JPS61292321A - 電子ビ−ム転写装置 - Google Patents
電子ビ−ム転写装置Info
- Publication number
- JPS61292321A JPS61292321A JP13342585A JP13342585A JPS61292321A JP S61292321 A JPS61292321 A JP S61292321A JP 13342585 A JP13342585 A JP 13342585A JP 13342585 A JP13342585 A JP 13342585A JP S61292321 A JPS61292321 A JP S61292321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- sample
- electron beam
- photoelectric
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電マスクを用いて試料上に微細なパターン
を転写する電子ビーム転写装置に関する。
を転写する電子ビーム転写装置に関する。
(発明の技術的背景とその問題点〕
近年、集積回路の高密度化に伴い、微細パターン形成技
術の主流をなしてきたホトリソグラフィはその限界が指
摘され、この限界を打ち破るものとして電子ビームやX
mによる新しいりソグラフィが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出される光電子を、試料
及びマスフ間の均一な電界及び磁界で試料上に集束させ
、マスク上のパターンを試料上に一括転写する電子ビー
ム転写装置が開発されるに至っている。この装置は、高
速転写が可能であるため高い生産性を有する、マスク構
造がホトマスクと類似しているため従来技術を利用でき
る、及び焦点深度が深いので段差のある基板上への転写
を行い得る等の実用的利点を有し、サブミクロンの微細
パターン加工に極めて有望である。このような装置の有
効性は、例えば文献(R,Ward、J、 Vac、
Sci。
術の主流をなしてきたホトリソグラフィはその限界が指
摘され、この限界を打ち破るものとして電子ビームやX
mによる新しいりソグラフィが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出される光電子を、試料
及びマスフ間の均一な電界及び磁界で試料上に集束させ
、マスク上のパターンを試料上に一括転写する電子ビー
ム転写装置が開発されるに至っている。この装置は、高
速転写が可能であるため高い生産性を有する、マスク構
造がホトマスクと類似しているため従来技術を利用でき
る、及び焦点深度が深いので段差のある基板上への転写
を行い得る等の実用的利点を有し、サブミクロンの微細
パターン加工に極めて有望である。このような装置の有
効性は、例えば文献(R,Ward、J、 Vac、
Sci。
丁echnoloay 、 1b(b ) 、 Nov
/Dec、 1979)に記載されている。
/Dec、 1979)に記載されている。
第5図は上記した電子ビーム転写装置の一例を示す概略
構成図であり、図中51は真空容器、52は真空ポンプ
、53は試料、54は光電マスク、57はマスク支持台
、58は絶縁ガイシ、59は直流高圧電源、60は集束
マグネット、61はマグネット励磁電源、63は紫外光
透過窓、64は光源を示している。この装置では、光源
64からの紫外光を光電マスク54に照射すると、同マ
スク54からマスクパターンに応じた光電子が放出され
、この光電子が前記磁界及び電界により集束され試料5
3上に照射される。これにより、試料53上のレジスト
が露光されることになる。
構成図であり、図中51は真空容器、52は真空ポンプ
、53は試料、54は光電マスク、57はマスク支持台
、58は絶縁ガイシ、59は直流高圧電源、60は集束
マグネット、61はマグネット励磁電源、63は紫外光
透過窓、64は光源を示している。この装置では、光源
64からの紫外光を光電マスク54に照射すると、同マ
スク54からマスクパターンに応じた光電子が放出され
、この光電子が前記磁界及び電界により集束され試料5
3上に照射される。これにより、試料53上のレジスト
が露光されることになる。
かくしてマスクパターンを試料53上に一括転写するこ
とができ、前述した利点を奏するのである。
とができ、前述した利点を奏するのである。
ところで、電子ビーム転写装置では、上述のように光電
マスク54から放出された光電子を加速するため、光電
マスク54に負の高電圧を印加するか、或いは試料53
に正の高電圧を印加している。実際の高電圧は10〜5
0 [KV1程度である。ここで、本発明者等の実験に
よれば、光電マスク54に負の高電圧を印加した場合、
光電マスク54の上方、即ち光電マスク54と紫外光透
過窓63との間の空間で磁界中に特有なペニング放電が
生じ易いことが判明した。ペニング放電の放電原理は、
例えば文献(F、 M、 Penn1n!II: ph
