JPS61296029A - フオトポリマ−及びその製造方法 - Google Patents

フオトポリマ−及びその製造方法

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JPS61296029A
JPS61296029A JP61144675A JP14467586A JPS61296029A JP S61296029 A JPS61296029 A JP S61296029A JP 61144675 A JP61144675 A JP 61144675A JP 14467586 A JP14467586 A JP 14467586A JP S61296029 A JPS61296029 A JP S61296029A
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polyether
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unsaturated monoisocyanate
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ヘルムート、アーネ
ウインフリート、プルントリツヒ
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Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリエーテルをベースとするフォトポリマー
及びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
ポリエーテルをベースとするフォトポリマー、すなわち
光反応又は光網状化可能のポリマーはすでに公知である
(西ドイツ国特許出願公開第2503526号明細書6
照)。これらのフォトポリマーは少なくとも約1500
0の分子口を有するフェノキシ樹脂の3−(2−フリル
)−アクリル酸ニスデルであり、これはグラフィック工
業、特にリソグラフィ印刷回路及びエツチングレジスト
に使用される。フェノキシ樹脂をフリルアクリル酸誘導
体でエステル化することにより実施する公知のフォトポ
リマーの製造方法では有利には酸クロシトすなわちフリ
ルアクリロイルクロシトから出発する。しかし種々の使
用分野におけるフォトポリマーは塩化物イオンを含んで
いてはならないことから(これは早期腐食をもたらす)
、塩化物イオンエステル化生成物から除去−fるための
高価な精製処理工程が必要である。その結果製造された
生成物は都価なものとなる。
フォトポリマーは例えば極微導体工業においてろう止め
及び絶縁ラッカとして必要とされる。しかしこの種のフ
ォトポリマーは特殊な特性スペクトルを有していなけれ
ばならない。Tt「わち耐熱性であり、ろう浴に血1え
得る粗製のないフィル7・に加工できまた腐食し易い回
路を16被覆することにより湿気及び腐食−に幻してこ
れヲ力1朱的に保護することのできるものでなけれはな
らない。
更にこの種のフォトポリマーは調合が1I1111iで
あり、価格的に有利に製造し得るものでなければならず
、短かい無光時間、現像及び硬化時間で低降な価格で加
工し得ることを要する。
フォトポリマーをベースとするろう比めラッカどしては
、従来光反応性のカルコン基が埋め込まれているエポキ
シ梅脂が使用されてきた。このろう止めラッカの欠点は
、これから製造されたラッカ層が高価な何回もの被覆を
行った場合にのみ腐食保護層として有効であるにすぎな
いことである。更に短鎖のポリマーベースのために何時
間もの加熱による後硬化処理が必要である。またこのろ
う止めラッカの製造処理は高価につく。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、費用の嵩む精製処理を要することなく
、従って価格的に有利に製造することができ、保#i層
及び絶縁層として回路及び導体分野で使用するのに適し
ている、ポリエーテルをベースとするフォトポリマーを
得ることにある。
し問題点を解決するための手段〕 この目的は本発明によれば、光反応性のポリエーテルが
ヒドロキシル基台をポリエーテルとのオレフィン不飽和
モノイソシアネートの付加生成物からなることによって
達成さ才]る。
〔発明の効果〕
本発明によるフォトポリマーでは光反応性基、すなわち
オレフィン不飽和構造を含む基はウレタン架橋を介して
ベースポリマーに結合しており、これはポリヒドロキシ
