波透過性の耐火物質からなる鋳
型6が形成されている。
この消失性模型lを内臓した鋳型6を、シールド箱7に
設けたターンテーブル8上に押湯口部5を下にして載置
する。このターンテーブル8はマイクロ波遮蔽性物質で
形成され、シールド箱7の底面のほぼ中央より垂直方向
に挿入された回転軸9で支持されている。この回転軸は
図示しない昇降駆動装置により、第1図において上下方
向に昇降可能とされている。
設けたターンテーブル8上に押湯口部5を下にして載置
する。このターンテーブル8はマイクロ波遮蔽性物質で
形成され、シールド箱7の底面のほぼ中央より垂直方向
に挿入された回転軸9で支持されている。この回転軸は
図示しない昇降駆動装置により、第1図において上下方
向に昇降可能とされている。
一方、シールド箱7の上方には、マイクロ波遮蔽性の金
属からなる断面路コの字状の筒体(以下、遮蔽物10と
いう)が取り付けられている。そして、この遮蔽物IO
の下部には、シールド箱70側方から延在して設けられ
たマイクロ波照射口11が開口している。
属からなる断面路コの字状の筒体(以下、遮蔽物10と
いう)が取り付けられている。そして、この遮蔽物IO
の下部には、シールド箱70側方から延在して設けられ
たマイクロ波照射口11が開口している。
次に、作動を説明する。
まず、ターンテーブル8上に消失性模型1を内臓した鋳
型6を押湯口部5を下にして載置した後、回転軸9を上
昇させて鋳型6を遮蔽物10内に挿入し、マイクロ波照
射口11の直前に鋳型の押湯口部5が位置した状態、即
ち、第1図fa)の状態にする。次いで、マイクロ波照
射口11から鋳型6の押湯口部5に向けてマイクロ波を
照射する。このとき、ターンテーブル8を回転させつつ
、図示しない昇降駆動装置を作動させ、徐々にター・ン
テーブル8を下方に引き下げる。すると、マイクロ波を
照射された押湯口部5が最初にマイクロ波を吸収して発
熱し、溶出を始める。続いて、鋳型6が引き下げられる
に従い、マイクロ波を集中して受ける部分が移動し、押
湯口部5から湯道部4、項部3、製品模型2が順次溶は
出す。そして、第1図(blの段階を経て、第1図(C
1に示すように、鋳型6全体が遮蔽物10から出た時点
で、鋳型6内邪の消失性模型1の最上端にマイクロ波が
吸収され溶出が完了する。
型6を押湯口部5を下にして載置した後、回転軸9を上
昇させて鋳型6を遮蔽物10内に挿入し、マイクロ波照
射口11の直前に鋳型の押湯口部5が位置した状態、即
ち、第1図fa)の状態にする。次いで、マイクロ波照
射口11から鋳型6の押湯口部5に向けてマイクロ波を
照射する。このとき、ターンテーブル8を回転させつつ
、図示しない昇降駆動装置を作動させ、徐々にター・ン
テーブル8を下方に引き下げる。すると、マイクロ波を
照射された押湯口部5が最初にマイクロ波を吸収して発
熱し、溶出を始める。続いて、鋳型6が引き下げられる
に従い、マイクロ波を集中して受ける部分が移動し、押
湯口部5から湯道部4、項部3、製品模型2が順次溶は
出す。そして、第1図(blの段階を経て、第1図(C
1に示すように、鋳型6全体が遮蔽物10から出た時点
で、鋳型6内邪の消失性模型1の最上端にマイクロ波が
吸収され溶出が完了する。
本実施例では、マイクロ波に2450MHz、5KWの
出力のものを用い、消失性模型としては1、2 kgの
ユリア樹脂を使用したところ、約6分間で完全に消失し
た。
出力のものを用い、消失性模型としては1、2 kgの
ユリア樹脂を使用したところ、約6分間で完全に消失し
た。
なお1.溶は出した消失性物質は、図示していないが、
例えば、ターンテーブル8の押湯口部5.:!:接する
部分に孔や溝を設けたり、また回転軸9を中空にして、
この回転軸9から外部に取り出すようにしてもよい。
例えば、ターンテーブル8の押湯口部5.:!:接する
部分に孔や溝を設けたり、また回転軸9を中空にして、
この回転軸9から外部に取り出すようにしてもよい。
以上から明らかなように、本実施例の脱型方法は、遮蔽
物を利用すると共に、電界密度の最も高いマイクロ波照
射口の直前に消失性模型の脱型したい部位を位置させる
ため、マイクロ波のエネルギが順次集中的に消失性模型
の特定部位に吸収される。このため、従来より照射出力
を低くすることができ、あるいは脱型時間を大幅に短縮
することができる。本実施例では、脱型時間を従来の半
分にすることができた。
物を利用すると共に、電界密度の最も高いマイクロ波照
射口の直前に消失性模型の脱型したい部位を位置させる
ため、マイクロ波のエネルギが順次集中的に消失性模型
の特定部位に吸収される。このため、従来より照射出力
を低くすることができ、あるいは脱型時間を大幅に短縮
することができる。本実施例では、脱型時間を従来の半
分にすることができた。
また、消失性模型の溶出したい部位に集中的にマイクロ
波が照射されるため、シールド箱内に電界密度の不均一
が若干あったとしても、その影響を受けることなく、消
失性模型が下方の押湯口部から順次溶出するので、ガス
が鋳型内に溜りその圧力で鋳型を割ることがない。
波が照射されるため、シールド箱内に電界密度の不均一
が若干あったとしても、その影響を受けることなく、消
失性模型が下方の押湯口部から順次溶出するので、ガス
が鋳型内に溜りその圧力で鋳型を割ることがない。
更に、消失性模型が円滑に鋳型外へ流出するので、消失
性模型を形成する消失性物質の劣化が少なく、このため
回収率が高くなると共に、再使用が可能となる。
性模型を形成する消失性物質の劣化が少なく、このため
回収率が高くなると共に、再使用が可能となる。
(第2実施例)
第2図を参考にして第2実施例を説明する。
ここで、第2図は本発明の第2実施例に係るインベスト
メント鋳造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断
面図である。
メント鋳造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断
面図である。
第2実施例の第1実施例と異なるところは、遮蔽物10
とシールド箱7の上面の一部に連通孔12を設け、この
連通孔12にダクトポース13を接続した点にあり、他
は実質的に第1実施例と同じである。
とシールド箱7の上面の一部に連通孔12を設け、この
連通孔12にダクトポース13を接続した点にあり、他
は実質的に第1実施例と同じである。
本実施例によれば、第1実施例と同じ効果を奏するだけ
でなく、ダクトホース13を設けたことにより、マイク
ロ波吸収によって消失性模型が流出するときに発生する
ガスをダクトホース13を用いて外部へ排出することが