ysica4 <1937) 71)に記載されている
。
マスク54から放出された光電子を加速するため、光電
マスク54に負の高電圧を印加するか、或いは試料53
に正の高電圧を印加している。実際の高電圧は10〜5
0 [KV1程度である。ここで、本発明者等の実験に
よれば、光電マスク54に負の高電圧を印加した場合、
光電マスク54の上方、即ち光電マスク54と紫外光透
過窓63との間の空間で磁界中に特有なペニング放電が
生じ易いことが判明した。ペニング放電の放電原理は、
例えば文献(F、 M、 Penn1n!II: ph
ysica4 <1937) 71)に記載されている
。
第6図に、ペニング放電原理を利用しているペニング真
空計の概略図を示す。図中71はカソード、72はアノ
ード、73は高圧電源、74は磁界印加方向を示す矢印
である。電子ビーム転写装置では、カソードとなる光電
マスク54の支持台57から放出された電子が真空容器
51内の気体分子を電離し、イオンが発生する。この内
、負イオンと電子は、紫外光透過窓63に衝突し、窓6
3を負に帯電させる。マスク支持台57と負に帯電した
窓63をカソード、真空容器51の壁面をアノードと考
えれば、前記第6図に示したペニング真空計と極めて類
似した電極構造が電子ビーム転写装置において現出され
ることになる。この様子を第7図に示す。第7図中斜線
を施した領域で主にペニング放電が生じる。
空計の概略図を示す。図中71はカソード、72はアノ
ード、73は高圧電源、74は磁界印加方向を示す矢印
である。電子ビーム転写装置では、カソードとなる光電
マスク54の支持台57から放出された電子が真空容器
51内の気体分子を電離し、イオンが発生する。この内
、負イオンと電子は、紫外光透過窓63に衝突し、窓6
3を負に帯電させる。マスク支持台57と負に帯電した
窓63をカソード、真空容器51の壁面をアノードと考
えれば、前記第6図に示したペニング真空計と極めて類
似した電極構造が電子ビーム転写装置において現出され
ることになる。この様子を第7図に示す。第7図中斜線
を施した領域で主にペニング放電が生じる。
また、ペニング放電は、電子を加速するための電圧より
も低い電圧、例えば5〜7 [KV]程度でも生じる。
も低い電圧、例えば5〜7 [KV]程度でも生じる。
そして、ペニング放電が生じると、正常なパターン転写
を行い得ない。このため、試料と光電マスクとの間に、
解像性の良いパターンを得るために必要な電圧(数10
KV)を印加することができないと云う問題があった。
を行い得ない。このため、試料と光電マスクとの間に、
解像性の良いパターンを得るために必要な電圧(数10
KV)を印加することができないと云う問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、ペニング放電の発生を未然に防止す
ることができ、マスクと試料との間に高電圧を安定に供
給することができ、パターン転写精度の向上をはかり得
る電子ビーム転写装置を提供することにある。
的とするところは、ペニング放電の発生を未然に防止す
ることができ、マスクと試料との間に高電圧を安定に供
給することができ、パターン転写精度の向上をはかり得
る電子ビーム転写装置を提供することにある。
本発明の骨子は、ペニング放電が起きない構造とするた
めに、光導入用窓の帯電を防止することにある。
めに、光導入用窓の帯電を防止することにある。
即ち本発明は、電子ビーム転写に供される試料及びこの
試料と対向配置され光照射により所望パターンに光電子
を放出する光電マスクが収容される真空容器と、この容
器の外部からの光を該容器内に導入して上記光電マスク
上に照射する光導入用意部と、上記試料及び光電マスク
の対向方向に沿って磁界及び電界を印加する手段とを具
備し、上記光電マスクに光を照射して該マスクのパター
ンを上記試料上に転写する電子ビーム転写装置において
、前記窓部と光電マスクとの間に光を透過する導電性部
材を設置するようにしたものである。
試料と対向配置され光照射により所望パターンに光電子
を放出する光電マスクが収容される真空容器と、この容
器の外部からの光を該容器内に導入して上記光電マスク
上に照射する光導入用意部と、上記試料及び光電マスク
の対向方向に沿って磁界及び電界を印加する手段とを具
備し、上記光電マスクに光を照射して該マスクのパター
ンを上記試料上に転写する電子ビーム転写装置において
、前記窓部と光電マスクとの間に光を透過する導電性部
材を設置するようにしたものである。
本発明によれば、光電マスクの支持部等から放出された
電子が、光導入用窓部に到達するのを極めて少なくする
ことができる。このため、光導入用意部の帯電を未然に
防止することができ、ペニング放電の発生を防止するこ
とができる。従って、光電マスクと試料との間に高電圧
を安定に供給することができ、パターン転写精度の向上
をはかり得る。
電子が、光導入用窓部に到達するのを極めて少なくする
ことができる。このため、光導入用意部の帯電を未然に