エーテルのヒドロギシル基にモノイソシアネートが付加
する際に生じる。予想外の特性スペクトルを示すこの神
の構造を有する光反応性ポリエーテルは従来知られてい
ないものである。
本発明による光反応性のポリエーテルは調合が極めて簡
単で、ゲルを含むことなく製造することができる。これ
は広い佛点範囲を有する多くの溶媒又は溶媒混合物への
可溶性が高いことによってすぐれている。約10〜50
001hPIL−8の広い粘度範囲を有するこれから製
造された溶液は、室温で数ケ月以上もゲル化せず、従っ
て驚くほど長期間にわたって貯蔵安定である。この溶液
では唯一回の被覆処理により例えば001〜500μ鶏
の広い層厚範囲で平坦な均一の表向を有する、透明で明
るいフィルムを得ることができる。これらの層は純度及
び耐湿性が縄く、更に良好な電気的特性値を示し、これ
は湿った気候で予想外にもまったく変化しないか又は無
視し得る程度に変化するにすぎない。
従って本発明による光反応性ポリエーテルは恒久的な保
護機能を有する極微導体工業用フォトラッカの要件を満
たす。更にこの場合仕上げ工程を短縮することができる
。すなわちこのポリマーは十分に長い鎖長を有すること
から、光反応性のエポキシ樹脂の場合のような加熱によ
る後硬化処理を必要としない。本発明によるフォトポリ
マーから製造された層は、これがろう浴条件下にその表
面品質を損わないことによって特徴づけられる。
更にろうに幻する付着性は、層表面にろう球が好ましく
なく付着するのを阻止し得る程度に僅かである。
本発明によるフォトポリマーは、放射線によって網状化
可能であり、これにより高い熱形状安定性を有するポリ
マーに移行することができる。
〔実施態様〕
本発明による光反応性ポリエーテルは一般に次の構造式
を督する。
〔式中nは≧50であり、R,R’、  R”、  R
”及びR4は次のものを表わす。
Rは場合によってはハロゲン化されていてもよい二価、
すなわち二官能性の、芳香族及び/又は脂肪族及び/又
は脂環式(場合によってはへテロ原子を有していてもよ
い)及び/又は複素環の構造を有する基であり; R1は二価の脂肪族基であり; R1は場合によってはハロゲン置換されてぃてもよい、
二価の脂肪族及び/又は脂環式基であり;R1は水素原
子又は、場合によってはハロゲン置換されていてもよい
アルキル基であり;R4は脂肪族及び/又は脂環式及び
/又は芳香族架橋を介して結合されたオレフィン不飽和
基、例えばアシルエーテル−又はマレインイミド含有基
及び特に場合によっては置換されてもよい(メタ)アク
リルエステル含有基である。〕基Rt  R’ HR”
 、  R”及びR4は特に次のものを表わTo 11゜ 〔式中p −0又は1、q −2へ14、r −2へ1
8であり、x、 y及び2は次のものを表わす。
、−8−、’  −C−+ Z −−CH,、−0−CH,、−0−CF、 。
イJ  −C)l−C1,、、−C1i”、 :R−H
,−CH,、−CFs  ; −(CF’りr−O−C−C用−CH!。
υ 〔式中q及びYは前記のものを表わ1−〕本発明による
フ第1・ポジマーはポリヒドロキシエーテル及びモノイ
ソシアネートの付加生成物である。この場合ポリヒドロ
キシエーテルどしては主として、場合によってはハ11
ゲン化されていてもよい、芳香族及び/又は脂肪族及び
/又は脂環式(場合によってはへテロ原子を有する)及
び/又は°複素環ポリエーテルを使用する。ポリニーデ
ルとしてはフェノキシ樹脂を使用するのが有利であり、
この場合フェノキシ樹脂は約15 (1Fl (1〜3
000(lの分子徊を有するものが好まL2い。この種
のフェノキン樹脂は、9ユータボツクスl Rii−t
apox−RuLgerswerke A(1社の登録
商標)0723及びリュータボックス0717として市
販されている。
モノイソシアネートとしては好ましくはメタクリレート
基含有イソシアオート、例えばインシアネートエチルメ
タクリレート、及びヒドロキシエチルアクリレート父は
一メタクリレートの2. 4−ジイソシアネートトルオ
ールへの付加生成物並びにこれらの化合物の混合物を使
用する。
本発明によるポリエーテルをベースとする光反応性ポリ
マーの構造は例えば次式により明らかである。
本発明によるフォトポリマーは、オレフィン不飽和モノ
イソシアネートを有機溶媒中で触媒の存在下に及び/又
は高めた温度でヒドロキシル基含有ポリエーテルと反応
させることによって製造される。その際触媒を使用する
場合には一般に室温で処理する。触媒としては有利には