でき、環境対策上も好ましいという効果をも奏する。
でなく、ダクトホース13を設けたことにより、マイク
ロ波吸収によって消失性模型が流出するときに発生する
ガスをダクトホース13を用いて外部へ排出することが
でき、環境対策上も好ましいという効果をも奏する。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、本発
明は、この実施例に限定されるものではなく、特許請求
の範囲に記載の範囲内で種々の実施態様が包含されるも
のである。
明は、この実施例に限定されるものではなく、特許請求
の範囲に記載の範囲内で種々の実施態様が包含されるも
のである。
例えば、第1実施例においては、遮蔽物とマイクロ波照
射口はシールド箱に固定したが、この遮蔽物とマイクロ
波照射口は一体として昇降可能としてもよい。
射口はシールド箱に固定したが、この遮蔽物とマイクロ
波照射口は一体として昇降可能としてもよい。
また、実施例ではターンテーブルのみを昇降可能とした
が、ターンテーブルと遮蔽物の両方を移動可能としても
よい。
が、ターンテーブルと遮蔽物の両方を移動可能としても
よい。
第1図は本発明の第1実施例に係るインベストメント鋳
造法における鋳型の脱型方法の各工程を示す断面図、 第2図は本発明の第2実施例に係るインへストメント鋳
造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断面図であ
る。 1−−−−一消失性模型(ツリー) 2−−−−−−製品模型 3−−−−−一項部 4−−−−−一湯道部 5−−−−−一押湯口部 6−−−−鋳型 7−−−−−シールド箱 8−−−−−一ターンテーブル 9−−−−−一回転軸 1o−−−−−一遮蔽物 11−−−−−−マイクロ波照射口 12−−−一連通孔 13−−−ダクトホース 出願人 トヨタ自宛1障り3N土 1図 (a) 第1図 (b) 第1図 (C)
造法における鋳型の脱型方法の各工程を示す断面図、 第2図は本発明の第2実施例に係るインへストメント鋳
造法における鋳型の脱型方法の一工程を示す断面図であ
る。 1−−−−一消失性模型(ツリー) 2−−−−−−製品模型 3−−−−−一項部 4−−−−−一湯道部 5−−−−−一押湯口部 6−−−−鋳型 7−−−−−シールド箱 8−−−−−一ターンテーブル 9−−−−−一回転軸 1o−−−−−一遮蔽物 11−−−−−−マイクロ波照射口 12−−−一連通孔 13−−−ダクトホース 出願人 トヨタ自宛1障り3N土 1図 (a) 第1図 (b) 第1図 (C)
Claims (1)
- (1)脱型すべき消失性模型を内臓する鋳型をテーブル
上に載置し、この鋳型をマイクロ波遮蔽部材で覆い、前
記テーブルまたはマイクロ波遮蔽部材のうちの少なくと
も一方を相対的に互いに離れる方向に移動させながらマ
イクロ波照射口からマイクロ波を照射するインベストメ
ント鋳造法における鋳型の脱型方法であって、 前記マイクロ波照射口は、少なくとも照射初期にあって
は前記鋳型の湯口部に向けられていることを特徴とする
インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15178984A JPS6130257A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15178984A JPS6130257A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6130257A true JPS6130257A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15526327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15178984A Pending JPS6130257A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インベストメント鋳造法における鋳型の脱型方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6130257A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5641976A (en) * | 1994-02-23 | 1997-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure contact type semiconductor device with axial bias and radial restraint between a distortion buffer plate and a semiconductor body |
US7900685B2 (en) * | 2004-05-06 | 2011-03-08 | Process Technology (Europe) Limited | Investment casting |
CN102527936A (zh) * | 2012-01-19 | 2012-07-04 | 沈阳铸造研究所 | 一种用于低膨胀合金精密成形的石墨型铸造方法 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15178984A patent/JPS6130257A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5641976A (en) * | 1994-02-23 | 1997-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure contact type semiconductor device with axial bias and radial restraint between a distortion buffer plate and a semiconductor body |
US7900685B2 (en) * | 2004-05-06 | 2011-03-08 | Process Technology (Europe) Limited | Investment casting |
CN102527936A (zh) * | 2012-01-19 | 2012-07-04 | 沈阳铸造研究所 | 一种用于低膨胀合金精密成形的石墨型铸造方法 |
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