防止することができ、ペニング放電の発生を防止するこ
とができる。従って、光電マスクと試料との間に高電圧
を安定に供給することができ、パターン転写精度の向上
をはかり得る。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係わる電子ビーム転写装
置を示す概略構成図である。図中11は真空容器であり
、この容器11内は真空ポンプ12により真空排気され
ている。容器11内には、電子ビーム転写に供される試
料13及び光電マスク14が対向配置されている。試料
13は導電性の試料支持台15上に配置され、この試料
支持台15は支雨具16を介して容器11の底部に固定
されている。光電マスク14は、第2図に示す如く石英
等の透明板14a、この下面に形成されたCr等の光遮
蔽部材からなるマスクパターン14b及びその下面に被
着されたC8I等の光電膜14Cからなるもので、試料
13と略同程度の大きさの開口を有する導電性のマスク
支持台17上に載置されている。マスク支持台17は、
絶縁ガイシ18を介して容器11の土壁に固定されてい
る。
置を示す概略構成図である。図中11は真空容器であり
、この容器11内は真空ポンプ12により真空排気され
ている。容器11内には、電子ビーム転写に供される試
料13及び光電マスク14が対向配置されている。試料
13は導電性の試料支持台15上に配置され、この試料
支持台15は支雨具16を介して容器11の底部に固定
されている。光電マスク14は、第2図に示す如く石英
等の透明板14a、この下面に形成されたCr等の光遮
蔽部材からなるマスクパターン14b及びその下面に被
着されたC8I等の光電膜14Cからなるもので、試料
13と略同程度の大きさの開口を有する導電性のマスク
支持台17上に載置されている。マスク支持台17は、
絶縁ガイシ18を介して容器11の土壁に固定されてい
る。
上記各支持台15.17間には、直流高電圧電源19か
らの高電圧が印加され、これにより試料13及び光電マ
スク14の対向方向に沿って電界が印加されるものとな
っている。また、容器11の外部には集束マグネット2
0が設けられている。
らの高電圧が印加され、これにより試料13及び光電マ
スク14の対向方向に沿って電界が印加されるものとな
っている。また、容器11の外部には集束マグネット2
0が設けられている。
このマグネット20には励磁電源21が接続されており
、マグネット20の励磁により上記電界印加方向と同方
向に磁界が印加されるものとなっている。
、マグネット20の励磁により上記電界印加方向と同方
向に磁界が印加されるものとなっている。
一方、前記容器11の上壁には開口が設けられており、
この開口を閉塞して紫外線透過窓(光導入用意部)23
が設けられている。紫外光透過窓23と光電マスク14
との間には、ステンレス(SUS316)等からなる金
属メツシュ(導電性部材)22が設置されている。この
金属メツシュ22は光の通過を妨げないように形成され
、また容器11と電気的に接続されている。ここで、本
発明者等の実験によれば、メツシュ線の線径0.5[m
]、線間隔3[am]のメツシュを使用した場合、光電
マスク上での照度の低下はメツシュのない場合に比較し
て5[%]以下であることが確認され、メツシュの付加
により電子ビーム転写に殆ど影響のないことが判明して
いる。
この開口を閉塞して紫外線透過窓(光導入用意部)23
が設けられている。紫外光透過窓23と光電マスク14
との間には、ステンレス(SUS316)等からなる金
属メツシュ(導電性部材)22が設置されている。この
金属メツシュ22は光の通過を妨げないように形成され
、また容器11と電気的に接続されている。ここで、本
発明者等の実験によれば、メツシュ線の線径0.5[m
]、線間隔3[am]のメツシュを使用した場合、光電
マスク上での照度の低下はメツシュのない場合に比較し
て5[%]以下であることが確認され、メツシュの付加
により電子ビーム転写に殆ど影響のないことが判明して
いる。
なお、第1図中25は光源24からの光を選択的に遮断
するシャッタ、26は容器11を保持する防振架台、2
7は試料13と光電マスク14との相対位a関係を検出
する検出器を示している。
するシャッタ、26は容器11を保持する防振架台、2
7は試料13と光電マスク14との相対位a関係を検出
する検出器を示している。
次に、上記構成された本装置の作用について説゛明する
。
。
パターン転写の原理は、従来装置と全く同様である。即
ち、試料13及び光電マスク14を第1図に示す如く配
置した状態で、光[24を点灯しシャッタ25を開くと
、光電マスク14からはそのパターンに応じた光電子が
放出される。この光電子は、試料・マスク間の磁界及び
電界により集束され試料13に到達し、試料13上のレ
ジスト等を露光する。これにより、試料13上に光電マ
スク14のパターンが転写されることになる。
ち、試料13及び光電マスク14を第1図に示す如く配
置した状態で、光[24を点灯しシャッタ25を開くと
、光電マスク14からはそのパターンに応じた光電子が
