JPS61294825A - 薄膜分解装置 - Google Patents
薄膜分解装置Info
- Publication number
- JPS61294825A JPS61294825A JP13526485A JP13526485A JPS61294825A JP S61294825 A JPS61294825 A JP S61294825A JP 13526485 A JP13526485 A JP 13526485A JP 13526485 A JP13526485 A JP 13526485A JP S61294825 A JPS61294825 A JP S61294825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor wafer
- solution
- groove
- rotary table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、半導体ウェハ等の表面に形成された薄膜を
分解し、その薄膜分解液を回収するための薄膜分解装置
に関するものである。
分解し、その薄膜分解液を回収するための薄膜分解装置
に関するものである。
[発明の技術的背景]
半導体素子の製造工程においては、半導体ウェハの表面
に多種類の薄膜が形成される。 これらの薄膜は半導体
素子に所定の電気的特性を与えるために高純度に形成さ
れていることが必要である。
に多種類の薄膜が形成される。 これらの薄膜は半導体
素子に所定の電気的特性を与えるために高純度に形成さ
れていることが必要である。
特に最近では半導体素子の微細化と高集積化が進んでい
るため、該薄膜中の極めて微mの不純物も半導体素子の
電気的特性に大きな影響を及ぼすことになるので薄膜の
化学的組成は厳重に制御されなければならない。
るため、該薄膜中の極めて微mの不純物も半導体素子の
電気的特性に大きな影響を及ぼすことになるので薄膜の
化学的組成は厳重に制御されなければならない。
従来、半導体素子の製造工程では、薄膜形成侵に各、ロ
フトからテストサンプルを取り出し、該テストサンプル
の表面の薄膜を第2図に示すごとき構造の公知の311
1分解装置によって分解し、その薄膜分解液の組成を測
定することにより該薄膜中の微量不純物量を測定してい
た。
フトからテストサンプルを取り出し、該テストサンプル
の表面の薄膜を第2図に示すごとき構造の公知の311
1分解装置によって分解し、その薄膜分解液の組成を測
定することにより該薄膜中の微量不純物量を測定してい
た。
第2図に示した公知の薄膜分解装置は、同図に示すよう
に、密閉筐体1内に、弗化水素酸液りを満たした液槽2
、周壁面に多数の孔3aが貫設されているほぼ簾形のウ
ェハキャリヤ3、該ウェハキャリヤ3を支持する支持台
4、該支持台4に収容されて該ウェハキャリヤ3内の半
導体ウェハWから滴下してくる薄膜溶解液滴りを回収す
る分解液受皿5が収容された構造を有している。
に、密閉筐体1内に、弗化水素酸液りを満たした液槽2
、周壁面に多数の孔3aが貫設されているほぼ簾形のウ
ェハキャリヤ3、該ウェハキャリヤ3を支持する支持台
4、該支持台4に収容されて該ウェハキャリヤ3内の半
導体ウェハWから滴下してくる薄膜溶解液滴りを回収す
る分解液受皿5が収容された構造を有している。
この公知の薄膜分解装置においては、ウェハキャリヤ3
内に直立状態で収容されている半導体ウェハWの表面の
薄膜f、と裏面の薄膜「2とに弗化水素酸液りの蒸気V
が作用して該薄膜f1およびf2を溶解させ、その分解
液滴りが分解液受皿5に溜められるようになっている。
内に直立状態で収容されている半導体ウェハWの表面の
薄膜f、と裏面の薄膜「2とに弗化水素酸液りの蒸気V
が作用して該薄膜f1およびf2を溶解させ、その分解
液滴りが分解液受皿5に溜められるようになっている。
そして分解液受皿5に溜まった液滴りをマイクロピペ
ットで回収した後、攪拌し、計量し、更に吸光分析装置
などで不純物ωを測定している。
ットで回収した後、攪拌し、計量し、更に吸光分析装置
などで不純物ωを測定している。
[背景技術の問題点]
前記のごとき公知の薄膜分解装置には次のような問題点
があった。
があった。
(a ) 薄膜分解液が自然落下によって回収される