ジブチル錫ジラウレート又は1,4−ジアザビシクロ〔
2,2,2〕オクタンを使用する。
モノイソシアネートとポリヒドロキシエーテルとの付加
反応で生じた生成物は純粋な形で単離することができる
。しかし以後の処理、例えば基板への被覆にとっては反
応溶液を直接使用することが特に有利であり、価格的に
も好ましい。この場合フォトポリマーの溶液が貯絨安定
であることも利点である。更にこの合成反応は塩化物を
含むことなく進行することから次の処理前にフォトポリ
マーを単離する必要はない。
フォトレジストとして使用すること並びに保護層及び絶
縁層を製造すること(この場合フォト構造化を行う)以
外に、本発明によるフォトボ97   。
−は一般に構造化されない形で、長く延伸された製品例
えば導線、及び基板表面に紫外線で硬化可能の保穫及び
絶縁被覆を製造するのに使用することもできる。更にこ
のフォトポリマーは、例えば表面波フィルタ、テレビジ
ョン中間周波フィルタ用の減衰材を製造テるに当リスク
リーン印刷技術で基板表面、特に熱(二敏感な基板表面
を構造化するのに使用することができる。この場合熱処
理の代りに紫外線硬化処理を行うこともできる。
〔実施例〕
次に本発明を実施例に基づき詳述する。
例1 オレフィン不飽和の、すなわち光反応性のモノイソシア
ネートを製造するため、無水ジクロルメタン692質置
部に、湿気を遮断して純粋な2゜4−ジイソシアネー)
)ルオール40質一部を滴下し、次いでその際得られた
溶液に攪拌下に徐々に2−ヒドロキシエチルアクリレー
ト29.2漬り部を滴下した。反応は室温で実施した。
反応終了後溶液を室温で24時間放置し、次いでイソシ
アネート基を滴定することにより99%の変換率を確昭
することができた。反応溶液は以後の反応に直接使用す
ることができた。しかし光反応性モノイソシアネートを
石油ベンジンで抽出することにより純粋な物質として澄
明な粘性の液体の形で単離することもできた。特定化は
NCO@定により行った。
フェノキシ樹脂リュータボックス071735質橡部に
室温で攪拌下に無水γ−ブチロラクトン140質量部、
無水N−メチルピロリドン135質匍部及び前記方法で
製造した光反応性モノイソシアネート50質勧部並びに
ジプチル錫ジラウレート01質し部を加えた。その際得
られた溶液を室温で48時間攪拌し、その後エタノール
7質V部を加え、残りのイソシアネート基を止めた。約
24時間の反応時間後インシアネート基はもはや検出さ
れず、反応溶液は例えば被覆のために使用することがで
きた。粘度は23τ゛で830mPa−5であった。
例2 r−ブチロラクトン114質博部中のリュータボックス
0723 (シクロへキサノン/エチルグリコールアセ
テート中の50%溶/&zto’lit部の溶液に純粋
なイソシアネートエチルメタクシレート33質口部及び
ジブチル錫ジラウレー) 0.1質量部を加え、次いで
室温で50時間攪拌した。
その後反応溶液に2−ヒドロキシエチルメタクリレート
9質飴部を加えて、残りのイソシアイ・−ト基を反応さ
せた。次いで溶液を室温で24時間放置した。引続きジ
クロルアセトフェノン35貿躯部及びミヒラ−ケトン0
9質四部を加え、溶液を直接使用できるようにした。ア
ルミニウム基板に遠心塗布し、7017で2時間乾操す
ることによって厚さ10100pの均一な勅が得られ、
これは350W高圧水銀ランプで20秒間照射した際光
化学的に網状化し、従ってr−ブチロラクトン/キジロ
ールのような溶媒に不溶性になった。
−燃]− 無水ジクロルメタン1132質悌部に、湿気を遮断しな
から2,4−ジイソシアネートトルオール62質匍部を
滴下し、その後室温で攪拌下に徐々に2−ヒドロキンエ
チルメタクリレート512質佃部を滴下した。室温で2
4時間反しtさせた後イソシアネート変換率は容楢分析
で99%まで確認された。石油ベンジン450質量部を
加えることによって白色結晶の沈殿が得られた。純粋な
光反応性モノイソシアネートの収率は93%であった。
モノイソシアネートの特定化はNMR光分析法(溶媒:
 CDCl、、内部椰準: TMS +で行った。
この場合次のピークが生じた。単線1.9 s ppm
(メタクリレートの一〇H,l、2.22ppm  (
芳香族化合物の一〇H,)、4.41ppm+−〇−C
H,−CH,−0−1,561及び6.15ppm(オ
レフィンプロトン)並びに704及び7.22ppm(
芳香族プロトン)。ビス付加生成物12.22ppmで
単線なし)及び混合物のスペクトルとの比較は、実施し