放出される。この光電子は、試料・マスク間の磁界及び
電界により集束され試料13に到達し、試料13上のレ
ジスト等を露光する。これにより、試料13上に光電マ
スク14のパターンが転写されることになる。
一方、ペニング放電が生じない原理は次の通りである。
マスク支持台17の上方では、従来装置と同様に気体分
子の電離によって負イオンや電子が生じる。マスク支持
部台17の上方で気体分子の電離によって生じた負イオ
ンや電子は、容器11の壁面に到達するものもあるが、
その一部は紫外線透過窓23の方向にも向かう。このた
め、従来装置では、紫外線透過窓23に到達した負イオ
ンや電子の影響で該窓23が帯電することになる。
子の電離によって負イオンや電子が生じる。マスク支持
部台17の上方で気体分子の電離によって生じた負イオ
ンや電子は、容器11の壁面に到達するものもあるが、
その一部は紫外線透過窓23の方向にも向かう。このた
め、従来装置では、紫外線透過窓23に到達した負イオ
ンや電子の影響で該窓23が帯電することになる。
これに対し本装置では、第3図に示す如く金属メツシュ
22を設けているので、上記電子は紫外光透過窓23に
到達する前に金属メツシュ22に到達する。金属メツシ
ュ22に到達した負イオンや電子は、金属メツシュ22
が接地されているから該メツシュ22に補捉される。こ
のため、窓23に到達する負イオンや電子の量は極めて
少ないものとなり、窓23が負に帯電することはなく、
ペニング真空計におけるカソードの役目を窓が果たすこ
とはない。従って、ペニング放電を起こすことなく高置
圧電1119により光電マスク14に高電圧を安定に供
給することができる。
22を設けているので、上記電子は紫外光透過窓23に
到達する前に金属メツシュ22に到達する。金属メツシ
ュ22に到達した負イオンや電子は、金属メツシュ22
が接地されているから該メツシュ22に補捉される。こ
のため、窓23に到達する負イオンや電子の量は極めて
少ないものとなり、窓23が負に帯電することはなく、
ペニング真空計におけるカソードの役目を窓が果たすこ
とはない。従って、ペニング放電を起こすことなく高置
圧電1119により光電マスク14に高電圧を安定に供
給することができる。
このように本装置によれば、紫外光透過窓23と光電マ
スク14との間に金属メツシュ22を設置しているので
、紫外光透過窓23に到達する負イオンや電子の量を極
めて少なくすることができ、該W!23の帯電を未然に
防止することができる。
スク14との間に金属メツシュ22を設置しているので
、紫外光透過窓23に到達する負イオンや電子の量を極
めて少なくすることができ、該W!23の帯電を未然に
防止することができる。
このため、ペニング放電の発生を招くことなく、マスク
・試料間に高電圧を、印加することができ、これにより
パターン転写精度の向上をはかり得る。
・試料間に高電圧を、印加することができ、これにより
パターン転写精度の向上をはかり得る。
また、従来装置に金属メツシュ22を付加するのみで、
簡易に実現できる等の利点がある。
簡易に実現できる等の利点がある。
第4図は、本発明の他の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付し、その詳
しい説明は省略する。
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付し、その詳
しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、導電性
部材としての金属メツシュの代りに、光透過性の導Mw
Aを用いたことにある。即ち、紫外光透過窓23の下面
には、クロムからなる厚さ50[人]の導電1141が
蒸着形成されている。そして、この導電膜41は、容器
11と電気的に接続されている。なお、この導電1II
41を被着した場合の紫外光の透過率は、該導電!!4
1がない場合の95[%]以上であることが実験によっ
て判明している。
部材としての金属メツシュの代りに、光透過性の導Mw
Aを用いたことにある。即ち、紫外光透過窓23の下面
には、クロムからなる厚さ50[人]の導電1141が
蒸着形成されている。そして、この導電膜41は、容器
11と電気的に接続されている。なお、この導電1II
41を被着した場合の紫外光の透過率は、該導電!!4
1がない場合の95[%]以上であることが実験によっ
て判明している。
このような構成であれば、マスク支持台17の上方で気
体分子の電離によって生じ、紫外光透過窓23の方向に
進む負イオンや電子は、導電膜41で補捉されることに
なる。このため、紫外光透過窓23が負に帯電すること
はなく、ペニング真空計におけるカソードの役目を窓2
3が果すことはない。
体分子の電離によって生じ、紫外光透過窓23の方向に
進む負イオンや電子は、導電膜41で補捉されることに
なる。このため、紫外光透過窓23が負に帯電すること
はなく、ペニング真空計におけるカソードの役目を窓2
3が果すことはない。