ような構造であるため、半導体ウェハの面に薄膜分解液
が付着したまま、なかなか落下しない。このため、マイ
クロピペットを用いて半導体ウェハの面に付着している
iiI!膜分解液滴も吸い上げなければならないが、こ
の作業は時間がかかり、その上、回収率も低く、従って
該薄膜中の不純物含有量の測定精度も低かった。
ような構造であるため、半導体ウェハの面に薄膜分解液
が付着したまま、なかなか落下しない。このため、マイ
クロピペットを用いて半導体ウェハの面に付着している
iiI!膜分解液滴も吸い上げなければならないが、こ
の作業は時間がかかり、その上、回収率も低く、従って
該薄膜中の不純物含有量の測定精度も低かった。
(b) 半導体ウェハWの表面薄膜f、と裏面の薄膜
t2とが同時に溶解してしまうので、れぞれの薄膜f、
と 「2とについて別々に不純物含有量を測定すること
ができない。
t2とが同時に溶解してしまうので、れぞれの薄膜f、
と 「2とについて別々に不純物含有量を測定すること
ができない。
従って各薄膜について正確な不純物含有データが得られ
なかったので薄膜形成工程における正確な制御ができな
かった。
なかったので薄膜形成工程における正確な制御ができな
かった。
[発明の目的]
この発明の目的は、前記のごとき問題点を有することの
ない新規な薄膜分解装置を提供することである。 すな
わち、本発明の目的は、薄膜溶解液を−か所に集めてこ
れを完全に回収することができるとともに半導体ウェハ
の表面の薄膜と裏面の薄膜とを別々に溶解してその溶解
液を別々に回収することができる新規な薄膜分解装置を
提供することである。
ない新規な薄膜分解装置を提供することである。 すな
わち、本発明の目的は、薄膜溶解液を−か所に集めてこ
れを完全に回収することができるとともに半導体ウェハ
の表面の薄膜と裏面の薄膜とを別々に溶解してその溶解
液を別々に回収することができる新規な薄膜分解装置を
提供することである。
[発明の概要]
本発明による薄膜分解装置の特徴は、半導体ウェハをほ
ぼ水平な面内で回転させる回転テーブルを密閉筐体内に
設けるとともに該回転テーブルの物体取付面の周囲に該
物体取付面よりも低い位置にある薄膜溶解液回収溝を形
成し、更に置溝の外周部の壁を該物体取付面よりも高く
しかつ溝底面を水平面に対して傾斜させたことである。
ぼ水平な面内で回転させる回転テーブルを密閉筐体内に
設けるとともに該回転テーブルの物体取付面の周囲に該
物体取付面よりも低い位置にある薄膜溶解液回収溝を形
成し、更に置溝の外周部の壁を該物体取付面よりも高く
しかつ溝底面を水平面に対して傾斜させたことである。
前記構成の本発明の装置においては、半導体ウェハの上
面の薄膜のみが溶解され、溶解液は遠心力によって回転
テーブルの外周部の溝内の−か所に完全に排出されるの
で、半導体ウェハ表面の付着液滴をマイクロピペット等
によって回収する必要はなくなり、また溶解液を高い回
収率で回収することができる。
面の薄膜のみが溶解され、溶解液は遠心力によって回転
テーブルの外周部の溝内の−か所に完全に排出されるの
で、半導体ウェハ表面の付着液滴をマイクロピペット等
によって回収する必要はなくなり、また溶解液を高い回
収率で回収することができる。
[発明の実施例コ
以下に第1図を参照して本発明装置の一実施例を説明す
る。
る。
第1図において、1は密閉筐体、6は弗水素酸液りを満
たし該密閉筐体1の内周壁に沿って環状に形成された液
槽、7は半導体ウェハWを取り付けるほぼ水平な物体取
付面7aを備えるとともに該物体取付面7aの周縁に沿
って薄膜溶解液回収溝7bを備えた回転テーブルである
。 該回収溝7bは図に示されるように物体取付面より
も低い位置に形成されており、また、置溝7bの外周部
の壁7Cは物体取付面7aよりも高く形成されるととも
に置溝7bの外周部壁面は上方において物体取付面7a
の周縁部上方に張り出す一方、該壁面の不法部分はやや
下拡がりに外側に向かってわん曲している。 該回収溝
7bの底面は、水平面に対して傾斜し、水平面から最も
深い溝底面7dが形成されている。
たし該密閉筐体1の内周壁に沿って環状に形成された液
槽、7は半導体ウェハWを取り付けるほぼ水平な物体取
付面7aを備えるとともに該物体取付面7aの周縁に沿
って薄膜溶解液回収溝7bを備えた回転テーブルである