た反応で2−ヒドロキシエチルメタクリレートがインシ
アネート基にのみ付加したことを示し、これは公知のよ
うにN1体師害のない4位である。
γ−ブチロラクトン140質を部、N−メチルピロリド
ン105質悌部反びジブチル錫ジラウレ−)0.01質
ω部の混合物に溶けた前記方rhで製造した光反応性モ
ノイソシアネート95質童部の溶液に、湿気を遮断しな
がらフェノキシ樹脂溶液(リュータボックス0723 
) 125.2質を部を加え、50℃のl&A Itで
攪拌下に反応させた(時間は12時間)。その後この温
度で反応溶液にまず2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト8質筒部を、次いで5時間後にエタノール4質粘部を
加えた。
24時間後樹脂溶液は粘度330mPa、sを示し、被
覆を行うためにそのまま使用することができた。
例4 ジクロルメタン1153質匍部中の純粋な2゜4−ジイ
ソシアネートトルオール668質量部の溶液に、室温で
攪拌下に湿気を遮断しながら純粋な2−ヒドロキシエチ
ルアクリレート236質修部及び純粋な2−ヒドロキシ
エチルメタクリレート248質切部の混合物を徐々に滴
下した。室温で300時間反応せた後滴定によりイソシ
アネート変換率98%が確認された。
得られた光反応性モノイソシアネートの溶液をγ−ブチ
ロラクトン397質1部中のリュータボックス0717
107 質量部の溶液及びジブチル錫ジラウレート02
2質量部と合せた。室温で25時間反応させた後反応溶
液にエタノール15質蒙部を加えた。更に24時間後に
溶液は被覆のため直接使用することができた。
11′jλ0.1・

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ポリエーテルをベースとするフォトポリマーが、ヒ
    ドロキシル基含有ポリエーテルとのオレフィン不飽和モ
    ノイソシアネートの付加生成物からなることを特徴とす
    るフォトポリマー。 2)ポリエーテルがフェノキシ樹脂であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のフォトポリマー。 3)フェノキシ樹脂が分子量15000〜30000を
    有することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のフ
    ォトポリマー。 4)オレフィン不飽和モノイソシアネートがメタクリレ
    ート基含有イソシアネート(特にイソシアネートエチル
    メタクリレート)であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項ないし第3項のいずれか1項に記載のフォトポ
    リマー。 5)オレフィン不飽和モノイソシアネートが2,4−ジ
    イソシアネートトルオールへのヒドロキシエチルアクリ
    レート又は−メタクリレートの付加生成物であることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれ
    か1項に記載のフォトポリマー。 6)ヒドロキシル基含有ポリエーテルとのオレフィン不
    飽和モノイソシアネートの付加生成物からなるポリエー
    テルをベースとするフォトポリマーを製造する方法にお
    いて、オレフィン不飽和モノイソシアネートを有機溶媒
    中で触媒の存在下に及び/又は高めた温度でヒドロキシ
    ル基含有ポリエーテルと反応させることを特徴とするフ
    ォトポリマーの製造方法。 7)触媒としてジブチル錫ジラウレートを使用すること
    を特徴とする特許請求の範囲第6項記載の方法。 8)触媒として1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕
    オクタンを使用することを特徴とする特許請求の範囲第
    6項記載の方法。
JP61144675A 1985-06-24 1986-06-20 フオトポリマ−及びその製造方法 Pending JPS61296029A (ja)

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AT (1) ATE60926T1 (ja)
DE (1) DE3677548D1 (ja)
DK (1) DK293286A (ja)
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