従って、ペニング放電の発生を招くことなく、高電圧電
源19により光電マスク14に高電圧を安定に供給する
ことができ、先の実施例と同様の効果が得られる。
源19により光電マスク14に高電圧を安定に供給する
ことができ、先の実施例と同様の効果が得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。第1図の実施例では、金属メツシュを光導入用窓
の全体を覆うようにしたが、第7図に示す如く窓部の中
心付近ではペニング放電が生じないことから、金属メツ
シュをドーナツ状に形成してもよい。また、第4図の実
施例における導電膜は50[人]の膜厚としたが、窓部
が帯電せず且つ光の透過をあまり低下させない範囲で、
膜厚は適宜変更可能である。さらに、導電膜の材質及び
被着方法等も適宜変更可能であるのは、勿論のことであ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
ない。第1図の実施例では、金属メツシュを光導入用窓
の全体を覆うようにしたが、第7図に示す如く窓部の中
心付近ではペニング放電が生じないことから、金属メツ
シュをドーナツ状に形成してもよい。また、第4図の実
施例における導電膜は50[人]の膜厚としたが、窓部
が帯電せず且つ光の透過をあまり低下させない範囲で、
膜厚は適宜変更可能である。さらに、導電膜の材質及び
被着方法等も適宜変更可能であるのは、勿論のことであ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
第1図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム転写装置
を示す概略構成図、第2因は上記装装置に用いた光電マ
スクの具体的構造を示す断面図、第3図は上記装置の作
用を説明するための模式図、第4図は本発明の他の実施
例を示す概略構成図、第5図は従来の電子ビーム転写装
置を示す概略構成図、第6図はペニング真空計を示す概
略構成図、第7図は従来の電子ビーム転写装置において
生じるペニング放電をペニング真空計と対比して説明す
るための模式図である。 11・・・真空容器、12・・・真空ポンプ、13・・
・試料、14・・・光電マスク、15・・・試料支持台
、17・・・マスク支持台、18・・・絶縁ガイシ、1
9・・・高電圧電源、20・・・集束マグネット、21
・・・マグネット励磁電源、22・・・金属メツシュ(
導電性部材)、23・・・紫外透過窓(光透過板)、2
4・・・光源、41・・・導電膜(導電性部材)。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 第6ff1 第7図
を示す概略構成図、第2因は上記装装置に用いた光電マ
スクの具体的構造を示す断面図、第3図は上記装置の作
用を説明するための模式図、第4図は本発明の他の実施
例を示す概略構成図、第5図は従来の電子ビーム転写装
置を示す概略構成図、第6図はペニング真空計を示す概
略構成図、第7図は従来の電子ビーム転写装置において
生じるペニング放電をペニング真空計と対比して説明す
るための模式図である。 11・・・真空容器、12・・・真空ポンプ、13・・
・試料、14・・・光電マスク、15・・・試料支持台
、17・・・マスク支持台、18・・・絶縁ガイシ、1
9・・・高電圧電源、20・・・集束マグネット、21
・・・マグネット励磁電源、22・・・金属メツシュ(
導電性部材)、23・・・紫外透過窓(光透過板)、2
4・・・光源、41・・・導電膜(導電性部材)。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 第6ff1 第7図
Claims (4)
- (1)電子ビーム転写に供される試料及びこの試料と対
向して配置され光照射により所望パターンに光電子を放
出する光電マスクが収容される真空容器と、この容器の
外部からの光を該容器内に導入して上記光電マスク上に
照射する光導入用窓部と、上記試料及び光電マスクの対
向方向に沿つて磁界及び電界を印加する手段とを具備し
、上記光電マスクに光を照射して該マスクのパターンを
上記試料上に転写する電子ビーム転写装置において、前
記窓部と光電マスクとの間に光を透過する導電性部材を
配置してなることを特徴とする電子ビーム転写装置。 - (2)前記導電性部材は金属メッシュからなるもので、
該金属メッシュは前記光電マスクの電位に比べて高い電
位に保持されていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の電子ビーム転写装置。 - (3)前記導電性部材は前記光導入用窓の容器内側の面
に被着された導電膜からなるもので、該導電膜は前記光
電マスクの電位に比べて高い電位に保持されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム転
写装置。 - (4)前記導電性部材は、前記容器と電気的に接続され