。 該回収溝7bは図に示されるように物体取付面より
も低い位置に形成されており、また、置溝7bの外周部
の壁7Cは物体取付面7aよりも高く形成されるととも
に置溝7bの外周部壁面は上方において物体取付面7a
の周縁部上方に張り出す一方、該壁面の不法部分はやや
下拡がりに外側に向かってわん曲している。 該回収溝
7bの底面は、水平面に対して傾斜し、水平面から最も
深い溝底面7dが形成されている。
物体取付面7aはほぼ水平であり、置部は半導体ウェハ
Wの面に密着しうるように平滑に形成されており、且つ
その面積及び平面形状は半導体ウェハの面と等しくなる
ように構成されている。
Wの面に密着しうるように平滑に形成されており、且つ
その面積及び平面形状は半導体ウェハの面と等しくなる
ように構成されている。
回転テーブル7は鉛直な軸8の上端に着脱可能に固定さ
れており、該軸8は密閉筒体1外の駆動装置9(たとえ
ばマグネットスターラー)により駆動されている。 本
発明の実施例では軸8の回転速度は0.1〜10rpm
の場合が最もよい効果を示したが、0.01〜1100
ppでもかなりの効果が得られることがわかっている。
れており、該軸8は密閉筒体1外の駆動装置9(たとえ
ばマグネットスターラー)により駆動されている。 本
発明の実施例では軸8の回転速度は0.1〜10rpm
の場合が最もよい効果を示したが、0.01〜1100
ppでもかなりの効果が得られることがわかっている。
なお、密閉筺体1及び液槽6並びに回転テーブル7は、
酸や弗素に侵されず且つ液付着性のない弗素樹脂で構成
されており、また軸8は弗素樹脂コーティングされた耐
酸鋼もしくは弗素樹脂強化樹脂体で構成されている。
酸や弗素に侵されず且つ液付着性のない弗素樹脂で構成
されており、また軸8は弗素樹脂コーティングされた耐
酸鋼もしくは弗素樹脂強化樹脂体で構成されている。
前記のごとき構造の本発明の装置において半導体ウェハ
Wを図の如く、その一方の面を回転テーブル7の物体取
付面7aに密着させて取り付けた後、回転テーブル7を
回転させると、半導体ウェハの上面の薄膜のみが弗化水
素酸の蒸気によって溶解され、その薄膜溶解液では遠心
力によって半導体ウェハ上からはねとばされて薄膜溶解
液回収溝7bの中に溜まることになる。 そして回転テ
ーブルが停止すると溶解液lは溝底面の傾斜に沿って流
れ水平面から最も深い溝底面7dに集められる。 従っ
て、装置使用後の薄膜溶解液回収時にはマイクロピペッ
ト等の器具を使用すれば該溝7d内の薄膜溶解液lを完
全に回収することができる。
Wを図の如く、その一方の面を回転テーブル7の物体取
付面7aに密着させて取り付けた後、回転テーブル7を
回転させると、半導体ウェハの上面の薄膜のみが弗化水
素酸の蒸気によって溶解され、その薄膜溶解液では遠心
力によって半導体ウェハ上からはねとばされて薄膜溶解
液回収溝7bの中に溜まることになる。 そして回転テ
ーブルが停止すると溶解液lは溝底面の傾斜に沿って流
れ水平面から最も深い溝底面7dに集められる。 従っ
て、装置使用後の薄膜溶解液回収時にはマイクロピペッ
ト等の器具を使用すれば該溝7d内の薄膜溶解液lを完
全に回収することができる。
なお、回転テーブル7内と該軸8内とに薄膜溶解液回収
通路を設け、密閉筐体外に設けた真空吸引装置を該軸8
の前記回収通路に接続するなどの変型をしてもよい。
通路を設け、密閉筐体外に設けた真空吸引装置を該軸8
の前記回収通路に接続するなどの変型をしてもよい。
[発明の効果]
前記説明から明らかであるように、本発明の装置によれ
ば、半導体ウェハの各面の薄膜を別々に溶解させて、し
かもそれぞれの薄膜溶解液を完全に回収することができ
るようになったため(因みに従来装置における回収率は
40〜50%であった)、薄膜の不純物含有率の測定精
度が著しく向上して薄膜の評価精度が向上する一方、薄
膜溶解液回収時間が大幅に短縮した。 また、薄膜の評
価精度の向上に伴って薄膜形成工程における制御性も改
善することができた。
ば、半導体ウェハの各面の薄膜を別々に溶解させて、し
かもそれぞれの薄膜溶解液を完全に回収することができ
るようになったため(因みに従来装置における回収率は
40〜50%であった)、薄膜の不純物含有率の測定精
度が著しく向上して薄膜の評価精度が向上する一方、薄