て接地されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の電子ビーム転写装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13342585A JPS61292321A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子ビ−ム転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13342585A JPS61292321A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子ビ−ム転写装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61292321A true JPS61292321A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15104469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13342585A Pending JPS61292321A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子ビ−ム転写装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61292321A (ja) |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP13342585A patent/JPS61292321A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6924493B1 (en) | Ion beam lithography system | |
US4119688A (en) | Electro-lithography method | |
TW464909B (en) | A charged particle beam exposure method and an apparatus therefor | |
US6465795B1 (en) | Charge neutralization of electron beam systems | |
US4085330A (en) | Focused ion beam mask maker | |
KR20010099597A (ko) | 비균일성을 보상하면서 표면을 물리적 기상 프로세싱하는장치 | |
US7504619B2 (en) | Energetic neutral particle lithographic apparatus and process | |
US5912468A (en) | Charged particle beam exposure system | |
JPS6136589B2 (ja) | ||
JPH01159955A (ja) | 電子イメージプロジェクタ | |
NL8103848A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van geintegreerde ketens. | |
JPS61292321A (ja) | 電子ビ−ム転写装置 | |
US4902897A (en) | Ion beam gun and ion beam exposure device | |
JPH062166A (ja) | イオンビームエッチング装置 | |
US7011927B2 (en) | Electron beam duplication lithography method and apparatus | |
KR100754369B1 (ko) | 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의패턴을 형성하는 방법 | |
JPS61292322A (ja) | 電子ビ−ム転写装置 | |
JPS63107118A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
JPS6244936A (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
JPH07254539A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JPH0692638B2 (ja) | 薄膜装置 | |
JPS6177329A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0234427B2 (ja) | ||
JPS6298543A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
JPS61174725A (ja) | 薄膜形成装置 |