膜溶解液回収時間が大幅に短縮した。 また、薄膜の評
価精度の向上に伴って薄膜形成工程における制御性も改
善することができた。
第1図は本発明の装置の一実施例を示す断面図、第2図
は従来の薄膜分解装置の断面図である。 1・・・密閉筐体、 2・・・液槽、 3・・・ウェハ
キャリヤ、 4・・・支持台、 5・・・分解液受皿、
6・・・液槽、 7・・・回転テーブル、 8・・・
軸、 7a・・・物体取付面、 7b・・・薄膜溶解液
回収溝、 7C・・・壁、 9・・・駆動装置、 L・
・・弗化水素酸液、1・・・薄膜溶解液、 f、、f
2・・・薄膜。 特許出願人 株式会社 東 芝 第1図 第2図
は従来の薄膜分解装置の断面図である。 1・・・密閉筐体、 2・・・液槽、 3・・・ウェハ
キャリヤ、 4・・・支持台、 5・・・分解液受皿、
6・・・液槽、 7・・・回転テーブル、 8・・・
軸、 7a・・・物体取付面、 7b・・・薄膜溶解液
回収溝、 7C・・・壁、 9・・・駆動装置、 L・
・・弗化水素酸液、1・・・薄膜溶解液、 f、、f
2・・・薄膜。 特許出願人 株式会社 東 芝 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 表面に薄膜を形成した半導体ウェハ等の物体を密閉
筐体内に収容して反応性蒸気により該薄膜を溶解させる
とともにその溶解液を回収するための薄膜分解装置にお
いて、 該密閉筐体内に該物体を水平面内で回転させる回転テー
ブルが設けられており、該回転テーブルには該物体の一
面全体に密着するほぼ水平な物体取付面が設けられると
ともに該物体取付面の周囲に薄膜溶解液回収溝が設けら
れ、更に該薄膜溶解液回収溝の外周部の壁が該物体取付
面よりも高くかつ溝底面が水平面に対して傾斜するよう
に形成されていることを特徴とする薄膜分解装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13526485A JPS61294825A (ja) | 1985-06-22 | 1985-06-22 | 薄膜分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13526485A JPS61294825A (ja) | 1985-06-22 | 1985-06-22 | 薄膜分解装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61294825A true JPS61294825A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15147633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13526485A Pending JPS61294825A (ja) | 1985-06-22 | 1985-06-22 | 薄膜分解装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61294825A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821349B2 (en) | 1997-09-24 | 2004-11-23 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
JP2007305644A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置 |
-
1985
- 1985-06-22 JP JP13526485A patent/JPS61294825A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821349B2 (en) | 1997-09-24 | 2004-11-23 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
JP2007305644A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置 |
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